| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 141 | 一种碳酸钙类石质文物防护用复合仿生材料的制备方法 | CN201610429790.4 | 2016-06-17 | CN106083193A | 2016-11-09 | 洪坤; 徐泽远; 云山; 郭探; 何磊; 周苏闽 |
| 本发明提供了一种碳酸钙类石质文物防护用复合仿生材料的制备方法，其是在石材表面通过仿生技术调控形成一层氟化钙/二氧化硅复合防护膜。该制备方法包括如下步骤:1)用去离子水和有机溶剂清洗石材表面，并自然干燥;2)用阳离子表面活性剂或硫酸软骨素溶液涂敷清洗后的石材，使其表面活化改性;3)先后用氟化钠溶液和二氧化硅溶胶浸泡处理表面活化的石材，在石材表面形成氟化钙/二氧化硅复合防护膜。本发明制备的氟化钙/二氧化硅复合仿生防护膜与石材基底附着紧密，具有良好的耐酸碱腐蚀性、耐污性、耐候性、抑菌性、亲水性和透气性，既能抵抗酸雨侵蚀又不影响内部水汽的蒸发。同时本发明提供的制备方法操作简单、反应温和、成本低廉，且不影响石材表面原貌。 | ||||||
| 142 | 具有三元层状MAX相界面层的纤维增韧陶瓷基复合材料及其制备方法 | CN201610460452.7 | 2016-06-21 | CN106083117A | 2016-11-09 | 黄庆; 李勉; 陈凡燕; 司晓阳; 都时禹 |
| 本发明提出一种具有三元层状MAX相界面层的纤维增韧陶瓷基复合材料。通过引入三元层状MAX相材料作为界面层，可以有效提升陶瓷基复合材料的耐辐照性能、导热性能和抗氧化性能；另外，MAX相材料具有的多种断裂能吸收机制可以有效吸收断裂能、阻碍裂纹在陶瓷基复合材料内部的扩展，提高陶瓷基复合材料的韧性和损伤容限；因此，有效拓展了该复合材料的应用领域，例如在航空航天热结构材料、核能结构材料等领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 143 | 一种水泥基彩色工艺品的制备材料及其制备方法 | CN201610477928.8 | 2016-06-27 | CN106082879A | 2016-11-09 | 张凯峰; 姚源; 何学云; 罗作球; 孟刚; 赵世冉; 王宁; 耿飞; 刘磊; 王敏; 袁延召; 任慧超 |
| 本发明提出了一种水泥基彩色工艺品的制备材料及其制备方法，制备材料由水泥、粉煤灰、稻壳灰、玻璃粉、颜料、纤维、复合型外加剂和水，按照50～80：5～40：5～30：3～8：1～5：0.5～1：1.93～2.65：32～43的质量份配比得到。本发明中利用普通水泥基材料配制水泥基彩色工艺品，较白色水泥配制彩色浆体更为经济；采用玻璃粉配制彩色水泥浆体，可提高彩色水泥浆体的光亮度，使硬化彩色水泥浆体具有颜色鲜亮的特点；此外，通过调整粉煤灰和稻壳灰的掺量，可进行色彩深度的调整和色调的微调，使彩色水泥浆体的色泽更加符合设计要求。 | ||||||
| 144 | 钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法 | CN201610390890.0 | 2016-06-02 | CN106064945A | 2016-11-02 | 刘洪; 张倩; 朱建国; 余萍; 徐威; 陈强; 肖定全 |
| 本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷，该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u wt％CaCO3+v wt％Li2CO3+wmol％Yb2O3，其中0.02≤x≤0.15，0.02≤y≤0.15，0.08≤u≤0.5，0.08≤v≤0.5，0≤w≤0.4。本发明还提供了上述钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷的制备方法。该压电陶瓷烧结温度低，并且兼具良好的压电性能和较高的居里温度。 | ||||||
| 145 | 用于陶瓷基质复合材料的具有可磨耗涂层的环境阻挡涂层 | CN201510966228.0 | 2015-12-22 | CN106045575A | 2016-10-26 | L.S.罗森斯维希; C.A.约翰逊; P.J.梅施特; R.萨拉菲-诺尔 |
| 制品包括基材、布置在所述基材上的粘合涂层、布置在所述粘合涂层上的环境阻挡涂层和布置在第二顶涂层上的图案化可磨耗涂层。所述环境阻挡涂层包括布置在所述粘合涂层上的中间层、布置在所述中间层上的密封层、布置在所述密封层上的第一顶涂层和布置在所述第一顶涂层上的第二顶涂层。所述第一顶涂层与所述第二顶涂层不同。 | ||||||
| 146 | 一种NBT基高温度低损耗陶瓷电容器的制备方法 | CN201610370589.3 | 2016-05-30 | CN106045500A | 2016-10-26 | 蒲永平; 万晶; 吴煜蓉 |
| 本发明公开了一种NBT基高温度低损耗陶瓷电容器的制备方法，其化学组成通式满足：0.92Na0.5Bi0.5TiO3‑0.08BaTiO3‑xLiBa2Nb5O15，其中x表示摩尔分数，0.2≤x≤0.5。本发明通过固相法分别制备主料Na0.5Bi0.5TiO3，辅料BaTiO3和LiBa2Nb5O15，然后按照配比依次进行配料、球磨、烘干、造粒、过筛后压制成生坯，生坯于1120～1150℃保温2～3小时烧结，烧渗制备电极，制得该陶瓷电容器。本发明制备的陶瓷电容器以NBT为基体，向其中加入少量BaTiO3，并采用具有LiBa2Nb5O15进行掺杂改性，LiBa2Nb5O15的掺入有利于压低NBT的介电峰，使得其在介电常数相对较高的情况下，同时可在较宽的温度范围内，保持较低的介电损耗。 | ||||||
| 147 | 分子筛膜支撑体的制备方法 | CN201510991906.9 | 2015-12-25 | CN105622079B | 2016-10-19 | 孟凡朋; 樊震坤; 张健; 张超; 张玉军; 张伟 |
| 本发明属于支撑体制备技术领域，具体涉及一种分子筛膜支撑体的制备方法。按堇青石中镁、铝、硅摩尔比，用溶胶‑凝胶法制备出镁、铝、硅及烧结助剂镧的纳米复合溶胶包裹粘附在分散好的微米级堇青石粉表面，通过预烧结使溶胶转变成纳米复合氧化物，将此粉体与粘结剂、水等混成泥料，挤出成型并烧结成堇青石支撑体，接着用氧化锆的水分散液在堇青石支撑体外部涂覆一层薄膜并烧结，得到堇青石主支撑层和氧化锆薄膜层复合的分子筛膜支撑体。本发明为双层复合支撑体，支撑体分子筛生长的基层薄膜孔径更小、更均匀，孔隙率更高；使得生长在此薄膜上的分子筛膜相对更均匀、生长时间更短，无缺陷。 | ||||||
| 148 | 一种有机胺类挥发性气体敏感材料的制备方法 | CN201610310976.8 | 2016-05-11 | CN106018489A | 2016-10-12 | 郭影; 刘水任 |
| 本发明公开了一种检测有机胺类挥发性气体的复合金属氧化物材料，并将该材料制备成气敏元件。本发明首先采用简单的共沉淀法以及水热处理的方式制备多金属氢氧化物前驱体，然后高温焙烧得到MⅡO/MⅡxMⅢyOz复合金属氧化物材料，采用涂覆方法将其均匀涂在器件表面，老化后得到复合材料的气敏传感器，可完成对有机胺气体的快速检测，同时该气敏元件显示出对有机胺挥发性气体良好的选择性。 | ||||||
| 149 | 一种锌镍氧化物新型NTC热敏电阻材料 | CN201610306430.5 | 2016-05-11 | CN105967677A | 2016-09-28 | 孙祥; 李志成; 张鸿 |
| 本发明涉及一种半导体陶瓷材料，尤其是符合制备具有电阻负温度系数（NTC）的热敏电阻材料。本发明的NTC热敏电阻材料以锌镍氧化物为主要成分组成、钇为半导化掺杂元素，可适应制备热敏陶瓷电阻元件、薄膜热敏电阻元件。本发明材料可以通过改变半导化掺杂元素的含量调节热敏电阻元件的材料常数值和室温电阻值大小，可实现宽范围室温电阻率和宽范围材料常数的调节。本发明的热敏电阻材料具有稳定性好、一致性好、重复性好的特点，具有电阻值、材料常数、电阻温度系数等电气特性可控的特点，适用于温度测量、温度控制和线路补偿，以及电路和电子元件的保护以及流量、流速、射线测量的仪器与应用领域。 | ||||||
| 150 | 一种碳化硅基复合材料表面SiC涂层的制备方法 | CN201610282651.3 | 2016-04-29 | CN105948822A | 2016-09-21 | 龚晓冬; 李军平; 张国兵; 孙新; 常京华; 冯志海 |
| 本发明涉及一种复合材料表面SiC涂层的制备方法，属于氧化防护技术领域。将硅粉包埋于碳化硅基复合材料表面，高温真空熔渗，使复合材料包埋于熔体之中；然后将包覆熔体的复合材料置于过量碳源之中，再次高温热处理。清理表面残渣后即可得到含有SiC涂层的复合材料。本发明采用反应熔渗法制备涂层，可实现制备涂层的同时进一步提高基材的致密度；通过碳源去除多余熔体，可形成均匀平整的SiC涂层。 | ||||||
| 151 | 一种高防污的轻质陶瓷砖及其制备方法 | CN201610255833.1 | 2016-04-21 | CN105948498A | 2016-09-21 | 许林峰 |
| 本发明公开了一种高防污的轻质陶瓷砖及其制备方法，包括坯体和釉层，所述釉层包括底釉和面釉，所述底釉施予所述坯体的表面，所述面釉施予所述底釉的表面；所述底釉在1100～1250℃下的粘度值为300～400Pa.s，所述面釉在1100～1250℃下的粘度值为150～250Pa.s。所述底釉粘度大，有效地封存气体，阻止气体的穿透，从而避免釉面针孔和釉泡的产生；所述面釉粘度小，流动性好，易于形成均匀光滑的釉面，防止釉面开裂的发生。因此，所述高防污的轻质陶瓷砖的防污性能高，装饰效果好，可应用于房屋内外墙的铺贴，也可用于浴室地板的铺贴。 | ||||||
| 152 | 氧化铝多孔质体及其制造方法 | CN201380031653.X | 2013-05-17 | CN104364222B | 2016-09-14 | 渡边裕和; N·N·巴拉高帕 |
| 提供即使在较低的温度进行烧成也具有较大的强度、孔隙率较高且孔径较大的氧化铝多孔质体及其制造方法。作为骨料的氧化铝粒子(16)之间，通过由作为Si系化合物(18)的莫来石或高岭石和作为稀土类氧化物(20)的氧化钇合成的化合物(22)即Y2Si2O7(硅酸钇)而结合。因此，例如，即使在烧成温度为1450℃的较低的温度对较大的粒径例如15μm～50μm的范围的粒径的氧化铝粒子(16)进行烧结的情况下，氧化铝粒子(16)之间通过Y2Si2O7而结合，也能够得到良好的结合强度，因此能够得到即使在较低的温度进行烧成也具有较大的平均径向抗压强度(MPa)、孔隙率(％)较高且平均孔径(μm)较大的氧化铝多孔质体(10)。 | ||||||
| 153 | 铝碳化硅复合材料的制备方法 | CN201610239053.8 | 2016-04-18 | CN105924178A | 2016-09-07 | 肖浩 |
| 本发明公开了一种铝碳化硅复合材料的制备方法，包括以下步骤：将粗碳化硅颗粒和细碳化硅颗粒混匀，加入两种碳化硅颗粒总质量1～3％的磷酸二氢铝水溶液和5％的水，加热进行湿混捏至湿度为10％，得到混合料，磷酸二氢铝水溶液的质量百分数为50％。将混合料烘干，造粒，陈腐得到粉料。将粉料填充至模具中，在10Mpa的压力下成型，形成近成型素坯。将带素坯的模具包套封装后烧结，素坯形成预制件。将装有预制件的模具包套封装浸铝，得到铝碳化硅复合材料。原料中不添加石蜡微乳液，同时减少磷酸二氢铝的量，素坯的空隙高，制得材料铝体积分数大，提升了热导率。该制备方法，简化了工艺路线，节省了成本，提高了铝碳化硅复合材料的热导率。 | ||||||
| 154 | 粉煤灰制防静电陶瓷砖及其制备方法 | CN201610261404.5 | 2016-04-25 | CN105924136A | 2016-09-07 | 袁国梁; 潘绍云; 乔栓虎 |
| 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种粉煤灰制防静电陶瓷砖及其制备方法。粉煤灰制防静电陶瓷砖包括坯体和釉层，坯体由如下原料制成：长石、白泥、粉煤灰、复合导电粉，复合导电粉的组成为铁的氧化物和防静电粉；釉层由如下原料制成：钾长石、钠长石、白云石、烧滑石、氧化铝、石英、熔块、高岭土、防静电粉。本发明粉煤灰制防静电陶瓷砖，不仅具有陶瓷地砖的优异性能，装饰性强、耐用，可以消除静电达到促进人体健康，保护生活和工作环境的作用，而且节约资源，节能降耗。 | ||||||
| 155 | 防静电电磁屏蔽陶瓷砖及其制备方法 | CN201610260932.9 | 2016-04-25 | CN105924132A | 2016-09-07 | 袁国梁; 潘绍云; 乔栓虎 |
| 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种防静电电磁屏蔽陶瓷砖及其制备方法。防静电电磁屏蔽陶瓷砖，包括坯体和釉层，坯体由如下原料制成：长石、粘土、焦宝石、滑石、沙河瓷石、电磁屏蔽料和防静电材料，釉层由如下原料制成：钾长石、钠长石、方解石、烧滑石、氧化锌、碳酸钡、氧化铝、熔块、煅烧土、高岭土、防静电材料。本发明防静电电磁屏蔽陶瓷砖，不仅具有陶瓷地砖的优异性能，装饰性强、耐用，而且，还具有防静电电磁屏蔽的特性。电磁屏蔽效能可达到18.1‑25.7dB，屏蔽效能随着砖的厚度增加而加大，可以消除静电，电磁屏蔽，达到促进人体健康，保护生活和工作环境的作用。 | ||||||
| 156 | 一种工艺陶瓷泥浆及制备该泥浆的组合物 | CN201610260789.3 | 2016-04-25 | CN105924131A | 2016-09-07 | 林培灿; 陈维尧; 张向卫 |
| 本发明公开了一种工艺陶瓷泥浆及制备该泥浆的组合物，所述组合物包括如下重量份的物质：水洗瓷土40‑60，高岭土5‑10，球土3‑8，钾长石3‑5，锂长石3‑5,白云石10‑15，透辉石8‑15,钴蓝0.01‑0.03，用该组合物制成的泥浆，烧成温度低，烧成时间短，能源消耗少，产品强度高，白度高。 | ||||||
| 157 | 碳化硅预制件的烧结方法及铝碳化硅板的制备方法 | CN201610239864.8 | 2016-04-18 | CN105906369A | 2016-08-31 | 肖浩 |
| 本发明公开了一种碳化硅预制件的烧结方法及铝碳化硅板的制备方法，该烧结方法包括以下步骤：将预制件素坯放置在烧结炉中，炉温从室温以5℃/min的速度升温到200℃后，抽取烧结炉中的烟气至燃烧室，燃烧室设置为大火焰。炉温以4℃/min的速度升温到400℃后，调小燃烧室的火焰。炉温以4℃/min升温到600℃后，保温0.5h，增大燃烧室的火焰。停止抽取烟气，封闭烧结炉的烟气出口，炉温以3℃/min升温到850℃，保温1h，炉体冷却，开启炉门，获得碳化硅预制件。上述碳化硅预制件的烧结方法，通过抽取烟气至燃烧室中，促进石蜡蒸汽排出，避免碳化硅预制件表面孔隙产生炭黑残留，排蜡时间大量缩短，缩短了烧结时间。 | ||||||
| 158 | 一种抗冲击高的日用陶瓷 | CN201610235923.4 | 2016-04-18 | CN105906324A | 2016-08-31 | 方堃 |
| 本发明公开了一种抗冲击高的日用陶瓷，由以下重量份的原料制备制成：氮化硼3?4、硫化钡2?3、硅灰石粉14?16、钛白粉4?5、有机硅抗菌剂2?3、蒙皂石粘土10?13、柠檬酸2?3、凹凸棒土14?17、钾长石21?24、羧甲基纤维素钠3?4、焦磷酸钠1?2、聚醚3?4、粉煤灰40?45、白釉球35?40、废玻璃6?8、麦饭石10?14、绿茶21?25、橙子皮14?17、贝壳粉6?8、虾壳粉4?6、聚乙烯醇0.2?0.3、磷酸三丁酯0.2?0.3、去离子水适量；本发明制成的抗冲击陶瓷亲和人体，多种元素是人体所需，杀菌率高，热稳定性好、化学性质稳、轻质细腻，且具有抗冲击、强度大的特性，实用性高。 | ||||||
| 159 | 含碳耐火物的背面氧化抑制方法、衬里结构体和含碳耐火物 | CN201580004113.1 | 2015-01-06 | CN105899903A | 2016-08-24 | 井上明彦; 清田祯公 |
| 本发明提供气密性高且背面氧化的抑制效果高的背面氧化抑制方法和衬里结构体。本发明的含碳耐火物的背面氧化抑制方法中，使含有碱金属氧化物和SiO2的硅酸的碱金属盐水溶液附着于耐火物中工作面的相反侧的面即背面，并使其固化而形成附着层，所述耐火物在400℃以上的高温下使用且含有1质量％以上的碳或碳化合物，所述硅酸的碱金属盐水溶液中，SiO2相对于碱金属氧化物R2O(R为碱金属元素)的摩尔比为2.3以上。在含碳耐火物的背面上形成有硅酸的碱金属盐的固态的附着层。 | ||||||
| 160 | 用于凝固硅锭的坩埚 | CN201180041722.6 | 2011-08-26 | CN103080028B | 2016-08-24 | 查尔斯·休格特; 伊曼纽尔·弗拉奥特; 海伦·里格尼尔 |
| 本发明涉及一种用于使熔融硅凝固为硅锭的坩埚，其特征在于，在所述坩埚的内表面上至少部分涂覆有通过聚硅氮烷热分解获得的材料所构成的至少一层，所述层具有大于1Pa并不高于500MPa的剪切强度，并且以非接触性瓷砖的邻接子层的堆叠形式存在。本发明还涉及用于制备这种坩埚的方法。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈