| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 金属－陶瓷接合基板及其制造方法 | CN201280077193.X | 2012-11-20 | CN104798195B | 2017-09-26 | 小山内英世; 北村征宽; 青木洋人; 金近幸博; 菅原研; 武田靖子 |
| 以由氮化铝烧结体构成的陶瓷基板(10)的残余应力在‑50MPa以下、陶瓷基板(10)与金属板(14)的接合面的算术平均粗糙度Ra为0.15～0.30μm、十点平均粗糙度Rz为0.7～1.1μm、最大高度Ry为0.9～1.7μm、陶瓷基板(10)的抗弯强度为500MPa以下、沿着陶瓷基板(10)的表面所形成的残余应力层(10a)的厚度为25μm以下的条件，在进行将液体中包含球状氧化铝作为磨粒的浆料喷射至陶瓷基板(10)的表面的湿式喷砂处理后，在由该湿式喷砂处理得到的陶瓷基板(10)上通过钎料(12)接合由铜或铜合金构成的金属板(14)，从而制造陶瓷基板(10)和金属板(14)的接合强度优异，并且耐热循环特性优异的金属‑陶瓷接合基板。 | ||||||
| 2 | 附带冷却器的功率模块用基板及其制造方法 | CN201580050213.8 | 2015-10-09 | CN107112298A | 2017-08-29 | 大井宗太郎; 大开智哉; 北原丈嗣 |
| 本发明提供一种附带冷却器的功率模块用基板，所述附带冷却器的功率模块用基板防止在将由铜或铜合金构成的金属层钎焊到铝制冷却器时发生变形，并且热阻较小且接合可靠性较高。在陶瓷基板的一个面接合由铜或铜合金构成的电路层，并且在陶瓷基板的另一个面接合由铜或铜合金构成的金属层，在该金属层固相扩散接合由铝或铝合金构成的第2金属层，并使用含Mg的Al系钎焊材料在第2金属层钎焊接合由铝合金构成的冷却器。 | ||||||
| 3 | 层叠线圈部件 | CN201580060013.0 | 2015-11-04 | CN107077949A | 2017-08-18 | 冈田佳子 |
| 本发明提供一种层叠线圈部件，其特征在于，是具有由铁氧体材料构成的磁性体部、由非磁性铁氧体材料构成的非磁性体部以及埋设于它们的内部的线圈状的导体部的层叠线圈部件，其中，上述非磁性体部相对于换算成Fe2O3的Fe含量、换算成ZnO的Zn含量和换算成V2O5的V含量以及存在的情况下的换算成CuO的Cu含量和换算成Mn2O3的Mn含量的合计，Fe的含量换算成Fe2O3为36.0～48.5mol％，Zn的含量换算成ZnO为46.0～57.5mol％，V的含量换算成V2O5为0.5～5.0mol％，Mn的含量换算成Mn2O3为0～7.5mol％，Cu的含量换算成CuO为0～5.0mol％。本发明的层叠线圈部件即使在低氧分压下烧制的情况下电阻率也高。 | ||||||
| 4 | 陶瓷电子部件的制造方法及陶瓷电子部件 | CN201310741070.8 | 2013-12-27 | CN103915253B | 2017-05-03 | 冈岛健一; 福永大树; 矢尾刚之; 中村泰也; 盐田彰宏 |
| 本发明提供一种不易发生内部电极间的短路的陶瓷电子部件的制造方法。在未加工的陶瓷坯料（23）的第一及第二侧面（24c、24d）中的每一个上形成未加工的陶瓷层（29a、29b），所述未加工的陶瓷层（29a、29b）含有陶瓷粒子，并且存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分的总量比陶瓷部多。通过对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成，而得到具有电子部件本体（10）的陶瓷电子部件（1），所述电子部件本体（10）是对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成而成的。 | ||||||
| 5 | 接合体及其制造方法 | CN201480003621.3 | 2014-01-30 | CN104884411B | 2017-03-22 | 宫本钦生; 藤田一郎; 土居赐; 松本大平; 大国友行; 中村文滋; 陈卫武 |
| 本发明的主要目的在于提供一种增大金属层的厚度、并容易地实现金属层与碳材料层的接合，并且能够抑制破损的接合体及其制造方法。该接合体是CFC层(3)和钨层(4)接合而成的结构的接合体，在CFC层(3)与钨层(4)之间形成有经烧结的碳化钨层(5)以及SiC与WC的混合层(6)、进入CFC层且烧结的SiC和WC(7)，这些层(3)、(4)、(5)、(6)、(7)通过烧结法而接合。 | ||||||
| 6 | 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置 | CN201280063176.0 | 2012-12-20 | CN104011852B | 2016-12-21 | 矢野圭一; 加藤宽正; 宫下公哉; 那波隆之 |
| 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。 | ||||||
| 7 | 用于高炉内衬的复合耐火材料 | CN201280001379.7 | 2012-04-23 | CN103025680B | 2016-09-14 | 詹努兹·图马拉; 克里斯蒂安·威贝尔; 弗兰克·希尔特曼 |
| 一种特别是用于高炉内衬的耐火材料，其是包含保护层和导热层的层状复合材料，其中单个层之间的层间结合强度大于6MPa。 | ||||||
| 8 | 冲击吸收部件及其制造方法 | CN201380001642.7 | 2013-02-27 | CN103596904B | 2016-08-17 | 熊泽猛; 关根圭人; 辻野鲇美 |
| 本发明涉及冲击吸收部件（50），其具备陶瓷接合体（15），该陶瓷接合体（15）具有：由含有60质量%以上的碳化硼的陶瓷形成的厚度为0.1～50mm的多个第1片状部件（5），和配置于邻接的第1片状部件（5）之间、将邻接的第1片状部件（5）的对置的接合面彼此接合的接合层；接合层由含有选自由铝、铜、银及金组成的组中的至少一种金属的接合材料形成。 | ||||||
| 9 | 具有弯曲性的陶瓷层叠片及其制造方法 | CN201310290609.2 | 2013-07-11 | CN103547135B | 2016-08-10 | 刘日焕; 金镇哲; 金泰庆; 李东圭; 李柔镇 |
| 本发明提供一种陶瓷层叠片，其作为包含形成有多个开裂的陶瓷片以及形成在所述陶瓷片的一面或两面上的高分子树脂层的陶瓷层叠片，所述多个开裂分别从所述陶瓷片一面贯穿到另一面，从而所述陶瓷片分割成多个碎片，在所述陶瓷片的一面及另一面上不存在用于形成所述开裂的槽。本发明的陶瓷层叠片由于不形成用于形成开裂的槽，因而能够在极大地节省工序时间及费用的同时，保有与现有同等水平以上的陶瓷材质特性。另外，陶瓷层叠片的弯曲性优秀，即使在附着工序等中的变形力或冲击下，也没有材质特性的下降，不仅能够附着于平坦的设备，还容易附着于曲面形态或柔性的设备，而且发挥优秀的陶瓷特性。 | ||||||
| 10 | 陶瓷介电组合物以及包含其的多层陶瓷电容器 | CN201510810082.0 | 2015-11-20 | CN105669192A | 2016-06-15 | 朴宰成; 尹硕晛; 金昶勋; 金斗永; 曹秀景 |
| 本发明公开一种陶瓷介电组合物以及包含其的多层陶瓷电容器，所述陶瓷介电组合物包含由(Ca1-xSrx)(Zr1-yTiy)O3、Ca(Zr1-yTiy)O3、Sr(Zr1-yTiy)O3、(Ca1-xSrx)ZrO3和(Ca1-xSrx)TiO3中的一种或更多种表示的基体材料粉末，其中，x和y分别满足0≤x≤1.0和0.2≤y≤0.9。所述陶瓷介电材料在实现相对高电容的同时，可具有高的室温介电常数、优异的ESD保护特性并可确保耐受电压特性。 | ||||||
| 11 | 气体传感器、气体传感器的制造方法、以及气体浓度的检测方法 | CN201480047508.5 | 2014-06-12 | CN105556295A | 2016-05-04 | 中村和敬 |
| 作为气体传感器的湿度传感器具备：由以NiO和ZnO的固溶体为主成分的烧结体形成的p型半导体层(1)；和以ZnO及TiO2之中的至少任一方为主成分且形成在p型半导体层(1)的表面的n型半导体层(2)，p型半导体层(1)中Ni与Zn的摩尔比率Ni/Zn为6/4以上且8/2以下。n型半导体层(2)通过溅射处理制作，或烧成在要成为p型半导体层(1)的未加工层叠体上层叠要成为n型半导体层(2)的生片而成的层叠结构体来制作。将p型半导体层作为正极侧，将n型半导体层作为负极侧，脉冲状地间歇施加电压，基于在所述电压施加时测量的电流值来检测湿度。由此实现特性、高温稳定性良好且耐久性卓越的具有高可靠性的高精度的pn结型的气体传感器和其制造方法及气体浓度的检测方法。 | ||||||
| 12 | Cu-陶瓷接合体、Cu-陶瓷接合体的制造方法及功率模块用基板 | CN201480044605.9 | 2014-09-25 | CN105452195A | 2016-03-30 | 寺崎伸幸; 长友义幸 |
| 本发明的Cu-陶瓷接合体为使用含Ag及Ti的接合材料来接合由铜或铜合金构成的铜部件与由AlN或Al2O3构成的陶瓷部件的Cu-陶瓷接合体，在所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面形成有由Ti氮化物或Ti氧化物构成的Ti化合物层，在该Ti化合物层内分散有Ag粒子。 | ||||||
| 13 | 加热装置 | CN201180051175.X | 2011-10-11 | CN103180267B | 2016-03-30 | 近藤畅之; 渡边守道; 神藤明日美; 胜田祐司; 佐藤洋介; 矶田佳范 |
| 本发明涉及一种加热装置（11A），其包括具有加热半导体的加热面（12a）的基座（12A）。基座（12A）包括板状主体部（13）和表面耐腐蚀层（14），所述基座（12A）的上表面构成所述加热面。表面耐腐蚀层（14）由以镁、铝、氧以及氮为主成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。 | ||||||
| 14 | 层叠陶瓷电容器 | CN201510312333.2 | 2015-06-09 | CN105280377A | 2016-01-27 | 神崎泰介; 增成晃生 |
| 本发明提供层叠陶瓷电容器，能在抑制内部电极的覆盖率的降低的同时实现内部电极的薄层化。层叠陶瓷电容器包括：以包含Ba、Ti且任意含有Zr、Hf的钙钛矿型化合物为主成分的电介质层；和平均厚度0.5μm以下的内部电极。在电介质层中，进行调整，使得相对于Ti、Zr和Hf的合计量100摩尔份，Mg成分为0≤Mg≤0.4(摩尔份)的范围。另外，在内部电极的缺损部中存在Mg成分的比例为20％以上、即(存在Mg的缺损部个数/全部缺损部个数)×100(％)≥20(％)。 | ||||||
| 15 | 氧化锆烧结体、氧化锆组合物和氧化锆煅烧体、以及牙科用修复物 | CN201480026434.7 | 2014-05-08 | CN105164084A | 2015-12-16 | 山田芳久; 松本笃志; 伊藤承央 |
| 提供将粉末层叠而成的层间的强度得以提高的氧化锆烧结体。其含有氧化锆和用于抑制氧化锆的相转变的稳定剂，形成组成不同的多种氧化锆粉末，使多种氧化锆粉末层叠而形成氧化锆组合物，制作使氧化锆组合物烧结而成的氧化锆烧结体，基于JISR1601，针对多种氧化锆粉末的边界以沿着载荷施加方向横切试验片的方式存在的烧结体的试验片，将3点弯曲试验的载荷点对准边界的位置而测定的弯曲强度为1100MPa以上。 | ||||||
| 16 | 加热装置 | CN201180050730.7 | 2011-10-11 | CN103168014B | 2015-11-25 | 近藤畅之; 渡边守道; 神藤明日美; 胜田祐司; 佐藤洋介; 矶田佳范 |
| 一种加热装置，其包括具有加热半导体的加热面的基座（2）和接合到该基座（2）的背面的支撑部（3）。基座（2）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。 | ||||||
| 17 | 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法 | CN201280007472.9 | 2012-01-17 | CN103339223B | 2015-09-09 | U.利波尔德; D.艾泽特 |
| 说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。 | ||||||
| 18 | 多层多晶金刚石结构 | CN201380042526.X | 2013-06-14 | CN104853837A | 2015-08-19 | 尼德雷特·卡恩; 卡维施尼·耐度 |
| 本发明公开了一种多晶金刚石结构，其包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域。所述第一区域包括多个交替层(21)、(22)，所述第一区域中的每个或一个或多个层的厚度在约5-300微米的范围内。所述多晶金刚石(PCD)结构的金刚石含量为PCD材料体积的至多约95％，粘合剂含量为PCD材料体积的至少约5％，所述第一区域和/或第二区域中的一个或多个层包括平均金刚石晶粒接触率大于约60％且标准偏差小于约2.2％的金刚石晶粒。还公开了用于制造这种多晶金刚石结构的方法。 | ||||||
| 19 | 加热装置 | CN201180051354.3 | 2011-10-11 | CN103201236B | 2015-08-19 | 近藤畅之; 渡边守道; 神藤明日美; 胜田祐司; 佐藤洋介; 矶田佳范 |
| 加热装置（1A）包括具有加热半导体W的加热面（9a）的基座（9A）、设在加热面（9a）的外侧的环状部（6A）。环状部（6A）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。 | ||||||
| 20 | 金属－陶瓷接合基板及其制造方法 | CN201280077193.X | 2012-11-20 | CN104798195A | 2015-07-22 | 小山内英世; 北村征宽; 青木洋人; 金近幸博; 菅原研; 武田靖子 |
| 以由氮化铝烧结体构成的陶瓷基板(10)的残余应力在-50MPa以下、陶瓷基板(10)与金属板(14)的接合面的算术平均粗糙度Ra为0.15～0.30μm、十点平均粗糙度Rz为0.7～1.1μm、最大高度Ry为0.9～1.7μm、陶瓷基板(10)的抗弯强度为500MPa以下、沿着陶瓷基板(10)的表面所形成的残余应力层(10a)的厚度为25μm以下的条件，在进行将液体中包含球状氧化铝作为磨粒的浆料喷射至陶瓷基板(10)的表面的湿式喷砂处理后，在由该湿式喷砂处理得到的陶瓷基板(10)上通过钎料(12)接合由铜或铜合金构成的金属板(14)，从而制造陶瓷基板(10)和金属板(14)的接合强度优异，并且耐热循环特性优异的金属-陶瓷接合基板。 | ||||||
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