子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 氢促进的灰料体的氟化 | CN201380050400.7 | 2013-09-06 | CN104661972B | 2017-05-03 | M.特罗默; M.施韦林; S.格里姆; F.弗勒利希; J.基尔希霍夫 |
| 本发明涉及氟化灰料体的方法，其包括以下步骤：a)提供灰料体，和b)将所述灰料体在(1280‑n*250)℃至(1220‑n*100)℃的温度下用包含CnF2n+2和氢的气体混合物处理，其中n=1或者2。 | ||||||
| 2 | 一种热膨胀率的低差值、超高强度、高软化点、高应变点的平板玻璃的应用 | CN201610988589.X | 2016-11-06 | CN106565083A | 2017-04-19 | 杨德宁 |
| 本发明公开了一种热膨胀率的低差值、超高强度、高软化点、高应变点的平板玻璃的应用。其玻璃成分按重量百分比计，其氧化铝含量为0.01％‑‑39％，氧化镁含量为7％‑‑20％，氧化硅含量是氧化钙含量的2.51‑4.8倍，氧化钙含量是氧化镁含量的0.7倍‑2.3倍，厚度20mm以内的平板玻璃厚薄差在0.01mm‑0.4mm。 | ||||||
| 3 | 一种齿科全瓷修复体的制造设备和方法 | CN201511034791.0 | 2015-12-31 | CN105439627A | 2016-03-30 | 朱东彬; 孙晨; 楚锐清; 张争艳 |
| 本发明公开一种齿科全瓷修复体的制造设备和方法。该制造设备包括三维运动控制平台、陶瓷浆料挤压成形头、供料机构、供气及气压控制装置和控制系统；所述三维运动控制平台包括成形平台、龙门支架、底座、X向传动机构、X向精密线性模组滑块、Y向传动机构、Y向精密线性模组滑块、Z向传动机构和Z向精密线性模组的滑块；所述陶瓷浆料挤出成形头包括腔盖、供料腔、两位两通电磁阀、喷嘴和输送气压的气体导管;该制造方法采用本发明所述制造设备和如下步骤：1.配置陶瓷浆料；2，修复体坯体的成形；3，多孔陶瓷的制造；4，玻璃-陶瓷复合相的制造；5，对所得玻璃-陶瓷复合体进行调磨处理，即得到齿科全瓷修复体。 | ||||||
| 4 | 生产氟和钛掺杂玻璃毛坯的方法及由该方法生产的毛坯 | CN201510614780.3 | 2015-09-24 | CN105439441A | 2016-03-30 | S.奥赫斯; K.贝克 |
| 本发明公开了生产氟和钛掺杂玻璃毛坯的方法及由该方法生产的毛坯，其在400nm-700nm波长范围内在10mm样品厚度下具有至少60%的内部透射率，钛以氧化形式Ti3+和Ti4+存在，所述方法包括：(a)通过火焰水解含硅和钛的前体物质产生TiO2-SiO2烟灰体，(b)氟化烟灰体以形成氟掺杂TiO2-SiO2烟灰体，(c)在含水蒸气气氛中处理氟掺杂TiO2-SiO2烟灰体以形成经调理的烟灰体，和(d)使经调理的烟灰体玻璃化以形成钛掺杂硅石玻璃的毛坯，所述玻璃具有10wt. ppm-100wt. ppm的平均OH含量和2,500wt. ppm-10,000wt. ppm的平均氟含量。 | ||||||
| 5 | 用于硅晶片的可印刷的扩散阻挡层 | CN201380067930.2 | 2013-12-18 | CN104903497A | 2015-09-09 | I·科勒; O·多尔; S·巴斯 |
| 本发明涉及制备可印刷的高粘度的氧化物介质的方法，以及所述氧化物介质在制造太阳能电池中的用途。 | ||||||
| 6 | 低介电常数材料以及化学气相沉积（CVD）制备方法 | CN200310120274.6 | 2003-12-12 | CN1507015A | 2004-06-23 | M·L·奥内尔; A·S·鲁卡斯; M·D·比特纳; J·L·文森特; R·N·弗蒂斯; B·K·彼得森 |
| 有机氟化硅玻璃膜既含有有机物质，也含有无机氟，而没有大量的碳氟化合物。较佳膜用公式SivOwCxHyFz来表示，其中，v+w+x+y+z＝100％，v从10到35原子％，w从10到65原子％，y从10到50原子％，x从1到30原子％，z从0.1到15原子％，x/z为大于0.25的任意值，该膜中基本上没有氟碳键合。一个具体实施例，其提供一个化学气相沉积(CVD)方法，该方法包括：提供一个带有基板的真空腔体；将气相反应物注入真空腔体，该反应物包括一种提供氟的气体，一种提供氧的气体，和至少一种前驱气体，其可以是有机硅烷和有机硅氧烷；提供能量来诱发气体反应物反应，并在基板上成膜。 | ||||||
| 7 | 用于抽取卷绕状复合部件的纤维的方法及设备 | CN201380063607.8 | 2013-12-06 | CN104837596B | 2017-03-08 | 亚历山大·恩格斯; 塔西洛·威特 |
| 本公开涉及用于抽取长纤维特别是环状连续纤维的方法及设备，所述长纤维嵌入树脂基体中而形成卷绕状复合部件，其中，纤维通过在用于基体的分解的热解处理之后解绕而抽取为单个部分。 | ||||||
| 8 | 用于熔融和澄清钠钙玻璃的方法 | CN201280010445.7 | 2012-02-24 | CN103492326B | 2016-12-21 | D·迪维特-史密斯; C·L·费尔维瑟; B·E·希克斯森 |
| 一种用于制造钠钙玻璃的方法，包括在升高的温度下煅烧固相碳酸钙以形成氧化钙并释放气体，比如二氧化碳。硅酸钠玻璃单独以液相形成，同时释放气态反应产物。氧化钙和硅酸钠玻璃中间产物以液相混合形成钠钙玻璃熔体。硅酸钠玻璃作为中间产物在和氧化钙混合之前形成，具有促进硅酸钠中气态反应产物释放的优点，这至少部分归因于硅酸钠玻璃相对低的粘度。煅烧步骤和／或硅酸钠形成步骤和／或最终混合步骤可在减压环境下进行以进一步促进气体释放和降低气泡形成。 | ||||||
| 9 | 一种材质细腻琉璃的制备方法 | CN201610640520.8 | 2016-08-08 | CN106145671A | 2016-11-23 | 李建友 |
| 本发明公开了一种材质细腻琉璃的制备方法，其特征在于，包括：称取原料；原料精磨；原料预加热，预加热温度保持在250‑300℃，持续2‑3小时；原料融化，融化温度控制在1500℃，持续20小时；高温澄清，澄清温度为1650‑1700℃，持续18小时；模具成型；冷却精修；退火，退火温度控制在500℃，持续5小时；二次精修上述步骤。通过上述方式，本发明能够获得材质细腻，色泽鲜亮，质感极佳的琉璃产品。 | ||||||
| 10 | 用于抽取卷绕状复合部件的纤维的方法及设备 | CN201380063607.8 | 2013-12-06 | CN104837596A | 2015-08-12 | 亚历山大·恩格斯; 塔西洛·威特 |
| 本公开涉及用于抽取长纤维特别是环状连续纤维的方法及设备，所述长纤维嵌入树脂基体中而形成卷绕状复合部件，其中，纤维通过在用于基体的分解的热解处理之后解绕而抽取为单个部分。 | ||||||
| 11 | Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃及其制造方法 | CN201180027136.6 | 2011-05-30 | CN102933516B | 2015-07-29 | 中根慎护; 川本浩佑 |
| 本发明目的在于提供一种即使不将As2O3或Sb2O3用作澄清剂，泡品质也优异的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃及其制造方法。本发明的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃为基本上不含As2O3和Sb2O3的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃，其含有Cl、CeO2和SnO2至少其中之一，且S含量以SO3换算在10ppm以下。 | ||||||
| 12 | 氢促进的灰料体的氟化 | CN201380050400.7 | 2013-09-06 | CN104661972A | 2015-05-27 | M.特罗默; M.施韦林; S.格里姆; F.弗勒利希; J.基尔希霍夫 |
| 本发明涉及氟化灰料体的方法，其包括以下步骤：a)提供灰料体，和b)将所述灰料体在(1280-n*250)℃至(1220-n*100)℃的温度下用包含CnF2n+2和氢的气体混合物处理，其中n=1或者2。 | ||||||
| 13 | 新型材料 | CN201380008820.9 | 2013-02-08 | CN104093676A | 2014-10-08 | 琴·乔斯; 托尼-泰迪·费尔南德斯; 皮特-约翰·格兰特; 阿尼姆什·贾; 西卡·萨哈; 大卫-保罗·斯廷森 |
| 本发明涉及一种包括离子注入层，例如阳离子注入层，的基板，其中，所述离子注入层的注入离子在比之前可能的深度明显更大的深度均匀分布。本发明还包括所述基板，其中所述基板是硅基基板，比如玻璃。本发明也可以包括将所述材料用作波导和/或将所述材料用于测量设备中。 | ||||||
| 14 | 同位素改变的光纤 | CN201280065419.4 | 2012-02-01 | CN104054011A | 2014-09-17 | 詹姆斯·道尔顿·贝尔 |
| 一种光波导，具有一个高纯度玻璃形成的披覆层、或一个高纯度的同位素比例改性的玻璃形成的披覆层，并且具有一个高纯度的同位素比例改性的玻璃的内芯，其中该内芯玻璃的折射率大于该披覆玻璃的折射率，所述高纯度的同位素比例改性的内芯材料具有的Si-29同位素比例为所述内芯中所有硅原子的至多4.447％的Si-29(原子/原子)、或所述内芯中至少4.90％的Si-29(原子/原子)原子，或者具有的Ge-73同位素比例为所述内芯中所有锗原子的至多7.2％的Ge-73(原子/原子)、或所述内芯中所有锗原子的至少8.18％的Ge-73(原子/原子)。 | ||||||
| 15 | 半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置 | CN201280002233.4 | 2012-01-31 | CN103403846A | 2013-11-20 | 六鎗広野; 伊东浩二; 小笠原淳; 伊藤一彦 |
| 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料同样的高耐压半导体装置。另外，因为至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，因此具有在50℃～550℃下的平均线膨胀系数接近硅的线膨胀系数的值，可以制造可信度高的半导体装置。 | ||||||
| 16 | Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃及其制造方法 | CN201180027136.6 | 2011-05-30 | CN102933516A | 2013-02-13 | 中根慎护; 川本浩佑 |
| 本发明目的在于提供一种即使不将As2O3或Sb2O3用作澄清剂，泡品质也优异的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃及其制造方法。本发明的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃为基本上不含As2O3和Sb2O3的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃，其含有Cl、CeO2和SnO2至少其中之一，且S含量以SO3换算在10ppm以下。 | ||||||
| 17 | 凹陷折射率光纤的制造 | CN200710084673.X | 2007-03-01 | CN101085697A | 2007-12-12 | 埃里克·L.·巴里什; 小罗伯特·林格尔; 大卫·贝克翰姆; 吴风清 |
| 本文描述一种制作用于内包层光纤的凹陷折射率包层的方法。本方法包括在两个步骤中制作凹陷折射率包层。内包层的最内部分，是用粉末方法生产，从而对载运最多光功率的包层区，取得粉末方法的优点，然后用管棒法步骤，形成内包层的其余部分。本方法有效地把两种方法的优点和缺点相配合。 | ||||||
| 18 | 图像显示装置 | CN200510128800.2 | 2005-12-02 | CN1805104A | 2006-07-19 | 泽井裕一; 盐野修; 宫田素之; 赤田广幸; 井上勇一; 内藤孝; 金泽启一; 小林金也 |
| 本发明可提供一种图像显示装置，抑制由施加于在前面屏板和背面屏板之间设置的隔壁上的载荷所引起的裂纹的发生并且不会使导电性及真空度劣化且可靠性高。使背面基板(SUB1)和前面基板(SUB2)之间夹着接合材料(FGS)在两个基板之间保持规定间隔的隔壁(SPC)，由在与背面基板(SUB1)和前面基板(SUB2)相接的上下两端面的角部形成弯曲部的隔壁本体(NG)及在此隔壁本体(NG)的外周面上通过粘附形成的导电性膜(CO)构成，由此可以防止对在对置的内表面上具有电极的背面屏板(PNL1)和前面屏板(PNL2)上施加的机械强度造成的内部电极损伤。 | ||||||
| 19 | 导电性糊膏、及玻璃物品 | CN201580030998.2 | 2015-05-15 | CN106463202A | 2017-02-22 | 次本伸一 |
| 导电性糊膏至少含有导电性粉末、玻璃料和有机载体。导电性粉末具有Ag粉末等的贵金属粉末和包含Cu及/或Ni的贱金属粉末，并且贱金属粉末的比表面积低于0.5m2/g。所述贱金属粉末相对于导电性粉末的总量的含量，在重量比中，在贱金属粉末以Cu为主成分的情况下为0.1～0.3，在以Ni为主成分的情况下为0.1～0.2，在以Cu与Ni的混合粉为主成分的情况下为0.1～0.25。将该导电性糊膏在玻璃基体(1)上涂敷成线状并进行烧成，由此获得导电膜(2)。由此，实现耐候性良好且能适度地抑制电阻率的导电性糊膏、及使用了该导电性糊膏的防雾玻璃或玻璃天线等玻璃物品。 | ||||||
| 20 | 单晶制造方法 | CN201480065877.7 | 2014-11-12 | CN105793475A | 2016-07-20 | 宫原祐一; 高岛祥; 泽崎康彦; 岩崎淳 |
| 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。 | ||||||
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