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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置 | CN201280002233.4 | 2012-01-31 | CN103403846B | 2016-07-06 | 六鎗広野; 伊东浩二; 小笠原淳; 伊藤一彦 |
| 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料同样的高耐压半导体装置。另外，因为至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，因此具有在50℃～550℃下的平均线膨胀系数接近硅的线膨胀系数的值，可以制造可信度高的半导体装置。 | ||||||
| 22 | 具有高裂纹引发阈值的可离子交换玻璃 | CN201280067101.X | 2012-11-15 | CN104114503A | 2014-10-22 | T·M·格罗斯 |
| 本发明提供了碱性铝硅酸盐玻璃，其防尖锐冲击导致的损坏，并且其能够进行快速离子交换。玻璃包含至少4摩尔％的P2O5，并且在离子交换后，具有至少约7kgf的维氏压痕裂纹开裂负荷。 | ||||||
| 23 | 着色玻璃框体 | CN201280001611.7 | 2012-03-15 | CN102960081B | 2014-07-23 | 山本宏行; 久野一秀 |
| 本发明提供适于电子设备框体的特性、即遮光性、高强度、制造成本优良的着色玻璃框体。是由波长380nm～780nm处的吸光度为0.7以上的玻璃、优选吸光系数为1mm-1以上的玻璃构成，外装于电子设备的着色玻璃框体。为了制成上述玻璃，优选以氧化物为基准且以摩尔百分比表示时，作为玻璃中的着色成分含有0.1～7%的选自Co、Mn、Fe、Ni、Cu、Cr、V、Bi的金属氧化物中的至少1种成分。 | ||||||
| 24 | 用于熔融和澄清钠钙玻璃的方法 | CN201280010445.7 | 2012-02-24 | CN103492326A | 2014-01-01 | D·迪维特-史密斯; C·L·费尔维瑟; B·E·希克斯森 |
| 一种用于制造钠钙玻璃的方法，包括在升高的温度下煅烧固相碳酸钙以形成氧化钙并释放气体，比如二氧化碳。硅酸钠玻璃单独以液相形成，同时释放气态反应产物。氧化钙和硅酸钠玻璃中间产物以液相混合形成钠钙玻璃熔体。硅酸钠玻璃作为中间产物在和氧化钙混合之前形成，具有促进硅酸钠中气态反应产物释放的优点，这至少部分归因于硅酸钠玻璃相对低的粘度。煅烧步骤和／或硅酸钠形成步骤和／或最终混合步骤可在减压环境下进行以进一步促进气体释放和降低气泡形成。 | ||||||
| 25 | 着色玻璃框体 | CN201280001611.7 | 2012-03-15 | CN102960081A | 2013-03-06 | 山本宏行; 久野一秀 |
| 本发明提供适于电子设备框体的特性、即遮光性、高强度、制造成本优良的着色玻璃框体。是由波长380nm～780nm处的吸光度为0.7以上的玻璃、优选吸光系数为1mm-1以上的玻璃构成，外装于电子设备的着色玻璃框体。为了制成上述玻璃，优选以氧化物为基准且以摩尔百分比表示时，作为玻璃中的着色成分含有0.1～7%的选自Co、Mn、Fe、Ni、Cu、Cr、V、Bi的金属氧化物中的至少1种成分。 | ||||||
| 26 | 生产玻璃光纤预制棒的溶胶－凝胶法 | CN02815185.2 | 2002-04-30 | CN1262497C | 2006-07-05 | 洛伦佐·科斯塔; 富尔维奥·科斯塔; 马泰奥·克雷帕尔迪 |
| 本发明涉及通过制备溶胶，使该溶胶胶凝，将湿凝胶干燥成干燥的多孔凝胶并将该干燥的凝胶压实成完全致密玻璃而生产光纤预制棒或外包层的溶胶-凝胶法，其中在用以除去该干燥的凝胶中的有机杂质的350℃至900℃下的焙烧处理期间至少实施一个压力在约0.01至0.5巴下的减压阶段。 | ||||||
| 27 | 玻璃料和将玻璃表面密封到一起的方法 | CN03814214.7 | 2003-06-12 | CN1662461A | 2005-08-31 | O·斯特格曼恩; T·R·穆德里; H·A·M·范哈尔 |
| 公开了一种适用于将玻璃表面密封在一起的玻璃料，所述的玻璃料含有氧化铅。该玻璃料还含选自包括锰(VII)酸盐、锰(VI)酸盐和高铁(VI)酸盐在内的更高化合价的氧化物的氧化剂。还描述了一种至少含这种玻璃料和赋形剂的密封玻璃浆料。而且，公开了将两个玻璃表面密封在一起的方法。所述的方法至少包括以下步骤：提供第一和第二玻璃表面；将一定量的上述密封玻璃浆料涂覆在所述表面的至少一个上；将所述玻璃表面彼此相对放置，其中密封玻璃浆料在其间；使玻璃表面和密封浆料的组件经受足以熔化两个玻璃表面上的密封玻璃浆料的温度，从而将两个表面密封在一起；和冷却得到的密封组件。 | ||||||
| 28 | 生产玻璃光纤预制棒的溶胶－凝胶法 | CN02815185.2 | 2002-04-30 | CN1538942A | 2004-10-20 | 洛伦佐·科斯塔; 富尔维奥·科斯塔; 马泰奥·克雷帕尔迪 |
| 本发明涉及通过制备溶胶，使该溶胶胶凝，将湿凝胶干燥成干燥的多孔凝胶并将该干燥的凝胶压实成完全致密玻璃而生产光纤预制棒或外包层的溶胶－凝胶法，其中在用以除去该干燥的凝胶中的有机杂质的350℃至900℃下的焙烧处理期间至少实施一个压力在约0.01至0.5巴下的减压阶段。 | ||||||
| 29 | THERMAL BARRIER FOR AN OPTICAL BENCH | PCT/CA0301038 | 2003-07-09 | WO2004007386A3 | 2004-05-06 | BOELEN JOHANNES; WANG BIN |
| The thermal barrier (12) is made of borosilicate glass. It is used with an optical bench (10), in particular an optical bench (10) of an optical module assembly (20). It provides thermal insulation during the alignment of an optical fiber (26). A method of thermally insulating an optical bench (10) from a substrate (32) using the thermal barrier (12) is also disclosed. The thermal barrier (12) reduces the heat transfer to neighboring components during the fiber alignment. | ||||||
| 30 | カルコゲナイドガラス組成物およびカルコゲナイドスイッチデバイス | JP2017540640 | 2016-02-16 | JP2018515405A | 2018-06-14 | チャン、クオ−ウェイ; ファンティニ、パウロ |
| 本開示の複数の実施形態はカルコゲナイドガラス組成物およびカルコゲナイドスイッチデバイス(CSD)を説明する。組成物は概して、3重量%から15重量%のシリコン、8重量%から16重量%のゲルマニウム、45重量%より大きいセレン、20重量%から35重量%のヒ素を含み得る。組成物におけるシリコンとゲルマニウムとの量は、概して10重量%より大きくてよい。CSDはカルコゲナイドガラスの様々な組成物を含んでよく、複数のそれらは、メモリコンポーネントを有するダイなどのメモリデバイスに用いられてよく、様々な電子コンポーネントおよびシステムに用いられてよい。他の実施形態が説明され、および/または特許請求され得る。 | ||||||
| 31 | アクティブ光ファイバー | JP2017559738 | 2016-02-08 | JP2018509779A | 2018-04-05 | ダニエル,ジェー; クラークソン,アンドリュー・ダブリュー; シマコフ,ニキータ |
| コア;実質的にコアを取り囲んでいて、それによってコアと内側クラッドがポンプ放射を伝搬するように構成される領域を形成している内側クラッド;実質的に内側クラッドを取り囲んでおり、第2の屈折率よりも小さい第3の屈折率を少なくとも有する第3の材料を少なくとも含み、それによってポンプ放射をコア及び内側クラッドへ制限する外側クラッド;及び、実質的に外側クラッドを取り囲んでいる、熱伝導性材料を含む被覆;を含み;内側クラッドは、ポンプ放射がアクティブ光ファイバーを通って伝搬する際にポンプ放射の吸収に対する空間的ホールバーニングの影響を減少させるように構成されており;被覆の熱伝導性の材料によって、上記領域と被覆の外表面の間の温度上昇が減少するアクティブ光ファイバー。【選択図】図3 | ||||||
| 32 | 密度向上法及び組成物 | JP2016536350 | 2014-08-18 | JP2016535169A | 2016-11-10 | ベイン ホプキンス，アダム; トルクァート，サルヴァトーレ |
| 本発明は、顆粒状複合材料の密度向上、及びそれに関連する方法と組成物に関する。これらの特性が有益である用途には、非限定的に、1)金属、セラミック、サーメット、ポリマー、プラスチック、またはその他の乾燥または溶媒に懸濁した粉体またはゲルを伴う付加製造(「3Dプリンティング」)、2)コンクリート材料、3)固体推進材料、4)サーメット材料、5)顆粒状アーマー材料、6)ガラス−金属及びガラス−プラスチック混合物、及び7)顆粒状複合材料を含む(または使用して製造される)セラミックを包含する。【選択図】図1 | ||||||
| 33 | ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスの製造方法、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスからなる板状部材の製造方法、製造装置およびＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスの製造装置 | JP2014522684 | 2013-06-27 | JPWO2014003129A1 | 2016-06-02 | 俊雄 吉成; 忠彦 齊藤 |
| SiO2−TiO2系ガラスの製造方法は、直接法によりターゲット上にSiO2−TiO2系ガラスを製造する方法であって、ターゲットを予め加熱する第一の工程と、予め加熱されたターゲット上に所定の長さのSiO2−TiO2系ガラスインゴットを成長させる第二の工程とを含み、第二の工程においてガラスインゴットの成長面の温度が所定の下限温度以上に維持されるように、第一の工程においてターゲットを加熱する。 | ||||||
| 34 | EUVリソグラフィ用高珪酸含量のフッ素及びチタンドープガラスブランクの製造方法及びその製造方法によって製造されたブランク | JP2015184927 | 2015-09-18 | JP2016064977A | 2016-04-28 | ステファン オークス; クラウス ベッカー |
| 【課題】褐色汚れが防止でき、50nm未満の線幅を有する高度に統合された構造を製造するために、400〜700nmの波長範囲かつ試料厚さ10mmで少なくとも60%の内部透過率を有するEUVリソグラフィに使用するためチタン及びフッ素で共ドープされたシリカガラスブランクの製造方法の提供。 【解決手段】珪素及びチタン含有前駆体物質の火炎加水分解法によってTiO2−SiO2スート体を製造する工程、前記スート体をフッ素化する工程、調整スート体を形成するため水蒸気含有雰囲気において前記フッ素ドープTiO2−SiO2スート体を処理する工程、及び、高い珪酸含量、10〜100重量ppmの範囲の平均OH基含量、及び2,500〜10,000重量ppmの範囲の平均フッ素含量を有するチタンドープガラスのブランクを形成するため前記調整スート体をガラス化する工程、を含むチタンドープガラスのブランクの製造方法。 【選択図】図1 |
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| 35 | 同位体改変光ファイバー | JP2014550280 | 2012-02-01 | JP5866461B2 | 2016-02-17 | ベル,ジェイムズ ダルトン |
| 36 | 水素を援用するスート体のフッ素化 | JP2015533512 | 2013-09-06 | JP2015535795A | 2015-12-17 | トロマー マーティン; シュヴェーリン マルテ; グリム シュテファン; フレーリヒ フランク; キルヒホーフ ヨハネス |
| 本発明は、以下の工程:a)スート体を調製する工程、及びb)スート体を、CnF2n+2(n=1又は2)及び水素を含むガス混合物で、(1280−n*250)℃〜(1220−n*100℃)の範囲内の温度で処理する工程、を含むスート体のフッ素化方法に関する。 | ||||||
| 37 | 単結晶製造方法 | JP2013252747 | 2013-12-06 | JP2015110487A | 2015-06-18 | 宮原 祐一; 高島 祥; 澤崎 康彦; 岩崎 淳 |
| 【課題】湯漏れの発生を防止するとともに、効率良く石英ルツボを使用して単結晶の育成を行うことができる製造方法を提供する。 【解決手段】CZ法による単結晶製造方法であって、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比と、石英ルツボの使用時間と、該使用時間での失透割合と、失透部分起因の湯漏れの発生の有無との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、湯漏れが発生しないように、単結晶の育成の際に使用する石英ルツボの失透割合の範囲を設定し、該設定した割合の範囲内に収まるように、石英ルツボの製造に用いられた石英原料粉に含まれるAl/Li比に応じて石英ルツボの最大使用時間を決定し、該最大使用時間の範囲内で石英ルツボを使用して単結晶の育成を行う単結晶製造方法。 【選択図】図1 |
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| 38 | How to melt and refine the soda lime glass | JP2013555609 | 2012-02-24 | JP2014506560A | 2014-03-17 | ダヴィド デウェット−スミス; カール エル フェアウェザー; ブレット イー ヒクソン |
| ソーダ石灰ガラスの製造方法は、炭酸カルシウムを固相中において高温で焼成して、酸化カルシウムを形成し、二酸化炭素などのガスを放出する工程を含む。 ケイ酸ナトリウムガラスは、ガス状反応生成物を放出すると同時に、液相中で別々に形成される。 該酸化カルシウムと該ケイ酸ナトリウムガラス中間生成物は液相中で混合されて、ソーダ石灰ガラス融液を形成する。 酸化カルシウムと混合する前にケイ酸ナトリウムガラスを中間生成物として形成することの利点は、少なくとも一つにはケイ酸ナトリウムガラスが比較的低粘度であるために、該ケイ酸ナトリウム中のガス状反応生成物の放出を促進することである。 焼成工程、ケイ酸ナトリウム形成工程、及び／又は、最終混合工程は、さらにガスの放出を促進して気泡形成を低減させるために、減圧化で行われ得る。
【選択図】 図１ |
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| 39 | Biological material, its preparation and use | JP2009522213 | 2007-07-23 | JP5275988B2 | 2013-08-28 | マイケル・フランシス・バトラー; メアリー・ヘッペンスタール−バトラー; ヤン・デン; シャオディアン・シェン; グイボ・シュ |
| 40 | Semiconductor junction protective glass composition, a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device | JP2012525767 | 2012-01-31 | JP5184717B1 | 2013-04-17 | 広野 六鎗; 浩二 伊東; 淳 小笠原; 一彦 伊藤 |
| Provided is a glass composition for semiconductor junction protection that is characterized by including at least two alkali earth metal oxides from among SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, CaO, MgO, and BaO, and by substantially not including Pb, P, As, Sb, Li, Na, or K. The glass composition for semiconductor junction protection of the present invention makes it possible to use a glass material that does not contain lead to produce a high breakdown voltage semiconductor device like that produced in the prior art by using a "glass material comprising mainly lead silicate". In addition, the value of the average linear expansion coefficient occurring in the range of 50-550° C is close to the value of the linear expansion coefficient of silicon because the glass composition of the present invention includes at least two alkali earth metal oxides from among CaO, MgO, and BaO, thereby making it possible to produce a highly reliable semiconductor device. | ||||||
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