| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 发光二极管 | CN201210122532.3 | 2012-04-25 | CN103378235A | 2013-10-30 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一有源层，该有源层包括层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；以及一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。 | ||||||
| 122 | 发光二极管 | CN201210122505.6 | 2012-04-25 | CN103378234A | 2013-10-30 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底具有一表面；一有源层，该有源层包括依次层叠设置于该基底表面的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；其中，进一步包括一图案化的石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。 | ||||||
| 123 | 低雾度透明导电电极 | CN201310214077.4 | 2013-06-01 | CN103377775A | 2013-10-30 | 潘克菲 |
| 本发明关于一种具有金属纳米线的透明导电电极及其制造方法，其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H，纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层，其折射率介于1.1-1.5之间，其厚度位于100纳米至200纳米之间。 | ||||||
| 124 | 低雾度透明导电电极 | CN201310214517.6 | 2013-06-01 | CN103377756A | 2013-10-30 | 潘克菲 |
| 本发明关于一种具有金属纳米线的透明导电电极及其制造方法，其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H，纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层，其折射率介于1.1-1.5之间，其厚度位于100纳米至200纳米之间。 | ||||||
| 125 | 碳纳米管场发射体的制备方法 | CN201210087168.1 | 2012-03-29 | CN103367074A | 2013-10-23 | 柳鹏; 范守善 |
| 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。 | ||||||
| 126 | 用于处理空气的过滤器及装置 | CN201080069166.9 | 2010-08-03 | CN103221117A | 2013-07-24 | 邵亚荣 |
| 一个过滤器（100）包括至少一个含有纳米银粒子的抗菌层（101），以及至少一个紫外线光催化层（102）。 | ||||||
| 127 | 高能量密度电化学电容器 | CN201180025849.9 | 2011-06-02 | CN102971889A | 2013-03-13 | 郑剑平 |
| 电化学电容器和制作这种电化学电容器的方法。电化学电容器可以有初始充电状态和循环充电状态，并可以包括阳极、阴极和电解质。所述阳极可以包括第一混合物，其具有第一大量导电含碳颗粒，该导电含碳颗粒具有第一平均孔隙度。所述阴极可以包括第二混合物，其具有第二大量导电含碳颗粒，该导电含碳颗粒有比第一平均孔隙度大的第二平均孔隙度。所述电解质可以与所述阳极和所述阴极物理接触和电接触，在循环充电状态下的第一混合物可以基本上没有锂金属颗粒，并且可以还包括嵌于所述大量含碳颗粒的大量锂离子。所述阴极和电解质的质量比可以小于1。 | ||||||
| 128 | 多组件电化学电容器及其制造方法 | CN201180020457.3 | 2011-04-19 | CN102918613A | 2013-02-06 | 尤里·米德哈托维奇·吉纳图林; 安德雷·维克托维奇·代斯亚托夫; 安东·夫拉迪米罗维奇·阿斯赛耶夫; 阿勒科山德·佩特罗维奇·库布斯金; 谢尔盖·尔瓦诺维奇·西罗廷; 尤尔博夫·夫拉迪米罗夫纳·布利贝科瓦; 尤博夫·恩苏诺夫纳·利 |
| 本发明涉及电力工程。本发明的多组件电化学电容器包含卷成卷筒的至少一层电绝缘膜，该电绝缘膜上连续安置有由多孔离子渗透性分离器隔开的交替相反极性电极。各电极薄片为具有高孔隙率的不织聚合物材料的基材，具有至少一个呈电化学活性层形式的电极附接于其一侧或两侧或嵌埋于其中。该电容器还包含接触电极。制造多组件电化学电容器的方法包含制备电极混合物；藉由将电极混合物涂覆于其上制造相反极性电极薄片；将相反极性电极薄片连续安置于电绝缘膜层上；将电极薄片及膜层围绕中心电极卷成卷筒；将卷筒的外表面连接至外周电极；及用电解质浸渍卷筒。技术效果在于电化学电能储存特定特征得到改良、使该等特定特征更稳定以及电容器使用寿命延长。 | ||||||
| 129 | 中子发生器及包括中子发生器的测井工具 | CN200810182001.7 | 2008-11-28 | CN101553076B | 2012-12-05 | 乔尔·L·格罗夫斯 |
| 中子发生器包括设置在包含可电离气体的增压环境中的离子源。离子源包括碳纳米管束从中伸出的基板。纳米管的末端与栅极隔开。离子源供电电路在离子源的基板和栅极之间施加正电压，从而使可电离气体电离并通过栅极发射离子。离子加速器部分设置在离子源和靶之间。离子加速器部分使通过栅极的离子朝向靶加速，使得离子与靶的碰撞导致靶产生并发射中子。离子源、加速器部分和靶装在密封管中，并优选碳纳米管束具有至少106个/cm2高度有序的沿基本平行于密封管中轴方向延伸的碳纳米管。该中子发生器提供原子/分子的比例比现有技术高得多的气体电离，这可实现小尺寸的紧凑设计以适用于在空间有限的井下环境使用的测井工具。 | ||||||
| 130 | 电取暖器 | CN200910190175.2 | 2009-09-08 | CN102012061B | 2012-11-21 | 冯辰; 姜开利; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种电取暖器。该电取暖器包括一底座，一支架及一机头。该支架固定于该底座。所述机头与该支架活动连接。所述机头包括一支撑结构，一加热模组及一保护结构。该加热模组设置于该支撑结构上，且位于该支撑结构与该保护结构之间。所述加热模组包括一加热元件和至少两个电极，该至少两个电极分别与该加热元件电连接。所述加热元件包括一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构包括多个碳纳米管。所述电取暖器具有以下优点：其一，由于碳纳米管的密度较小，因此加热元件质量较轻，故该电取暖器质量较轻，使用方便；其二，由于该碳纳米管层状结构可具有较大的面积，因此，该电取暖器的加热面积较大。 | ||||||
| 131 | 发光二极管 | CN201110110778.4 | 2011-04-29 | CN102760804A | 2012-10-31 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一电极、一反光层、一第二半导体层、一活性层、一第一半导体层及一第二电极，所述反光层、第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极依次层叠设置在所述第一电极的一表面，所述反光层与所述第一电极接触设置，其中，所述第一半导体层靠近第二电极的表面为多个纳米级的凹槽形成一图形化的表面。 | ||||||
| 132 | 硅纳米线晶体管器件可编程阵列及其制备方法 | CN201110089699.X | 2011-04-11 | CN102184923A | 2011-09-14 | 黄如; 邹积彬; 王润声; 樊捷闻; 刘长泽; 王阳元 |
| 本发明提供一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列及其制备方法，该阵列包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介质层，纳米线器件以六边形排列构成一单元，纳米线器件连接区为3个纳米线器件之间的连接节点，纳米线器件连接区固定在一个硅支架上。本发明可实现复杂互联控制逻辑，适合应用于高速高集成度的数字/模拟电路，和数模混合电路。 | ||||||
| 133 | 电子装置壳体及其制作方法 | CN200910312423.6 | 2009-12-28 | CN102111970A | 2011-06-29 | 姜传华; 杜琪健 |
| 本发明提供一种电子装置的壳体及其制作方法。该电子装置壳体包括一基体及形成于基体表面的纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在10-100nm之间。一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤：提供一基体；在该基体的表面真空溅镀一纳米二氧化钛膜，该纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度在10-100nm之间。 | ||||||
| 134 | 场发射阴极装置及其制备方法 | CN201010604389.2 | 2010-12-24 | CN102064063A | 2011-05-18 | 柳鹏; 郝海燕; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射阴极装置，包括：一基底；一金属板，所述金属板具有一第一表面、一与第一表面相对的第二表面及贯穿该第一表面和第二表面的至少一通孔，所述金属板的第一表面与所述基底贴合设置；至少一线状电子发射体，其与所述金属板电连接；以及一填充物，所述填充物填充于所述至少一通孔中；其中，每个通孔内至少设置有一所述线状电子发射体，位于通孔内的所述线状电子发射体的一端设置于所述金属板的第一表面与所述基底之间。所述场发射装具有更强的电子发射能力和更长的使用寿命。本发明进一步提供一种场发射阴极装置的制备方法。 | ||||||
| 135 | 导电板及其制作方法 | CN200910304083.2 | 2009-07-07 | CN101944407A | 2011-01-12 | 吴志笙; 郑嘉雄; 赵志涵 |
| 本发明涉及一种导电板及其制作方法。该导电板的制作方法包括提供一基板和一经过拉伸处理的导电薄膜；以及利用该基板承载该导电薄膜。在本发明中，通过将导电薄膜先行拉伸处理，再将拉伸处理过的导电薄膜承载在基板上，可得到大面积和高透明度的导电板。 | ||||||
| 136 | 用于互连的碳纳米管-焊料复合结构、该结构的制作过程、包含该结构的封装件以及包含该结构的系统 | CN200780012323.0 | 2007-03-31 | CN101416309B | 2010-11-03 | N·拉拉维卡; D·苏 |
| 碳纳米管(CNT)阵列在衬底上图案化。衬底可以是微电子裸片、倒扣片的插入类型结构、安装基板或底板。通过在衬底上使用经图案化的金属籽晶层，使CNT阵列图案化，通过化学汽相淀积来形成CNT阵列。还可通过在所述衬底上用图案化掩模来对将图案化的CNT阵列进行图案化，通过生长来形成CNT阵列。还描述了其中用CNT阵列从裸片传导热的计算系统。 | ||||||
| 137 | 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法 | CN200710123813.X | 2007-10-10 | CN101409961B | 2010-06-16 | 刘长洪; 范守善 |
| 本发明涉及一种面热光源，该面热光源包括一第一电极、一第二电极和一碳纳米管薄膜。该第一电极和第二电极设置于该碳纳米管薄膜上，该第一电极和第二电极之间相隔一定的距离，并与该碳纳米管薄膜表面电接触。所述的碳纳米管薄膜中包括相互缠绕的碳纳米管。本发明还涉及一种面热光源的制备方法。 | ||||||
| 138 | 包含富勒烯及其衍生物的有机光伏器件 | CN200780030157.7 | 2007-05-02 | CN101529610A | 2009-09-09 | W·达林·莱尔德; 瑞扎·史泰格马特; 亨宁·瑞查特; 维克托·维金斯; 拉里·斯科特; 托马斯·A·拉达 |
| 包含活性层的光伏电池，该活性层包括作为p－型材料的共轭聚合物如聚噻吩和立体规则性聚噻吩，及作为n－型材料的至少一种富勒烯衍生物。该富勒烯衍生物可以为C60、C70或C84。该富勒烯也能用茚基团官能化。能够获得改进的效率。 | ||||||
| 139 | 纳米级浮动栅极及形成方法 | CN200780033736.7 | 2007-08-03 | CN101512729A | 2009-08-19 | 古尔特杰·S·桑胡; D.V.·尼马尔·拉马斯瓦米 |
| 本发明提供一种存储器单元(100)，其包含上覆在半导体衬底(102)上的隧穿介电层(104)。所述存储器单元还包含浮动栅极，所述浮动栅极具有上覆在所述隧穿介电层上的第一部分(106)及以纳米棒形式从所述第一部分延伸的第二部分(116)。另外，控制栅极层(122)通过栅极间介电层(120)而与所述浮动栅极分开。 | ||||||
| 140 | 互连的纳米系统 | CN200580027364.8 | 2005-08-12 | CN101208826A | 2008-06-25 | P·J·伯克 |
| 去往或来自纳米器件的通信被提供以基于纳米结构的天线，优选地，该天线是用单壁纳米管(SWNT)形成的，但其并不局限于此。其他那些基于纳米结构的天线包括双壁纳米管、半导体纳米线、金属纳米线等等。通过使用基于纳米结构的天线，消除了向纳米器件提供物理通信连接的需要，同时仍旧允许纳米器件与其他纳米器件或外部系统之间的通信，即：所述外部系统是大于纳米级的系统，例如借助诸如CMOS、GaAs、双极工艺等半导体制造工艺形成的系统。 | ||||||
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