| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 具有微构造的外延结构体的制备方法 | CN201210122531.9 | 2012-04-25 | CN103374751B | 2016-06-15 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种具有微构造的外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面上生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一石墨烯层；在所述设置有石墨烯层的缓冲层表面上生长外延层；去除所述基底，得到所述具有微构造的外延结构体。本发明的制备方法得到的具有微构造的外延结构体位错缺陷较少，且外延层与衬底之间的应力较小，质量高。 | ||||||
| 102 | 电容器用双轴拉伸聚丙烯膜、金属化膜和膜电容器 | CN201180070198.5 | 2011-04-19 | CN103503094B | 2016-05-25 | 中冢贵典; 水岛正美; 浅野哲也 |
| 本发明提供作为电容器用电介质的具有高耐电压性、适合的元件加工性优异的电容器用双轴拉伸聚丙烯膜。一种电容器用双轴拉伸聚丙烯膜，是在两面具有突起的电容器用双轴拉伸聚丙烯膜，厚度t1(μm)为4～20μm，在将一表面设为A面，将另一面设为B面时，满足下述式中的全部，800≤SRzB≤1300(nm)0.1≤SRzA/SRzB≤0.8PBmin≥100(nm)PBmax≤1500(nm)0.4≤PB450-750/PB≤0.7，其中，SRzA：A面的10点平均粗糙度(nm)SRzB：B面的10点平均粗糙度(nm)PBmin：B面的最小突起高度(nm)PBmax：B面的最大突起高度(nm)PB450-750：存在于B面的高度450nm以上且小于750nm的突起的每0.1mm2的总个数(个/0.1mm2)PB：存在于B面的突起的每0.1mm2的总个数(个/0.1mm2)。 | ||||||
| 103 | 场发射体的制备方法 | CN201410269167.8 | 2014-06-17 | CN105448623A | 2016-03-30 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。 | ||||||
| 104 | 发光二极管 | CN201210122505.6 | 2012-04-25 | CN103378234B | 2016-02-17 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底具有一表面；一有源层，该有源层包括依次层叠设置于该基底表面的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；其中，进一步包括一图案化的石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。 | ||||||
| 105 | 发光二极管 | CN201210122532.3 | 2012-04-25 | CN103378235B | 2015-12-02 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一有源层，该有源层包括层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；以及一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。 | ||||||
| 106 | 碳纳米管场发射体的制备方法 | CN201210087168.1 | 2012-03-29 | CN103367074B | 2015-08-26 | 柳鹏; 范守善 |
| 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。 | ||||||
| 107 | 一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法 | CN201310335388.6 | 2013-08-02 | CN103407964B | 2015-04-15 | 刘永锋; 庞越鹏; 潘洪革; 高明霞 |
| 本发明公开了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法，包括以下步骤：（1）将金属配位氢化物与有机溶剂混合后干燥，得到一维配位聚合物；（2）将步骤（1）中得到的一维配位聚合物进行机械球磨，在机械球磨的过程中，气化的一维配位聚合物在衬底材料上沉积生长，得到配位聚合物的纳米棒；（3）将步骤（2）中得到的配位聚合物的纳米棒中的有机配体除去，得到金属配位氢化物纳米棒。本发明提供了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法，该方法操作简单，方便易行，具有良好的普适性，且制备出的金属配位氢化物纳米棒的纯度高。 | ||||||
| 108 | 使用纳米材料的电容器制造 | CN201410440049.9 | 2014-09-01 | CN104425129A | 2015-03-18 | R·S·泰勒 |
| 本发明提供了使用纳米材料的电容器制造。一种多层电容器(10)，包括阳极(12)、阴极(16)、电介质材料(20)，第一端盖(22A)，以及第二第二端盖(22B)。阳极(12)和阴极(16)由交错的一个或多个导电材料层(14A，14B)形成。电介质材料(20)插在阳极(12)和阴极(16)的每个层(14A，14B)之间。第一端盖及第二端盖被配置为分别互连阳极(12)和阴极(16)的每一层(14A，14B)。端盖由导电纳米材料形成(34)。一种被配置为互连一个或多个导电材料层(14A，14B)的电容器(10)端盖的形成方法(300)，包括将导电纳米材料(34)施加在一个或多个导电材料层(14A，14B)的阳极(12)和阴极(16)中至少一个暴露的导电表面的步骤(310)。本方法(300)还包括将纳米材料(34)暴露在可有效启动纳米材料(34)的自烧结的能量源(30)的步骤。 | ||||||
| 109 | 在纳米管的内表面和外表面及纳米管层间掺杂金属、金属氧化物和金属配合物及纳米管的制备方法 | CN201380015460.5 | 2013-03-19 | CN104350011A | 2015-02-11 | 杨经伦; 沙米·阿克特尔·费尔杜斯; 韩伟 |
| 本发明涉及一种含有金属或非金属掺杂剂的多壁钛基纳米管阵列，其中所述掺杂剂以离子、化合物、簇和颗粒的形式，分布于纳米管的表面、层间和核中至少一处的位置。所述结构可包括多种金属或非金属离子、化合物、簇或颗粒形式的掺杂剂。所述掺杂剂可位于所述纳米管的表面、纳米管的层间(夹层)和纳米管的核中的一处或多处。所述纳米管可通过如下方法形成：提供钛基前驱体、转化钛基前驱体为钛基层状材料以形成钛基纳米片、并将钛基纳米片转化为多壁钛基纳米管。 | ||||||
| 110 | 透明电极 | CN201280070990.5 | 2012-12-26 | CN104145311A | 2014-11-12 | 宋相旻; 郑鹤基; 朴晓准; 金尚均; 金艺瑟 |
| 本发明公开了一种透明电极，包括：无色透明的聚酰亚胺膜基板；形成于所述基板上并包含含有碳纳米管的导电材料的导电层，其中，所述导电层包括聚合物粘合剂。所述透明电极的优势在于，碳纳米管紧密粘附到塑料基板上并且所述透明电极表现出环境稳定性。 | ||||||
| 111 | 整流天线设备、整流天线系统、和制造整流天线设备的方法 | CN200980138397.8 | 2009-07-23 | CN102203949B | 2014-10-22 | Y·哈内因; A·博亚格; J·朔伊尔; I·弗里德勒 |
| 公开了一种整流天线设备。所述设备包括一对电极结构(14.16)以及至少一个纳米结构二极管(12)，所述纳米结构二极管(12)至少接触该对电极结构的第一电极结构并且至少邻近该对电极结构的第二电极结构。该对电极结构中的至少一个电极结构接收AC辐射，并且纳米结构二极管(一个或多个)(18)至少部分地对AC辐射所产生的电流进行整流。 | ||||||
| 112 | 双极性薄膜晶体管 | CN201310128785.6 | 2013-04-15 | CN104103696A | 2014-10-15 | 钱庆凯; 李群庆 |
| 本发明涉及一种双极性薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极电连接；以及，一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，定义所述栅极覆盖的所述半导体层的区域为沟道区域；其中，进一步包括两个导电过渡层分别设置在所述源极和漏极与所述半导体层之间，所述半导体层为一碳纳米管结构，所述导电过渡层的材料的功函数与所述半导体层的材料的功函数相同，所述导电过渡层延伸至所述沟道区域，且所述导电过渡层进入所述沟道区域的长度大于等于所述导电过渡层与所述栅极之间的间距。 | ||||||
| 113 | 无源热管理装置 | CN201380007369.9 | 2013-01-08 | CN104081518A | 2014-10-01 | 杰罗姆·加文莱特; 让·第戎 |
| 本发明提供一种包括热管理装置，包括用于与热源(SC)接触的第一面(4)和与第一面相对的用于与冷源(SF)接触第二面(6)，填充有固/液相变材料(10)的至少一个单元网状结构(8)被安置在第一面(4)和第二面(6)之间的凹处中，其中，单元包括由碳纳米管形成的壁，其中，所述纳米管大致从第一面(4)延伸到第二面(6)，从而将第一面(2)热连接到第二面(4)。 | ||||||
| 114 | 由接合在一起的两个或两个以上衬底形成的电子装置、包含电子装置的电子系统及制作电子装置的方法 | CN201080011141.3 | 2010-03-04 | CN102349139B | 2014-09-17 | 罗伊·E·米德; 古尔特杰·S·桑胡 |
| 本发明揭示包含第一衬底及第二衬底的电子装置。所述第一衬底包含包括至少大致彼此平行地穿过所述第一衬底的至少一部分的多个导电迹线的电路。多个接合垫定位于所述第一衬底的表面上且包含在所述多个导电迹线中的至少两者上方延伸的宽度。多个通孔从邻近所述导电迹线中的至少一些导电迹线延伸到所述多个接合垫。所述第二衬底接合到所述第一衬底且包含借助多个导电凸块耦合到所述第一衬底上的所述多个接合垫的电路。本发明还揭示存储器装置及形成电子装置及存储器装置的相关方法，还揭示电子系统。 | ||||||
| 115 | 负极活性物质及各自包含该负极活性物质的负极和锂电池 | CN201410048485.1 | 2014-02-12 | CN103996826A | 2014-08-20 | 赵俞贞; 朴相垠; 李劭罗; 李受京; 都义松; 申昌洙; 金载明 |
| 提供一种负极活性物质、负极和锂电池。所述负极活性物质包含复合核和形成在所述复合核的至少部分上的涂层。所述复合核包含碳质基底和在所述碳质基底上布置的金属/类金属纳米结构。所述涂层包含金属氧化物涂层和非结晶的碳质涂层。 | ||||||
| 116 | 光学透明的导电粘合剂及由其制得的制品 | CN201280039225.7 | 2012-07-30 | CN103732709A | 2014-04-16 | N·T·罗托; J·D·李; R·C·菲茨尔 |
| 本发明提供了一种导电光学透明粘合剂，所述导电光学透明粘合剂包括光学透明粘合剂层和设置在所述光学透明粘合剂层上方的互连导电网层。所述导电光学透明粘合剂的电导率为在约0.5ohm/sq和约1000ohm/sq之间，雾度为小于约10%，并且透射比为至少约80%。 | ||||||
| 117 | 半导体器件及其制造方法 | CN201310470307.3 | 2013-10-10 | CN103730502A | 2014-04-16 | 宣敏喆; 朴炳国 |
| 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于与第一区域中的纳米线基本上相同的水平面处。因此，第一区域中的纳米线可以具有基于第二区域中的有源层的厚度的厚度，或者所述厚度可以不同。当包括超过一个的有源层时，不同区域中的纳米线可以设置在不同的高度处和/或可以具有不同的厚度。 | ||||||
| 118 | 碳纳米管复合膜及其制备方法 | CN201210333727.2 | 2012-09-11 | CN103665907A | 2014-03-26 | 冯辰; 王昱权; 潜力 |
| 本发明提供一种碳纳米管复合膜，包括一聚合物材料以及一碳纳米管膜，所述碳纳米管膜复合于所述聚合物内部形成一连续膜状结构，所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，该多个碳纳米管线间隔设置；该多个碳纳米管团簇通过该多个碳纳米管线隔开，且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇间隔设置。本发明还提供一种所述碳纳米管复合膜的制备方法。 | ||||||
| 119 | 碳纳米结构体、电容器、加工碳纳米结构体的方法、以及制造碳纳米结构体的方法 | CN201280012168.3 | 2012-03-08 | CN103415903A | 2013-11-27 | 藤田淳一; 日方威; 大久保总一郎; 宇都宫里佐; 松叶晃明 |
| 本发明能够控制碳纳米结构体的几何形状和电特性。根据本发明的加工碳纳米结构体的方法包括以下步骤：制备碳纳米结构体（例如，碳纳米管（1））（CNT制备步骤）；以及在振动所述碳纳米管（1）的同时，使所述碳纳米管（1）暴露于能量束（例如，电子束）下（暴露步骤）。这有助于改变碳纳米管（1）的长度和电特性。 | ||||||
| 120 | 一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法 | CN201310335388.6 | 2013-08-02 | CN103407964A | 2013-11-27 | 刘永锋; 庞越鹏; 潘洪革; 高明霞 |
| 本发明公开了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法，包括以下步骤：（1）将金属配位氢化物与有机溶剂混合后干燥，得到一维配位聚合物；（2）将步骤（1）中得到的一维配位聚合物进行机械球磨，在机械球磨的过程中，气化的一维配位聚合物在衬底材料上沉积生长，得到配位聚合物的纳米棒；（3）将步骤（2）中得到的配位聚合物的纳米棒中的有机配体除去，得到金属配位氢化物纳米棒。本发明提供了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法，该方法操作简单，方便易行，具有良好的普适性，且制备出的金属配位氢化物纳米棒的纯度高。 | ||||||
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