| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 偏光片 | CN201210255118.X | 2012-07-23 | CN103576370A | 2014-02-12 | 吴和虔 |
| 一种偏光片，该偏光片具有触控功能，该偏光片包括一第一透明导电层、一第二透明导电层、一偏光层、多个第一电极以及多个第二电极，该第一透明导电层在第一方向上具有最小的电阻，并在第二方向上具有最大的电阻或在第二方向绝缘；该第二透明导电层在第一方向上具有最大的电阻或在第一方向绝缘，并在第二方向上具有最小的电阻；该偏光层设置在该第一透明导电层和该第二透明导电层之间；该多个第一电极相互间隔，沿该第二方向排列成一行，且与该第一透明导电层电连接；该多个第二电极相互间隔，沿该第一方向排列成一行，且与该第二透明导电层电连接。 | ||||||
| 22 | 在透明部件中的以及与其相关的改进 | CN201280014349.X | 2012-04-12 | CN103503586A | 2014-01-08 | P.G.本特利 |
| 一种透明部件，包括具有一个界面表面的一个基片(1)，该基片带有沉积在其界面表面上的导电铜的图案(2)，其中该铜具有一个硫化铜表面涂层(3)。发现的是，带有适当地薄的硫化铜涂覆层的该铜与未涂覆的铜相比已经降低了可见度，这样使得该金属图案对观察者来说是更少分散注意力的。发现该部件作为一个触敏式显示器的部分的应用，其中该基片覆盖或形成该显示器的部分，该显示器上的图像通过该透明组件是对用户可见的。 | ||||||
| 23 | 电容器用双轴拉伸聚丙烯膜、金属化膜和膜电容器 | CN201180070198.5 | 2011-04-19 | CN103503094A | 2014-01-08 | 中冢贵典; 水岛正美; 浅野哲也 |
| 本发明提供作为电容器用电介质的具有高耐电压性、适合的元件加工性优异的电容器用双轴拉伸聚丙烯膜。一种电容器用双轴拉伸聚丙烯膜，是在两面具有突起的电容器用双轴拉伸聚丙烯膜，厚度t1(μm)为4～20μm，在将一表面设为A面，将另一面设为B面时，满足下述式中的全部，800≤SRzB≤1300(nm)0.1≤SRzA/SRzB≤0.8PBmin≥100(nm)PBmax≤1500(nm)0.4≤PB450-750/PB≤0.7，其中，SRzA：A面的10点平均粗糙度(nm)SRzB：B面的10点平均粗糙度(nm)PBmin：B面的最小突起高度(nm)PBmax：B面的最大突起高度(nm)PB450-750：存在于B面的高度450nm以上且小于750nm的突起的每0.1mm2的总个数(个/0.1mm2)PB：存在于B面的突起的每0.1mm2的总个数(个/0.1mm2)。 | ||||||
| 24 | 半导体发光器件 | CN201310189914.2 | 2013-05-21 | CN103426988A | 2013-12-04 | 黄京旭; 柳建旭; 车南求; 许在赫; 成汉珪; 郑薰在 |
| 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。 | ||||||
| 25 | 场发射装置 | CN201210135961.4 | 2012-05-04 | CN103383909A | 2013-11-06 | 柳鹏; 姜开利; 范守善 |
| 本发明提供一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间；两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。 | ||||||
| 26 | 低雾度透明导电电极 | CN201310215192.3 | 2013-06-01 | CN103383869A | 2013-11-06 | 潘克菲 |
| 本发明关于一种具有金属纳米线的低雾度透明导电电极及其制造方法，其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H，纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层，其折射率介于1.1-1.5之间，其厚度位于100纳米至200纳米之间。 | ||||||
| 27 | 发光二极管 | CN201210122544.6 | 2012-04-25 | CN103378238A | 2013-10-30 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底具有一表面；一有源层，该有源层包括依次层叠设置于该基底表面的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；以及一反光层将所述第二半导体层覆盖；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。 | ||||||
| 28 | 场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法 | CN201310149427.3 | 2013-04-26 | CN103378161A | 2013-10-30 | 金洞院; 金大万; 丁润夏; 朴修永; 朴赞训; 白禄贤; 李尚贤 |
| 本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的截面面积。 | ||||||
| 29 | 低雾度透明导电电极 | CN201310214518.0 | 2013-06-01 | CN103377757A | 2013-10-30 | 潘克菲 |
| 本发明关于一种具有金属纳米线的透明导电电极及其制造方法，其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H，纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层，其折射率介于1.1-1.5之间，其厚度位于100纳米至200纳米之间。 | ||||||
| 30 | 用于发射紫外光的发光二极管及其制造方法 | CN201310034044.1 | 2013-01-29 | CN103247730A | 2013-08-14 | 黄省元; 高建宇; 沈成铉; 金定燮; 郑薰在; 孙哲守 |
| 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。 | ||||||
| 31 | 包含富勒烯及其衍生物的有机光伏器件 | CN201210568210.1 | 2007-05-02 | CN103227289A | 2013-07-31 | W·达林·莱尔德; 瑞扎·史泰格马特; 亨宁·瑞查特; 维克托·维金斯; 拉里·斯科特; 托马斯·A·拉达 |
| 包含活性层的光伏电池，该活性层包括作为p-型材料的共轭聚合物如聚噻吩和立体规则性聚噻吩，及作为n-型材料的至少一种富勒烯衍生物。该富勒烯衍生物可以为C60、C70或C84。该富勒烯也能用茚基团官能化。能够获得改进的效率。 | ||||||
| 32 | 线缆 | CN201010549606.2 | 2010-11-18 | CN102063959B | 2013-02-13 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种线缆，包括一缆芯、依次包覆在该缆芯外的一绝缘结构、一屏蔽结构和一保护结构，其中，所述缆芯包括一金属线状结构及一碳纳米管层，所述碳纳米管层包覆于该金属线状结构的表面，所述碳纳米管层为一连续的层状结构，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力相连。 | ||||||
| 33 | 感应电动机的转子、以及使用该转子的感应电动机 | CN201180026254.5 | 2011-05-25 | CN102918754A | 2013-02-06 | 饭塚弘; 胜亦信; 西乡勉; 吉永聪 |
| 公开了一种转子(4)，该转子(4)可旋转地布置在感应电动机(1)的定子(2)的中空部(3)的内部，并且通过从由该定子(2)在该中空部(3)的内部形成的磁场接收磁力下而旋转。该转子(4)包括：一对环状导体(10,10)；以及多个条状导体(11)，其连接在该一对环状导体(10,10)之间并且被构造成连同该一对环状导体(10,10)一起形成筐形状。环状导体(10,10)和条状导体(11)分别由复合材料形成，该复合材料由导电芯导体(12)以及以电接触状态附着到该芯导体(12)的外周的碳纳米管结构(15)构成。 | ||||||
| 34 | 接合的纳米结构及其方法 | CN201180006976.4 | 2011-01-21 | CN102770959A | 2012-11-07 | M·C·勒姆克斯; A·维尔卡; Z·鲍 |
| 使用一种或多种的各种材料和方法来接合纳米结构。与各个实施方式一致，两个或多个纳米结构在纳米结构之间的连接处接合。所述纳米结构可以在连接处接触或者几乎接触，且接合材料在连接处沉积并成核以将纳米结构连接在一起。在各种应用中，成核的接合材料促进了纳米结构之间的传导性（导热性和/或导电性）。在一些实施方式中，例如通过沿着纳米结构生长和/或掺杂纳米结构，接合材料进一步增强了纳米结构自身的传导性。 | ||||||
| 35 | 由接合在一起的两个或两个以上衬底形成的电子装置、包含电子装置的电子系统及制作电子装置的方法 | CN201080011141.3 | 2010-03-04 | CN102349139A | 2012-02-08 | 罗伊·E·米德; 古尔特杰·S·桑胡 |
| 本发明揭示包含第一衬底及第二衬底的电子装置。所述第一衬底包含包括至少大致彼此平行地穿过所述第一衬底的至少一部分的多个导电迹线的电路。多个接合垫定位于所述第一衬底的表面上且包含在所述多个导电迹线中的至少两者上方延伸的宽度。多个通孔从邻近所述导电迹线中的至少一些导电迹线延伸到所述多个接合垫。所述第二衬底接合到所述第一衬底且包含借助多个导电凸块耦合到所述第一衬底上的所述多个接合垫的电路。本发明还揭示存储器装置及形成电子装置及存储器装置的相关方法，还揭示电子系统。 | ||||||
| 36 | 具有纳米结构二极管的整流天线设备 | CN200980138397.8 | 2009-07-23 | CN102203949A | 2011-09-28 | Y·哈内因; A·博亚格; J·朔伊尔; I·弗里德勒 |
| 公开了一种整流天线设备。所述设备包括一对电极结构(14.16)以及至少一个纳米结构二极管(12)，所述纳米结构二极管(12)至少接触该对电极结构的第一电极结构并且至少邻近该对电极结构的第二电极结构。该对电极结构中的至少一个电极结构接收AC辐射，并且纳米结构二极管(一个或多个)(18)至少部分地对AC辐射所产生的电流进行整流。 | ||||||
| 37 | 线缆 | CN201010549606.2 | 2010-11-18 | CN102063959A | 2011-05-18 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种线缆，包括一缆芯、依次包覆在该缆芯外的一绝缘结构、一屏蔽结构和一保护结构，其中，所述缆芯包括一金属线状结构及一碳纳米管层，所述碳纳米管层包覆于该金属线状结构的表面，所述碳纳米管层为一连续的层状结构，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力相连。 | ||||||
| 38 | 电取暖器 | CN200910190175.2 | 2009-09-08 | CN102012061A | 2011-04-13 | 冯辰; 姜开利; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种电取暖器。该电取暖器包括一底座，一支架及一机头。该支架固定于该底座。所述机头与该支架活动连接。所述机头包括一支撑结构，一加热模组及一保护结构。该加热模组设置于该支撑结构上，且位于该支撑结构与该保护结构之间。所述加热模组包括一加热元件和至少两个电极，该至少两个电极分别与该加热元件电连接。所述加热元件包括一碳纳米管层状结构，该碳纳米管层状结构包括多个碳纳米管。所述电取暖器具有以下优点：其一，由于碳纳米管的密度较小，因此加热元件质量较轻，故该电取暖器质量较轻，使用方便；其二，由于该碳纳米管层状结构可具有较大的面积，因此，该电取暖器的加热面积较大。 | ||||||
| 39 | 面热光源及其制备方法 | CN200710123809.3 | 2007-10-10 | CN101409962B | 2010-11-10 | 刘长洪; 范守善 |
| 本发明涉及一种面热光源，该面热光源包括一第一电极、一第二电极和一碳纳米管薄膜。该第一电极和第二电极设置于该碳纳米管薄膜上，该第一电极和第二电极之间相隔一定的距离，并与该碳纳米管薄膜表面电接触。该碳纳米管薄膜中碳纳米管为各向同性或沿一个固定方向取向或不同方向取向排列。本发明还涉及一种面热光源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；提供一施压装置，挤压上述碳纳米管阵列获得一碳纳米管薄膜；提供一第一电极和一第二电极，将上述第一电极和第二电极间隔地设置在上述碳纳米管薄膜的表面上，并与该碳纳米管薄膜表面形成一电接触，从而得到一面热光源。 | ||||||
| 40 | 中子发生器 | CN200810182001.7 | 2008-11-28 | CN101553076A | 2009-10-07 | 乔尔·L·格罗夫斯 |
| 中子发生器包括设置在包含可电离气体的增压环境中的离子源。离子源包括碳纳米管束从中伸出的基板。纳米管的末端与栅极隔开。离子源供电电路在离子源的基板和栅极之间施加正电压，从而使可电离气体电离并通过栅极发射离子。离子加速器部分设置在离子源和靶之间。离子加速器部分使通过栅极的离子朝向靶加速，使得离子与靶的碰撞导致靶产生并发射中子。离子源、加速器部分和靶装在密封管中，并优选碳纳米管束具有至少106个/cm2高度有序的沿基本平行于密封管中轴方向延伸的碳纳米管。该中子发生器提供原子/分子的比例比现有技术高得多的气体电离，这可实现小尺寸的紧凑设计以适用于在空间有限的井下环境使用的测井工具。 | ||||||
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