| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法 | CN201280022365.3 | 2012-03-09 | CN103635612B | 2017-07-11 | V.莱森科; J.克莱姆; M.梅德加奥伊 |
| 本发明涉及通过基材(7)的电化学蚀刻来制造基于硅的纳米颗粒的方法，特征在于所述基材由冶金级硅或精炼冶金级硅制成，所述基材具有大于0.01%的杂质含量。 | ||||||
| 162 | 封装胶、显示器件的封装方法及封装设备 | CN201710212802.2 | 2017-04-01 | CN106935729A | 2017-07-07 | 贾文斌; 朱飞飞; 王玉林; 马凯葓; 孙力 |
| 本发明提供了一种封装胶、显示器件的封装方法及封装设备，属于显示器件的封装技术领域。其中，封装胶(包括框胶及填充胶)包括胶体以及分布在所述胶体中的纳米级尺寸的固体粒子，所述固体粒子能够在磁场的作用下发生运动。显示器件的封装方法包括：在封装盖板上涂覆上述封装胶；将形成有显示器件的待封装基板与涂覆有封装胶的所述封装盖板进行压合，并在压合过程中对所述封装盖板施加磁场，使所述封装胶中的固体粒子在所述磁场中运动。通过本发明的技术方案，能够在对显示器件进行封装时，提高封装胶的扩散均匀性，改善显示器件的封装效果。 | ||||||
| 163 | 金属氧化物纳米球的制备方法 | CN201710300029.5 | 2017-05-02 | CN106929876A | 2017-07-07 | 张志昆 |
| 本发明提供了一种金属氧化物纳米球的制备方法，包括以下内容：在一电解槽中，阳极为Pt片，阴极为金属丝，电解液采用高导电性盐溶液，阳极和阴极浸入电解液的面积比为阳极：阴极＝20：1；采用连续可调的大功率直流稳压电源，通过逐步加大电压，在阴极形成等离子放电，同时在溶液中形成沉淀物，将沉淀物进行提纯，即得到金属氧化物纳米球。本发明的优点在于：无有毒有害化学试剂参与，成本低廉，操作简单，材料产率高，可拓展性强，在工业量产中应用前景广阔。 | ||||||
| 164 | 一种荧光SiO |
CN201710238787.9 | 2017-04-12 | CN106929001A | 2017-07-07 | 刘广洋; 徐东辉; 刘中笑; 黄晓东; 李凌云; 林桓; 郑姝宁; 张延国 |
| 本发明公开了一种荧光SiO2纳米微球的制备方法，包括：将氨水、正硅酸四乙酯混合后进行反应，得到SiO2纳米微球；将所述SiO2纳米微球在酸性条件下与3‑氨丙基三乙氧基硅烷进行反应，得到氨基化SiO2纳米微球；将5‑(4,6‑二氯三嗪)氨基荧光素水溶液、EDC/NHS溶液和氨基化SiO2纳米微球的乙醇水溶液混合后进行反应，得到荧光SiO2纳米微球。本发明提供的荧光SiO2纳米微球的制备方法的操作步骤简单便捷，方便进一步对检测农药残留的分子印迹物的制备，且满足当前进行农药多残留检测技术的要求。 | ||||||
| 165 | 量子点合成装置及量子点合成方法 | CN201710266969.7 | 2017-04-21 | CN106916584A | 2017-07-04 | 陈绍楷 |
| 本发明公开了一种量子点合成装置，包括依次连接的前驱体反应区、核反应区、核/壳反应的核/壳反应区和保管容器，上述各反应区分别包括至少一个螺旋状反应管，上述螺旋状反应管内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽，上述各反应区的前段包覆有加热区，上述各反应区的后段包覆有冷却区，于上述各反应区的前端分别设有若干个注入口，于核反应区的后端、核/壳反应区的后端分别设有若干个浮游物排出口，各反应区的前端连接有加压装置。本发明还公开了一种量子点合成方法。本发明能提高量子点的稳定性及粒子大小的均匀，同时能使其没有缺陷，因此能使量子效率最大化，提升了发光效率及鲜明度。 | ||||||
| 166 | 一种铜/二氧化硅核壳结构纳米粒子的制备方法 | CN201710190255.2 | 2017-03-28 | CN106914630A | 2017-07-04 | 贺永强; 朱蓉子 |
| 本发明属于光子材料技术领域，具体涉及一种铜/二氧化硅核壳结构纳米粒子的制备方法，1）二氧化硅纳米粒子的制备：采用stober法制备不同粒径大小的二氧化硅纳米颗粒；2）二氧化硅纳米粒子的氨基化：取一定量的新制备的SiO2乙醇溶液，在80℃水浴中加热，在缓慢搅拌的情况下，缓慢滴加氨丙基三乙氧基硅烷与乙醇的混合溶液；继续加热搅拌，溶液静置后自然沉淀，倾出上层清液；沉淀用无水乙醇洗涤后，进行离心处理；如此反复，洗涤三次得到表面功能化的二氧化硅微球（AFSM），超声分散在乙醇中备用；3）铜纳米粒子的制备；4）铜纳米粒子在氨基化的二氧化硅纳米粒子表面的吸附；5）铜/二氧化硅核壳结构纳米粒子的制备。 | ||||||
| 167 | 一种用于锂电池负极的二维纳米多孔氧化锌及其制备方法 | CN201710164812.3 | 2017-03-20 | CN106910876A | 2017-06-30 | 陈庆; 曾军堂 |
| 本发明涉及锂电池材料领域，具体涉及一种用于锂电池负极的二维纳米多孔氧化锌及其制备方法。利用空化均质机以微射流的形式在氧化铝陶瓷面板上通过利用氯化钠诱使氧化锌的晶粒沿面方向快速生长，从而具有二维层结构的氧化锌，特别是，通过氯化钠在氧化锌层面生长方向快速形成纳米微粒镶嵌于氧化锌层中，使氧化锌在层生长方向形成微晶缺陷，水洗后形成微晶缺陷孔，从而得到二维纳米多孔氧化锌。显著的特点是该结构的氧化锌，层间距以及层面微晶缺陷孔形成了一个稳定的能级，用于锂电池负极，这种缺陷使氧化锌的电子导电性提高，并使锂离子扩散空间增大，有效的缓冲氧化锌充放电循环时的体积变化应力，在保持了氧化锌高比容量的前提下具有高倍率、长循环寿命的特性。 | ||||||
| 168 | 多栅极隧道场效应晶体管（TFET） | CN201611103068.8 | 2016-12-05 | CN106910768A | 2017-06-30 | M·A·普尔加德里; A·阿莲 |
| 公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面或界面区处发生。 | ||||||
| 169 | 一种利用导电油墨制备导电薄膜的制备方法 | CN201710210771.7 | 2017-03-31 | CN106910568A | 2017-06-30 | 不公告发明人 |
| 本发明公开了一种利用导电油墨制备导电薄膜的制备方法，采用碳纳米管对PET基底进行化学改性，使得表面被含官能团的偶联剂修饰的碳纳米管能均匀分散在反应体系中并能参与PET的缩聚反应，本发明制备的透明导电薄膜具备良好的附着力、导电性、环境稳定性，各项性能均可替代传统的ITO导电薄膜。 | ||||||
| 170 | 一种超声制备碲化镍量子点的方法 | CN201710041534.2 | 2017-01-20 | CN106905973A | 2017-06-30 | 李学铭; 唐利斌; 鲁朝宇 |
| 本发明提供一种简便的制备碲化镍量子点的方法。该方法以碲化镍粉末为原料，称取一定量的碲化镍在研钵中充分研磨，量取适量的氮甲基吡咯烷酮（NMP）加到研磨好的样品中，放到超声仪中超声，将超声后的溶液静置，吸取悬浮液进行离心，收集上层棕色澄清溶液即为碲化镍量子点。本发明可一步制得碲化镍量子点，具有制备工艺简单、操作安全、成本低廉、绿色环保、可重复性好等优点，且制备得到的碲化镍量子点分散性好，尺寸均匀，结晶度好。在光电器件、太阳电池及磁性材料等领域拥有广泛的应用前景。 | ||||||
| 171 | 一种低成本钙钛矿量子点显示材料及制备方法 | CN201710077780.3 | 2017-02-14 | CN106905953A | 2017-06-30 | 陈庆; 曾军堂; 王镭迪 |
| 提出一种低成本钙钛矿量子点显示材料，结构上由球形内核芯和表面壳层组成，表面壳层为硫化锌，内核的结构式为(BizSn1‑z)X4，其中，BizSn1‑z和X构成配位八面体结构，X为Cl、Br、I中的任何一种。采用固相合成方式制备内核，然后通过均质反应和复分解反应，在内核生成硫化锌并形成包覆层，最后经过滤、冷却结晶、离心分离，制得低成本量子点显示材料。通过温度和材料配比的调控，荧光量子产率达到72%；通过组分调控策略，实现了量子点的发光波长从345nm至710nm范围连续可调。 | ||||||
| 172 | 钛酸锂/活化石墨烯纳米片复合材料制备方法及应用 | CN201710151138.5 | 2017-03-14 | CN106898745A | 2017-06-27 | 单忠强; 汪冬冬; 田建华 |
| 本发明涉及钛酸锂/活化石墨烯纳米片复合材料制备方法及应用。石墨烯纳米片和二氧化钛质量比1:5～20，加入到LiOH溶液中，室温下搅拌，再超声使其完全分散和混合；将混合液转入到高压水热釜中，在140～220℃下反应；冷却到室温后，通过离心、洗涤和鼓风干燥得到黑色样品；将样品放入氩气管式炉中500～1000℃煅烧，得到产品。本发明通过一步水热法，实现钛酸锂合成、石墨烯纳米片活化和二者的同步复合，避免有机钛源和有机溶剂的使用。该材料应用于锂离子电池负极显著提高了电池电化学性能，在高倍率100C下仍能有113mAh g‑1的比容量，在10C下充放电循环2000次，容量保持率为90.21％。 | ||||||
| 173 | 普鲁士蓝类纳米多孔框架材料的制备方法及应用 | CN201710142783.0 | 2017-03-10 | CN106898744A | 2017-06-27 | 蔡跃鹏; 彭海军; 郭宇凯 |
| 本发明提出了一种普鲁士蓝类纳米多孔框架材料的制备方法和应用，(1)在室温环境下，配制A溶液：将0.2～1mmol的Co(CH3COO)2·nH2O和0.2～2g的聚乙烯吡咯烷酮溶于蒸馏水中；(2)配制B溶液：将0.1～1mmol的K3[Mn(CN)6]溶于蒸馏水中；(3)将B溶液滴加到A溶液中，磁力揽拌后静置一天；(4)离心分离获得白色混合溶液经过离心清洗后得到Co3[Mn(CN)6]2·nH2O纳米颗粒，烘干即可。本发明利用普鲁士蓝类配合物具有三维通道的开放框架结构、高稳定性和可调控的纳米形貌特征，一步制备Co3[Mn(CN)6]2·nH2O配合物，作为锂电负极材料使用具有良好的电化学性能。 | ||||||
| 174 | 一种三元结构柔性电极的制备方法 | CN201710155774.5 | 2017-03-16 | CN106898502A | 2017-06-27 | 吕春祥; 刘茜秀; 李利平; 李倩; 袁淑霞 |
| 一种三元结构柔性电极的制备方法是将络合剂加入搅拌中的硝酸镍溶液中，得到溶液A，溶液A中放入一块裁好的碳布，再置于水热反应釜中反应，取出碳布用去离子水洗净干燥，高温热处理，在高锰酸钾溶液进行浸渍，干燥，再进一步热处理得到最终电极材料。本发明具有制备简单，成本低，性能优良的优点。 | ||||||
| 175 | 一种纳米铈基稀土复合氧化物的制备方法 | CN201710073042.1 | 2017-02-10 | CN106892400A | 2017-06-27 | 李杏英; 刘志强; 曹洪杨; 雷一锋; 金明亚; 陶进长; 朱薇; 郭秋松; 李伟; 高远; 张魁芳 |
| 一种纳米铈基稀土复合氧化物的制备方法，由以下步骤组成：在总稀土金属离子浓度为0.2~0.4mol/L氯化稀土溶液中，加入防团聚试剂氯化铵；在碳酸氢铵溶液中，加入表面活性剂；在不断搅拌下，将碳酸氢铵溶液加入到氯化稀土溶液中，得到悬浮液；继续搅拌10~30分钟，静置陈化30~60分钟；过滤碳酸稀土复合物，用纯水洗涤，然后用表面处理液处理3~6次；将碳酸稀土复合物于120℃干燥4小时；将碳酸稀土复合物于700~1100℃煅烧4小时，得到纳米铈基稀土复合氧化物。本发明提供一种工艺简单、成本低的纳米铈基稀土复合氧化物的制备方法，降低粉体的团聚程度，获得粒度小、形貌一致、粒径分布窄的纳米粉体材料。 | ||||||
| 176 | 一种纳米银线及其制备方法 | CN201710100872.9 | 2017-02-23 | CN106890996A | 2017-06-27 | 陈晖; 李海利; 李瑞雪; 杨柳; 张娜; 曾斌; 文波; 张偌雨 |
| 本发明公开了一种纳米银线及其制备方法，该纳米银线制备过程中引入Cl‑离子，通过Cl‑离子的浓度控制纳米银线的形貌和尺寸，Cl‑浓度的引入范围为15mmol/L～60mmol/L。该方法采用硝酸银作为原料，用多元醇法将硝酸银中的Ag+还原得到高长径比的纳米银线。本发明提供的纳米银线其直径小于100nm，长径比为1000。本发明中公开的方法具有原料简单、成本低、操作简易、制备效率高以及成品率高等优点，有良好的应用和产业化前景。 | ||||||
| 177 | 一种碳纳米管可拉伸电极的制备方法 | CN201710146108.5 | 2017-03-13 | CN106883610A | 2017-06-23 | 张海霞; 苏宗明; 宋宇; 陈号天 |
| 本发明提供了一种碳纳米管可拉伸电极的制备方法。该方法包括：将碳纳米管的溶液与微球的溶液通过物理方法进行混合，形成混合液；获取玻璃衬底，将所述混合液淀积至玻璃衬底上静置晾干，形成混合物；在所述混合物上加入液态可拉伸材料，静置固化后将所述混合物从所述玻璃衬底上掲下得到碳纳米管可拉伸电极。本发明提供的方法中，制备的碳纳米管电极具有极高的可靠性，从导电机理上来看，碳纳米管构成的空间网状结构是非常有效的导电网络的构建方法，该网络能保证导电材料的某个部位的缺陷或断裂不会导致导电通路的破坏；从材料的稳定性来看，碳纳米管具有较高的物理、化学稳定性。同时，在其外表包裹的可拉伸材料使导电材料具有更好的保护。 | ||||||
| 178 | 一种氧化铟锡复合粉体的制备方法 | CN201710189464.5 | 2017-03-27 | CN106882835A | 2017-06-23 | 张天舒; 宋晓超; 张天宇; 何东 |
| 本发明公开一种氧化铟锡复合粉体的制备方法，属于氧化铟锡复合粉体制备技术领域，包括以下步骤：混合盐溶液制备：根据重量比为In2O3：SnO2＝9:1，将InCl3溶液和SnCl4溶液置于反应釜中，搅拌混合均匀；加入分散剂：加入重量比为2：1：3的聚乙烯吡咯烷酮、β‑丙氨酸和乙二醇，加入过量20％以上尿素；共沉淀反应：逐步升温至60～90℃，恒温并保持不停的搅拌，待反应液中In3+完全沉淀为止，超声波处理1小时后，继续保持搅拌，并陈化，得到铟锡沉淀物；经洗涤、干燥、研磨、过筛和高温煅烧，即得高烧结活性的纳米氧化铟锡复合粉体。采用本发明制备方法制成的氧化铟锡复合粉体硬团聚少、流动性好、易于压制成型。 | ||||||
| 179 | 一种银铬合金纳米线及其制备方法 | CN201510282845.9 | 2015-05-28 | CN104827026B | 2017-06-23 | 孙晓明; 王成 |
| 本发明涉及一种银铬合金纳米线，其直径为18‑60nm；长度为5‑100μm；其中银和铬的摩尔比为1:(0.01‑3)。本发明还涉及该银铬合金纳米线的制备方法，其包括以下步骤：a.制备反应溶液：将银源、铬源、聚乙烯吡咯烷酮和还原剂配制成反应溶液或加入至去离子水中配制成反应溶液，其中所述银源中的银离子与所述铬源中的铬离子的摩尔比为1：(0.01‑3)，将上述任一反应溶液加入至反应容器中；b.还原反应：将该反应容器置于120℃‑200℃的温度下反应2‑10小时，得到银铬合金纳米线悬浮液。本发明的银铬合金纳米线直径最小可以达到18nm，长度通常在20μm以上，具有广阔的应用前景。 | ||||||
| 180 | 在光刻装置中交换晶片的方法 | CN201310378980.4 | 2008-07-11 | CN103456670B | 2017-06-23 | 吉多·德布尔; 米歇尔·彼得·丹斯贝格; 彼得·克勒伊特 |
| 本发明涉及在光刻装置中交换晶片（1）的方法。所述光刻装置具有在真空下操作的条件，所述方法包括：将所述晶片（1）放置在晶片工作台（8）上的步骤，将所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）插入所述光刻装置的后续步骤（IT），处理所述晶片（1）的步骤（PW），从所述光刻装置移除所述晶片工作台（8）和所述晶片（1）的步骤（RT），将所述晶片（1）从所述晶片工作台（8）上分离的步骤（DW），以及为了在所述光刻装置内交换所述晶片（1）的目的，将所述晶片工作台（8）与另一个晶片工作台进行交换的步骤，以及处理所述光刻装置外侧的所述晶片工作台（8）的步骤，其中，在该处理中，所述晶片工作台（8）的温度是可调节的。 | ||||||
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