| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 半导体结构及其制造方法 | CN201610600300.2 | 2016-07-27 | CN106495086A | 2017-03-15 | 郑钧文; 朱家骅; 赖飞龙; 林详淇 |
| 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||||||
| 2 | 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 | CN201180025550.3 | 2011-06-08 | CN102906010B | 2015-12-02 | R.T.赫林; C.V.扬斯; A.K.斯坦珀; E.J.怀特 |
| 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。 | ||||||
| 3 | 形成传感器装置的MEMS传感器和方法 | CN201380050286.8 | 2013-08-19 | CN104797915A | 2015-07-22 | A·费伊 |
| 用于形成传感器装置的系统和方法包括：在绝缘体上硅(SOI)晶圆的装置层中限定出平面内电极；在位于所述装置层的上表面之上的硅覆盖层中形成平面外电极；在所述硅覆盖层的上表面上沉积硅化物形成金属；和将沉积后的硅化物形成金属进行退火，以在硅覆盖层中形成硅化物部分。 | ||||||
| 4 | MEMS器件 | CN201410694629.0 | 2014-11-27 | CN104671186A | 2015-06-03 | S.科尔布; A.迈泽; T.施勒泽; W.维尔纳 |
| MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。 | ||||||
| 5 | 微机电系统（MEMS）以及相关的致动器凸块、制造方法和设计结构 | CN201280026455.X | 2012-03-14 | CN103917481A | 2014-07-09 | C.V.杰恩斯; A.K.斯坦珀 |
| 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板上形成固定致动器电极（115）和接触点。该方法还包括在固定致动器电极和接触点之上形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成与固定致动器电极的部分对齐的致动器电极阵列（105’），其大小和尺度设置为防止MEMS梁在重复循环后下陷在固定致动器电极上。致动器电极阵列形成为与MEMS梁的下侧和固定致动器电极的表面至少之一直接接触。 | ||||||
| 6 | 微机电系统结构 | CN201180025557.5 | 2011-06-15 | CN102906011A | 2013-01-30 | A.斯坦珀; C.V.扬斯 |
| 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。 | ||||||
| 7 | 微机电系统 | CN201180025545.2 | 2011-06-15 | CN102906008A | 2013-01-30 | A.斯坦珀; C.V.扬斯 |
| 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。 | ||||||
| 8 | 构建到半导体集成电路中的电器件 | CN201110253951.6 | 2009-02-01 | CN102336392A | 2012-02-01 | 小岛章弘; 杉崎吉昭; 下冈义明 |
| 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。 | ||||||
| 9 | 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 | CN201110174027.9 | 2011-06-24 | CN102295264A | 2011-12-28 | 迪恩.当; 泰.多恩; 杰弗里.C.马林; 安东尼.K.斯塔姆珀 |
| 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。 | ||||||
| 10 | 具有两个旋转轴上的独立旋转的微机电系统器件 | CN200980125564.5 | 2009-04-29 | CN102076601A | 2011-05-25 | 巴里埃·基沃思; 凯文·科内尔森; 贾里德·克劳福德 |
| 提供一种MEMS配置，其具有包含诸如反射镜的可旋转元件的顶部平面。存在中间支撑框架平面和下电气基板平面。可旋转元件由在中间支撑框架平面中形成的支撑框架支撑，以便于在第一旋转轴上相对于框架可旋转。框架被安装成相对于第二旋转轴可旋转。第一旋转轴上的旋转基本上独立于第二旋转轴上的旋转。 | ||||||
| 11 | 电路结构及其形成方法 | CN200810171192.7 | 2008-10-22 | CN101599473A | 2009-12-09 | 李久康; 郑创仁; 蔡尚颖; 吴汀淏; 陈相甫 |
| 本发明是有关于一种电路结构及其形成方法，其包含一基板；一第一非晶硅层，位于所述基板上；一第一粘着层，位于所述第一非晶硅层上于且邻接于所述第一非晶硅层；以及一第二非晶硅层，位于所述第一粘着层上于且邻接于所述第一粘着层。本发明由于接线柱由非晶硅组成，因此所产生的接线柱的图案化相对简单，即使这些接线柱可能具有很大的高度。藉由在非晶硅层间形成粘着层，可增加非晶硅接线柱的高度而不会产生缺陷。该有利特征包含了改善非晶硅接线柱的品质、以及降低形成多个具有不同高度的非晶硅接线柱的复杂性。另外，更提供一种电路结构的形成方法。 | ||||||
| 12 | 生成微机械结构的方法 | CN200810090384.5 | 2008-04-01 | CN101279712A | 2008-10-08 | 丹尼斯·容; 克里斯蒂安·德拉伯; 提诺·詹德纳; 哈拉尔德·琛克; 托马斯·克洛泽; 亚里桑德勒·沃尔特尔 |
| 一种用于生成微机械结构的方法，首先在基片中形成二维结构。此二维结构通过力的作用从基片偏转并被固定在偏转状态。 | ||||||
| 13 | 电子器件的制造方法和电子器件 | CN200480032195.2 | 2004-10-26 | CN1874955A | 2006-12-06 | J·T·M·范比克; M·J·E·乌勒奈尔斯 |
| 一种微机电系统(MEMS)器件的制造方法，包括在衬底(14)上提供基层(10)和机械层(12)，在基层(10)和机械层(12)之间提供牺牲层(16)，在牺牲层(16)和衬底(14)之间提供蚀刻停止层(18)，以及借助干法化学蚀刻去除牺牲层(16)，其中利用含氟的等离子体进行干法化学蚀刻，并且该蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料，如HfO2、ZrO2、Al2O3或TiO2。 | ||||||
| 14 | 具有阶跃式结构的悬臂及其制造方法 | CN02150667.1 | 2002-11-15 | CN1282597C | 2006-11-01 | 李羲重 |
| 本发明提供了一种具有阶跃式结构的悬臂及其制造方法。这种悬臂包括：一个衬底；一个形成于该衬底上的锚固件；和一块被连接在锚固件上同时保持与衬底的预定间隙的移动板，其中，所述锚固件包括有一个具有预定形状的第一锚固件和一个第二锚固件，该第二锚固件垂直于第一锚固件的一个边缘，并且沿所述移动板的纵轴成形。这种悬臂的形变量，比如由于制造过程中的高温高压导致的该悬臂的移动板的形变量明显减小。从而，这种悬臂的屈服率得以改善，并且采用这种悬臂的制品的可靠性也得以提高。 | ||||||
| 15 | MEMS器件 | CN201410423786.8 | 2014-08-26 | CN104418289B | 2017-04-12 | S.巴尔岑; A.德赫 |
| 公开了一种MEMS器件，包括背板电极以及被部署为与所述背板电极间隔开的隔膜。所述隔膜包括可移位部分和固定部分。布置所述背板电极和所述隔膜，以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。 | ||||||
| 16 | 具有分开的、电绝缘的活动结构的微机械组件以及用于运作这种组件的方法 | CN201580010228.1 | 2015-02-11 | CN106061889A | 2016-10-26 | 冈特·斯帕林格 |
| 本发明涉及一种微机械的组件，该组件包括基板和活动结构，该活动结构能够相对于基板而言至少以一个方向偏移并且具有至少一个第一区域和第二区域，其中所述第一区域和所述第二区域能够导电并且沿着第一轴物理刚性地彼此连接并且通过绝缘区域相互电绝缘。根据一种用于运作该组件的方法在第一区域和第二区域上施加不同的电势，其中能够探测通过活动结构的移动而产生的电荷或电容变化。 | ||||||
| 17 | 压力传感器及其形成方法 | CN201310277644.0 | 2013-07-03 | CN104280160B | 2016-10-05 | 洪中山 |
| 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：衬底，所述衬底具有器件区，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层表面具有第一电极层；位于第一电极层表面的第二介质层，所述器件区的第二介质层具有若干第一开口；位于所述第一开口的侧壁表面的导电侧墙；位于第二介质层表面和第一开口内的第二电极层，所述第二电极层与第二介质层表面、导电侧墙表面和第一开口的底部表面之间具有空腔；位于第二电极层和第二介质层表面的第三介质层，所述第三介质层内具有暴露出器件区的第二电极层表面的第二开口。所述压力传感器的灵敏度得到提高。 | ||||||
| 18 | 压力传感器及其形成方法 | CN201310277659.7 | 2013-07-03 | CN104280161B | 2016-08-31 | 洪中山 |
| 一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：具有器件区的衬底，所述衬底表面具有第一介质层；位于器件区的第一介质层表面的第二介质层，所述第二介质层具有台阶状侧壁；位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层，所述第一电极层具有位于第二介质层的台阶状侧壁表面的台阶区，所述第一电极层的台阶区表面形貌与所述第二介质层侧壁表面形貌相对应而呈台阶状；位于第一电极层表面的第二电极层，所述第二电极层和第一电极层之间电隔离，且器件区的第二电极层和第一电极层之间具有空腔，所述空腔内第二电极层表面形貌与空腔内第一电极层表面形貌相互对应而呈台阶状。所述压力传感器的灵敏度得到提高。 | ||||||
| 19 | MEMS器件的形成方法 | CN201510006925.1 | 2015-01-07 | CN105819394A | 2016-08-03 | 郑超; 王伟 |
| 一种MEMS器件的形成方法，采用在一第一晶圆上形成凹槽，在凹槽底部形成MEMS器件的固定电极，在一第二晶圆上形成牺牲层及可动电极，两晶圆键合后，研磨去除第二晶圆，并至少去除部分牺牲层，从而释放可动电极，将可动电极悬浮在由第一晶圆上的凹槽以及第二晶圆上去除牺牲层后形成的空间所构成的空腔内。由于本方案中的固定电极、可动电极分别采用两晶圆制作，因而，相对于上述部件采用在同一晶圆上沉积多层制作形成的方案，本方案每个晶圆所需沉积的层数较少，应力较小，能避免形成MEMS器件的晶圆出现翘曲。 | ||||||
| 20 | 微机电系统（MEMS）以及相关的致动器凸块、制造方法和设计结构 | CN201280026455.X | 2012-03-14 | CN103917481B | 2016-03-23 | C.V.杰恩斯; A.K.斯坦珀 |
| 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板上形成固定致动器电极（115）和接触点。该方法还包括在固定致动器电极和接触点之上形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成与固定致动器电极的部分对齐的致动器电极阵列（105’），其大小和尺度设置为防止MEMS梁在重复循环后下陷在固定致动器电极上。致动器电极阵列形成为与MEMS梁的下侧和固定致动器电极的表面至少之一直接接触。 | ||||||
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