| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 发射机和供电控制模块 | CN201110439049.3 | 2011-12-23 | CN102647195A | 2012-08-22 | 菅野浩年; 前田满则; 大出高义 |
| 本发明公开了发射机和供电控制模块，所述发射机包括：第一包络提取器，其根据用发射数据调制过的第一频率的第一调制信号来提取第一包络信号；第二包络提取器，其根据用所述发射数据调制过的第二频率的第二调制信号来提取第二包络信号，所述第二频率高于所述第一频率；放大器，其对所述第一调制信号和所述第二调制信号中的一个进行放大；电力调节器，其输出供应至所述放大器的电力的电压；以及控制器，其使所述放大器对所述第一调制信号和所述第二调制信号中的一个进行放大，并且使所述电力调节器根据所述第一包络信号和所述第二包络信号中的对应一个来输出所供应的电力的电压。 | ||||||
| 82 | 耦合器-环行器一体式通信器件及包括其的多尔蒂放大器 | CN201080031753.9 | 2010-09-30 | CN102577103A | 2012-07-11 | 金泰原; 姜承烈; 李埇辛; 姜旻宇 |
| 本发明涉及一种耦合器-环行器一体式通信器件，更详细而言，涉及将包括耦合器的多个电路形成于层叠印刷电路衬底(PCB)，并在层叠印刷电路衬底(PCB)的上部构成环行器的耦合器-环行器一体式通信器件以及包括其的多尔蒂放大器。这样的本发明提供一种包括如下部件的耦合器-环行器一体式通信器件：电介质衬底；一个以上的变压器，其形成于上述电介质衬底的内部；一个以上的定向耦合器，其形成于上述电介质衬底的内部；以及环行器，其实装于上述电介质衬底的上部。因此，根据本发明，沿着垂直方向将多个变压器、耦合器以及环行器构成为一体式，从而能够实现功率放大器整体的小型化，由此易于实现基站的小型化。 | ||||||
| 83 | 用于无线网络的具有自适应预失真的多元件幅度和相位补偿天线阵列 | CN201080035127.7 | 2010-06-07 | CN102460828A | 2012-05-16 | A.泰勒; S.卡里奇曼; A.拉比诺维奇 |
| 公开一种运用有源受控天线阵列架构的改进型通信系统和方法。该阵列（10）包含空间布置的多个受驱动辐射元件，这些辐射元件被馈送有预失真的RF信号的辐射元件对（112，114），以便提供天线阵列的仰角辐射图案的受控变化。高功率放大器（PA）的效率由耦合到每个高功率PA（140，142）的自适应预失真维持而又提供波束倾斜和旁瓣控制。 | ||||||
| 84 | 用于中继无线电信号的无线电系统和方法 | CN201080014721.8 | 2010-03-22 | CN102369664A | 2012-03-07 | P·克宁顿 |
| 本发明提供一种用于中继无线电信号的无线电系统(1)和方法(800)。该无线电系统(1)包括至少一个发送路径(70-1，70-2，...，70-N)、数字预失真单元(300)、校准单元(200)和反馈路径(400)。该反馈路径(400)在本发明中由数字预失真单元(300)和校准单元(200)共同使用。校准信号(222)适用于更新相位和振幅改变(210-1，210-2，...，210-N)和数字预失真(310-1，310-2，...，310-N)中的至少一个。本发明还涉及用于中继无线电信号的方法(800)。该方法(800)包括更新(870)数字预失真(310-1，310-2，...，310-N)以及更新(880)相位和振幅改变(210-1，210-2，...，210-N)。使用反馈信号(90F)执行数字预失真(310-1，310-2，...，310-N)的更新(870)以及相位和振幅改变(210-1，210-2，...，210-N)的更新(880)。本发明还涉及用于制造根据本发明的无线电系统(1)的计算机程序产品。本发明还涉及用于执行根据本发明的方法(800)的计算机程序产品。 | ||||||
| 85 | 采用基于消除的前馈的功率放大器线性化方法和系统 | CN201110129737.X | 2011-03-22 | CN102324900A | 2012-01-18 | W·S·哈恩; 陈玮 |
| 通过消除或减小由功率放大器产生的非线性分量(如IM3，IM5，IM7，IM9等)的振幅，线性化电路可以提高功率放大器的线性度。线性化电路能够获取功率放大器输出的采样信号并处理该采样信号以产生适用于功率放大器输出之上或之中的消除信号。生成消除信号使得当其应用于功率放大器的输出端时，该消除信号取消或减少由该功率放大器产生的非线性分量的至少一部分。通过执行一个或多个调谐算法以及基于这些算法的结果调整线性化电路的设定，控制器能够改进非线性分量的校正。 | ||||||
| 86 | 降低增益失配的功率放大器 | CN201110049700.6 | 2011-02-28 | CN102315824A | 2012-01-11 | 孙基龙; 具本勋; 洪圣喆; 金奎锡; 罗裕森 |
| 提供了一种降低增益失配的功率放大器，以便通过交叉连接来自具有采用堆叠结构的放大单元的功率放大器中的两级放大单元的输出来降低N MOS放大器和P MOS放大器之间的增益失配，在所述堆叠结构中，N MOS放大器和P MOS放大器彼此串联连接。 | ||||||
| 87 | 多端口放大器调节 | CN200980149573.8 | 2009-12-10 | CN102246413A | 2011-11-16 | 杰弗里·罗兹; 迈克尔·哈尔维森 |
| 本发明提供了一种向多端口放大器(MPA)施加测试信号的方法和设备，以及一种确定MPA的参数调节的方法、设备和系统。执行向MPA施加测试信号，以提供对MPA的参数调节加以表示的输出信号，多端口放大器装置包括输入网络、放大器单元和输出网络，其中，所述方法包括：向多端口放大器装置中在输入网络的输出与放大器单元的输入之间的点，直接提供测试信号。确定多端口放大器装置的参数调节的方法包括：接收与多端口放大器装置的输出相关联的第一输出信号和第二输出信号，第一输出信号与通过多端口放大器装置的第一信号路径相对应，第二输出信号与通过多端口放大器装置的第二信号路径相对应；以及基于第一输出信号和第二输出信号来确定参数调节。 | ||||||
| 88 | 基带导出的射频数字预失真 | CN200880126324.2 | 2008-12-08 | CN102150361A | 2011-08-10 | 金完钟; S·P·斯塔普勒顿 |
| 基带导出的RF预失真系统使用具有在基带提取并随后借助于矢量调制器而应用在RF上的系数的查找表。该架构结合了包络预失真的窄带优势以及基带预失真的准确性，并且包括对于记忆效应的补偿。同时还描述了基于多项式的替代方案。 | ||||||
| 89 | 故障保全的傅立叶变换矩阵的方法和装置 | CN200880120951.5 | 2008-11-17 | CN101904108A | 2010-12-01 | 罗纳德·L·波尔科; 小勒罗伊·A·普莱梅尔 |
| 一种用于维持一组傅立叶变换矩阵之间的数据速率传输的基站发射机，具有：数字傅立叶变换矩阵(FTM)、模拟FTM以及其间的多个发射路径。在功率放大器故障发生期间，该方法包括：检测功率放大器(PA)的故障；以及将数字FTM和模拟FTM重新配置为通过模式。 | ||||||
| 90 | RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块 | CN201010148514.3 | 2010-02-03 | CN101807890A | 2010-08-18 | 长谷昌俊; 伊藤雅广; 曾我高志; 田中聪 |
| 一种RF功率放大电路。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前级放大器和后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前级放大器和后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前级放大器的无功电流和增益按第一连续函数(2ndAmp)连续变化，后级放大器的无功电流和增益按第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。 | ||||||
| 91 | 预失真器及失真补偿方法 | CN201010113657.0 | 2010-02-05 | CN101800517A | 2010-08-11 | 石川广吉; 滨田一; 札场伸和; 宇都宫裕一; 石川颂平; 长谷和男 |
| 本发明涉及一种预失真器及失真补偿方法。一种预失真器包括：失真补偿单元，其预先对要输入功率放大器的发送信号赋予所述功率放大器的输入输出特性的逆特性；失真补偿信号生成单元，其基于发送数据和延迟后的发送数据生成体现出了逆特性的失真补偿信号，所述发送数据为所述发送信号的抽样数据；以及延迟量控制单元，其根据功率放大器的输出信号控制发送数据的延迟量。 | ||||||
| 92 | 一种降低整机功耗的装置及方法 | CN200910258124.9 | 2009-12-14 | CN101710925A | 2010-05-19 | 杨丽萍; 钱云贵; 浦小祥; 顾荣华 |
| 本发明实施例提供一种降低整机功耗的装置及方法，其中装置包括：基带处理器、功率放大器PA、电池和DCDC变换器；所述电池为所述DCDC变换器提供输入电压，所述DCDC变换器的输出电压为所述PA提供电源；所述基带处理器，用于调节PA的增益；当所述基带处理器调节PA的增益时，输出控制信号给所述DCDC变换器的控制端，控制所述DCDC变换器输出与调节后PA的增益相匹配的电压。通过增加DCDC变换器来为PA直接供电，电池间接为PA供电。这样，避免电池供电电压与PA需要的电压不一致，造成的PA效率降低的问题。这样，可以提供PA的工作效率，从而降低PA的功耗，从而降低整机的功耗。 | ||||||
| 93 | 逐级功率产生放大器 | CN200910141031.8 | 2009-05-11 | CN101577528A | 2009-11-11 | R·S·彭格利 |
| 一种功率放大器电路包括：不等分功率分配器，它采用不等分的功率分解来分解输入信号并提供第一功率电平信号和第二功率电平信号。第一放大器路径包括放大第一功率电平信号的第一晶体管放大器，第二放大器路径包括放大第二功率电平信号的第二晶体管放大器。第二晶体管放大器配置为以不同于第一晶体管放大器的输入信号功率电平开启。不等分合并器合并放大的第一功率电平信号和放大的第二功率电平信号。 | ||||||
| 94 | 前馈放大器 | CN200810090060.1 | 2008-03-31 | CN101291137A | 2008-10-22 | 石神武 |
| 提供一种补偿由放大器产生的畸变的前馈放大器，有效地进行向量调节器中的相位控制。检测畸变的畸变检测回路中的放大路径或者补偿畸变的畸变补偿回路中的畸变放大路径的一方或双方具备：第一可变相位器(PH1_1、PH2_1)，使信号的相位可变地变化；第二可变相位器(PH1_2、PH2_2)，使通过了第一可变相位器的信号的相位可变地变化。相位控制部控制第一可变相位器的相位变化量，当该相位变化量向大或小的一个方向偏移时，对应该偏移的方向控制第二可变相位器的相位变化量。 | ||||||
| 95 | 双方向性結合器 | JP2016167968 | 2016-08-30 | JP2018037780A | 2018-03-08 | 金 良守 |
| 【課題】双方向の検波を行うことが可能な双方向性結合器を提供する。 【解決手段】双方向性結合器は、一端が第1ポートと接続され、他端が第2ポートと接続された主線路と、主線路と電磁結合された副線路と、一端が接地される第1抵抗器と、一端が接地される第2抵抗器と、副線路の一端を、第1抵抗器の他端又は第3ポートに接続する第1スイッチと、副線路の他端を、第2抵抗器の他端又は第3ポートに接続する第2スイッチと、副線路の一端と第1スイッチとの間、又は、副線路の他端と第2スイッチとの間に設けられた第3抵抗器と、を備え、入力信号を検波する場合は、第1スイッチが副線路の一端を第1抵抗器の他端に電気的に接続し、第2スイッチが副線路の他端を第3ポートに電気的に接続し、反射信号を検波する場合は、第1スイッチが副線路の一端を第3ポートに電気的に接続し、第2スイッチが副線路の他端を第2抵抗器の他端に電気的に接続する。 【選択図】図1 |
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| 96 | ドハティ方式による準広帯域増幅器 | JP2015518905 | 2013-04-23 | JP6259453B2 | 2018-01-10 | セバスチアン シュテンプフル; ベルンハルト ケース; ウーウェ ダリスダ; ロトハール シェンク |
| 97 | マルチポート増幅器におけるアイソレーション | JP2016557271 | 2015-03-17 | JP2017513336A | 2017-05-25 | ウィリアム クラーク、オーウェン |
| N×Nマルチポート増幅器MPAが提供される。当該MPAは、N‐入力の入力ネットワーク(INET)と、N‐出力の出力ネットワーク(ONET)と、INETとONETとの間介挿されたN個の増幅器とを備える。当該MPAは、2で割り切れる数のN個の所望の信号経路と、N.(N−1)個のヌル信号経路とを備え、N個の増幅器経路の半分は、N個の増幅器経路の残りの半分に対する信号反転を備え、INET及びONETはそれぞれ1又は複数の直交ハイブリッド結合器(QHC)を有し、各QHCの入力は一対の信号経路を含み、各QHCの出力は一対の信号経路を含み、INET内の第1のQHCの出力とONETにおける第2のQHCの入力との間に一対の増幅器経路が配設され、N.(N−1)個のヌル信号経路のうちの少なくとも1つの理想的な振幅利得がゼロになるように、各対の増幅器経路の複数の増幅器経路の一方にそれぞれ信号反転が配設される。 | ||||||
| 98 | 半導体装置 | JP2015215110 | 2015-10-30 | JP2017085061A | 2017-05-18 | KOTANI JUNJI; NAKAMURA TETSUKAZU |
| 【課題】ゲート電極が櫛形状に形成されている半導体装置において、出力を高くする。【解決手段】基板の上に形成された第1の半導体層と、第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、第2の半導体層の上に形成されたゲート電極21、ソース電極22a〜22d及びドレイン電極23a〜23dと、を有する半導体チップを含む半導体装置において、ゲート電極は、複数の櫛歯の部分21aを有する櫛形状に形成されており、ゲート電極における櫛歯の部分の間隔は、半導体チップの中央部分から周辺部分に向かって狭くなっており、ゲート電極21における櫛歯の部分の両側のうちの一方には前記ソース電極が、他方にはドレイン電極が、各々形成されており、ゲート電極における櫛歯の部分の間に形成された各々のソース電極及びドレイン電極の平面視における面積は略同一である。【選択図】図3 | ||||||
| 99 | 化合物半導体装置及びその製造方法 | JP2015215007 | 2015-10-30 | JP2017085054A | 2017-05-18 | ISHIGURO TETSURO; NAKAMURA TETSUKAZU; YAMADA ATSUSHI |
| 【課題】Feドープ層からのFeの拡散に起因する特性の低下を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体装置100には、GaN系のFeドープ層103と、Feドープ層103の上方のGaN系のチャネル層104と、チャネル層104中に二次元電子ガスを生じさせるチャネル層104の上方のGaN系のバリア層105と、が含まれる。チャネル層104には、二次元電子ガスが存在する二次元電子ガス領域131と、二次元電子ガス領域131とFeドープ層103との間の、Al濃度が5×1017atoms/cm3以上1×1019atoms/cm3未満のAl含有領域132と、が含まれる。【選択図】図1 | ||||||
| 100 | 化合物半導体装置及びその製造方法 | JP2015213329 | 2015-10-29 | JP2017085013A | 2017-05-18 | ISHIGURO TETSURO; YAMADA ATSUSHI; NAKAMURA TETSUKAZU |
| 【課題】安定した特性を得ながら、キャップ層に含まれるドナー不純物に起因するリーク電流を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体装置100には、GaN系のチャネル層103と、チャネル層103中に二次元電子ガスを生じさせる、チャネル層103の上方の窒化物半導体のバリア層104と、バリア層104の上方の窒化物半導体のキャップ層109と、が含まれる。キャップ層109には、Feがドーピングされた第1の領域105と、第1の領域105よりもFeの濃度が低い、第1の領域105の上方の第2の領域106と、が含まれる。【選択図】図1 | ||||||
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