| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 调制不可知的数字混合模式功率放大器系统及方法 | CN201080064414.0 | 2010-12-21 | CN102948071B | 2016-06-22 | 金万容; 肖恩·帕特里克·斯特普尔顿; 肖英; 曹敬俊 |
| 公开了一种用于在宽带通信系统中实现高效率和高线性度的RF数字混合模式功率放大器系统。本发明基于用于在RF域内线性化功率放大器的自适应数字预失真的方法。本公开内容使功率放大器系统能够现场可重构并支持多调制方案（调制不可知）、多载波和多信道。因此，数字混合模式功率放大器系统特别适合不容易获得基带I-Q信号信息的无线传输系统，诸如基站、中继器和室内信号覆盖系统。 | ||||||
| 2 | 具有失配容忍度的RF功率放大器电路 | CN201180035525.3 | 2011-05-12 | CN103210582B | 2016-06-08 | S·F·德罗吉; M·托马兹 |
| 一种射频(RF)功率放大器系统响应于功率放大器(PA)的RF输出信号的测量或估计功率，自适应地调整向该PA提供的供应电压。该RF PA系统包括功率放大器(PA)，其接收并且放大RF输入信号以在适合于天线传输的水平生成RF输出信号。PA供应电压控制器生成供应电压控制信号，该供应电压控制信号用于控制到该PA的最后一级的供应电压。响应于该RF PA输出信号的测量或估计功率，并且还可以响应于用于指示在该PA输出处经历的阻抗失配的参数，生成该供应电压控制信号。通过控制该RF PA的供应电压，提高该PA的效率。 | ||||||
| 3 | 具有失配容忍度的RF功率放大器电路 | CN201510591950.0 | 2011-05-12 | CN105227140A | 2016-01-06 | S·F·德罗吉; M·托马兹 |
| 本发明涉及具有失配容忍度的RF功率放大器电路。一种射频(RF)功率放大器系统包括：功率放大器，其被配置为放大RF输入信号以生成RF输出信号；包络块，其被配置为基于所述RF输入信号的包络生成包络信号，所述包络信号指示所述RF输出信号的估计包络；功率放大器VCC控制器，其被配置为响应于指示所述RF输出信号的估计包络的所述包络信号和指示所述功率放大器的输出处的阻抗失配的参数，生成用于控制所述功率放大器的包络跟踪供应电压的供应电压控制信号。 | ||||||
| 4 | 采用基于消除的前馈的功率放大器线性化方法和系统 | CN201110129737.X | 2011-03-22 | CN102324900B | 2015-08-05 | W·S·哈恩; 陈玮 |
| 通过消除或减小由功率放大器产生的非线性分量(如IM3，IM5，IM7，IM9等)的振幅，线性化电路可以提高功率放大器的线性度。线性化电路能够获取功率放大器输出的采样信号并处理该采样信号以产生适用于功率放大器输出之上或之中的消除信号。生成消除信号使得当其应用于功率放大器的输出端时，该消除信号取消或减少由该功率放大器产生的非线性分量的至少一部分。通过执行一个或多个调谐算法以及基于这些算法的结果调整线性化电路的设定，控制器能够改进非线性分量的校正。 | ||||||
| 5 | 用于无线网络的具有自适应预失真的多元件幅度和相位补偿天线阵列 | CN201080035127.7 | 2010-06-07 | CN102460828B | 2015-06-03 | A.泰勒; S.卡里奇曼; A.拉比诺维奇 |
| 公开一种运用有源受控天线阵列架构的改进型通信系统和方法。该阵列（10）包含空间布置的多个受驱动辐射元件，这些辐射元件被馈送有预失真的RF信号的辐射元件对（112，114），以便提供天线阵列的仰角辐射图案的受控变化。高功率放大器（PA）的效率由耦合到每个高功率PA（140，142）的自适应预失真维持而又提供波束倾斜和旁瓣控制。 | ||||||
| 6 | 化合物半导体装置及其制造方法 | CN201080064528.5 | 2010-03-01 | CN102763204B | 2015-04-08 | 山田敦史 |
| 在基板（1）上形成化合物半导体层（2、3、4），在化合物半导体层（4）上形成栅电极（15）、与栅电极（15）之间形成电流路径的栅极焊盘（20）、和进行自发极化以及压电极化的半导体层（6a），在半导体层（6a）上形成栅电极连接层（8），栅电极连接层（8）与栅电极（15）电连接，而且，在化合物半导体层（4）上的半导体层（6a）的非形成区域形成栅极焊盘连接层（7），栅极焊盘连接层（7）与栅极焊盘（20）电连接，由此构成AlGaN／GaN·HEMT，通过该构成，能够以相对简单的构成，不产生薄膜电阻以及导通电阻的增大、泄漏电流的增加等不良情况地实现所期望的常关。 | ||||||
| 7 | 宽带放大器 | CN201410392260.8 | 2014-08-11 | CN104426483A | 2015-03-18 | 杰瓦德·侯赛因·库雷希 |
| 本发明披露了一种多赫蒂放大器，每个包括：第一放大器和第二放大器，每个放大器具有各自的输入端和各自的输出端，第一放大器和第二放大器适于放大来自射频输入信号和在各自的输入端接收的各自的输入信号和分别发送第一输出信号和第二输出信号；分别耦合到第一放大器的输出端和第二放大器的输出端的第一移相器和第二移相器；第三移相器和第四移相器；其中多赫蒂放大器还包括第一组合节点和第二组合节点，其中每个第三移相器被耦合在各自的第一移相器和第一组合节点之间；每个第四移相器被殴和在各自的第二移相器和第二组合节点之间，和每个主放大器和峰值放大器的第三移相器适于耦合到各自的第四移相器。本发明还披露了一种相关联的印刷电路板。 | ||||||
| 8 | 失真补偿电路和失真补偿方法 | CN200980118179.8 | 2009-05-22 | CN102037699B | 2014-04-30 | 芦田顺也 |
| 提供了一种失真补偿电路和一种失真补偿方法，其限制失真补偿之后的信号的信号电平，并且能够改进失真补偿效果。本发明的失真补偿电路包括：输入电平限制装置，其将来自外部的输入信号的信号电平限制为不高于第一限制值，并输出失真补偿之前的信号；失真补偿装置，其基于失真补偿系数，对所述失真补偿之前的信号执行失真补偿处理，并输出失真补偿之后的信号；失真补偿系数计算装置，其基于放大所述失真补偿之后的信号的放大器的部分输出信号和所述失真补偿之前的信号之间的差，计算用于补偿所述放大器的输出信号的失真的系数作为失真补偿系数；存储装置，其通过将所述失真补偿系数与所述失真补偿之前的信号的信号电平相关联，存储该失真补偿系数；以及限制值计算装置，当在基于存储在所述存储装置中的失真补偿系数执行所述失真补偿处理的时候的信号电平不高于第二限制值时，计算所述失真补偿之前的信号的信号电平作为所述第一限制值，其中该第二限制值是放大器的输入信号的信号电平的限制值。 | ||||||
| 9 | VSWR测量电路、无线通信装置、VSWR测量方法、以及其上存储有VSWR测量程序的记录介质 | CN201280026240.8 | 2012-05-29 | CN103563251A | 2014-02-05 | 渡部顺二 |
| VSWR测量电路具有数字预矫正电路(13)，用于根据数字信号执行主信号的数字预矫正，其中在模数转换器(10)处，对在第一CPL(5)处从由PA(4)放大的主信号提取的部分主信号进行转换。在VSWR测量电路中，功率测量单元(16)测量在第二CPL(7)处提取的反馈信号中包括的反射信号的功率电平，其中第二CPL(7)位于通过线缆连接到天线端子的位置处。为此，VSWR测量电路具有主信号分量去除电路(11)，其中将从数字预矫正电路(13)的前级提取的主信号和在模数转换器(10)处转换在第二CPL(7)处提取的反馈信号所得的数字信号提供作为输入，去除反馈信号中包括的主信号分量，并仅提取反射信号以便输出到功率测量单元(16)。因此，可以提供能够小型化且降低成本的VSWR测量电路，并实现高精度VSWR测量功能。 | ||||||
| 10 | 采用预失真和GAN（氮化镓）功率放大器装置用于具有提高的线性和功率输出的射频发射器的系统和方法 | CN201280012926.1 | 2012-01-11 | CN103430447A | 2013-12-04 | J·纳撒; Y·沈; F·马苏莫托; Y·秦; D·C·M·彭 |
| 本发明涉及提供用于发射器的增加的线性输出功率的系统和方法的各种实施例。一种用于发射输入信号的示例性无线通信系统包含预失真器模块、GaN功率放大器、耦合器、以及天线。预失真器经配置以通过比较输入信号和反馈信号检测存在的失真并产生校正信号。预失真器可适应地调节其操作以最小化由于GaN功率放大器非线性特征所导致的存在的失真。结果是GaN功率放大器可将提高线性的功率信号发送至天线。耦合器经配置从GaN功率放大器中采样放大信号以产生反馈信号。天线经配置发射放大信号。 | ||||||
| 11 | 选择电路及包括该选择电路的放大器 | CN201110402799.3 | 2011-12-07 | CN103151992A | 2013-06-12 | 黎峰 |
| 为了解决现有的功率放大器的效率随输出功率变化而变化的问题，本发明涉及一种选择电路及包括该选择电路的放大器，该选择电路包括：至少一个功分相移模块，具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，并且用于将输入第一输入端和/或第二输入端的信号分成两路正交、等幅的信号，分别从第一输出端和第二输出端输出，并且功分相移模块包括至少一个3dB 90°桥；第一传输线模块，用于连接第一输入端和所述选择电路的第一输入；第二传输线模块，用于连接第二输入端和选择电路的第二输入；第三传输线模块，用于连接第一输出端和第二输入端；第一开关模块，用于将第二输入接地；第二开关模块，用于将第一输出端接地。使用本发明的选择电路，可以减少功率损失。 | ||||||
| 12 | 一种衰减器 | CN200910109818.6 | 2009-11-20 | CN102075164B | 2013-06-12 | 高存浩 |
| 本发明实施例公开了一种衰减器，包括第一3dB电桥，第二3dB电桥，及放大管组，其中，所述放大管组包括第一放大管和第二放大管，所述第一放大管的漏极与第一3dB电桥的第一输出端相连，所述第一放大管的源极与第二3dB电桥的第一输入端相连，所述第二放大管的漏极与第一3dB电桥的第二输出端相连，所述第二放大管的源极与第二3dB电桥的第二输入端相连；其中，所述第一3dB电桥和所述第二3dB电桥分别设置有隔离电阻，所述隔离电阻用于吸收功率，所述第一放大管和第二放大管的栅极分别与同一电压源或具有相同电压的不同电压源相连。 | ||||||
| 13 | 半导体器件及其制造方法 | CN201210348134.3 | 2012-09-18 | CN103035704A | 2013-04-10 | 今田忠纮 |
| 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一元件结构，第一元件结构包括：第一极性的电荷供给层；第二极性的电荷沟道层，电荷沟道层形成在电荷供给层上方并且包括凹陷部分；以及在电荷沟道层上方形成在凹陷部分中的第一电极。 | ||||||
| 14 | 化合物半导体器件及其制造方法 | CN201210200070.2 | 2012-06-14 | CN102832231A | 2012-12-19 | 今西健治 |
| 一种包括衬底和化合物半导体多层结构的化合物半导体器件，该化合物半导体多层结构形成在衬底上并且包含含有第III族元素的化合物半导体，其中所述化合物半导体多层结构具有10μm或更小的厚度，并且铝原子的百分比为第III族元素的原子数的50％或更多。 | ||||||
| 15 | 放大器装置、包括放大器装置的无线电发送装置、和调整放大器装置的增益的方法 | CN201180009849.X | 2011-01-20 | CN102763325A | 2012-10-31 | 山本刚史 |
| 本发明的目标在于提供一种放大器装置（1），其中，即使返回模拟电路（4）的增益波动，增益的波动也可以被校正，使得能够通过DPD（20）来准确地执行失真补偿处理。本发明涉及放大器装置（1），其包括放大器（11）和执行放大器（11）的失真补偿处理的数字前置补偿器（DPD）（20）。放大器装置（1）包括：发送模拟电路（3），其包括放大器（11）；返回模拟电路（4），其包括衰减器（15）；功率测量电路（16），其测量放大器（11）的输出功率；以及改变量计算单元（27），其基于功率测量电路（16）的测量值来计算返回模拟电路（4）的增益Grx的改变量ΔGrx。 | ||||||
| 16 | 化合物半导体器件及其制造方法 | CN201110452379.6 | 2011-12-29 | CN102651393A | 2012-08-29 | 今田忠纮; 吉川俊英 |
| 栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触。 | ||||||
| 17 | 功率放大器和功率放大方法 | CN201080006876.7 | 2010-01-27 | CN102308474A | 2012-01-04 | 山之内慎吾; 国弘和明; 椎熊一实 |
| 公开了一种放大包括调幅分量和调相分量的调制信号的功率放大器。此功率放大器具有：第一电压源(21)，其输出通过放大调制信号的调幅分量的低频分量所获得的第一电压(VC_L)；第二电压源(22)，其输出通过放大调制信号的调幅分量的高频分量所获得的第二电压(VC_H)；电流源(24)，其输出通过放大调制信号的振幅分量所获得的电流；合成电路(23)，其通过合成第一电压(VC_L)、第二电压(VC_H)和电流(IM)来产生调制的电源信号(VOUT)，和RF放大器(30)，其递送通过放大其中调制信号叠加在载波上的信号并且使用调制的电源信号(VOUT)对放大的信号进行振幅调制所获得的输出。以这种方式，能够提高产生调制电源的电路的功率效率。 | ||||||
| 18 | 前馈放大器 | CN200810090060.1 | 2008-03-31 | CN101291137B | 2011-09-14 | 石神武 |
| 提供一种补偿由放大器产生的畸变的前馈放大器，有效地进行向量调节器中的相位控制。检测畸变的畸变检测回路中的放大路径或者补偿畸变的畸变补偿回路中的畸变放大路径的一方或双方具备：第一可变相位器(PH1_1、PH2_1)，使信号的相位可变地变化；第二可变相位器(PH1_2、PH2_2)，使通过了第一可变相位器的信号的相位可变地变化。相位控制部控制第一可变相位器的相位变化量，当该相位变化量向大或小的一个方向偏移时，对应该偏移的方向控制第二可变相位器的相位变化量。 | ||||||
| 19 | 失真补偿电路和失真补偿方法 | CN200980118179.8 | 2009-05-22 | CN102037699A | 2011-04-27 | 芦田顺也 |
| 提供了一种失真补偿电路和一种失真补偿方法，其限制失真补偿之后的信号的信号电平，并且能够改进失真补偿效果。本发明的失真补偿电路包括：输入电平限制装置，其将来自外部的输入信号的信号电平限制为不高于第一限制值，并输出失真补偿之前的信号；失真补偿装置，其基于失真补偿系数，对所述失真补偿之前的信号执行失真补偿处理，并输出失真补偿之后的信号；失真补偿系数计算装置，其基于放大所述失真补偿之后的信号的放大器的部分输出信号和所述失真补偿之前的信号之间的差，计算用于补偿所述放大器的输出信号的失真的系数作为失真补偿系数；存储装置，其通过将所述失真补偿系数与所述失真补偿之前的信号的信号电平相关联，存储该失真补偿系数；以及限制值计算装置，当在基于存储在所述存储装置中的失真补偿系数执行所述失真补偿处理的时候的信号电平不高于第二限制值时，计算所述失真补偿之前的信号的信号电平作为所述第一限制值，其中该第二限制值是放大器的输入信号的信号电平的限制值。 | ||||||
| 20 | 前置补偿器 | CN200880124815.3 | 2008-12-17 | CN101911477A | 2010-12-08 | 堀口健一; 松永直子; 林亮司 |
| 提供一种对在通信装置中使用的放大器中产生的记忆效应、特别是电记忆效应进行补偿的前置补偿器。一种前置补偿器，具有用于对由放大器(3)产生的非线性失真进行补偿的失真补偿电路(8)，将从上述失真补偿电路输出的前置补偿信号输入到放大器，其中，在上述失真补偿电路与上述放大器之间，连接了用于对包括放大器的模拟电路整体中产生的信号分量中出现的频率特性进行补偿的第1滤波器单元(21)，在上述失真补偿电路与上述第1滤波器单元之间或者上述第1滤波器单元与上述放大器之间，连接了用于对放大器中产生的失真分量中出现的频率特性进行补偿的第2滤波器单元(22)。 | ||||||
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