子分类：
- H03F1/00： 只用电子管,只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件
- H03F11/00： 介质放大器
- H03F13/00： 使用由两个机械耦合或声耦合变换器组成的放大元件的放大器,例如电话-送话器的放大器
- H03F15/00： 应用无机械运动的电-磁效应的放大器,例如利用霍尔效应的放大器
- H03F17/00： 应用电致发光元件或光电管的放大器
- H03F19/00： 应用超导效应的放大器
- H03F21/00： {H03F3/00至H03F19/00各组不包括的放大器(机电放大器入H02K)}
- H03F2200/00： 涉及放大器的索引表
- H03F2201/00： 只用电子管,只用半导体器件或只用未特别指明的器件做为放大元件的放大器的零部件入H03F1/00
- H03F2203/00： 关于H03F3/00涉及的仅使用电子管和半导体器件作为基本放大元件的放大器的索引表
- H03F3/00： 只用电子管或只用半导体器件作为放大元件的放大器
- H03F5/00： 用电子管和半导体器件两类器件作为放大元件的放大器
- H03F7/00： 参量放大器(H03F19/00优先;用于光、红外波或紫外波的参量产生或放大的装置或设备入G02F1/39)
- H03F9/00： 磁放大器
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 121 | 高速放大器 | CN201210333583.0 | 2012-09-10 | CN103001595B | 2017-04-12 | 马尔科·科尔西; 维多利亚·王·林凯特凯; 文卡特什·斯里尼瓦桑 |
| 对于高速放大器，来自差分输入对的寄生电容引入了可影响性能的零点。此处，已提供中和网络，所述中和网络通过将此零点的位置进行移位而对此零点进行补偿。这一般是通过使用跨越所述放大器的所述差分输入对而交叉耦合的一对电容器来实现。 | ||||||
| 122 | 高频电路及高频模块 | CN201210274449.8 | 2012-08-03 | CN102916660B | 2017-04-12 | 门井凉; 林范雄; 清水智; 山本昭夫 |
| 提供了一种高频电路和高频模块，其中通过数字控制补偿改善了补偿操作的准确性。放大器单元的放大器元件的放大增益被偏置控制单元的偏置电流控制。校准电路的工艺监测电路包括第一和第二元件特性检测器和电压比较器。检测器将复制元件的电流转换为第一和第二检测电压。电压比较器比较第一和第二检测电压并且提供比较输出信号到搜索控制单元。响应于比较器的比较输出信号和时钟产生单元的时钟信号，控制器根据预定搜索算法产生多位数字补偿值，第二检测器的偏置控制单元被反馈控制。 | ||||||
| 123 | 保护装置、互补型保护装置、信号输出装置、闩锁阻止方法 | CN201110281264.5 | 2011-09-21 | CN102412794B | 2017-04-12 | 岩佐洋助; 甲斐敦浩; 黑木修 |
| 本发明的目的在于提供能够阻止保护对象的开关元件的闩锁的保护装置、互补型保护装置、信号输出装置以及程序。在过电流不流过PMOS晶体管（106）的状态下使PMOS晶体管（106）成为非导通状态的情况下，以使PMOS晶体管（20A）以及PMOS晶体管（22）分别成为导通状态的方式进行控制，在过电流流过PMOS晶体管（106）的状态下使PMOS晶体管(106)成为非导通状态的情况下，以使PMOS晶体管(20A)成为导通状态并且使PMOS晶体管(22)为非导通状态的方式进行控制。 | ||||||
| 124 | 基于CMOS的TX/RX开关 | CN201380004662.X | 2013-09-25 | CN104170267B9 | 2017-04-05 | A·莫斯托夫; Y·哈森; R·蓬格拉茨; S·贝茨阿列 |
| 提供了一种新颖的和有用的射频(RF)前端模块(FEM)电路，其提供高线性度和功率效率并符合现代无线通信标准(诸如802.11WLAN、3G和4G蜂窝标准、蓝牙，ZigBee等)的要求。所述FEM电路的配置允许使用常见的、相对低成本的半导体制造技术，如标准CMOS工艺。所述FEM电路包括含有一个或多个子放大器的功率放大器，所述子放大器具有高和低功率电路并且其输出被合成以产生总的所需的功率增益。具有被布置为新颖配置的初级和次级绕组的集成多抽头变压器提供高效的功率合成并将由各子放大器生成的功率传输到天线。 | ||||||
| 125 | 高功率效率的跨导放大器设备和系统 | CN201380006548.0 | 2013-01-24 | CN104094523B | 2017-04-05 | C·帕克斯特 |
| 一种动态电流源(200)，其具有被设置为长尾对以接受差分输入信号(140，142)的正侧(205，217)和负侧(208，218)差分输入跨导装置。正侧相位相关电流源(200)通信地耦合到正侧差分输入跨导装置(205)的输出端(263)，以在差分输入信号不再触发动态电流源的正侧时的相位时间段期间提供用于正侧输出信号恢复的电流。负侧相位相关电流源(200)通信地耦合到负侧差分输入跨导装置(208)的输出端(272)，以在差分输入信号不再触发动态电流源的负侧时的相位时间段期间提供用于负侧输出信号恢复的电流。 | ||||||
| 126 | VSWR测量电路、无线通信装置以及VSWR测量方法 | CN201280026240.8 | 2012-05-29 | CN103563251B | 2017-04-05 | 渡部顺二 |
| 在VSWR测量电路中，功率测量单元(16)测量在第二CPL(7)处提取的反馈信号中包括的反射信号的功率电平，其中第二CPL(7)位于通过线缆连接到天线端子的位置处。为此，VSWR测量电路具有主信号分量去除电路(11)，其中将从数字预矫正电路(13)的前级提取的主信号和在模数转换器(10)处转换在第二CPL(7)处提取的反馈信号所得的数字信号提供作为输入，去除反馈信号中包括的主信号分量，并仅提取反射信号以便输出到功率测量单元(16)。 | ||||||
| 127 | 用于在电子设备中执行电容器放大的装置 | CN201610405771.8 | 2016-06-08 | CN106549643A | 2017-03-29 | 王怀德 |
| 本发明公开了本发明提供在电子设备中执行电容器放大的装置，其包括：第一电阻器和第二电阻器，彼此串联连接且耦接于所述电子设备的接收器的一组输入端之间，用于获取所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的共模端的共模电压；共模电容器，用于减少共模回波损耗，所述共模电容器包括第一端和第二端，其中所述共模电容器的所述第一端耦接于所述共模端；交流耦合放大器，耦接于所述共模端和所述共模电容器的所述第二端之间，用于对所述共模电容器执行电容器放大。本发明可在不增加共模电容器尺寸的情形下对共模电容器执行电容器放大。 | ||||||
| 128 | 带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法 | CN201310647631.8 | 2013-12-04 | CN103855118B | 2017-03-29 | 大部功; 长壁伸也 |
| 本发明的目的在于提供一种带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法。该带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法用于防止半导体芯片的特性变化及半导体基板与安装基板之间的连接不良。带凸部的电子元器件包括：电路基板（1）；以及多个凸部（B1、B2），该多个凸部（B1、B2）形成于电路基板（1）的基板主面上，所述多个凸部（B1、B2）在与基板主面平行的方向上的截面积不同。另外，凸部（B1、B2）中截面积较小的凸部（B1）在垂直方向上具有高度调整层（5）。 | ||||||
| 129 | 一种多频GSM射频功率放大器 | CN201610835879.0 | 2016-09-20 | CN106533374A | 2017-03-22 | 林甲富; 柯庆福; 刘冠山; 贾斌 |
| 本申请公开了一种多频GSM射频功率放大器，依次包括输入匹配网络、初级放大单元、级间耦合电容、驱动级放大单元、级间匹配网络、功率级放大单元和输出匹配网络。所述初级放大单元包括两个晶体管，分别是GSM低频信号和GSM高频信号的第一次放大晶体管。所述驱动级放大单元包括驱动晶体管，它是GSM低频信号和GSM高频信号复用的第二级放大晶体管。所述级间匹配电路包括变压器一，用来实现单端信号转为差分信号以及阻抗匹配。所述功率级放大单元包括两个功率晶体管，它们是GSM低频信号和GSM高频信号复用的、采用差分结构的第三级放大晶体管。本申请实现了单个芯片适用于多频段的射频信号功率放大。 | ||||||
| 130 | 一种分段外匹配式小型化功率放大器 | CN201611022918.1 | 2016-11-18 | CN106533372A | 2017-03-22 | 张文强; 宁曰民; 刘金现 |
| 本发明公开了一种分段外匹配式小型化功率放大器，其包括功率分配/合成器以及两路相同的放大单元，每路放大单元均包括依次连接的输入阻抗匹配单元、场效应管和输出阻抗匹配单元。输入阻抗匹配单元和输出阻抗匹配单元采用了分段匹配式设计，将场效应管输入输出的小阻抗只匹配到25Ω上，大大缩短输入输出阻抗匹配单元的结构尺寸，减小大尺寸电路并行带来寄生参数的影响；功率分配/合成器采用了小型化微波多层电路板结构，在功率分配与合成过程中巧妙实现了25Ω至50Ω的转换；另外，功率分配/合成器的电路为曲线方式排布，因此其电路的结构尺寸将大大缩小，提高了功率放大器的输出功率能力。 | ||||||
| 131 | 一种高速放大器电路 | CN201610897204.9 | 2016-10-14 | CN106505954A | 2017-03-15 | 刘雄 |
| 本发明公开了一种高速放大器电路，包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一电容、第一电阻、第二电阻；所述第一MOS管的栅极为输入端；所述第一MOS管的源极与地连接，所述第一MOS管的漏极与第三MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的栅极与电源连接，所述第三MOS管的源极与第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与电源连接；所述第二MOS管的栅极通过第一电阻与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与电流源连接，所述第二MOS管的漏极与第一电容的一端连接；所述第二电阻的一端与第一电容的一端连接，另一端与第二MOS管的源极连接。实现了加快电路工作速度，功耗较低，驱动更大，且对带宽的影响较小，广泛应用于信号放大领域。 | ||||||
| 132 | 一种多路Doherty放大器 | CN201510542798.7 | 2015-08-28 | CN106487337A | 2017-03-08 | 万腾; 张华; 赵玉龙; 王小平; 郭耀斌; 段斌 |
| 本发明公开了一种多路Doherty放大器,包括主路、第一峰路集和第二峰路集，所述第一峰路集包含N个峰路，N大于等于2，所述第二峰路集包含N’个峰路，N’大于等于1；所述放大器具有输入网络，所述输入网络将所述放大器输入端连接至所述主路的第一输入端以及所述第一峰路集和所述第二峰路集中各个峰路的相应输入端；所述放大器具有输出网络，在所述输出网络中，所述放大器主路先与所述第一峰路集进行合路，形成第一合路点，然后再与所述第二峰路集进行合路，形成第二合路点，所述第二合路点与所述放大器输出端连接。本发明提供的多路Doherty放大器解决了现有技术中多路放大器的效率在高回退时两个效率峰值点之间会有明显下降的技术问题。 | ||||||
| 133 | delta_t降低到结束值。放大器设备以及用于激活一个或所述放大器设备的方法 | CN201380005446.7 | 2013-01-14 | CN104054261B | 2017-03-08 | F·霍夫麦斯特 |
| 在放大器类型中已知所谓的D类放大器，所述D类放大器将模拟信号首先借助脉宽调制器转换为经脉宽调制的开关信号，该开关信号随后被放大并且紧接着通过滤波器又转换回到一个持续变化的电压。这种类型的放大器是特别节能的并且因此优选在具有大功率的放大器中应用。提出一种具有控制装置(5)的放大器设备(1)，其中，所述控制装置(5)具有用于音频信号(2)的输入接口；所述放大器设备包括连接在所述控制装置(5)之后的用于放大音频信号(2、8)的放大器装置(9)，其中，所述控制装置(5)具有延迟模块6，其中，所述延迟模块(6)构造用于将所述音频信号(2)延迟一个延迟值(delta_t)地转发到所述放大器装置(9)上并且在匹配阶段AP将所述延迟值delta_t自动地和/或自主地由起始值 | ||||||
| 134 | 双模式功率放大器控制接口 | CN201280063914.1 | 2012-10-23 | CN104012000B | 2017-03-08 | D.S.里普利 |
| 根据一些实施例，本公开涉及双模式控制接口，其可被用于在单个数字控制接口硬模中提供射频前端(RFFE)串行接口和通用目的输入/输出(GPIO)接口两者。在特定的实施例中，双模式控制接口或数字控制接口可以与功率放大器通信。此外，双模式控制接口可被用于设置功率放大器的模式。 | ||||||
| 135 | 具有高功率附加效率的倒装芯片线性功率放大器 | CN201280061047.8 | 2012-11-09 | CN103988424B | 2017-03-08 | G.张; H.B.莫迪; J.J.乔什; B.维加亚库玛; D.V.霍安格 |
| 公开一种用于改进在倒装芯片配置中实现的射频功率放大器的功率附加效率和线性的设备和方法。在一些实施例中，可以提供谐波端接电路，以便与被配置为提供在基频处的阻抗匹配的输出匹配网络分开。所述谐波端接电路可以被配置为在与所述功率放大器输出的谐波频率对应的相位处终止。这种分开的基本匹配网络和谐波端接电路的配置允许分开地调谐每一个从而改进例如功率附加效率和线性的性能参数。 | ||||||
| 136 | 基于CMOS的RF天线开关 | CN201380004622.5 | 2013-09-25 | CN104160553B | 2017-03-01 | A·莫斯托夫; Y·哈森 |
| 提供了一种新颖的和有用的射频(RF)前端模块(FEM)电路，其提供高线性度和功率效率并符合现代无线通信标准(诸如802.11WLAN、3G和4G蜂窝标准、蓝牙，ZigBee等)的要求。所述FEM电路的配置允许使用常见的、相对低成本的半导体制造技术，如标准CMOS工艺。所述FEM电路包括含有一个或多个子放大器的功率放大器，所述子放大器具有高和低功率电路并且其输出被合成以产生总的所需的功率增益。具有被布置为新颖配置的初级和次级绕组的集成多抽头变压器提供高效的功率合成并将由各子放大器生成的功率传输到天线。 | ||||||
| 137 | 放大器和无线通信设备 | CN201410049063.6 | 2014-02-12 | CN103986424B | 2017-03-01 | 佐藤知明; 山浦新司 |
| 本发明涉及放大器和无线通信设备。在功率放大器中，该功率放大器包括：用于高功率模式的放大器电路单元和与所述用于高功率模式的放大器电路单元以并联的方式设置在功率放大器的输入与输出之间的用于低功率模式的放大器电路单元，其中，当一个放大器电路单元处在工作状态时，另一放大器电路单元处在非工作状态；在用于高功率模式的放大器电路单元中，交叉耦合的电容器被设置在输出侧中的两个晶体管中的一个晶体管的漏极与另一晶体管的栅极之间；并且开关与电容器串联耦接的串联电路耦接在用于低功率模式的放大器电路单元的输出侧的晶体管的漏极与地之间；开关在高功率模式工作下处在导通状态并且在低功率模式工作下处在非导通状态。 | ||||||
| 138 | 一种基于差动放大电路的声控开关系统 | CN201610394715.9 | 2016-06-02 | CN106452411A | 2017-02-22 | 李洪军 |
| 本发明公开了一种基于差动放大电路的声控开关系统，其特征在于，主要由声音传感器，放大器P，石英振荡器X，单向晶闸管D5，串接在声音传感器和放大器P之间的采样电路，正极与放大器P的负极相连接、负极经电阻R5后与石英振荡器X的输出端相连接的电容C4，负极与石英振荡器X的输出端相连接、正极经电阻R4后与放大器P的正极相连接的电容C5等组成。本发明可以对声音传感器采集到的声音信号进行处理，提高声音信号的清晰度，并对系统产生的振荡信号进行不失真的放大，从而使本发明与传统的声控开关系统相比灵敏度提升了20％，当行人通过时无需发出很大的声响即可使路灯点亮，避免声音过大而影响到周围居民。 | ||||||
| 139 | 高频放大电路 | CN201380002337.X | 2013-03-15 | CN103703682B | 2017-02-22 | 神山智英; 内藤浩; 夘野高史; 岩田基良; 八幡和宏; 池田光 |
| 高频放大电路（1）为，在封装（112）内的安装面上具备晶体管（101）和输出侧匹配电路（103），输出侧匹配电路（103）具备经由第一导线（121）被传递来自晶体管（101）的高频信号的第一分布常量线路（105）、经由第二导线（122）将来自第一分布常量线路（105）的高频信号向封装（112）外部传送的平板状的引线端子（106）、以及一个电极经由第三导线（123）与引线端子（106）连接而另一个电极接地的电容元件（108），引线端子106）的里面与树脂衬底接合，以电容元件（108）和第一分布常量线路（105）的排列方向与第一分布常量线路（105）和引线端子（106）的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将电容元件（108）和第一分布常量线路（105）相邻接配置。 | ||||||
| 140 | 信号处理系统以及处理信号的方法 | CN201610279595.8 | 2007-04-25 | CN106411333A | 2017-02-15 | 罗纳德·D·麦卡利斯特; 埃里克·M·布朗鲍 |
| 提供信号处理系统以及处理信号的方法。该信号处理系统包括：识别在第一信号中超出信号幅度阈值的漂移并且产生相应的漂移信号的装置，其中所述第一信号包括经由一个或多个信道传输的一个或多个信道信号，对选出的频率滤波以产生滤波的漂移信号的装置，从适当延迟形式的所述第一信号中减去经滤波的信号的装置，以及用于提供对所述滤波的信号的选择性的调整的装置。 | ||||||
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