子分类：
- H01F10/3204： ..{非晶多层膜的交换耦合}
- H01F10/3209： ..{石榴石多层膜的交换耦合}
- H01F10/3213： ..{磁性半导体多层膜的交换耦合,例如 MnSe/ZnSe超晶格(用于半导体器件的半导体材料入H01L29/12)}
- H01F10/3218： ..{通过反铁磁界面的磁性薄膜的交换耦合(H01F10/3268优先)}
- H01F10/3222： ..{交换耦合的硬/软多层膜,例如CoPt/Co或NiFe/CoSm(纳米弹簧磁铁入H01F1/0579)}
- H01F10/3227： ..{通过一个或多个磁性超薄膜或颗粒膜的交换耦合}
- H01F10/324： ..{磁性薄膜对的通过非常薄的非磁性间隔物的交换耦合,例如通过与间隔物的传导电子交换}
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 包括磁性叠层的装置、磁性元件及其制造方法 | CN201310629462.5 | 2013-11-29 | CN103854673B | 2017-06-30 | V·K·三咖; M·W·科温顿 |
| 本申请公开了低阻面积磁性叠层。一种基本被配置有磁性叠层的磁性元件，该磁性叠层具有设置在第一和第二铁磁层之间的多层阻挡结构。该多层阻挡结构可具有设置在第一和第二合金层之间的二元化合物层，所述二元化合物具有金属元素和第二元素，其中至少一个合金层具有该金属元素以及与第二元素不同的第三元素。 | ||||||
| 2 | 全补偿合成反铁磁的铁电性应用 | CN201480028752.7 | 2014-04-14 | CN105229811A | 2016-01-06 | 诺真·杰; 童儒颖 |
| 本发明公开了一种合成反铁磁、一种磁性隧穿接合元件以及一种层状结构的制造方法，其中，合成反铁磁可作为磁性隧穿接合的参考层，其包含有x+1层的磁性子层以及x个与其交错配置的非磁性空间隔层，且层状堆栈最上方和最下方皆为磁性子层，每一个非磁性空间隔层具有上表面与下表面，以与相邻的磁性子层形成界面并建立反铁磁耦合，垂直磁性非等向性会受到导引而穿过空间隔层的界面来进入每一个磁性子层，因而施加于自由层的偶极场相对于由现有的合成反铁磁参考层所产生的偶极场会明显降低，其中当非磁性空间隔层为钌、铑或铱时，磁性子层以钴为佳。 | ||||||
| 3 | 低阻面积磁性叠层 | CN201310629462.5 | 2013-11-29 | CN103854673A | 2014-06-11 | V·K·三咖; M·W·科温顿 |
| 本申请公开了低阻面积磁性叠层。一种基本被配置有磁性叠层的磁性元件，该磁性叠层具有设置在第一和第二铁磁层之间的多层阻挡结构。该多层阻挡结构可具有设置在第一和第二合金层之间的二元化合物层，所述二元化合物具有金属元素和第二元素，其中至少一个合金层具有该金属元素以及与第二元素不同的第三元素。 | ||||||
| 4 | 磁性体薄膜及其制造方法和磁头 | CN95106049.X | 1995-05-16 | CN1126126C | 2003-10-29 | 平本雅祥; 井上修; 钉宫公一; 饭岛贤二 |
| 本发明通过使主磁性层2和中间层3交替层叠形成磁性体薄膜1来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜，主磁性层2由磁性结晶粒子构成，该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构，具有0.3≤ds/dl≤0.9的形状比范围，其中dl是磁性结晶粒子的平均高度，ds是平均直径。上述中间层3的饱和磁通密度与上述主磁性层相比至少小0.1特斯拉以上。 | ||||||
| 5 | 交换耦联薄膜及制造方法,磁阻效应装置及磁阻效应头 | CN99100206.7 | 1999-01-18 | CN1230744A | 1999-10-06 | 榊间博; 广田荣一; 川分康博; 里见三男; 杉田康成 |
| 本发明涉及一种交换耦联薄膜,其包括铁磁层和锁定层,所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向,该锁定层包括(AB)2Ox层,其中O代表氧原子;2.8 | ||||||
| 6 | 组合式电磁干扰/射频干扰滤波器磁性元件 | CN93119652.3 | 1993-10-29 | CN1088353A | 1994-06-22 | 阿纳德·K·乌帕德亚 |
| 一种组合式电磁干扰和射频干扰(EMI/RFI)滤波器磁性元件，它具有缠绕在一个I字形铁芯(210)上的差模抑制电感器和共模抑制电感器(212、214)。I字形铁芯(210)与一个E字形铁芯(201)并贴在一起，E字形铁芯腿(222、224、226)的端面朝向I字形铁芯。该磁性元件对差模电感器和共模电感器(212、214)提供出基本上闭合的磁路(304，306)。 | ||||||
| 7 | 一种制备FePt赝自旋阀材料的方法 | CN201610525029.0 | 2016-07-05 | CN106128753A | 2016-11-16 | 冯春; 唐晓磊; 尹建娟; 蒋旭敏; 于广华 |
| 一种制备FePt赝自旋阀材料的方法，属于磁性材料或自旋电子学材料领域。本发明对铜锌铝Cu‑Zn‑Al记忆合金基片进行预拉伸处理、表面酸化去氧化皮处理以及表面抛光处理；然后，在上述Cu‑Zn‑Al基片上沉积薄膜材料，结构为：铁铂FePt/钌Ru/铁铂FePt/钽Ta；沉积完毕后，在真空环境下对其进行热处理，以诱导两层FePt层的原子发生有序化排列，形成硬磁性能。最后，对上述薄膜体系进行光刻处理，以获得纳米柱状阵列结构，引出电极。通过控制温度，控制薄膜体系的应力状态，进而实现高电阻状态和低电阻状态的切换，即赝自旋阀功能。本发明具有制备简单、控制方便的特点；不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。 | ||||||
| 8 | 磁存储元件、其制造方法和驱动方法、及存储器阵列 | CN02803917.3 | 2002-01-18 | CN100466322C | 2009-03-04 | 松川望; 平本雅祥; 小田川明弘; 里见三男; 杉田康成 |
| 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。 | ||||||
| 9 | 软磁膜及其制造方法 | CN99106925.0 | 1999-05-27 | CN1150570C | 2004-05-19 | 名古久美男 |
| 本发明是在基片1上形成Fe-N系薄膜2，使主相是α-Fe和γ’-Fe4N，α-Fe和γ’-Fe4N相的晶粒细微化到10nm以下，并且与膜面平行的α-Fe的晶面(110)和γ’-Fe4N的晶面(200)的间隔，与无晶格畸变的状态相比更为伸展，γ’-Fe4N的晶面(111)的间隔与无晶格畸变的状态相比更为收缩，基于这样的组织，形成具有优异软磁性的高饱和磁通密度的软磁膜、软磁多层膜以及使用这些膜的磁体元件，满足电子设备的小型化、薄型化、轻型化以及高性能化的要求。 | ||||||
| 10 | 自旋开关和使用该自旋开关的磁存储元件 | CN02803898.3 | 2002-01-18 | CN1488175A | 2004-04-07 | 松川望; 平本雅祥; 小田川明弘; 里见三男; 杉田康成 |
| 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。 | ||||||
| 11 | 量子磁性存储器 | CN01810324.3 | 2001-03-13 | CN1432178A | 2003-07-23 | E·C·汉纳; M·A·布朗 |
| 提供一种采用自旋极化电子束在磁性介质上存储数据的系统。该系统包括自旋极化电子束源和距离该源为选择距离设置的存储介质。存储介质具有多个存储位置，每个存储位置包括夹在第一和第二层半金属化材料之间的一层磁性材料。最终层叠结构形成自旋相关电子陷阱，增加了处于第一自旋状态的射束电子和处于第二自旋状态的电子之间的耦合。电子光学系统引导自旋极化电子束源到多个存储位置。 | ||||||
| 12 | 层叠状磁性结构及其制造方法 | CN94100681.6 | 1994-01-12 | CN1077705C | 2002-01-09 | 琼·D·威斯特伍德 |
| 本发明公开了一种层叠状磁性结构，用于磁记录和/或重放头，包括至少第一和第二层，所述第一层形成一个籽晶层，所述第二层形成具有第一成分的铁硅铝合金的整体层，所述第二层形成在所述第一层之上，所述第一层由具有不同于所述第一成分的第二成分的SiAlFe合金构成，所述的第一成分为重量范围为7.5-13.0%的Si，2.0-7.0%的Al，其余为Fe，所述的第二成分为重量范围为7.5-13.0%的Si，2.0-7.0%的Al，其余为Fe。 | ||||||
| 13 | 软磁膜、软磁多层膜及其制造方法以及使用这些膜的磁体元件 | CN99106925.0 | 1999-05-27 | CN1236959A | 1999-12-01 | 名古久美男 |
| 本发明是在基片1上形成Fe－N系薄膜2,使主相是α－Fe和γ’－Fe4N,α－Fe和γ’－Fe4N相的晶粒细微化到10nm以下,并且与膜面平行的α－Fe的晶面(110)和γ’ －Fe4N的晶面(200)的间隔,与无晶格畸变的状态相比更为伸展,γ’－Fe4N的晶面(111)的间隔与无晶格畸变的状态相比更为收缩,基于这样的组织,形成具有优异软磁性的高饱和磁通密度的软磁膜、软磁多层膜以及使用这些膜的磁体元件,满足电子设备的小型化、薄型化、轻型化以及高性能化的要求。 | ||||||
| 14 | 多层铁硅铝磁合金膜以及铁硅铝磁合金籽晶层 | CN94100681.6 | 1994-01-12 | CN1094834A | 1994-11-09 | 琼·D·威斯特伍德 |
| 本发明描述了用于磁屏蔽和磁极尖的具有优化了的磁性质和机械性质的层叠状SiAlFe合金膜。一个由第一铁硅铝合金的籽晶层和形成在籽晶层上面的第二铁硅铝合金的整体层构成的多层磁性结构在用于整体层的铁硅铝合金的相对较宽的成分范围内提供了改善的各向异性场和软磁特征。所述籽晶层可以是一个单层，或者也可以是由气体掺杂铁硅铝材料层和不掺杂的铁硅铝材料层交替形成的多层结构。即掺杂的气体例如是N2、O2或空气。 | ||||||
| 15 | 存储元件和存储装置 | CN201110263800.9 | 2011-09-07 | CN102403029B | 2016-05-25 | 山根一阳; 细见政功; 大森广之; 别所和宏; 肥后丰; 内田裕行 |
| 本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，关于与存储层接触的绝缘层以及在绝缘层的相反侧与存储层接触的另一侧层，至少与存储层接触的界面由氧化膜构成，并且除了Co-Fe-B磁性层之外，存储层还包括非磁性金属和氧化物中的至少一种。 | ||||||
| 16 | 存储元件和存储装置 | CN201110263800.9 | 2011-09-07 | CN102403029A | 2012-04-04 | 山根一阳; 细见政功; 大森广之; 别所和宏; 肥后丰; 内田裕行 |
| 本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，关于与存储层接触的绝缘层以及在绝缘层的相反侧与存储层接触的另一侧层，至少与存储层接触的界面由氧化膜构成，并且除了Co-Fe-B磁性层之外，存储层还包括非磁性金属和氧化物中的至少一种。 | ||||||
| 17 | 自旋开关和使用该自旋开关的磁存储元件 | CN02803898.3 | 2002-01-18 | CN100365843C | 2008-01-30 | 松川望; 平本雅祥; 小田川明弘; 里见三男; 杉田康成 |
| 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。 | ||||||
| 18 | 量子磁性存储器 | CN01810324.3 | 2001-03-13 | CN1251178C | 2006-04-12 | E·C·汉纳; M·A·布朗 |
| 提供一种采用自旋极化电子束在磁性介质上存储数据的系统。该系统包括自旋极化电子束源和距离该源为选择距离设置的存储介质。存储介质具有多个存储位置，每个存储位置包括夹在第一和第二层半金属化材料之间的一层磁性材料。最终层叠结构形成自旋相关电子陷阱，增加了处于第一自旋状态的射束电子和处于第二自旋状态的电子之间的耦合。电子光学系统引导自旋极化电子束源到多个存储位置。 | ||||||
| 19 | 降低磁致伸缩的磁性多层膜 | CN02812724.2 | 2002-03-18 | CN1529883A | 2004-09-15 | 詹姆斯·D.·杰瑞特 |
| 使用降低磁致伸缩的屏蔽和磁极材料，该材料保持好的磁特性。该材料在磁带和磁盘驱动器中用在记录磁头中。该材料为三个层的重复序列。一层为FeX(N)，其中(N)表示氮化膜，附加的元素X优选Ta，但是可以从多种元素构成的组中选取。另一层由NiFe合金制成。放在FeX(N)和NiFe层之间的第三层是钽。重复这三层的顺序，得到最终材料所需的厚度。 | ||||||
| 20 | 磁存储元件、其制造方法和驱动方法、及存储器阵列 | CN02803917.3 | 2002-01-18 | CN1488176A | 2004-04-07 | 松川望; 平本雅祥; 小田川明弘; 里见三男; 杉田康成 |
| 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。 | ||||||
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