首页 / 国际专利分类库 / 物理 / 核物理;核工程 / 未列入其他类目的粒子或电离辐射的处理技术;照射装置;γ射线或X射线显微镜 / 粒子或电离辐射的处理装置,如聚焦或慢化(中子、带电粒子、中性分子束或中性原子束的产生或加速入H05H 3/00至H05H 15/00)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
141 Method of obtaining x-ray image data and device for memorizing x-ray image JP21458782 1982-12-07 JPS58105045A 1983-06-22 ARUBAATO MAKOBUSUKII
142 Spectrophotometer JP1348881 1981-01-30 JPS57127821A 1982-08-09 NOGAMI TAROU
PURPOSE:To easily correct a change in the outgoing direction of a synchrotron orbit radiation beam by a construction wherein an optical element for introducing a light from a light source into an entrance slit is made rotatable and its angle is set to make output of a detector for detecting intensity of the light maximum. CONSTITUTION:An optical element (e.g., pre-mirror) for condensing a light which has emitted from a storage ring and changed in its direction by a pre-mirror is arranged to be rotatable. A detector and a diffractin grating are disposed in an optical path passing through an incident slit. Changes in amounts of light passing through the detector and the incident slit are detected, and the optical element (e.g., pre-mirror) is rotated and selected to have a degree at which the amounts of lights become maximum. The diffracted light from the grating is takn out through an exit slit as a monochromatic light. By so doing, it becomes possible to easily correct a change in the outgoing direction of a synchrotron orbit radiation beam and hence to effectively utilize the incident light.
143 Method of generating alphaaray ion JP5612277 1977-05-16 JPS53140993A 1978-12-08 TATENO NOBUMI
144 Kakuhannooryoshite handotaiketsushobonidoopubutsushitsuofukumaserusochi JP9741875 1975-08-11 JPS5142466A 1976-04-10 YOAHIMU MARUCHIN; ERUNSUTO HAASU; MANFUREETO SHUNERAA
145 JPS5040186A - JP6068974 1974-05-29 JPS5040186A 1975-04-12
146 JPS4811911B1 - JP11133270 1970-12-15 JPS4811911B1 1973-04-17
147 粒子エネルギ変調装置 JP2014523236 2012-08-03 JP6396800B2 2018-09-26 サイトウ,ナミ; ベルト,クリストフ; リッツェル,エイケ
148 イオンビーム用の荷電変換膜 JP2017512574 2016-04-14 JPWO2016167311A1 2018-02-08 村上 睦明; 立花 正満; 多々見 篤
大強度ビーム使用下においても損傷や放射化を受け難く、高い耐久性を有し、10μm未満の膜厚制御が容易な、イオンビーム用の荷電変換膜を提供することを目的とする。本発明は、炭素成分が96原子%以上、25℃における膜面方向の熱伝導率が800W/mK以上のイオンビーム用の荷電変換膜の単層体又は前記イオンビーム用の荷電変換膜の積層体であり、厚さが10μm未満、100nm以上であるイオンビーム用の荷電変換膜である。
149 アンジュレーター JP2017526504 2015-11-13 JP2018502418A 2018-01-25 喬山; 常睿; 季福昊; 葉茂
アンジュレーターであって、電子ビームの伝送方向に沿って順に配列されるM個の永久磁石周期を少なくとも含み、前記永久磁石周期ごとに4列の永久磁石構造(100,200,300,400)が含まれ、前記永久磁石構造(100,200,300,400)ごとにN列の永久磁石群が含まれ、前記永久磁石群ごとにK個の永久磁石ユニットが含まれ、M、N、Kがいずれも1以上の自然数であり、4列の前記永久磁石構造(100,200,300,400)は2つずつ対となって対向するように電子ビームの伝送方向両側に設けられるとともに、相対変位によって少なくとも1つの複合磁場を形成可能であり、電子ビームが前記複合磁場を通過する際に、楕円偏光、円偏光或いは0°〜360°のうち任意の偏光度方向の直線偏光が発生し、且つ、電子の速度方向が前記アンジュレーターの軸線方向から偏移する。前記アンジュレーターは、直線偏光を発生可能であるとともに、楕円及び円偏光を発生可能である。且つ、電子の速度方向が永遠にアンジュレーターの軸線方向に沿うことがないため、放射光ビームラインの熱負荷が大幅に低減する。
150 中性子減速照射装置 JP2016062865 2016-03-25 JP2017173283A 2017-09-28 土田 一輝; 鬼柳 善明; 瓜谷 章; 校篠 洋輔
【課題】中性子源が発生した中性子線を減速し、高速中性子の混入率が低減されていながら熱外中性子の強度が高い中性子線を出射することが可能な中性子減速照射装置を提供する。
【解決手段】中性子減速照射装置2は、荷電粒子線が照射されて中性子源5が発生した中性子線を減速させる減速材21A,21Bと、減速材21A,21Bの周囲を囲む反射材22と、減速材21A,21Bによって減速された中性子線の照射野を整形するコリメータ部24A,24Bとを備え、減速材21A,21Bは、中性子源5の下流側に配置された本体部21Aと、本体部21Aの上流側に配置されて中性子源5の周囲を囲む上流部21Bとを有する。
【選択図】図2
151 ビーム輸送系及び粒子線治療装置 JP2016547330 2014-09-12 JPWO2016038731A1 2017-04-27 周平 小田原; 和之 花川
本発明は、ビームサイズを不要に大きくすることなく、端部の粒子数の変化が緩やかな分布の荷電粒子ビームを輸送することを目的とする。ビーム輸送系(30)が備えたビーム整形装置(10)は、荷電粒子ビームの進行方向に垂直で、ビームの中心から急端部を通過する方向をx方向とし、ビームにおける荷電粒子のx方向の進行方向に対する傾きであるx度成分(x’)の分布幅を小さくする前段四極電磁石(3)と、前段四極電磁石(3)を通過したビームにおけるx角度成分(x’)の粒子数分布の端部形状を緩やかにするペナンブラ拡大器(1)と、ペナンブラ拡大器(1)を通過したビームのx方向の位相空間分布におけるベータトロン位相を調整する後段四極電磁石(4)と、を備え、後段四極電磁石(4)は、ペナンブラ拡大器(1)からアイソセンタ(IC)へのベータトロン位相の位相進み角度を、90度の奇数倍±45度の範囲に調整することを特徴とする。
152 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法 JP2014561664 2014-05-27 JPWO2015005006A1 2017-03-02 博明 熊田; 哲之 中村; 卓二 重岡; 毅 池田
高エネルギーの中性子線を減速して身体深部の患部に照射して腫瘍を消滅させる治療用中性子線などを生ぜしめる減速材に適したフッ化物焼結体であって、緻密な多結晶構造のMgF2からなり、嵩密度が2.90g/cm3以上、曲げ強度が10MPa以上、ビッカース硬度が71以上の機械的強度を有する中性子線減速材用フッ化物焼結体を提供する。
153 EUV光用多層膜反射鏡 JP2015147484 2015-07-27 JP2017026928A 2017-02-02 市丸 智; 畑山 雅俊; 錦野 将元; 石野 雅彦
【課題】高い光強度のEUV光を反射させる反射鏡における破損が抑制できるようにする。
【解決手段】EUV光用多層膜反射鏡は、基板101の上に、重元素層102と軽元素層103とが交互に複数積層されてブラッグ回折効果を有するEUV光用多層膜反射鏡である。また、重元素層102はニオブを主成分とし、軽元素層103はシリコンを主成分としている。例えば、単結晶シリコンから構成された基板101の上に、ニオブから構成された重元素層102と、シリコンから構成された軽元素層103とが、交互に積層されている。
【選択図】 図1
154 粒子線ビームの制御電磁石及びこれを備えた照射治療装置 JP2015124144 2015-06-19 JP2017009389A 2017-01-12 高山 茂貴; 折笠 朝文; 長本 義史; 吉行 健; 矢澤 孝
【課題】粒子線ビームの輸送路を短尺化することができる粒子線ビームの制御電磁石、及びこの制御電磁石を支持する回転ガントリの小型化及び軽量化に貢献する照射治療装置を提供する。
【解決手段】粒子線ビームの制御電磁石10において、真空ダクト13の内側を通過する粒子線ビーム14の進行方向を曲げる偏向磁場及び粒子線ビーム14の外径を制御する収束磁場のうち少なくとも一方を形成する第一超電導コイル群11と、粒子線ビーム14の軌道上における第一超電導コイル群11の端部に配置され、粒子線ビームの軌道のズレを補正する補正磁場を形成する第二超電導コイル群12と、第一超電導コイル群11、第二超電導コイル群12及びこれらに接する冷却媒体を共に密閉収容し外気から断熱する断熱容器18と、を備えている。
【選択図】 図1
155 分析フィルタリングおよび分離用DCイオンガイド JP2013557171 2012-03-07 JP5922156B2 2016-05-24 ジャイルズ、ケビン; グリーン、マーティン、レイモンド; ケニー、ダニエル、ジェームス; ラングリッジ、デイヴィッド ジェイ.; ワイルドグース、ジェイソン、リー
156 放射線減速材用MgF2−CaF2二元系焼結体及びその製造方法 JP2015185053 2015-09-18 JP2016064978A 2016-04-28 熊田 博明; 中村 哲之; 池田 毅; 重岡 卓二
【課題】放射線減速性能、特に中性子線減速性能に優れた緻密な多結晶構造の放射線減速材用MgF2−CaF2二元系焼結体の提供。
【解決手段】MgF2にCaF2を0.2wt.%以上90wt.%以下含み、その嵩密度が2.96g/cm3以上であり、曲げ強度が15MPa以上、ビッカース硬度が90以上の機械的強度を有する放射線減速性能、特に中性子線減速性能に優れた緻密な多結晶構造のMgF2−CaF2二元系焼結体。
【選択図】図3
157 骨付き食肉のX線画像撮影装置及び方法、並びに、該装置を備える骨付き食肉の脱骨システム JP2014504778 2013-02-28 JP5860950B2 2016-02-16 谷口 輝; 桜山 浩之; 後藤 修; 徳本 大; 村並 広章
158 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法 JP2014561664 2014-05-27 JP5813258B2 2015-11-17 熊田 博明; 中村 哲之; 重岡 卓二; 池田 毅
159 骨付き食肉のX線画像撮影装置及び方法、並びに、該装置を備える骨付き食肉の脱骨システム JP2014504778 2013-02-28 JPWO2013136994A1 2015-08-03 輝 谷口; 浩之 桜山; 後藤 修; 修 後藤; 大 徳本; 広章 村並
家畜屠体の腕部位又はもも部位からなる骨付き食肉のX線画像を、該骨付き食肉が吊り下げられた状態で撮影する骨付き食肉のX線画像撮像装置であって、骨付き食肉に向けてX線を照射するX線源123と、X線画像の撮像時に骨付き食肉を覆う遮蔽箱124と、遮蔽箱124の中に設置され、骨付き食肉を透過したX線を検出するセンサ125と、骨付き食肉とX線源123の間に配置され、骨付き食肉に照射されるX線の強度分布を調整するフィルタ126と、を有する。
160 X線導波路 JP2013092767 2013-04-25 JP2014215175A 2014-11-17 TAKAMOTO ATSUSHI; OKAMOTO KOHEI
【課題】 X線ビームの選択透過性能を向上させることができるX線導波路を提供する。【解決手段】屈折率実部が異なる2つの基本構造が周期的に配置された領域a、b、cを含む周期性構造体からなるコアと、コアを挟持する2つのクラッドとからなり、クラッドと周期性構造体との界面におけるX線の全反射臨界が、コアの構造周期に起因するブラッグ角よりも大きく、かつコアの周期性構造体を形成する屈折率実部が異なる基本構造の界面における全反射臨界角がブラッグ角よりも小さく、2つの基本構造間の屈折率実部の差が最も小さい領域aから、クラッドの一方に接する領域bに向かう方向に領域の基本構造間の屈折率実部の差が大きくなり、領域aからクラッドの他方に接する領域cに向かう方向に領域の基本構造間の屈折率実部の差が大きくなるもしくは差がないX線導波路。【選択図】図1
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