序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 用于中性原子的二维磁光阱 CN201210313637.7 2012-08-29 CN102969038B 2016-02-24 杜胜望; 张善超; 周蜀渝; 殷光裕; 钦梅·贝尔坦加蒂
提供了一种用于金属中性原子的二维(2D)磁光阱(MOT),其沿长对称轴建立零磁场。3对囚禁激光束中的2对不沿四极磁场的对称轴,而是与长轴成大的非零度夹布置。在暗线二维磁光阱配置中,存在两束正交的再抽运光束。在每一束再抽运光中有一条不透明线被成像于长轴上,并且两条图像的交叠形成一条位于长轴上的暗线区域,此处没有再抽运光。沿长轴的零磁场区域可以使冷原子保持长的基态相干时间而无需关断磁光阱的磁场,这使高重复率和高占空比地对磁光阱进行操作成为可能。
2 使用近场光学的方法 CN201380025045.8 2013-03-15 CN104487821A 2015-04-01 R·哈特; B·科德维斯
描述了使用近场光研究、探寻、分析和探测颗粒、物质和类似物的方法。描述了使用近场光识别颗粒、物质和类似物的结合配偶体、调制物、抑制剂和类似物的方法。在某些实施方式中,该方法包括固定或陷俘颗粒、物质和类似物。
3 用于磁光阱的磁场线圈 CN201410488652.4 2014-09-23 CN104465016A 2015-03-25 R.坎普顿; C.费尔蒂
公开了一种用于磁光阱的磁场线圈。一种用于磁光阱的磁场线圈装置,包括:具有第一表面的第一透明衬底;具有与第一表面相对的第二表面的第二透明衬底;耦合在第一与第二透明衬底之间的一个或多个侧壁;在第一透明衬底的第一表面上的第一组磁场线圈;以及在第二透明衬底的第二表面上的第二组磁场线圈。第二组磁场线圈与第一组磁场线圈偏移对准。第一和第二组磁场线圈被配置成产生磁场分布,该磁场分布在第一与第二透明衬底之间的中心位置上模拟四极磁场分布。
4 原子装置 CN200480001736.5 2004-03-12 CN1723569A 2006-01-18 香取秀俊
在基片(1)上设定捕获位置(30),在基片(1)上形成电极图形(2),其具有:沿对方向的x轴且夹着捕获位置(30)的位置形成的电极(22)、(23)组成的第1电极对(21);沿与x轴正交的y轴且夹着捕获位置(30)的位置形成的电极(27)、(28)组成的第2电极对(26)。另外,通过交互切换第1状态与第2状态,来在捕获位置(30)捕获中性原子,该第1状态为,将第1电极对(21)的电极(22)相对基准电位设定为正电位+V0,将电极(23)设定为负电位-V0的状态,该第2状态为,将第2电极对(26)的电极(27)设定为正电位+V0,将电极(28)设定为负电位-V0的状态。这样,可实现一种易于达到原子电路集成化,并可降低外部干扰影响等的原子装置。
5 基于脉冲激光的精确控制微球进行光悬浮的方法及装置 CN201710087697.4 2017-02-18 CN106935307A 2017-07-07 傅振海; 胡慧珠; 葛晓佳; 舒晓武; 刘承
发明公开了一种基于脉冲激光的精确控制微球进行光悬浮的方法及装置。利用脉冲激光作用于基板表面,基板吸收脉冲激光,产生热膨胀,对基板表面的目标微球产生加速度;目标微球克服基板表面的黏附脱离表面;通过控制脉冲激光,控制目标微球脱离基板表面的速度和上升位置,目标微球进入光阱捕获区域,微球所受的竖直向下的重力与光阱力竖直向上的分量平衡,实现目标微球的稳定悬浮。光悬浮装置,包括基板、脉冲激光器、反射镜、光阑和汇聚透镜。本发明精确控制目标微球进入光阱捕获区域的运动状态,实现单个或多个目标微球的重复捕获,光悬浮所需时长极短,与脉冲激光作用的时间量级相当,光悬浮成功率高,并且不需要运动部件。
6 光路系统及高通量冷原子束流二维磁光阱系统 CN201611237874.4 2016-12-28 CN106782739A 2017-05-31 江玉海; 袁俊阳; 张逸竹
发明提供一种光路系统及高通量冷原子束流二维磁光阱系统,所述光路系统包括:玻璃腔体,所述玻璃腔体包括与其端面相垂直的两两相对的四个侧面;第一冷却子系统,位于所述玻璃腔体相对的两侧面的两侧;第二冷却子系统,位于所述玻璃腔体另外相对的两侧面的两侧;所述第一冷却子系统及所述第二冷却子系统沿所述玻璃腔体的长度方向均依次包括三个第一冷却区域及一个第二冷却区域。本发明的光路系统包括多个分开的冷却区域,所述光路系统使用于二维磁光阱中不需要使用定做的非常大的光学镜片对光束进行扩束,极大的减小了二维磁光阱所占的空间;同时,所述光路系统可以使得冷却光在整个光路系统中分布更加均匀。
7 原子冷却用二维纳米局域光场的构建系统和方法 CN201511023484.2 2015-12-30 CN105469848A 2016-04-06 石建平; 赵小童; 查射曦; 吴彬; 米佳佳; 黄万霞; 左则文
发明揭示了一种原子冷却用二维纳米局域光场的构建系统,系统设有放置纳米粒子阵列的基底,所述的基底旁设有向所述纳米粒子阵列发射激光束的入射激光器,所述的纳米粒子阵列上方设有中性原子磁光阱光学粘胶,所述的中性原子磁光阱光学粘胶一侧设有向其发射激光束的释放激光器。本发明与现有技术相比有如下优点:局域光场中势场梯度更大,光阱深度更深,更容易囚禁原子;局域光场尺寸更小,很容易实现50nm以下的二维局域光场;采用SiO2(玻璃)作为纳米粒子基底,既可以反射照明也可以透射照明,因此原子操纵方式更加多样。
8 用于操作粒子的方法和装置 CN201310418159.0 2013-09-13 CN103674814A 2014-03-26 孙东; 王晓林
发明涉及用于操作粒子的方法和装置。用于从粒子流分选目标粒子的一种系统,该系统具有显微镜光源;CCD摄像机;具有微流体流路的微流体芯片装置;用于检测具有预定特定特征的目标粒子的检测装置;用于响应于目标粒子的检测来生成信号的响应生成装置;以及用于控制光阱移动的光学捕获系统,所述光学捕获系统可操作地链接到响应信号。
9 原子干涉测量传感器 CN200980113274.9 2009-03-11 CN102007371B 2012-07-04 菲利普·博耶; 阿诺德·兰德拉金
发明涉及一种冷原子干涉测量传感器(1,1a,1b),所述冷原子干涉测量传感器包括:原子源(11);能够产生第一拉曼双频激光束(4,4a,4b)的双频激光器(2);设置为反射所述第一拉曼双频激光束以生成第二拉曼双频激光束(12)的反射器(7,13),所述第一激光束和第二激光束沿不同方向传播,以由从所述原子源获得的冷原子发射获得原子干涉条纹;其特征在于,所述反射器(7,13)被进一步设置为使第一光束(4)能够在所述反射器表面(7a,7b,7c,7d,14)多重反射,使得所述第一光束和其多重反射束可以捕获由所述原子源发出的原子,从而获得冷原子。
10 原子装置 CN200480001736.5 2004-03-12 CN100452425C 2009-01-14 香取秀俊
在基片(1)上设定捕获位置(30),在基片(1)上形成电极图形(2),其具有:沿对方向的x轴且夹着捕获位置(30)的位置形成的电极(22)、(23)组成的第1电极对(21);沿与x轴正交的y轴且夹着捕获位置(30)的位置形成的电极(27)、(28)组成的第2电极对(26)。另外,通过交互切换第1状态与第2状态,来在捕获位置(30)捕获中性原子,该第1状态为,将第1电极对(21)的电极(22)相对基准电位设定为正电位+V0,将电极(23)设定为负电位-V0的状态,该第2状态为,将第2电极对(26)的电极(27)设定为正电位+V0,将电极(28)设定为负电位-V0的状态。这样,可实现一种易于达到原子电路集成化,并可降低外部干扰影响等的原子装置。
11 一种载荷及位移联合反馈控制的光学镊子系统 CN201611176170.0 2016-12-19 CN107037579A 2017-08-11 郑跃; 张潇悦; 陈云; 邵剑; 熊伟明; 龙天翔
发明提供一种载荷及位移联合反馈控制的光学镊子系统,包括依次设置的激光准直单元、高倍聚焦物镜、位移载物台、光阱、光源、样品后激光信号采集单元以及反馈控制单元,所述位移载物平台上设置有透射孔,所述光阱设置在透射孔上方,所述光源设置在光阱上方,所述高倍聚焦物镜下方设置有用于观察物镜图像的CCD,所述样品后激光信号采集单元用于采集由激光准直单元发出依次经过高倍聚焦物镜、位移载物台及光阱产生的激光光斑,并传输到反馈控制单元,反馈控制单元根据光斑信息控制位移载物平台移动。
12 基于双级二维磁光阱的大束流冷原子 CN201710057133.6 2017-01-23 CN106847362A 2017-06-13 段维涛; 周林; 王谨; 詹明生
发明公开了一种基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源,涉及冷原子物理领域的冷原子源。本冷原子源包括第1级二维磁光阱(10)、第2级二维磁光阱(20)和波纹管(30);第1级二维磁光阱(10)、波纹管(30)、第2级二维磁光阱(20)和三维磁光阱(40)依次连接;第1中心轴线(112)和第2中心轴线(212)的夹θ为0~30º。本发明能使三维磁光阱在装载效率最高的情况下,既增加原子数目,又提高原子的寿命,这个特性尤其是在MOT以后的冷却过程中作用明显;将为基于冷原子精密测量技术提供优异的原子源。
13 半导体纳米粒子定向运动控制方法 CN201610900960.2 2016-10-14 CN106448794A 2017-02-22 官建国; 陈传瑞; 牟方志
发明公开了一种半导体纳米粒子定向运动控制方法。将半导体微纳米粒子分散于双溶液或纯水中;使用光源照射在半导体微纳米粒子上,粒子表面非对称发生光催化反应,实现粒子的定向运动。使用平行光源照射半导体微纳米粒子,实现向同一个方向的运动。通过光源强度或双氧水溶液浓度的控制,实现运动速率的控制。本发明用特定波长的光束以一定度照射在粒子上,半导体微纳米粒子受到光源照射激发出电子空穴对(半导体材料的禁带宽度在1-4.2电子伏特之间),电子空穴参与到表面的化学反应,定向产生产物构建局部的产物浓度差;局部产物浓度差激发粒子周围的渗透压流,使得粒子向正趋光或者负趋光的方向运动,从而实现粒子的定向运动。
14 原子束流装置 CN201610941097.5 2016-10-26 CN106409375A 2017-02-15 程俊; 张海潮; 张敬芳; 许忻平; 王育竹
一种原子束流装置,包括十面体真空玻璃腔体、光学系统、真空玻璃腔体内置的四根钕磁铁和一长条形光栅。本发明采用四根方形磁铁柱置于真空玻璃腔体内,相比于传统的磁铁外置的方式,这种方式更加稳定,而且不需要外在的固定及空间位置调节装置,另外相比于传统的利用一对或两对反亥姆霍兹线圈的方式,这种方式更加简单,无需电源供电,磁场更加稳定;采用了长条形光栅,这种方式有别于传统四束光对射的方式,只需要单束圆偏振光垂直入射到长条形光栅表面,就可形成二维磁光阱。
15 基于双光束失准法实现光致轨道旋转的装置及方法 CN201510849184.3 2015-11-29 CN105469847A 2016-04-06 肖光宗; 陈鑫麟; 刘坤山; 杨开勇; 罗晖
发明属于光学微操纵系统技术领域,特别涉及一种基于双光束失准法实现介观尺度微粒光致轨道旋转的装置及方法。该装置由两套捕获光发生系统、透明样品池、照明系统和测量系统五个部分组成,其中照明系统和测量系统作为辅助系统,对微粒轨道旋转进行测量。两套捕获光发生系统位于透明样品池两侧,分别产生功率相同的高斯光束,从透明样品池两侧输入透明样品池并沿待捕获微粒的切向照射微粒,在样品池下方利用照明系统提供照明,并在样品池上方利用测量系统进行观察并测量微粒的转动轨道及转动幅度,同时测量微粒的轨道旋转速度。本发明具有控制精度高、操控更加简便且实验系统简单等优点。
16 用于发射电磁辐射的微装置 CN201280024076.7 2012-05-16 CN103858015A 2014-06-11 杰斯伯·格鲁克斯塔德; 达尔文·帕里马
发明涉及一种用于发射电磁辐射的微装置,该微装置适应于可由比如光的电磁辐射所控制。该微装置包括第一电磁辐射发射单元,该第一电磁辐射发射单元被设置用于发射电磁辐射1728,以便能将电磁辐射照射到所关注的结构1740上。该微装置进一步包括机构,该结构用于实现对微装置的在三维空间中的平移和绕至少两根轴线旋转运动进行的非接触式的空间控制。本发明由此提供了一种器械,该器械能实现受控的光照射落在所关注的物体的纳米尺度的非常精密地限定的区域上。此外,该装置实现了对光的接收,并因此可作为光控微型内窥镜
17 用于批量制造的原子传感器的折叠光学器件 CN201310290643.X 2013-07-11 CN103630155A 2014-03-12 R.坎普顿; R.D.霍尔宁; J.A.里德利
发明涉及用于批量制造的原子传感器的折叠光学器件。提供了一种用于原子传感器的真空室装置的系统和方法。在至少一个实施例中,该装置包括围绕被包围的容积的室壁,该室壁具有第一开口端和与第一开口端相对的第二开口端以及在该室壁的第一开口端上并具有第一表面的第一面板,该第一表面面对被包围的容积并在其内具有第一组衍射光学器件。另外,该装置包括在该室壁的第二开口端上且具有第二表面的第二面板,该第二表面面对被包围的容积并在其内具有第二组衍射光学器件;其中第一组衍射光学器件和第二组衍射光学器件被构造成将在被包围的容积内的至少一个光束沿着预定的光学路径反射。
18 具有自适应发射方向和/或位置原子干涉仪 CN201310122426.X 2013-02-15 CN103323620A 2013-09-25 R·坎普顿; K·萨利特
本文所述的实施例提供了一种在原子干涉仪中发射原子的方法。所述方法包括确定原子上的总有效加速的方向,基于总有效加速力的方向控制用于在原子干涉仪中进行测量的原子的发射方向,并且从原子中获得测量值。
19 用于中性原子的二维磁光阱 CN201210313637.7 2012-08-29 CN102969038A 2013-03-13 杜胜望; 张善超; 周蜀渝; 殷光裕; 钦梅·贝尔坦加蒂
提供了一种用于金属中性原子的二维(2D)磁光阱(MOT),其沿长对称轴建立零磁场。3对囚禁激光束中的2对不沿四极磁场的对称轴,而是与长轴成大的非零度夹布置。在暗线二维磁光阱配置中,存在两束正交的再抽运光束。在每一束再抽运光中有一条不透明线被成像于长轴上,并且两条图像的交叠形成一条位于长轴上的暗线区域,此处没有再抽运光。沿长轴的零磁场区域可以使冷原子保持长的基态相干时间而无需关断磁光阱的磁场,这使高重复率和高占空比地对磁光阱进行操作成为可能。
20 原子干涉测量传感器 CN200980113274.9 2009-03-11 CN102007371A 2011-04-06 菲利普·博耶; 阿诺德·兰德拉金
发明涉及一种冷原子干涉测量传感器(1,1a,1b),所述冷原子干涉测量传感器包括:原子源(11);能够产生第一拉曼双频激光束(4,4a,4b)的双频激光器(2);设置为反射所述第一拉曼双频激光束以生成第二拉曼双频激光束(12)的反射器(7,13),所述第一激光束和第二激光束沿不同方向传播,以由从所述原子源获得的冷原子发射获得原子干涉条纹;其特征在于,所述反射器(7,13)被进一步设置为使第一光束(4)能够在所述反射器表面(7a,7b,7c,7d,14)多重反射,使得所述第一光束和其多重反射束可以捕获由所述原子源发出的原子,从而获得冷原子。
QQ群二维码
意见反馈