子分类：
- G03F1/00： 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜,光罩;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
- G03F3/00： 分色;色调值的校正(一般照相复制设备入G03B)
- G03F5/00： 网屏印刷法;其所用网屏
- G03F7/00： 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)
- G03F9/00： 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)注意: 从2012年1月1日起,G03F9/70 - G03F9/00T26组不再用于新文献分类。以前文献正逐步转移到下面新的组: - G03F9/70转入G03F9/70 - G03F9/00T12转入G03F9/7003 - G03F9/00T14转入G03F9/7049 - G03F9/00T16转入G03F9/7065 - G03F9/00T18转入G03F9/7069 - G03F9/00T20转入G03F9/7073 - G03F9/00T22转入G03F9/7088 - G03F9/00T24转入G03F9/7092 - G03F9/00T26转入G03F9/7096
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 281 | 一种适用于曲面手机玻璃的直写曝光系统及方法 | CN201611260754.6 | 2016-12-30 | CN106502059A | 2017-03-15 | 俞庆平; 高明; 董辉; 胡昀 |
| 本发明公开了一种适用于曲面手机玻璃的直写曝光系统，用于在同时具有平面结构和曲面结构的曲面手机玻璃上进行图形曝光。所述激光直写系统包括主机、运动系统、线阵电荷耦合元件、至少两个到位传感器、微LED阵列控制器、微LED阵列、曝光镜头以及电机。本发明的直写曝光系统在曝光过程中，微LED阵列控制器根据实时位置信号控制电机对曝光镜头进行Z轴方向的上下调节，实现焦面的调整，使得焦面始终锁定待曝光平面，便捷地实现对具有高低变化的曲面手机玻璃的图形曝光。本发明的系统结构简单，成本降低，产能高，良率高；可用于曝光外观尺寸不相同的多种曲面手机玻璃，系统适用性强；此外还解决了现有技术无法处理黑色光刻胶的问题。 | ||||||
| 282 | 负型感光性树脂组合物及由其形成的光固化性图案 | CN201610797972.7 | 2016-08-31 | CN106502051A | 2017-03-15 | 赵庸桓; 安菩恩 |
| 本发明涉及负型感光性树脂组合物以及由它形成的光固化性图案，更详细地涉及满足特定参数而可形成能够实现线宽微细且高度高的微细的图案的光固化性图案的负型感光性树脂组合物。 | ||||||
| 283 | 形成抗蚀剂下层膜的组合物及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 | CN201280012762.2 | 2012-03-08 | CN103415809B | 2017-03-15 | 大西龙慈; 远藤贵文; 坂本力丸 |
| 本发明的课题是提供即使在形成膜厚20nm以下的薄膜的情况下，也可以形成没有缺陷的均匀的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段涉及一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)所示结构的聚合物、交联剂、用于促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1、R2以及R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烃基、或羟基，上述R1、R2以及R3中的至少1个为上述烃基，m以及n各自独立地表示0或1，在n表示1时上述聚合物的主链与亚甲基结合，在n表示0时上述聚合物的主链与由－O－表示的基团结合。)。 | ||||||
| 284 | 用于跨晶片区域预测半导体参数的装置和方法 | CN200880113786.0 | 2008-08-29 | CN101939833B | 2017-03-15 | P·伊兹克森 |
| 提供了用于使用多个已知参数值预测多个未知参数值(例如叠对误差或临界尺寸)的装置和方法。在一个实施方案中，所述方法包括训练神经网络来预测所述多个参数值(114，700，800，900)。在其他实施方案中，所述预测过程不依赖于光刻工具的光学性质。这些预测可以被用来确定晶片批次的处置(114)。 | ||||||
| 285 | 微影术系统及其使用方法 | CN201510860745.X | 2015-11-30 | CN106483772A | 2017-03-08 | 张书豪; 陈家桢; 陈政宏; 高国璋; 简铭进; 简上傑; 严涛南; 黄建元 |
| 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。 | ||||||
| 286 | 一种反射型图像器件的制备及应用方法 | CN201610891784.0 | 2016-10-12 | CN106480484A | 2017-03-08 | 周张凯; 薛建材; 韦志强; 王雪华 |
| 本发明公开了一种反射型图像器件的制备及应用方法，本发明反射型图像器件的是由金属颗粒半连续膜、多孔氧化铝膜以及金属高反层结构组成，该结构具有制备简单、成本低、制备环境友好、样品面积大等优势，能够在下一代的成像器件的开发制备中发挥重要应用；所得成像最小像元能够得到微米量级，远小于目前大多自发光屏幕的最小像元；图像还具有可变色性，能够用于信息加密和商标装饰等功能。 | ||||||
| 287 | 图案剥离方法、电子元件及其制造方法 | CN201480019824.1 | 2014-04-28 | CN105103054B | 2017-03-08 | 山中司; 藤森亨 |
| 本发明提供一种图案剥离方法、电子元件及其制造方法。本发明的目的在于提供剥离性优异、且对基板的损伤少的图案剥离方法、包含所述图案剥离方法的电子元件的制造方法及利用所述制造方法而制造的电子元件。本发明的图案剥离方法包括：抗蚀剂膜形成步骤，在基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物，而形成抗蚀剂膜；曝光步骤，对所述抗蚀剂膜进行曝光；显影步骤，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影，而形成负型图案；及剥离步骤，使用下述A或B的液体将所述负型图案剥离。A：含有亚砜化合物和/或酰胺化合物的液体B：含有硫酸与过氧化氢的液体。 | ||||||
| 288 | 用于确定反射镜元件的取向的监视系统和EUV光刻系统 | CN201380057059.8 | 2013-10-07 | CN104769501B | 2017-03-08 | J.万格勒; J.艾森门格; M.德冈瑟; M.帕特拉 |
| 一种光学系统，包括：反射镜系统(19)，包括多个反射镜元件(23)，其中，所述反射镜元件的取向可以独立于彼此设定；以及监视系统(52)，构造成确定所述反射镜元件(23)的取向。所述监视系统包括：监视辐射源(57)，构造成以具有多个不同波长的光(55)照明所述多个反射镜元件；监视透镜(59)，具有物平面(61)、像平面(63)以及布置在所述物平面和所述像平面之间的光瞳平面(77)；滤色器(78)，在不同位置处具有彼此不同的依赖于波长的透射属性；以及空间解析和波长解析光检测器(67)，具有检测区(65)；其中，所述反射镜元件(23)布置在所述监视透镜(59)的物平面(61)的区域中；其中，所述光检测器像平面(63)的区域中；以及其中，所述滤色器(78)布置在所述监视透镜(59)的光瞳平面(77)的区域中。(67)的检测区(65)布置在所述监视透镜(59)的 | ||||||
| 289 | 第一步初步固化相比，所述第二步固化较慢。用于制造含涂层产品以及复合物的方法和配方 | CN201380023842.2 | 2013-05-07 | CN104321354B | 2017-03-08 | 卡尔·弗雷德里克·卡尔伯格; 汤米·哈拉尔德松 |
| 一种涂有涂层的物体，包括：a)由巯基基团和碳碳双键反应形成的共价键，b)由巯基基团和环氧基团反应形成的共价键，c)由碳碳双键和环氧基团反应形成的共价键，所述涂层包括第一底漆涂层和第二涂层，所述涂层包括在所述第一和第二涂层之间的共价键，所述第一底漆涂层包括在化合物之间的共价交联，在所述第一涂层中，未反应的巯基基团(ta)对已反应形成共价键的巯基基团(tc)的分数(r3＝ta/tc)不超过0.11，其中，tanδ的半高峰宽不超过30℃。两步固化组合物的优势是，可以得到优异的强度并且与所述 | ||||||
| 290 | 基板处理装置、处理装置以及元件制造方法 | CN201380015932.7 | 2013-03-08 | CN104204956B | 2017-03-08 | 加藤正纪; 木内彻 |
| 基板处理装置具备：旋转圆筒部件(DR)，具有距规定的中心线(AX2)以固定半径弯曲的圆筒状的支承面，且沿基板的长度方向传送基板(P)；处理机构，在基板的一部分的特定位置(PA、EL2)处对基板实施规定的处理；刻度部件(SD)，具有刻度部(GP)，该刻度部(GP)与旋转圆筒部件一同绕中心线旋转，并被刻设为环状，以测量旋转圆筒部件的支承面的周向位置变化、或者旋转圆筒部件的中心线的方向的位置变化；和读取机构(EN1、EN2)，与刻度部相对，并且从中心线观察而配置在与特定位置大致相同方向，且读取刻度部。 | ||||||
| 291 | 用于容纳生物样品的系统和方法 | CN201380025569.7 | 2013-03-15 | CN104302400B | 2017-03-01 | 迈克尔·帕拉斯; 詹姆士·C·讷尔斯; 凯文·马赫尔; 乔治·方斯卡; 艾里奥道·陈丘; 埃文·福斯特 |
| 本发明公开了一种用于保持多个生物样品的制品，所述制品包括基材以及所述基材中的多个反应位点，所述基材包括第一表面和相对的第二表面。所述反应位点中的每个从所述第一表面中的开口延伸至所述第二表面中的开口。所述反应位点包括六边形形状并且被构造成通过毛细管作用提供足够的表面张力以保持分别的生物样品。所述反应位点在所述表面的至少一部分上具有至少170个孔每平方毫米的密度。所述表面中的至少一个可具有表面粗糙度，所述表面粗糙度通过小于或等于5纳米的算术平均值粗糙度(Ra)来表征。 | ||||||
| 292 | 用于光刻中的照明光源形状定义的方法、系统和器件 | CN201210342442.5 | 2012-09-14 | CN103064257B | 2017-03-01 | 岩濑和也; P·德; 毕晓普 |
| 本发明涉及光刻中的照明光源形状定义，描述了用于确定光刻处理的光刻处理条件的方法和系统。在获得输入之后，在允许非矩形子分辨率辅助特征的条件下对于照明光源和掩模设计进行第一优化。此后，在一个或多个进一步优化中优化掩模设计，对于该一个或多个进一步优化仅允许矩形子分辨率辅助特征。后者导致良好的光刻处理，同时限制了掩模设计的复杂度。 | ||||||
| 293 | 涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备 | CN201110086003.8 | 2008-09-27 | CN102156390B | 2017-03-01 | B·斯蒂夫克尔克; R·F·德格拉夫; J·C·H·马尔肯斯; M·贝克尔斯; P·P·J·伯克文斯; D·L·安斯陶特兹 |
| 本发明涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备，并且公开了一种浸没光刻设备的流体限制系统的操作方法。流体限制系统的性能通过几种不同的方法测量。基于性能的测量结果，产生一个例如指示需要实施修复措施的信号。 | ||||||
| 294 | 光刻设备和曝光方法 | CN201580030769.0 | 2015-05-13 | CN106462089A | 2017-02-22 | P·J·克拉默; R·吉利贾姆塞; N·拉默斯; D·M·斯洛特布姆 |
| 描述了一种曝光方法，该方法包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，第一图案包括至少一个对准标记；b)测量多个对准标记的位置，并且针对多个对准标记中的每一个，将对准标记位移(dx，dy)确定为对准标记的相应预定标称位置与对准标记的相应测量位置之差；c)将数学模型拟合到多个对准标记位移以获得拟合的数学模型，d)基于拟合的数学模型，确定第一图案在多个目标部分中的每一个中的位置；e)使用多个目标部分中的每一个中的所确定的第一图案的位置将第二图案转移到多个目标部分中的每一个上，其中数学模型包括多项式Z1和Z2：在极坐标(r,θ)中Z1＝r2 cos(2θ)Z2＝r2 sin(2θ)，在笛卡尔坐标(x,y)中Z1＝x2-yZ2＝xy。 | ||||||
| 295 | 永久膜用感光性组合物、抗蚀材料及涂膜 | CN201580031521.6 | 2015-05-19 | CN106462063A | 2017-02-22 | 今田知之; 木本诚二; 佐藤勇介 |
| 本发明的目的在于提供一种感光灵敏度、分辨率、耐热性及耐吸湿性优异、并且在高温环境下不易发生污染、适合作为永久膜的材料的感光性组合物等，提供一种永久膜用感光性组合物，其含有羟基萘酚醛清漆树脂，不含固化剂、或含有相对于前述树脂100质量份为50质量份以下的固化剂，所述羟基萘酚醛清漆树脂具有通式(1)所示的结构部位(I)作为重复单元，且通式(2)所示的羟基萘类(A)的含量以树脂固体成分换算计为2质量％以下[式中，R1表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或卤素原子，多个存在的R1可以彼此相同也可以不同，R2表示氢原子、烷基或芳基，p表示1或2，q表示4或5。其中，p与q之和为6。]。 | ||||||
| 296 | 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法 | CN201610874047.X | 2016-09-30 | CN106444307A | 2017-02-22 | 孙丞; 杨国文 |
| 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，首先，从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片，进行光刻、腐蚀、研磨、解理；其中，在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度，在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度，计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度；然后，根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度，在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时，人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，消除了晶圆平边和解理边的偏转不可控的因素，有效提高砷化镓激光芯片的成品率，且实现成本较低。 | ||||||
| 297 | 一种可移动式掩模载置台 | CN201611056005.1 | 2016-11-23 | CN106444302A | 2017-02-22 | 郑传志; 贾富强; 张鹏飞; 刘甲甲 |
| 本发明公开了可移动式掩模载置台，包括掩模架、掩膜夹具、掩模销、基板载置台、感应掩模板尺寸大小的感应器和报警器，所述的掩模架通过扭力螺丝可移动地固定在掩模板载置台上，感应器设置在掩模架上。通过该设计减少了大尺寸掩模的曝光时间，有效提高了生产效率。 | ||||||
| 298 | 一种采用自适应压缩感知技术的光源优化方法 | CN201611047926.1 | 2016-11-21 | CN106444301A | 2017-02-22 | 马旭; 施东向; 王志强; 李艳秋 |
| 本发明提供一种采用自适应压缩感知(compressive sensing，简称CS)技术的光源优化(source optimization，简称SO)方法。相比现有的CS-SO算法，本发明中的SO方法得到的观测点分布能够更好地表征电路版图的拓扑结构特征；在观测点数目相同的情况下，具有更高的运算效率；在算法运算时间相近的情况下，能够进一步提高光刻系统的成像性能。该方法采用蓝噪声采样方法在电路版图上选取观测点，以观测点处的成像值等于目标成像值作为约束条件，构造约束条件线性方程组。之后，使用电路版图的信息构造自适应投影矩阵。根据CS理论，采用自适应投影矩阵压缩约束条件线性方程组的维度，并将SO优化问题转换为求解L-p(0＜p≤1)范数的图像恢复问题，采用CS信号重构算法对光源图形进行优化。 | ||||||
| 299 | 一种掩膜版固定系统 | CN201610901000.8 | 2016-10-17 | CN106444294A | 2017-02-22 | 祖延雷; 于世瑞; 陈权 |
| 本发明提供了一种掩膜版固定系统，具有固定组件和运动组件，运动组件安装于固定组件上，并且可以沿着固定组件的导向方向进行移动；运动组件还具有两两相对设置的机械手，相对的两个机械手用于固定掩膜版相对的边缘。本发明可以控制掩模版部分区的形变，提高晶圆上层间套刻精度，最终提高产品良率。与现有的方法相比，不需要为每个产品建立数据库进行仿真，通用性强，成本低。 | ||||||
| 300 | 一种金属图形的制备方法 | CN201610852489.4 | 2016-09-27 | CN106444293A | 2017-02-22 | 曲晓东; 朱浩 |
| 本发明提供了一种金属图形的制备方法，包括：S1 在目标材料上覆盖一保护层；S2 在保护层表面涂覆光刻胶层并对光刻胶层处理预留出金属图形区域；S3 去除金属图形区域的保护层材料，裸露出目标材料；S4 在金属图形区域、目标材料表面蒸镀金属材料；S5 去除非金属图形区域的光刻胶，实现目标材料表面金属图形的制备。目标材料表面的保护层有效避免了光刻、清洗等过程中引入的污染；同时提高了金属图形和目标材料表面间的粘附性。 | ||||||
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