1 |
光波导元件 |
CN201380017120.6 |
2013-03-29 |
CN104204917A |
2014-12-10 |
竹村基弘; 栗原雅尚; 藤野哲也 |
本发明的目的在于提供一种光波导元件,其有效地使蓄积在基板内的电荷扩散,抑制了直流漂移和温度漂移。其具有:基板,具有电光效应;光波导,形成于该基板上;缓冲层(BF层),形成于该基板上;以及调制电极(信号电极、接地电极),形成于该缓冲层上,对在该光波导传播的光波进行调制,其特征在于,在该基板与该缓冲层之间形成使在该基板产生的电荷扩散的电荷扩散层,该电荷扩散层与构成该调制电极的接地电极电连接。 |
2 |
显示装置 |
CN201310166966.8 |
2013-05-08 |
CN103456896A |
2013-12-18 |
郑仓龙; 金贤根 |
根据本发明的实施例的显示装置包括:基板;发光器件层,形成在所述基板上,并且具有发光器件;封装薄膜层,形成在所述基板和所述发光器件层上,并且封装所述发光器件层;缓冲膜,形成在所述封装薄膜层上,并且粘接在所述封装薄膜层;以及光学膜,形成在所述缓冲膜上,并且粘接在所述缓冲膜。 |
3 |
显示单元、显示器与其制造方法 |
CN201180013581.7 |
2011-01-11 |
CN102859432A |
2013-01-02 |
陈照勗; 梁荣昌; 蔡明玮 |
一种电泳显示器,包括多个像素,每个像素有一单元区域,包括多个带电颜料粒子(43),这些带电颜料粒子散布于两个相对电极(411、421)之间,及一半导体保护层(45)被提供在该两相对电极(411、421)的一个电极或两个电极上。半导体保护层可由MOx/y、MSx/y、或MNx/y组成,其中M为一金属或半导体,例如:铝、锡、锌、硅、锗、镍、钛、或镉;x为一正整数,而y为一非零的正整数。半导体保护层可具有掺杂硅、ZnOx/y、ZnSx/y、CdSx/y、TiOx/y、或III-V型半导体材料。半导体保护层可被一可为n-型供质(donor)或p-型受质(acceptor)的掺质所掺杂;n-型供质(donor)为氮、磷、砷、或氟,p-型受质(acceptor)为硼、铝、镓、铟、铍、镁、或钙。 |
4 |
用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 |
CN200610169001.4 |
2006-12-15 |
CN100498486C |
2009-06-10 |
宋武炯; 洪性珍 |
本发明涉及用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。该用于液晶显示装置的阵列基板包括:在基板上的选通线与数据线,数据线与选通线交叉以限定像素区;在选通线和数据线之间的绝缘层;邻近选通线和数据线的交叉部的开关器件;连接到开关器件的像素电极,该像素电极设置在像素区中;以及在选通线和数据线中的一个的第一侧的第一缓冲图案,该第一缓冲图案与选通线和数据线中的另一个交叠,并与选通线与数据线中的所述一个设置在同一层。 |
5 |
电光聚合物波导器件及其制造方法 |
CN200380103501.2 |
2003-11-18 |
CN100449358C |
2009-01-07 |
L·J·宾茨; R·迪努; D·金 |
揭示了电光波导器件,它包括(a)电光聚合物芯和(b)至少一层附加的聚合物包层或聚合物缓冲包层。数个实施方案包括电光聚合物芯(35)、邻近所述电光聚合物芯的第一聚合物包层(40)、邻近所述第一聚合物包层的第一聚合物缓冲包层(50)、以及邻近所述电光聚合物芯的第二聚合物包层(45)。另一个实施方案包括电光聚合物芯和聚合物缓冲包层(55)。再一个实施方案中,聚合物缓冲包层包括有机改性的溶胶-凝胶。此外还揭示了聚合物波导器件的制造方法。 |
6 |
液晶显示器件 |
CN200610074492.4 |
2006-04-21 |
CN100443991C |
2008-12-17 |
朴知赫; 郑泰奉 |
一种液晶显示器件包括液晶显示面板、偏振器;位于偏振器的上表面上的上保护层和位于偏振器的下表面上的下保护层;位于下保护层和液晶显示面板之间且用于补偿由液晶显示面板中液晶分子的不适当取向引起的视角下降的补偿膜、位于补偿膜和液晶显示面板之间的各向同性层,以及粘结层,位于所述各向同性层和液晶显示面板之间用于将所述各向同性层粘结到液晶显示面板;其中,所述各向同性层吸收由所述偏振器的收缩产生的剪应力并且防止补偿膜内的液晶分子的光学轴方向的改变。 |
7 |
半导体光调制器 |
CN200680006437.X |
2006-03-08 |
CN101133355A |
2008-02-27 |
都筑健; 菊池顺裕; 山田英一 |
提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作,而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中,还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12),在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。 |
8 |
用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 |
CN200610169001.4 |
2006-12-15 |
CN101075048A |
2007-11-21 |
宋武炯; 洪性珍 |
本发明涉及用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。该用于液晶显示装置的阵列基板包括:在基板上的选通线与数据线,数据线与选通线交叉以限定像素区;在选通线和数据线之间的绝缘层;邻近选通线和数据线的交叉部的开关器件;连接到开关器件的像素电极,该像素电极设置在像素区中;以及在选通线和数据线中的一个的第一侧的第一缓冲图案,该第一缓冲图案与选通线和数据线中的另一个交叠,并与选通线与数据线中的所述一个设置在同一层。 |
9 |
声光器件 |
CN98115582.0 |
1998-07-02 |
CN1129021C |
2003-11-26 |
中泽忠雄; 清野实; 谷口真司 |
一种声光器件,包括:形成在声光衬底上的光波导路径;换能器,它横跨光波导路径,且沿着此光波导路径传播一个声表面波;和缓冲层,它使换能器的指状电极在指状电极横跨光波导路径的交叉部分与光波导路径分隔开;指状电极还有直接地接触衬底的其他部分。 |
10 |
介质光波导器件 |
CN94102498.9 |
1994-02-28 |
CN1100525A |
1995-03-22 |
箱木浩尚; 山根隆志 |
在借以制成光波导管的LiNbO3晶体基片上制成SiO2绝缘缓冲层,在缓冲层上制作Si半导体薄膜。在半导体薄膜上制作SiO2绝缘扩散抑制层,在扩散抑制层上设置一对金电极。电极经固相扩散进入半导体薄膜而生成硅化物的问题,可用扩散抑制层来防止。 |
11 |
光开关 |
CN90100635.1 |
1990-02-07 |
CN1044858A |
1990-08-22 |
布鲁斯·李·布夫 |
一种用于把光从光路的一个支路转换到另一个支路的光开关,其特征在于包括用于改变各支路之一相对于另一支路的折射率的装置。这产生通过各支路的光的光速差异和相位关系的变化。当先进入耦合区时,出现光从一个支路到另一个支路的预定转换,该转换的性质取决于在各支路中传播的光之间相位关系变化的幅度。 |
12 |
显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 |
CN201310557272.7 |
2013-11-11 |
CN103545321A |
2014-01-29 |
程鸿飞; 张玉欣 |
本发明提供一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板弯曲时薄膜晶体管发生损毁导致显示基板可靠性差的问题。本发明的显示基板,通过在显示基板上引入由树脂材料制备的应力吸收单元,使显示基板在弯曲过程中产生的应力通过树脂材料释放掉,显示基板上的薄膜晶体管不易发生损坏,从而增强了整个显示基板的可靠性。 |
13 |
半导体光调制器 |
CN200680006437.X |
2006-03-08 |
CN101133355B |
2011-02-02 |
都筑健; 菊池顺裕; 山田英一 |
提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作,而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中,还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12),在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。 |
14 |
光调制装置 |
CN94190477.6 |
1994-07-07 |
CN1042368C |
1999-03-03 |
户叶祐一; 村松良二; 田辺高信; 武田次夫 |
具有基板4、在该基板上形成的用于入射光的入射光波导5、在基板4上从入射光波导5分支形成的透过光的位相随电场的强度变化的2个位相偏移光波导6和在基板4上把位相偏移光波导6合流形成的出射光波导7。位相偏移光波导6中至少一边具有使偏振反向的偏振反向部分8。也可以具有在位相偏移光波导6的一部分或多个部分的区域形成的光透过膜。也可具有在位相偏移光波导6上或其附近的一部分区域形成的缓冲层14。也可以在没有缓冲层14的区域的一部分或全部形成的向位相偏移光波导6施加应力的透明物质膜。也可具有向位相偏移光波导6之一的一部分施加应力的应力施加部件。也可以具有向位相偏移光波导6之一的一部分或全部照射光的光照射装置26。 |
15 |
声光器件 |
CN98115582.0 |
1998-07-02 |
CN1206118A |
1999-01-27 |
中泽忠雄; 清野实; 谷口真司 |
一种声光器件,包括:形成在声光衬底上的光波导路径;换能器,它横跨光波导路径,且沿着此光波导路径传播一个声表面波;和缓冲层,它使换能器的指状电极在指状电极横跨光波导路径的交叉部分与光波导路径分隔开;指状电极还有直接地接触衬底的其他部分。 |
16 |
介质光波导器件 |
CN94102498.9 |
1994-02-28 |
CN1037996C |
1998-04-08 |
箱木浩尚; 山根隆志 |
在借以制成光波导管的LiNbO3晶体基片上制成SiO2绝缘缓冲层,在缓冲层上制作Si半导体薄膜。在半导体薄膜上制作SiO2绝缘扩散抑制层,在扩散抑制层上设置一对金电极。电极经固相扩散进入半导体薄膜而生成硅化物的问题,可用扩散抑制层来防止。 |
17 |
光调制装置 |
CN94190477.6 |
1994-07-07 |
CN1111919A |
1995-11-15 |
户叶祐一; 村松良二; 田辺高信; 武田次夫 |
具有基板4、在该基板上形成的用于入射光的入射光波导5、在基板4上从入射光波导5分支形成的透过光的位相随电场的强度变化的2个位相偏移光波导6和在基板4上把位相偏移光波导6合流形成的出射光波导7。位相偏移光波导6中至少一边具有使偏振反向的偏振反向部分8。也可以具有在位相偏移光波导6的一部分或多个部分的区域形成的光透过膜。也可具有在位相偏移光波导6上或其附近的一部分区域形成的缓冲层14。也可以在没有缓冲层14的区域的一部分或全部形成的向位相偏移光波导6施加应力的透明物质膜。也可具有向位相偏移光波导6之一的一部分施加应力的应力施加部件。也可以具有向位相偏移光波导6之一的一部分或全部照射光的光照射装置26。1)、驱动臂(12)及四杆机构。 |
18 |
显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 |
CN201310557272.7 |
2013-11-11 |
CN103545321B |
2017-03-15 |
程鸿飞; 张玉欣 |
本发明提供一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板弯曲时薄膜晶体管发生损毁导致显示基板可靠性差的问题。本发明的显示基板,通过在显示基板上引入由树脂材料制备的应力吸收单元,使显示基板在弯曲过程中产生的应力通过树脂材料释放掉,显示基板上的薄膜晶体管不易发生损坏,从而增强了整个显示基板的可靠性。 |
19 |
一种母板及其制作方法 |
CN201510464153.6 |
2015-07-31 |
CN105097670A |
2015-11-25 |
郭建 |
本发明提供了一种母板及其制作方法,涉及显示技术领域,该母板能够改善因切割区域与基板单元区域的段差引起的光刻胶剧烈起伏,进而影响后续曝光和显影的问题。一种母板,包括:基板单元区域和切割区域,该母板还包括:缓冲部,所述缓冲部位于所述母板的切割区域,用于减小所述基板单元区域和所述切割区域的段差。本发明适用于母板的制作。 |
20 |
光波导元件 |
CN201380017120.6 |
2013-03-29 |
CN104204917B |
2015-11-25 |
竹村基弘; 栗原雅尚; 藤野哲也 |
本发明的目的在于提供一种光波导元件,其有效地使蓄积在基板内的电荷扩散,抑制了直流漂移和温度漂移。其具有:基板,具有电光效应;光波导,形成于该基板上;缓冲层(BF层),形成于该基板上;以及调制电极(信号电极、接地电极),形成于该缓冲层上,对在该光波导传播的光波进行调制,其特征在于,在该基板与该缓冲层之间形成使在该基板产生的电荷扩散的电荷扩散层,该电荷扩散层与构成该调制电极的接地电极电连接。 |