作为已知的先有的光调制装置，具有光源、接收从该光源发出的 光的光学元件和将电场加到该光学元件上的电场施加元件。上述光学 元件具有基板、在该基板上形成的入射光的入射光波导、在上述基板 上从入射光波导分支后形成的透过光的位相随电场的强度变化的2个 位相偏移光波导和在上述基板上把上述位相偏移光波导合流形成的出 射光波导。
但是，在先有的光调制装置中，由于光波导的制造条件的限制， 即使外加电场的强度为零，在分支后的光波导间也会产生位相差，所 以，光强度相对于外加电场的变化而发生的变化即光调制效率将发生 随机偏差。
另外，在先有的光调制装置中，当外加电场强度大时，容易使光 学元件的性能变坏。
本发明的目的旨在提供可以很容易地调整外加电场的强度为零时 的位相差的光调制装置。
本发明的目的还在于提供当外加电场强度大时可以防止光学元件 性能变坏的光调制装置。
发明的公开：
本发明的特征在于：具有基板、在该基板上形成的入射光的入射 光波导、在上述基板上从入射光波导分支形成的透过光的位相随电场 的强度变化的2个位相偏移光波导和在上述基板上把上述位相偏移光 波导合流形成的出射光波导，上述位相偏移光波导中至少一边的位相 偏移光波导具有使偏振反向的偏振反向部分。
另外，本发明的特征在于：具有基板、在基板上形成的透过光的 强度随电场的强度变化的光波导和在该光波导上的一部分或多个部分 的区域形成的光透过膜。
本发明的特征在于：具有在上述位相偏移光波导上或其附近的一 部分区域形成的缓冲层。
本发明的特征在于：具有在上述位相偏移光波导上或其附近的一 部分区域形成的缓冲层和在未设该缓冲层的部分的一部分或全部区域 形成的向上述位相偏移光波导施加应力的透明物质膜。
本发明的特征在于：具有向上述位相偏移光波导之一的一部分施 加应力的应力施加部件。
本发明的特征在于：具有向上述位相偏移光波导之一的一部分或全 部照射光的光照射装置。
附图的简单说明：
图1是本发明的光调制装置的正面图
图2是本发明其他例子的正面图
图3是图2例子的特性图
图4是图2例子的其他特性图
图5是本发明其他例子的斜视图
图6是本发明其他例子的斜视图
图7是图6例子的特性图
图3是本发明其他例子的斜视图
图9是本发明其他例子的斜视图
图10是本发明其他例子的斜视图
图11是图10例子的特性图
图12是本发明其他例子的斜视图
图13是本发明其他例子的斜视图
图14是本发明其他例子的斜视图
图15是本发明其他例子的斜视图
图16是本发明其他例子的正面图
图17是图16例子的主要部分的斜视图
图18是本发明其他例子的正面图
实施例：
下面，参照附图详细说明本发明的实施例。
图1是本发明第1实施例的正面图。如图1所示，本发明的光调 制装置具有光源1、接收从光源1发出的光的光学元件2和向该光学 元件2施加电场的电场施加元件3。上述光学元件2具有基板4、在 该基板4上形成的用于入射光的入射光波导5、在上述基板4上从入 射光波导5分支形成的透过光的位相随电场的强度变化的2个位相偏 移光波导6和在上述基板4上把上述位相偏移光波导6合流形成的出 射光波导7。上述位相偏移光波导6的至少一方具有使偏振反向的偏 振反向部分8。
上述光源1和入射光波导5使用入射光纤9相连接。通过入射光 纤9射入上述入射光波导5内的上述光源1的光，由上述2个位相偏 移光波导6分支后再由出射光波导7合流。出射光波导7与出射光纤 10连接。在上述出射光波导7中合流的光通过出射光纤10出射。
上述电场施加元件3由在上述基板4上在位相偏移光波导6上或 其附近形成的2个调制电极11和分别通过导线与这2个调制电极11 连接的天线12构成。这2个天线12接收到信号时，由上述调制电 极11将指定的电场加到上述位相偏移光波导6上，由该电场强度引 起上述位相偏移光波导6的折射率发生变化，所以，通过这些位相偏 移光波导6的光的位相发生变化。上述偏振反向部分8与该偏振反向 部分8以外的位相偏移光波导6的部分的光轴方向不同，所以，当均 匀电场加到基板4上时，使透过光发生与其他部分方向相反的位相偏 移，结果，使出射光的强度发生变化。
下面，说明本发明实施例1的具体例子。
上述基板4由Z切割的铌酸锂(LiNbO3)晶体板形成。在该基板 4的表面上，通过将Ti进行热扩散形成宽8μm、深6μm的入射 光波导5、位相偏移光波导6和出射光波导7。这里，取位相偏移光 波导6上作为偏振反向部分8的部分的长度为25mm，2个位相偏移 光波导6的直线部分的间隔为20μm。
另外，在上述基板4、入射光波导5、位相偏移光波导6和出射 光波导7上形成厚度约0.5μm的SiO2层，利用光刻胶图案和SiO2蚀刻使2条分支的位相偏移光波导6的1条的部分露出。
然后，在WET氧氛围中，在1000℃下进行2小时的热处理，加热 结束之后，在电炉内自然冷却。这样，就制成了位相偏移光波导6的 偏振反向器分8。晶体表面残留的SiO2利用缓冲腐蚀剂溶液除掉。
将这样制作的光学元件与偏振状态稳定光纤即入射光纤9和单模 光纤即出射光纤10连接。上述光源1由激光器构成，该激光器的传 播激光波长为1.31μm。
如图2所示，作为本发明的实施例，制作了使用由沿X轴切断的 LiNbO3构成的基板4的马赫-齐德干涉仪即光学元件2。作为其制 作条件，在Ti膜800的厚度下进行热扩散(在1025℃下，在Wet O2的气氛中进行5小时)，利用Cr-Au进行真空镀膜形成用于沿基 板4的C轴方向向分支的位相偏移光波导6施加外加电压的调制电极 11。
在上述光学元件2的分支的1条光波导6的一部分(宽15mm) 溅射膜厚为1500μm的SiO2形成光透过膜13。向不具备上述光透 过膜13的先有的光学元件加电压时的光输出的强度如图3的曲线A 所示的那样变化，向具有上述光透过膜13的光学元件2加电压时的 光强度如图3的曲线B所示的那样变化。由此可以证明，利用本实施 例可以调整光学元件2的位相。
光输出随上述光透过膜13的膜厚而变化的数据的一个例子示于 图4。由图可知，在利用溅射法形成了由SiO2膜构成的光透过膜13 的情况下，膜厚为500时，输出偏置为π/8的偏移，膜厚为1000 时，输出偏置为π/4的偏移。使用的元件的半波长电压为1.5V。 另外，这里所说的偏置，是指未向光波导加电压时图3的光输出强度 曲线上的点。
如图5所示，在由LiNbO3构成的基板4上，形成由在900～1100℃ 的温度下将钛进行数小时的热扩散而形成的宽5～12μm、深3～ 10μm的入射光波导5、位相偏移光波导6和出射光波导7构成的 光学元件2。
在上述入射光波导5、位相偏移光波导6、出射光波导7和基板 4上形成由SiO2构成的缓冲层14。在该缓冲层14上形成宽10 ～30μm的调制电极11。这里，将位于一条位相偏移光波导6上 的缓冲层14的一部分切去，形成构槽15。
如图6所示，在上述光学元件2上，在没有由SiO2构成的缓冲 层14的区域的一部分重新涂上对位相偏移光波导6的部分施加应力 的物质，例如氰基丙烯酸酯系列高分子粘接剂16。该粘接剂16可 以使位相偏移光波导6的折射率发生变化，所以，可以使2个位相偏 移光波导6之间出现位相差。向图6所示的光学元件2加电压时的光 强度可以从图7的曲线C所示的特性改变为曲线D所示的特性。
如图8所示，在上述光学元件2上，也可以在上述位相偏移光波 导6上的缓冲层14上形成多个沟槽15。
如图9所示，在上述光学元件2上，在上述位相偏移光波导6上 的缓冲层14上形成多个沟槽15，也可以在位相偏移光波导6上将 上述粘接剂16涂到这些沟槽15中指定数量的沟槽15上。
按照本实施例，在光学元件2的入射光波导5、位相偏移光波导 6和出射光波导7制作之后，可以给出任意的光学位相差。
实施例3：
下面，参照附图说明本发明的实施例3。
如图10所示，光学元件2具有基板4和在该基板4上形成的入 射光波导5、2个位相偏移光波导6、出射光波导7和调制电极11。
上述入射光波导5、位相偏移光波导6和出射光波导7是在900 ～1100℃的温度下将钛(Ti)在基板4上进行数小时的热扩散而形 成的。上述入射光波导5、位相偏移光波导6和出射光波导7的宽度 约为5～12μm，深度约为3～10μm。上述调制电极11的宽 度约为10～30μm。
在上述基板4和入射光波导5、位相偏移光波导6及出射光波导 7上形成缓冲层14。该缓冲层14由SiO2构成。在上述缓冲层14 的上面形成调制电极11。该调制电极11的宽度约为10μm。
在上述基板4的与光的透过方向平行的2个侧面设置与其接触的 应力施加部件17。该应力施加部件17由压电半导体构成。上述应 力施加部件17通过施加指定的电压发生变形，通过上述基板4向位 相偏移光波导6施加应力。位相偏移光波导6受到应力作用时，折射 率发生变化，所以，在位相偏移光波导6中传送的位相发生变化。
例如，当在上述应力施加部件17未向位相偏移光波导6施加应 力的状态下，出射光的强度随外加电压的变化而变化如图11的曲线 E所示的那样时，利用上述应力施加部件17向位相偏移光波导6施 加应力，可以将出射光的强度随外加电压的变化而变化设定为如图11 的曲线F所示的那样。
如图12所示，上述光学元件2装配到外壳18内。在该外壳18 的一部分位置形成螺纹孔19。将螺钉20拧合到该螺纹孔19内。 该螺钉20构成为上述应力施加部件17。上述螺丝钉20的前端部 构成为可以挤压上述位相偏移光波导6。上述螺钉20向上述位相偏 移光波导6施加应力时，位相偏移光波导6的折射率发生变化。
如图13所示，也可以构成螺钉20通过挤压上述位相偏移光波 导6附近的上述基板4而向上述位相偏移光波导6施加作用力的结构。
如图14所示，在上述光学元件2具有缓冲层14的情况下，也 可以构成为上述螺钉20通过挤压上述位相偏移光波导6上的缓冲层 14而向上述位相偏移光波导6施加应力的结构。
如图15所示，在上述光学元件2具有缓冲层14的情况下，也 可以构成为上述螺钉20通过挤压位于上述位相偏移光波导6附近的 缓冲层14而向上述位相偏移光波导6施加应力的结构。
如图16和图17所示，上述光学元件2装配到具有热可塑性的 外壳21内。光学元件2利用硅树脂固定到在外壳21的底部22上 形成的固定台23上。入射光纤9和出射光纤10与光学元件2的入 射光波导5及出射光波导7的端面连接。天线12通过导线24与光 学元件2的调制电极11连接。通过利用紫外线照射装置向外壳21 的底部22的指定部分25照射紫外线将外壳21的底部22加热使 之变形而向上述位相偏移光波导6施加应力。在将上述基板4与外壳 21的内壁接触地装配进该外壳21内时，则不必使用粘接剂将基板 4与外壳21固定。
实施例4：
下面，参照附图详细说明本发明的实施例4。
如图18所示，上述光学元件2具有基板4、在该基板4上形成 的用于入射光的入射光波导5、在上述基板4上从入射光波导5分支 形成的透过光的强度随电场的强度变化的2个位相偏移光波导6、在 上述基板4上把上述位相偏移电路6合流形成的出射光波导7和向上 述位相偏移光波导6之一的一部分或全部照射光的光照射装置26。
上述基板4由铌酸锂(LiNbO3)等构成。当将光照射到铌酸锂 等电光晶体等上时，电子便从晶体中的杂质能级向导带激励，电子向 -Z方向漂移。在途中激励电子落入俘获能级，所以，在晶体中出现 带正、负电的部分，从而产生空间电场，该空间电场引起折射率变化。 这个现象称为光损伤。本发明恰好就是利用了这个现象。
例如，在由铌酸锂构成的基板4上通过将Ti进行热扩散形成入 射光波导5、位相偏移光波导6和出射光波导7。热扩散的条件为温 度1025℃，在Wet O2气氛下进行5小时。入射光波导5、位相偏移光 波导6和出射光波导7的膜厚为500，宽度为6μm。
在该光学元件2中，插入损耗为5.5dB，消光比为26.0dB， 半波长电压为1.9V。
产业上利用的可能性
本发明适用于需要进行光开关和位相控制的光调制系统。另外， 本发明还可作为测量电场强度的电场传感器使用。