闪烁体面板
阅读：450发布：2020-05-11
专利汇可以提供闪烁体面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供促进底涂层和 闪烁体 层的粘附性来抑制膜剥离的闪烁体面板。一种闪烁体面板，至少包括：闪烁体层，将放射线变换为可见光；反射层，使通过闪烁体层变换而得到的可见光反射；以及底涂层，存在于闪烁体层与反射层之间，其中的至少一层在图像形成区域中与闪烁体层相接，其中，所述底涂层含有 金属化 合物，在底涂层内，金属化合物的量具有分布，并且在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的 原子 数％小于底涂层的其它部位的金属元素的原子数％。，下面是闪烁体面板专利的具体信息内容。
1.一种闪烁体面板，至少包括：
闪烁体层，将放射线变换为可见光；
反射层，使通过闪烁体层变换而得到的可见光反射；以及
底涂层，存在于闪烁体层与反射层之间，该底涂层中的至少一层在图像形成区域中与闪烁体层相接，
所述闪烁体面板的特征在于，
所述底涂层含有金属化合物，在底涂层内，金属化合物的量的分布有变化，并且在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的原子数％小于底涂层的其它部位的金属元素的原子数％。
2.根据权利要求1所述的闪烁体面板，其特征在于，
在所述闪烁体面板中，所述金属化合物是金属氧化物。
3.根据权利要求1或者2所述的闪烁体面板，其特征在于，
在所述闪烁体面板中，在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的常温常压下为气体的物质中的至少一个以上的物质的原子数％为0.1％以上。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的闪烁体面板，其特征在于，在所述闪烁体面板中，在所述图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层仅由金属氧化物构成。
5.根据权利要求4所述的闪烁体面板，其特征在于，
在所述闪烁体面板中，在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的碳的原子数％为0.1％以下。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的闪烁体面板，其特征在于，在所述闪烁体面板中，所述闪烁体层不包含粘合剂树脂。
7.根据权利要求6所述的闪烁体面板，其特征在于，
在所述闪烁体面板中，所述闪烁体层由物理蒸镀物构成。
8.根据权利要求7所述的闪烁体面板，其特征在于，
在所述闪烁体面板中，所述闪烁体层以碘化铯为主成分。
闪烁体面板
技术领域
[0001] 本发明涉及具有粘附性优良的闪烁体层的闪烁体面板。
背景技术
[0002] 近年来，以计算机造影(CR：computed radiography)、平板探测器(FPD：flat panel detector)等为代表的数字方式的放射线图像检测器直接得到数字的放射线图像，能够在阴极管、液晶面板等图像显示装置上直接显示图像，所以广泛用于医院以及诊所等处的图像诊断。最近，使用包含碘化铯(CsI)的闪烁体层并组合有薄膜晶体管(TFT)的平板作为高灵敏度的X射线图像可视化系统受到瞩目。
[0005] 因此，期望促进用于防止膜剥离的粘附性，但在向刚性高的无机物上形成闪烁体层的情况下，促进粘附性的有用的手法完全未知。
[0006] 在专利文献1(日本特开2012-168010号公报)、专利文献2(日本特开2014-55977号公报)和专利文献3(日本特开2008-51783号公报)中，公开了使活性剂浓度局部地变化的情况，并且在专利文献4(日本特开2010-165916号公报)中，限定传感器侧的半导体杂质浓度，但完全没有启示对底涂层和闪烁体层的粘附性的影响。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1：日本特开2012-168010号公报
[0010] 专利文献2：日本特开2014-055977号公报
[0011] 专利文献3：日本特开2008-051783号公报
[0012] 专利文献4：日本特开2015-001397号公报
发明内容
[0013] 发明所要解决的技术问题
[0014] 本发明的目的在于提供一种促进底涂层和闪烁体层的粘附性来抑制膜剥离的闪烁体面板。
[0015] 解决技术问题的技术方案
[0016] 在这样的状况下，本发明人在专心研究之后认为，为了促进粘附性，考虑底涂层和闪烁体层的成分的相互扩散以及底涂层表面的有机杂质的影响。
[0017] 另外，发现了通过减少底涂层最表面(与闪烁体相接的面)的原子数％，能够解决上述课题，以致完成本发明。本发明的结构如以下所述。
[0018] [1]一种闪烁体面板，至少包括：
[0019] 闪烁体层，将放射线变换为可见光；
[0020] 反射层，使通过闪烁体层变换而得到的可见光反射；以及
[0021] 底涂层，存在于闪烁体层与反射层之间，其中的至少一层在图像形成区域中与闪烁体层相接，
[0022] 所述闪烁体面板的特征在于，
[0023] 所述底涂层含有金属化合物，在底涂层内，金属化合物的量具有分布，并且在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的原子数％小于底涂层的其它部位的金属元素的原子数％。
[0025] [3]根据[1]或者[2]记载的闪烁体面板，其特征在于，在所述闪烁体面板中，在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的常温常压下为气体的物质中的至少一个以上的物质的原子数％在0.1％以上。
[0026] [4]根据[1]～[3]中的任意一项所述的闪烁体面板，其特征在于，在所述闪烁体面板中，在所述图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层仅由金属氧化物构成。
[0029] [7]根据[6]记载的闪烁体面板，其特征在于，在所述闪烁体面板中，所述闪烁体层由物理蒸镀物构成。
[0030] [8]根据[7]记载的闪烁体面板，其特征在于，在所述闪烁体面板中，所述闪烁体层以碘化铯为主成分。
[0031] 发明效果
[0032] 本发明的闪烁体面板具备如下特征：在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的原子数％小于底涂层的其它部位的金属元素的原子数％。由此，底涂层和闪烁体层的界面粘附力提高，即使底涂层由如无机物那样的高刚性物质构成，也不会引起膜剥离，而能够抑制图像的劣化。附图说明
[0033] 图1是示出本发明的放射线检测器的示意剖面图。
[0034] 图2是闪烁体层形成时的蒸镀装置的概略图。
[0035] 符号说明
具体实施方式
[0037] 本发明的闪烁体面板包括：
[0038] 闪烁体层，将放射线变换为可见光；
[0039] 反射层，使通过闪烁体层形成的发光反射；以及
[0040] 底涂层，在闪烁体层与反射层之间，至少一层在图像形成区域中与闪烁体层相接。
[0041] 图1示出这样的本发明的放射线检测器的基本结构。
[0042] 如图1所示，本发明的闪烁体面板在所述闪烁体层与反射层之间存在底涂层，在底涂层内，金属化合物的量有分布，并且关于在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的原子数％，底涂层表面的金属元素的原子数％比底涂层的其它部位少。
[0043] 通过这样减少与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的原子数，在闪烁体层与底涂层之间成分相互扩散，底涂层和闪烁体层的界面粘附力提高，即使底涂层由如无机物那样的高刚性物质构成，也不会引起膜剥离，而能够抑制图像的劣化。
[0044] 以下，依次对各结构部件进行说明。
[0045] 闪烁体层
[0046] 闪烁体层由荧光体构成，具有将从外部入射的放射线即X射线的能量变换为可见光的作用。
[0047] 在本发明中，荧光体是指，在被照射α射线、γ射线、X射线等电离放射线时通过原子被激励而发光的荧光体。即，是指将放射线变换为可见光而放出的荧光体。关于荧光体，只要是能够将从外部入射的X射线等放射线能量高效地变换为光的材料，就没有特别限制。另外，不一定要瞬时进行放射线向光的变换，而可以使用在闪烁体层临时积蓄为潜像、之后读出的方式。
[0048] 作为本发明的闪烁体，能够恰当地使用能够将X射线等放射线变换为可见光等不同波长的物质。具体而言，考虑在《荧光体手册》(荧光体研究会编，欧姆公司，1987年)的284页至299页的部分记载的闪烁体以及荧光体、美国劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的Web主页“Scintillation Properties(闪烁属性)(http://scintillator.lbl.gov/)”记载的物质等，但即使是在此未指出的物质，只要是“能够将X射线等放射线变换为可见光等不同波长的物质”，就能够用作闪烁体。
[0049] 作为具体的闪烁体的组成，可以举出以下的例子。首先，可以举出用基本组成式(I)：MIX·aMIIX'2·bMIIIX”3：zA表示的金属卤化物系荧光体。
[0053] X、X'以及X”分别表示卤族元素，而各自既可以是不同的元素，也可以是相同的元素。
[0054] A表示从由Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Na、Mg、Cu、Ag(银)、Tl以及Bi(铋)构成的群中选择的至少一种元素。
[0055] a、b以及z分别独立地表示0≤a<0.5、0≤b<0.5、0
[0056] 另外，还可以举出用基本组成式(II)：MIIFX：zLn表示的稀土活化金属氟化卤化物系荧光体。
[0057] 在上述基本组成式(II)中，MII表示至少一种碱土金属元素，Ln表示属于镧系的至少一种元素，X表示至少一种卤族元素。另外，z为0
[0058] 另外，还可以举出用基本组成式(III)：Ln2O2S：zA表示的稀土氧硫化物系荧光体。
[0059] 在上述基本组成式(III)中，Ln表示属于镧系的至少一种元素，A表示从由Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Na、Mg、Cu、Ag(银)、Tl以及Bi(铋)构成的群中选择的至少一种元素。另外，z为0
[0060] 特别是作为Ln，由于已知使用钆(Gd)的Gd2O2S通过将铽(Tb)、镝(Dy)等用作A的元素种类，在传感器面板最易于受光的波长区域呈现高的发光特性，所以优选。
[0061] 另外，还可以举出用基本组成式(IV)：MIIS：zA表示的金属硫化物系荧光体。
[0062] 在上述基本组成式(IV)中，MII表示可成为2价阳离子的元素、即从由碱土金属、Zn(锌)、Sr(锶)、Ga(镓)等构成的群中选择的至少一种元素，A表示从由Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Na、Mg、Cu、Ag(银)、Tl以及Bi(铋)构成的群中选择的至少一种元素。另外，z为0
[0063] 另外，还可以举出用基本组成式(V)：MIIa(AG)b：zA表示的金属含氧酸盐系荧光体。
[0064] 在上述基本组成式(V)中，MII表示可成为阳离子的金属元素，(AG)表示从由磷酸盐、硼酸盐、硅酸盐、硫酸盐、钨酸盐、铝酸盐构成的群中选择的至少一种含氧酸基，A表示从由Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Na、Mg、Cu、Ag(银)、Tl以及Bi(铋)构成的群中选择的至少一种元素。
[0065] 另外，a以及b表示根据金属以及含氧酸基的价数而可取的所有值。z为0
[0066] 另外，可以举出用基本组成式(VI)：MaOb：zA表示的金属氧化物系荧光体。
[0067] 在上述基本组成式(VI)中，M表示从可成为阳离子的金属元素中选择的至少一种元素。
[0068] A表示从由Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Na、Mg、Cu、Ag(银)、Tl以及Bi(铋)构成的群中选择的至少一种元素。
[0069] 另外，a以及b表示根据金属以及含氧酸基的价数而可取的所有值。z为0
[0070] 此外，可以举出用基本组成式(VII)：LnOX：zA表示的金属卤氧化物系荧光体。
[0071] 在上述基本组成式(VII)中，Ln表示属于镧系的至少一种元素，X表示至少一种卤族元素，A表示从由Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Na、Mg、Cu、Ag(银)、Tl以及Bi(铋)构成的群中选择的至少一种元素。另外，z为0
[0072] 作为构成闪烁体的材料，只要是能够将从外部入射来的X射线的能量高效地变换为光的材料，就没有特别限定。因此，只要满足上述条件，就能够将以往公知的各种荧光体用作闪烁体，在其中，能够优选使用碘化铯(CsI)、硫氧化钆(GOS)、钨酸镉(CWO)、硅酸钆(GSO)、锗酸铋(BGO)、硅酸镥(LGO)、钨酸铅(PWO)等。此外，在本发明中使用的闪烁体不限于CsI等瞬间发光的荧光体，根据用途，也可以是溴化铯(CsBr)等激发性荧光体(Photostimulable Phosphor)。
[0073] 在本发明中，在这些材料中，CsI将X射线等放射线的能量变换为可见光的效率比较高，通过与活性剂的组合，能够如上所述构成特定波长下的光反射率的降低少的闪烁体，所以优选。
[0074] 在本发明中，优选将CsI作为荧光体基体材料，同时包括活性剂。用mol％表示活性剂的浓度。
[0075] 作为活性剂，优选包含铊(Tl)、铕(Eu)、铟(In)、锂(Li)、钾(K)、铷(Rb)、钠(Na)等。这些活性剂以元素的状态存在于闪烁体中。此外，活性剂使用例如碘化铊(TlI)、溴化铊(TlBr)、氯化铊(TlCl)、氟化铊(TlF、TlF3)等。
[0076] 在闪烁体中含有的活性剂优选包含至少铊。在包含铊时，照射X射线时的荧光的波长不会偏移，利用光电变换元件进行的荧光的检测精度高，而且能够减小上述520nm下的放射线照射后的光反射率的降低，能够得到满足在本发明中定义的预定光反射率的闪烁体。
[0077] 在本发明中，闪烁体层既可以由一层构成，也可以由两层以上构成。另外，也可以是仅由闪烁体层构成的情况，或者也可以是具有由基底层和闪烁体层构成、在支承体上依次层叠有基底层和闪烁体层的构造的情况。在闪烁体层包括基底层和闪烁体层这两层的情况下，这些层只要荧光体基体材料化合物相同，则既可以由相同的材质构成，或者也可以由不同的材质构成。即，闪烁体层既可以是整体仅由荧光体基体材料构成的一层，也可以是整体含有荧光体基体材料化合物和活性剂的一层，还可以是由仅由荧光体基体材料化合物构成的基底层以及含有荧光体基体材料化合物和活性剂的闪烁体层构成，还可以是由含有荧光体基体材料化合物和第一活性剂的基底层以及含有荧光体基体材料化合物和第二活性剂的闪烁体层构成。
[0078] 在本发明的闪烁体层中，最好根据目的性能等将活性剂的相对含量设为最佳量，而优选为相对于闪烁体的含量为0.001mol％～50mol％、进而0.1～10.0mol％。在活性剂相对于闪烁体的浓度在0.001mol％以上时，可知相比于单独使用闪烁体的情况，发光亮度提高，在得到作为目标的发光亮度这点上是优选的。另外，在为50mol％以下时，能够保持闪烁体性质/功能，是优选的。
[0079] 基底层中的活性剂的相对含量优选为0.01～1mol％、更优选为0.1～0.7mol％。特别是，在闪烁体面板10的发光亮度提高以及保持性这点上，非常优选基底层的活性剂的相对含量为0.01mol％以上。另外，非常优选基底层中的活性剂的相对含量低于闪烁体层中的相对含量，基底层中的活性剂的相对含量相对闪烁体层中的活性剂的相对含量的摩尔比((基底层中的活性剂的相对含量)/(闪烁体层中的相对含量))优选为0.1～0.7。
[0080] 作为形成闪烁体层的方法，能够使用涂敷将闪烁体粉体与粘合剂树脂等混合而形成的液体来形成涂敷膜的方法、通过加工其液体、涂敷膜来形成具有规则性的排列构造的膜的方法、使用各种蒸镀法来形成晶体膜的方法等。作为粘合剂树脂，可以举出例如明胶等蛋白质、葡聚糖等多醣类、或者阿拉伯树胶那样的天然高分子物质；以及如聚乙烯醇缩丁醛、聚醋酸乙烯酯、硝化纤维素、乙基纤维素、偏二氯乙烯-氯乙烯共聚物、聚(甲基)丙烯酸酯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、醋酸丁酸纤维素、聚乙烯醇、聚酯纤维、环氧树脂、聚烯烃树脂、聚酰胺树脂等那样的合成高分子物质。
[0081] 对蒸镀法可以举出物理蒸镀(PVD)法和化学蒸镀(CVD)法。PVD法包括加热蒸镀、溅射、离子喷镀等方法。另外，在CVD法中，使原料气体反应来形成薄膜。在作为CVD法中之一的等离子体CVD中，用电磁波能量使气体等离子体化，制作闪烁体层。另外，粘贴形成为片状的晶体也能够形成闪烁体层。根据这样的蒸镀法，能够形成柱状晶体的闪烁体层。
[0082] 在本发明中，闪烁体层不包含粘合剂树脂是优选的方式。因此，相比于利用将闪烁体粉体与粘合剂树脂等混合而得到的涂层来形成的例子，优选为用蒸镀法形成的例子。在包含粘合剂时，有时会对到底涂层表面的碳量造成影响，有时会对底涂层的附着性造成影响。
[0083] 进而，在本发明中，闪烁体层为物理蒸镀物是优选的方案。通过针对物理蒸镀物，定义底涂层表面的金属原子数％，能够抑制与闪烁体层的界面处的剥离，进一步提高其附着性。由此能够抑制图像的劣化。
[0084] 因此，闪烁体层优选为不是片状晶体的附加或CVD成膜。在为物理蒸镀物的情况下，闪烁体层优选以CsI为主成分。此外，闪烁体层的厚度优选为100～800μm，根据平衡性良好地得到亮度和清晰性的特性这点来看，更优选为120～700μm。基底层的层厚从维持高亮度/清晰性的方面来看，优选为0.1μm～50μm、更优选为5μm～40μm。
[0085] 支承体
[0086] 在本发明的闪烁体面板中，不一定需要支承体。支承体被用作形成闪烁体层的荧光体的基座，并且具有保持闪烁体层的构造的作用。作为支承体的材料，可以举出各种玻璃、高分子材料、金属等。此外，在最终的闪烁体面板中支承体也可以脱离。
[0087] 具体而言，能够使用石英、硼硅酸玻璃、化学性钢化玻璃等平板玻璃；蓝宝石、氮化硅、碳化硅等陶瓷；硅、锗、砷化镓、磷化镓、氮化镓等半导体；醋酸纤维素膜、聚酯纤维膜、聚对苯二甲酸膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、三醋酸膜、聚碳酸酯膜、碳纤维强化树脂片等高分子膜(塑料膜)；铝片、铁片、铜片等金属片或者具有这些金属的氧化物的包覆层的金属片；生物纳米纤维膜等。它们既可以单独使用一种，也可以层叠使用。
[0088] 在上述支承体的材料中，优选具有挠性的高分子膜。作为这样的高分子膜，可以举出由聚对苯二甲酸、聚萘二甲酸、醋酸纤维素、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺、双马来酰亚胺、氟树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯、芳纶、尼龙、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醚砜、聚砜、聚醚醚酮、液晶聚合物、生物纳米纤维等构成的膜。
[0089] 当在该树脂膜上蒸镀荧光体时，从耐热性的观点考虑，优选为含有聚酰亚胺的树脂膜。作为商用产品，可以使用例如UPILEX-125S(宇部兴产(株)制造)。
[0090] 作为高分子膜的厚度，优选为20～1000μm、更优选为50～750μm。通过将支承体的厚度设为50μm以上，形成闪烁体层之后的处置性会变好。另外，通过将支承体的厚度设为750μm以下，用辊对辊(roll to roll)方式加工粘附层、导电层、易粘接层等功能层变得容易，从提高生产性的观点来看非常有用。
[0091] 关于支承体，既可以使其脱离也可以原样留着。在原样留着使用的情况下，最好由透明材料构成。
[0092] 反射层
[0093] 在本发明中，具有反射层，使通过闪烁体层形成的发光反射。通过使发光反射，闪烁体中的发光被高效地导入到传感器而灵敏度提高。
[0094] 反射层优选由光的反射率高的材料构成，通常由金属反射层构成。作为能够形成上述金属反射层的金属材料，具体而言，优选含有铝、银、铂、钯、金、铜、铁、镍、铬、钴、镁、钛、铑、不锈钢等金属材料。在其中，从反射率的观点来看，特别优选为以银或者铝为主成分。在此，构成金属反射层的金属材料在本发明的典型的方式中，具有金属单质或者其合金的形式。
[0095] 只是，只要光的散射不变大，就不一定要限于具有金属单质或其合金的形式，也可以是对应的金属氧化物的形式。在该情况下，能够设想层叠多个由金属氧化物形成的薄膜而赋予反射功能的、所谓电介质多层膜等。作为用于这样的电介质多层膜的金属氧化物的优选的例子，可以举出氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钽(Ta2O5)等。
[0096] 作为电介质层，还能够使用有机材料。有机材料层优选含有高分子结合材料(粘合剂)、分散剂等。有机材料层的折射率虽然还取决于材料的种类，但大致在1.4～1.6的范围。有机材料层的厚度优选为0.5～4μm。通过设为4μm以下，有机材料层内的光散射变小而清晰性提高。另外，通过将有机材料层的厚度设为0.5μm以上，作为反射层的效果变大。作为用于有机材料层的高分子结合材料，具体而言，可以举出聚氨酯、氯乙烯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚酯纤维、纤维素衍生物(硝化纤维素等)、苯乙烯-丁二烯共聚物、各种合成橡胶系树脂、苯酚树脂、环氧树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、苯氧树脂、硅树脂、丙烯酸系树脂、尿素甲酰胺树脂等。
[0097] 作为将金属反射层设置到支承体表面的方法，能够利用使用蒸镀、溅射等已知的工艺的方法、使铝等金属预先薄膜化之后粘贴的方法。另外，金属箔虽然还能够经由粘接剂压接，但在隔着粘接剂时，有时会发生光吸收而光量变少。从这样的观点来看，优选为溅射。此外，在采取在支承体侧存在光检测器的方式的情况下，还能够夹着闪烁体层在与支承体相反的一侧设置金属反射层，在该情况下，在粘贴薄膜化的金属时，不会成为如通过蒸镀、溅射形成的膜那样的、跟随闪烁体层的凹凸而易于形成裂缝的膜，所以特别优选。另外，有机材料层优选为涂敷在溶剂中溶解或者分散的高分子结合材料(以下还称为“粘合剂”)并干燥来形成。
[0098] 进而，作为反射层，也可以是由粘合剂树脂和光散射粒子或者空隙的至少一方构成的反射层，作为其一个方式，可以举出涂敷型反射层。
[0099] 作为粘合剂树脂，可以举出易粘接性的聚合物、例如聚氨酯、氯乙烯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚酯纤维、纤维素衍生物(硝化纤维素等)、苯乙烯-丁二烯共聚物、各种合成橡胶系树脂、苯酚树脂、环氧树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、苯氧树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、尿素甲酰胺树脂等。
[0100] 在其中，优选使用聚氨酯、聚酯纤维、硅树脂、丙烯酸树脂或者聚乙烯醇缩丁醛。另外，还能够混合两种以上这些粘合剂来使用。
[0101] 作为光散射粒子，在光的折射这点上，优选为由白色颜料构成的例子。
[0102] 作为白色颜料，能够使用例如TiO2(锐钛型、金红石型)、MgO、PbCO3·Pb(OH)2、BaSO4、Al2O3、M(II)FX(其中，M(II)是从Ba、Sr以及Ca的各原子选择的至少一种原子，X是Cl原子或者Br原子)、CaCO3、ZnO、Sb2O3、SiO2、ZrO2、锌钡白(BaSO4·ZnS)、硅酸镁、碱式硅硫酸盐、碱式磷酸铅、硅酸铝等。这些白色颜料既可以单独使用，或者也可以组合使用。
[0103] 这些白色颜料中的TiO2、Al2O3等的隐蔽力强，折射率大。因此，通过使扩散光反射并折射，能够在散射光横向传播之前，返回到闪烁体层。其结果是，不仅能够提高所得到的亮度，而且还能够使作为图像模糊的原因的扩散光有效地返回到闪烁体层，能够显著地提高画质。
[0104] 作为氧化钛的晶体构造，能够使用金红石型、锐钛型中的任意一方，但从与树脂的折射率差大且能够达成高亮度这点来看，优选为金红石型。
[0105] 作为氧化钛，具体而言，可以举出例如用盐酸法制造出的CR-50、CR-50-2、CR-57、CR-80、CR-90、CR-93、CR-95、CR-97、CR-60-2、CR-63、CR-67、CR-58、CR-58-2、CR-85、用硫酸法制造出的R-820、R-830、R-930、R-550、R-630、R-680、R-670、R-580、R-780、R-780-2、R-850、R-855、A-100、A-220、W-10(以上商品名：石原工业(株)制造)等。
[0106] 光散射粒子的一次粒径优选为0.1～0.5μm的范围内、更优选为0.2～0.3μm的范围内。另外，光散射粒子特别优选为用为了提高与聚合物的亲和性、分散性或用于抑制聚合物的劣化的Al、Si、Zr、Zn等的氧化物进行表面处理而得到的粒子。
[0107] 另外，代替上述光散射粒子，反射层也可以包含空隙。即使是空隙，光也同样地折射，所以能够与光散射粒子同样地，增加扩散反射光向闪烁体层的返回。
[0108] 作为在内部形成空隙的手段，有例如利用发泡剂的方法、注入气体而低压化的方法、利用延伸的方法等各种方法，而在通过发泡剂形成空隙时，内部空隙为球状或者椭圆球状，能够均匀地形成大量微细的空隙，所以更期望为用发泡剂形成空隙的方法。
[0109] 底涂层
[0110] 在本发明中，在反射层与闪烁体层之间设置底涂层。底涂层含有金属化合物。该底涂层既可以是单层也可以是多层。在本发明中，其特征在于，在底涂层内包含的金属化合物具有分布，在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的金属元素的原子数％小于底涂层的其它部位的金属元素的原子数％。在这样预先定义原子数％时，底涂层能够通过与闪烁体层的相互扩散而提高粘附性。
[0111] 根据金属元素的原子数(M1)与全原子数(M0)之比(M1/M0)求出原子数％，底涂层表面的金属原子数％小于底涂层内的其它部位的原子数％。
[0112] 原子数％能够用二次离子质量分析(SIMS)、时间飞行型二次离子质量分析(TOF-SIMS)、X射线光电子能谱分析装置(XPS)、能量分散型X分析(EDS)、俄歇电子能谱测定(AES)等分析手段来测定。
[0113] 与闪烁体层相接的底涂层表面可以是从在底涂层表面上形成有闪烁体层的闪烁体面板针对闪烁体层通过剥离、研磨等手段使底涂层露出的表面、或者不使闪烁体层脱离而从闪烁体面板的切削剖面将与其闪烁体层的界面作为表面来评价的表面中的任意一个。另外，在XPS中，是在使底涂层露出而得的表面中评价，在EDS、AES中，是在切剖面中评价。另外，在TOF-SIMS中，是对样品照射离子波束(一次离子)，使用其飞行时间差(飞行时间与重量的平方根成比例)，对从表面放出的离子(二次离子)进行质量分离的方法，能够进行非破坏分析。
[0114] 底涂层包含的金属化合物既可以是金属，也可以是金属氧化物、金属氮化物、复合氧化物、金属盐等。
[0115] 作为底涂层，除了例如铝、银、铂、钯、金、铜、铁、镍、铬、钴、铑、镁、钛、不锈钢等金属材料、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锌(ZnO)、三氧化锑(Sb2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、在所述金属材料中使用的银、铜、铬、钴、铑、不锈钢等元素的金属氧化物、氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)等金属氟化物以外，还可以举出PbCO3·Pb(OH)2、BaSO4、Al2O3、M(II)FX(其中M(II)是从Ba、Sr以及Ca的各原子选择的至少一种原子，X是Cl原子或者Br原子)、CaCO3、锌钡白(BaSO4·ZnS)、硅酸镁、碱式硅硫酸盐、碱式磷酸铅、硅酸铝、氮化铝、氮化硅、氮氧化硅、云母、滑石等无机材料等。
[0116] 在它们中，作为金属化合物优选为金属氧化物。在此，能够使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)、热蒸镀(thermal evaporation)法、原子层蒸镀(Atomic layer deposition)法、化学蒸镀(Chemical vapor deposition)法以及电子波束蒸镀(e-beame vaporation)法等在该技术领域中公知的方法来形成所述由金属氧化物构成的底涂层。
[0117] 在本发明中，在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面，包含在常温常压下为气体的物质中的至少一种以上，其原子数％优选为0.1％以上。作为在常温常压下为气体的物质，可以举出氧、氮、氩、氦、氖等稀有气体等。此外，常温常压是指在300K下的一个大气压。
[0118] 与闪烁体层相接的底涂层表面优选被表面处理。通过该表面处理，能够减少底涂层表面的金属原子数％，并且能够使其包含在常温常压下为气体的物质。
[0119] 作为表面处理，可以举出辉光放电、电晕放电、远程等离子体处理、溅射蚀刻处理、高能量射线(紫外光、电子射线、放射线、激光)照射处理、臭氧处理等。
[0120] 辉光放电处理是被称为真空等离子体处理或者低压等离子体处理的方法，且通过低压环境的气体(等离子体气体)中的放电来产生等离子体并对表面进行处理的方法。通过在等离子体环境内放置被处理体(底涂层形成后的支承体)来进行。
[0121] 在辉光放电处理中，作为产生等离子体的方法，能够利用直流辉光放电、高频放电、微波放电等方法。用于放电的电源既可以是直流也可以是交流。在使用交流的情况下，优选为30Hz～20MHz左右的范围。作为在辉光放电处理中使用的等离子体气体，可以举出氧气、氮气、水蒸气气体、氩气、氦气、氖气以及氙气等。
[0123] 远程等离子体处理不是直接暴露于等离子体来处理，而是在不同于被处理基板的位置的分开的位置产生等离子体，将其导入到被处理基板表面来进行等离子体处理。作为气体的种类，使用O2、CO2、N2、NH3等、水蒸气等。
[0124] 溅射蚀刻处理是利用逆溅射的表面处理，通过使底涂层表面暴露于在减压环境中产生的等离子体来进行。溅射的条件没有特别限制，在例如真空度0.075～0.1Torr的氩等稀有气体环境下进行即可。作为溅射蚀刻的环境气体，能够使用例如氦、氖、氩等稀有气体。
[0125] 作为高能量射线照射处理，可以举出照射紫外线、电子射线、放射线、激光等的处理。此时，使底涂层的表面处于氧环境下或者二氧化硫(SO2)和氧的混合气体环境下。进而，也可以根据需要在进行高能量射线照射处理的同时进行热处理。
[0126] 臭氧处理是指，在包含臭氧的气体或者水溶液中处理的方法。在臭氧处理中，使用臭氧气体和氧气的混合气体来进行处理。
[0128] 优选这些处理中的溅射蚀刻处理。
[0129] 在底涂层中，除了上述金属化合物以外，还可以包含聚对二甲苯、作为高分子结合材料(粘合剂)例示的聚氨酯、氯乙烯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丁二烯-丙烯腈共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚酯纤维、纤维素衍生物(硝化纤维素等)、苯乙烯-丁二烯共聚物、各种合成橡胶系树脂、苯酚树脂、环氧树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、苯氧树脂、硅树脂、丙烯酸系树脂、尿素甲酰胺树脂等有机材料。
[0130] “在图像形成区域中与闪烁体层相接”是指，与闪烁体层直接地相接，在本发明中，优选在这样的图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层仅由金属氧化物构成。由于在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层仅由金属氧化物构成，从而能够提高闪烁体层和底涂层的附着性。此外，不与闪烁体层直接相接的底涂层也可以包含金属氧化物以外的物质。
[0131] 另外，在图像形成区域中与闪烁体层相接的底涂层表面的碳的原子数％优选为0.1％以下。碳的原子数％也能够通过与金属的原子数％同样的手法来测定。在像这样将碳原子数％调整为预定范围以下时，能够进一步提高闪烁体层与底涂层的附着力。关于碳量，支承体、闪烁体层、不与闪烁体层相接的底涂层、反射层中包含的粘合剂等来自于底涂层。
这样的底涂层表面的有机杂质能够通过所述表面处理、例如溅射蚀刻处理、高能量射线照射处理等来分解去除。
这样的底涂层表面的有机杂质能够通过所述表面处理、例如溅射蚀刻处理、高能量射线照射处理等来分解去除。
[0132] 另外，底涂层的厚度优选为20～400nm。在为400nm以下时，底涂层内的光散射变小，清晰性提高。另外，通过使底涂层的厚度在预定范围，能够防止荧光体的晶体生长中产生错乱。
[0133] 闪烁体面板的制造方法
[0134] 例如，通过在上述支承体上预先形成反射层以及底涂层之后，进行放电加工、溅射、紫外线照射处理，对荧光体材料进行蒸镀，形成闪烁体层，能够制造本发明的闪烁体面板。关于这样的处理方法，如上所述。
[0135] 通过将上述闪烁体面板与光电变换元件阵列组合，构成放射线检测器。也可以是在这样的放射线检测器中，包括在光电变换元件阵列与闪烁体层之间存在的、由至少一层以上的中间层构成的结构。
[0136] 中间层由在光电变换元件阵列与闪烁体层之间存在的至少一层以上构成。因此，中间层既可以是单层也可以是两层以上的多个层叠体。进而，中间层只要是在光电变换元件阵列与闪烁体层之间存在的结构，则也可以是功能不同的多个层。例如，可以举出粘接层、保护层、光学耦合层等。它们层叠的顺序没有特别限制。
[0137] 粘接剂层是接合闪烁体面板和光电变换元件的结构，最好是针对闪烁体层的发光波长透明的结构，以能够使通过放射线的照射在闪烁体层发出的光经由粘接剂层高效地到达光电变换元件。具体而言，粘接剂层的透射率针对闪烁体层的发光波长通常为70％以上、优选为80％以上、更优选为90％以上。
[0138] 作为构成上述粘接剂层的材料，优选为使用例如热熔片以及压敏性粘接片等。
[0139] 在此，热熔片是指，不包含水或者溶剂而在室温下是固体、将由非挥发性的热塑性材料构成的粘接性树脂(热熔树脂)成形为片状而得到的材料。热熔片是在插入到被粘体之间后，在熔点以上的温度下熔融，再到熔点以下的温度而固化，从而能够接合被粘体彼此的材料。
[0140] ·保护层
[0141] 保护层具有保护闪烁体层整体、抑制荧光体的劣化的作用。保护层既可以由有机材料构成，也可以由无机材料构成，还可以组合两方，进而还可以由两层以上的层叠物构成。此外，保护层中也包括具有抑制闪烁体层的劣化的作用的防湿保护层。
[0142] 例如，耐湿保护层由聚对二甲苯构成，但也可以由聚一氯对二甲苯、聚二氯对二甲苯、聚四氯对二甲苯、聚氟对二甲苯、聚二甲基对二甲苯、聚二乙基-对-亚二甲苯基等亚二甲苯系的材料构成。另外，也可以是由聚对苯二甲酸(PET)、聚甲基丙烯酸酯、硝化纤维素、醋酸纤维素、聚丙烯、聚萘二甲酸、聚脲、聚酰亚胺等构成的保护层。
[0143] 另外，保护层也可以是包含石墨、铁、铜、铝、镁、铍、钛、硅、铝和碳的复合材料、铜和碳的复合材料等金属或碳系无机材料、LiF、MgF2、SiO2、Al2O3、TiO2、MgO、ITO、玻璃(硅酸钠)或者SiN等非金属系无机材料的保护层。在包含无机材料的保护层的情况下，既可以由无机材料单独构成，并且也可以是包含无机材料和有机材料的保护层。作为保护层，优选为非金属系无机材料以及聚对二甲苯等亚二甲苯系高分子。
[0144] 为了使由闪烁体层变换而得到的可见光不扩散而需要保护层的厚度较薄，优选为50μm以下但不限定于此。
[0145] 保护层能够通过粘贴包含上述有机材料、无机材料的膜或者涂敷涂料来制作，在形成聚对二甲苯等耐湿膜的情况下，通过将形成有闪烁体层的支承体放入到CVD装置的蒸镀室，在聚对二甲苯升华的蒸气中曝光，能够得到用聚对二甲苯膜包覆闪烁体层和支承体的全部表面的放射线检测器。
[0146] ·光学耦合层
[0147] 光学耦合层具备使闪烁体层和光电变换元件粘附地相互贴合的功能。
[0148] 为了以使利用放射线的照射由闪烁体层变换而得到的可见光经由光学耦合层、光电变换元件面板的最表层而到达光电变换元件，光学耦合层为透明的，优选光的透射率为90％以上的高透射率。
[0149] 另外，为了使由闪烁体层变换而得到的可见光不扩散，光学耦合层的厚度需要较薄，优选为50μm以下、更优选为30μm以下。
[0150] 作为构成光学耦合层的成分，只要不损害本发明的目的，则没有特别限制，优选为热硬化树脂、热熔片、压敏性粘接片。
[0151] 作为热硬化树脂，可以举出以例如丙烯酸系、环氧系、硅系等为主成分的树脂。在其中，从低温热硬化的观点来看，优选为以丙烯酸系以及硅系等为主成分的树脂。在商用产品中，可以举出例如东丽道康宁(Dow Corning Toray)(株)制造的甲基硅酮系JCR6122等。
[0152] 光学耦合层也可以是热熔片。本发明中的热熔片是指，不包含水、溶剂而在室温下是固体，将由非挥发性的热塑性材料构成的粘接性树脂(以下为热熔树脂)成形为片状而得到的材料。在被粘体之间插入热熔片，在熔点以上的温度下使热熔片熔融之后，在熔点以下的温度下固化，从而能够经由热熔片将被粘体彼此接合。由于热熔树脂未包含极性溶媒、溶剂以及水，所以即使接触到具有潮解性的荧光体(例如由卤化碱构成的具有柱状晶体构造的荧光体)也不会使荧光体潮解，所以适合于接合光电变换元件和闪烁体层。另外，热熔片不包含残留挥发物，从而干燥所致的收缩小，间隙填充性、尺寸稳定性也优异。
[0153] 作为热熔片，具体而言，根据主成分，可以举出以例如聚烯烃系、聚酰胺系、聚酯纤维系、聚氨酯系、丙烯酸系、EVA系等树脂为基础的材料。在其中，从光透射性、粘接性的观点来看，优选为以聚烯烃系、EVA系、丙烯酸系树脂为基础的材料。
[0154] 光学耦合层也可以是压敏性粘接片。作为压敏性粘接片，具体而言，可以举出以丙烯酸系、聚氨酯系、橡胶系以及硅系等为主成分的材料。在其中，从光透射性、粘接性的观点来看，优选为以丙烯酸系以及硅系等为主成分的材料。
[0155] 在光学耦合层为热硬化树脂的情况下，通过在闪烁体层或者光电变换元件上旋涂、丝网印刷以及分配器(dispenser)等手法来涂敷光学耦合层。
[0156] 在光学耦合层为热熔片的情况下，通过在闪烁体层与光电变换元件之间插入热熔片并在减压下加热，形成光学耦合层。压敏性粘接片通过层压装置等被相互贴合。
[0157] 还能够将无机物用作光学耦合层，也可以使用如上所述的、MgF2、SiO2、Al2O3、玻璃(硅酸钠)等具有透明性的无机物。也可以层叠这样的包括无机物的光学耦合层和包括有机物的光学耦合层。
[0158] 光电变换元件阵列
[0160] 在此，在本发明中使用的光电变换元件阵列的结构虽然没有特别限制，但通常具有按照基板、图像信号输出层以及光电变换元件的顺序依次层叠的方式。其中，光电变换元件具有吸收由闪烁体层产生的光等并变换为电荷的形式的功能。在此，光电变换元件只要具有这样的功能，则可以具有任意的具体的构造。例如，在本发明中使用的光电变换元件能够构成为包括透明电极、被所入射的光激励并产生电荷的电荷产生层以及对置电极的结构。这些透明电极、电荷产生层以及对置电极都能够使用以往公知的例子。另外，在本发明中使用的光电变换元件也可以由合适的光电传感器构成，例如，既可以二维地配置多个光电二极管而成，或者也可以由CCD(Charge Coupled Devices，电荷耦合器件)、CMOS(Complementary metal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体)传感器等二维的光电传感器构成。
[0161] 另外，图像信号输出层具有积蓄通过上述光电变换元件得到的电荷并且进行基于所积蓄的电荷的信号的输出的功能。在此，图像信号输出层可以具有任意的具体的构造，例如，能够使用针对每个像素积蓄用光电变换元件生成的电荷的电荷积蓄元件即电容器和将所积蓄的电荷作为信号输出的图像信号输出元件即晶体管来构成。在此，作为优选的晶体管的例子，可以举出TFT(薄膜晶体管)。
[0162] 另外，基板是作为放射线检测器的支承体发挥功能的部件，能够做成与在上述本发明的放射线检测器中使用的支承体同样的结构。
[0163] 进而，光电变换元件能够还具备用于存储基于变换为电信号的X射线的强度信息以及位置信息的图像信号的存储器部、供应为了驱动光电变换元件面板而所需的电力的电源部、用于向外部取出图像信息的通信用输出部等构成公知的放射线检测器的光电变换元件面板可具有的各种零件。
[0164] 以上的放射线图像检测器能够应用于各种方式的X射线图像摄影系统。
[0165] [实施例]
[0166] 以下，通过实施例，详细说明本发明，但本发明不限定于此。
[0167] [实施例1]
[0168] 作为支承体，使用厚度125μm的聚酰亚胺膜(宇部兴产(株)制造的UPILEX-125S)。
[0169] 作为支承体，在厚度125μm的聚酰亚胺膜(宇部兴产制造的UPILEX-125S)上溅射铝来形成反射层(0.01μm)。
[0170] 准备SiO2标靶，通过RF磁控溅射法，在反射层上，形成厚度1μm的SiO2薄膜。在溅射2
时，作为溅射气体使用Ar，将气压设为3mTorr，在室温下施加1W/cm的电力进行成膜而制作出底涂层。
时，作为溅射气体使用Ar，将气压设为3mTorr，在室温下施加1W/cm的电力进行成膜而制作出底涂层。
[0171] 在形成底涂层之后，导入到处理室并抽真空至5×10-2torr以下之后，在导入氧气的同时进行排气，照射UV灯。
[0172] 接下来，如日本特开2014-167405号公报所示，设置到图2所示的蒸镀装置的基板持架，如下所述在底涂层的闪烁体形成预定面蒸镀荧光体，从而制作出形成有闪烁体层的闪烁体面板。
[0173] 如图2所示，蒸镀装置81具有箱形的真空容器82，在真空容器82的内部的底面附近，在以与蒸镀用基板84垂直的中心线为中心的圆的圆周上的相互面对的位置处，配置有真空蒸镀用的蒸镀源88a、88b。在蒸镀源88a、88b的上方，配置有保持蒸镀用基板84的持架85。在持架85配置有加热器(图示省略)。持架85构成为以使蒸镀用基板84的形成所述闪烁体层的面与真空容器82的底面对置、并且与真空容器82的底面平行的方式保持支承体84。
在持架85设置有使蒸镀用基板84与该持架85一起在水平方向上旋转的旋转机构86。旋转机构86包括支撑持架85并且使蒸镀用基板84旋转的旋转轴87以及配置于真空容器82的外部而作为旋转轴87的驱动源的马达(未图示)。在蒸镀装置81，除了上述结构以外，还在真空容器82配置有真空泵83。在蒸发源88a、88b与蒸镀用基板84之间，在水平方向上开闭自如地设置有切断从蒸发源88a、88b到达蒸镀用基板84的空间的闸门89。通过使该闸门89在蒸镀的初始阶段关闭，即使在收纳于蒸发源88a、88b的所述荧光体的表面上附着的目标物以外的物质在蒸镀的初始阶段蒸发，也能够防止它们附着到蒸镀用基板84。
在持架85设置有使蒸镀用基板84与该持架85一起在水平方向上旋转的旋转机构86。旋转机构86包括支撑持架85并且使蒸镀用基板84旋转的旋转轴87以及配置于真空容器82的外部而作为旋转轴87的驱动源的马达(未图示)。在蒸镀装置81，除了上述结构以外，还在真空容器82配置有真空泵83。在蒸发源88a、88b与蒸镀用基板84之间，在水平方向上开闭自如地设置有切断从蒸发源88a、88b到达蒸镀用基板84的空间的闸门89。通过使该闸门89在蒸镀的初始阶段关闭，即使在收纳于蒸发源88a、88b的所述荧光体的表面上附着的目标物以外的物质在蒸镀的初始阶段蒸发，也能够防止它们附着到蒸镀用基板84。
[0174] 首先，将荧光体原料(CsI)作为蒸镀材料，填充到电阻加热坩埚，作为蒸镀源。另外，在可旋转的持架上，以使反射层样品(蒸镀用基板)的支承体面接触到持架的方式来设置该反射层样品。将反射层样品(蒸镀用基板)与蒸发源的间隔调节为400mm。接下来，在将蒸镀装置内临时排气并导入Ar气体而将蒸镀装置内的真空度调整为0.5Pa之后，在按照10rpm的速度与持架一起使反射层样品(蒸镀用基板)旋转的同时，对持架进行加热，将反射层样品(蒸镀用基板)的温度保持为200℃。
[0175] 接下来，对电阻加热坩埚(蒸镀源)进行加热而将荧光体蒸镀到反射层样品(蒸镀用基板)的闪烁体形成预定面来形成闪烁体层，在闪烁体层的膜厚到了500μm时使蒸镀结束，得到在反射层样品(蒸镀用基板)的闪烁体形成预定面上形成有预定膜厚的闪烁体层的闪烁体面板。
[0176] 用TOF-SIMS来分析底涂层的闪烁体层界面处的表面组成的变化。其结果是，通过定量分析，确认到在底涂层的与闪烁体层相接的界面处(Si强度(在Mass＝28附近出现)/(O强度(在Mass＝18附近出现)+Si强度)相对其它底涂层的部位明确地减少。
[0177] 在形成闪烁体层之后，使基板温度临时冷却到室温以下，用扫描型电子显微镜SEM观察闪烁体层的剖面形状。其结果是，没有观察到膜剥离或龟裂等。
[0178] [实施例2]
[0179] 代替对底涂层的紫外线照射处理，而进行干蚀刻。蚀刻条件设为压力50mTorr、功率1200W、CHF3的流量70sccm、O2的流量50sccm。
[0180] 用TOF-SIMS来分析底涂层的闪烁体层界面处的表面组成的变化。其结果是，与实施例1同样地，确认到在底涂层的与闪烁体层相接的界面处(Si强度(在Mass＝28附近出现)/(O强度(在Mass＝18附近出现)+Si强度)相对其它底涂层的部位明确地减少。
[0181] 与实施例1同样地在形成闪烁体层之后，使基板温度临时冷却到室温以下，用扫描型电子显微镜SEM观察闪烁体层的剖面形状。其结果是，没有观察到膜剥离或龟裂等。
[0182] [实施例3]
[0183] 代替对底涂层的紫外线照射处理，进行氩溅射处理。溅射条件为激励光：MgKα、功率：400W、通能：17.90eV、数据点：0.05eV/step、取入方向：从样品法线方向以40°进行。
[0184] 与实施例1同样地，用TOF-SIMS来分析底涂层的闪烁体层界面处的表面组成的变化。其结果是，与实施例1同样地，确认到在底涂层的与闪烁体层相接的界面处(Si强度(在Mass＝28附近出现)/(O强度(在Mass＝18附近出现)+Si强度)相对其它底涂层的部位明确地减少。
[0185] 与实施例1同样地在形成闪烁体层之后，使基板温度临时冷却到室温以下，用扫描型电子显微镜SEM观察闪烁体层的剖面形状。其结果是，没有观察到膜剥离或龟裂等。
[0186] [比较例1]
[0187] 不进行实施例1～3所示的对底涂层的处理，与实施例1同样地形成闪烁体层。与实施例1同样地，用TOF-SIMS来分析闪烁体层界面处的表面组成的变化。其结果是，在底涂层的与闪烁体层相接的界面处(Si强度(在Mass＝28附近出现)/(O强度(在Mass＝18附近出现)+Si强度)相对其它底涂层的部位，处于相同的水平。与实施例1同样地在形成闪烁体层之后，使基板温度临时冷却到室温以下，用扫描型电子显微镜SEM观察闪烁体层的剖面形状。其结果是，由于热收缩，观察到膜剥离。
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