一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用
技术领域
[0001] 本
发明属于稀土离子晶体领域，特别涉及一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用。
背景技术
[0002] 闪烁材料是一种能吸收高能粒子或射线而发出可见
光子的材料，其中超快闪烁材料是指响应时间小于4ns(10-9s)的
闪烁体材料。此类材料在脉冲
辐射探测(Pulsed radiation detection)，太阳
中微子探测，和反应动
力学，惯性约束
核聚变，
宇宙射线研究中发挥着支柱性的作用。
[0003] 尽管不同的应用对闪烁体会提出不同的要求，但闪烁体在绝大多数应用中都被用于检测
电离辐射，所以要求闪烁体对电离辐射要有高的阻断能力，即要求闪烁体具有高
密度并含有
原子序数大的元素。氧化镥(Lu2O3)具有极高的密度(9.42g/cm3)，是目前已知的闪烁体中密度第二的基质材料，仅略低于氧化铪晶体HfO2(9.68g/cm3)。这使得它对各类射线(x射线、γ射线)的阻止本领相当高。
[0004] 表1超快闪烁体性能(按密度排序)
[0005]
[0006] 表1中是目前常见的按照密排序后超快闪烁体的性能。此外，作为稀土倍半氧化物晶体的一员，Lu2O3晶体还具有一系列优点：立方晶系、无双折射；
价带和导带间能带间隙很宽(6.5eV)，作为发光材料基体可容纳许多激活剂离子如Eu，Tb，Tm，Er等的发射能级，因此易实现各种稀土掺杂；高分凝系数；高热导率12.5-16.5W/mK；低声子
能量～430cm-1，低无辐射跃迁、高
量子效率。因此氧化镥作为闪烁体基质材料备受人们青睐。
[0007] 在超快闪烁应用领域，Ce3+离子是良好的闪烁体发光中心，通常可以实现0.2-1ns级的超快响应时间，并在在LYSO:Ce晶体有良好的商业应用。然而，氧化镥具有较强的原子屏蔽效应，无法使用Ce3+作为激活离子。因此，需要使用一种新型的激活离子才能发挥氧化镥的超快闪烁体基质的优势。
发明内容
[0008] 本发明的目的是为了解决
现有技术中没有合适的激活离子来发挥氧化镥的超快闪烁体基质的技术难题，本发明提供了一种氧化镥闪烁晶体制备方法，步骤为：
[0009] (1)按照化学通式(Lu1-xMxYby)2O3称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要
等静压成料饼或料棒，等静压压力为100-220Mpa，放入
马弗炉中
烧结，烧结
温度为1500-1780℃，恒温2-12小时，升降温速率75-120℃/h；
[0010] (2)选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，采用合适的晶体生长方法，选择等高熔点金属作为
坩埚；其中晶体生长温度为(2450±20)℃，籽晶接种温度为2480-2530℃，生长气氛为纯Ar气、(1-10％)H2+(90-99％)Ar、(0.1-1％)O2+(99-99.9％)H2中任一种。
[0011] 作为改进，步骤(2)晶体生长方法为浮区法，冷坩埚法，微下拉法，温提法，热交换法，下降法中任一种。
[0012] 作为改进，步骤(2)所述坩埚的金属为钨，铼，钽中任意一种，或上述金属材料的
合金。
[0013] 作为改进，晶体生长方法选用浮区法或冷坩埚法时，采用生长气氛还包括空气气氛或含有较高比例氧气分压的还原性气氛。
[0014] 作为改进，还包括步骤(3)，按照化学通式(Lu1-xMxYby)2O3中，氧化镱Yb2O3为氧化镥Lu2O3基质超快闪烁体中的发光中心；掺杂0.01-3％含量的氧化物材料来增强光产额，通式中以为代号，包括但不限于
氧化钙CaO，起始材料为CaCO3，氧化镁MgO，氧化镓Ga2O3中任一种。
[0015] 同时，还提供了上述制备的氧化镥晶体作为闪烁晶体的应用。。
[0016] 有益效果：本发明提供的一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，掺杂了Yb3+作为激活离子，将氧化镥的超快闪烁体基质的优势充分发挥出来，制备方法简单易操作，且制备的闪烁晶体
质量优良。
[0017] 上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照
说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳
实施例并配合
附图详细说明如后。
附图说明
[0018] 图1为本发明实施例1中Lu2O3
晶体结构示意图。
[0019] 图2为本发明实施例1中Lu2O3晶体在
X射线激发下
荧光发光。
[0020] 图3为本发明实施例1中Lu2O3晶体在241Am激发下340nm闪烁发光的
荧光寿命(响应时间)。
具体实施方式
[0021] 下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0022] 其中晶体生长温度为(2450±20)℃，籽晶接种温度为2480-2530℃，[0023] 实施例1
[0024] (1)配制料
块：采用纯度为99.99％的Yb2O3和Lu2O3作为初始原料，并按摩尔比0.5：99.5进行配料。原料经过充分球磨混合后用等静压机压制成料饼，等静压压力为100Mpa，装入氧化
铝陶瓷坩埚投入马弗炉中进行烧结。烧料温度为1780℃，恒温2小时，升降温速率120℃/h。
[0025] (2)晶体生长：使用温梯法进行晶体生长，将原料投入铼金属坩埚内，籽晶接种温度为2480℃，采用纯Ar气体保护。升温至2500℃并开始降温，当降至2450℃左右时开始形成晶体，并持续生长。生长过程分两个阶段，高温区的生长时间为100小时。之后进入原位
退火阶段，经过100小时退火，充分消除晶格内的位错及热
应力。
[0026] (3)所获晶体为无色透明。在X射线激发发光，设置28-30kV
加速电压、8.5-10keV的X-ray激发下，出现340nm的荧光发光。响应时间为0.67-0.79ns，占比90.8％，慢成分响应时间为2.53-2.56ns，占比92％。
[0027] 实施例2
[0028] (1)配制料块：采用纯度为99.99％的Yb2O3和Lu2O3作为初始原料，并按摩尔比0.5：99.5进行配料。原料经过充分球磨混合后填充入条形气球中，并用等静压机压制成料棒，等静压压力为220Mpa，装入氧化铝陶瓷坩埚投入马弗炉中进行烧结。烧料温度为1780℃，恒温
12小时，升降温速率75℃/h。料棒高温
煅烧后或形成一定程度弯曲，需打磨加工至无弯曲。
[0029] (2)晶体生长：使用浮区法进行晶体生长，将原料装入高温浮区炉内，升功率至料棒
熔化，经过对接，缩径，扩径，等径，拉脱等工艺过程，生长完毕。生长速率未5mm/，上下料棒转速5rad/s，总生长时间为10小时。晶体取出后放入马弗炉退火以消除应力，经过12小时退火，充分消除晶格内的位错及
热应力。
[0030] (3)所获晶体为无色透明。在X射线激发发光，设置28-30kV加速电压、8.5-10keV的X-ray激发下，出现340nm的荧光发光。
[0031] 实施例3
[0032] (1)配制料块：采用纯度为99.99％的CaCO3，Yb2O3和Lu2O3作为初始原料，并按摩尔比0.1：0.4：99.5进行配料。原料经过充分球磨混合后用等静压机压制成料饼，等静压压力为175Mpa，装入氧化铝陶瓷坩埚投入马弗炉中进行烧结。烧料温度为1650℃，恒温10小时，升降温速率100℃/h。
[0033] (2)晶体生长：使用下降法进行晶体生长，将原料投入铼金属坩埚内，籽晶接种温度为2500℃，采用纯Ar气体保护。升温至2500℃并开始降温，当降至2430℃左右时开始形成晶体，并持续生长。生长过程分两个阶段，高温区的生长时间为100小时，此时下降速率为0.1mm/h。之后进入原位退火阶段，经过48小时退火，充分消除晶格内的位错及热应力。
[0034] (3)所获晶体为无色透明。在X射线激发发光，设置28-30kV加速电压、8.5-10keV的X-ray激发下，出现340nm的荧光发光。
[0035] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明
专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干
变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附
权利要求为准。
