一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
专利汇可以提供一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种金属-多层绝缘体-金属电容器（MOM）的制作方法，其中：在衬底上沉积第一低K值介质层；采用沉积和含 氧 气体处理循环方式，在第一低K值介质层上沉积氮化 硅 层，其包括MOM区域的第一氮化硅层和非MOM区域的第二氮化硅层； 刻蚀 第二氮化硅层；在非MOM区域的上方沉积第二低K值介质层； 光刻 第一氮化硅层，形成第一金属槽，并且减薄第一氮化硅层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一氮化硅层表面沉积氧化硅层，并且刻蚀 水 平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；刻蚀第二低K值介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。本发明改善了电容器的各电特性并提高了电学均匀性。，下面是一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域；
采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数介质层上沉积一层氮化硅层，所述氮化硅层包括金属-氧化物-金属区域的第一氮化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氮化硅层；
刻蚀去除所述第二氮化硅层；
在所述非金属-氧化物-金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数介质层；
在所述第一氮化硅层上进行光刻图案化工艺，在所述第一氮化硅层中形成第一金属槽，并且对所述第一氮化硅层进行刻蚀，在水平方向上减薄所述第一氮化硅层；
采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一氮化硅层表面沉积一层氧化硅层，并且刻蚀所述氧化硅层去除水平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；
刻蚀所述第二低介电常数介质层，形成第二金属槽；
向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。
2.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳和二氧化碳。
3.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，含氧气体处理的气体流量在2000至
6000sccm，处理温度为300℃至600℃。
4.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，所述沉积步骤采用等离子体增强型化学气相沉积工艺。
5.如权利要求4所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在沉积氧化硅的步骤的采用等离子体增强型化学气相沉积工艺中，其反应气体包括硅烷和一氧化二氮，其中，所述硅烷的流量在25sccm至600sccm，所述一氧化二氮的流量为9000sccm-20000sccm,所述硅烷和所述一氧化二氮的流量之比的取值范围为1:15至
1:800，成膜速率为10纳米/分钟至5000纳米/分钟。
6.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在沉积氮化硅的步骤中，采用等离子体增强型化学气相沉积工艺，其反应气体包括硅烷和氨气，在等离子体环境中进行反应生成氮化硅薄膜。
7.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，每次氮化硅或氧化硅的沉积厚度为1纳米至10纳米。
8.如权利要求1所述的金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其特征在于，进行金属填充工艺步骤中包括进行铜互连工艺的铜的扩散阻挡层沉积、铜电镀、铜金属层化学机械研磨工艺步骤。
一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
提供一衬底；
在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域；
采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数（低K值）介质层上沉积一层氮化硅层，所述氮化硅层包括金属-氧化物-金属区域的第一氮化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氮化硅层；
刻蚀去除所述第二氮化硅层；
在所述非金属-氧化物-金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数（低K值）介质层；
在所述第一氮化硅层上进行光刻图案化工艺，在所述第一氮化硅层中形成第一金属槽，并且对所述第一氮化硅层进行刻蚀，在水平方向上减薄所述第一氮化硅层；
采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一氮化硅层表面沉积一层氧化硅层，并且刻蚀所述氧化硅层去除水平方向上的氧化硅，形成氧化硅-氮化硅-氧化硅结构；
刻蚀所述第二低介电常数（低K值）介质层，形成第二金属槽；
向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。
附图说明
具体实施方式
步骤S2：在第一低介电常数层2的表面沉积一层氮化硅层3，该氮化硅层3包括在第一氮化硅层31，其位于金属-氧化物-金属（MOM）区域21以及第二氮化硅层32，其位于非金属-氧化物-金属（非MOM）区域。在此步骤中，采用等离子体增强型化学气相沉积方法和含氧气体处理方法循环进行的方式，进行氮化硅3的沉积，即首先采用等离子体增强型化学气相沉积方法沉积氮化硅3，然后采用含氧气体处理方法进行处理，然后再进行等离子体增强型化学气相沉积方法沉积氮化硅3，其后，再进行含氧气体处理，如此循环进行，直至达到所需要的氮化硅层3，氮化硅层3通过在等离子体反应腔室中通过硅烷和氨气，并且以N2作为载入气体，进行反应生成氮化硅，形成该氮化硅层3。
步骤S5：根据金属-氧化物-金属电容器的图形，刻蚀第一氮化硅层31，在第一氮化硅
31中形成第一金属槽311，该第一金属槽311可以为多个均与排列在该第一氮化硅层31中的金属槽，此步骤还包括在水平方向上减薄第一氮化硅层31，即减小该第一金属槽311之间的第一氮化硅层31的宽度。
41；
步骤S7：向第一金属槽311和第二金属槽41进行金属填充工艺，向第一金属槽311和第二金属槽41填充金属6。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 过氧化氢等离子体增强灭菌器 | 2020-05-12 | 564 |
| 双等离子体超薄隐埋氧化 | 2020-05-12 | 834 |
| 一种过氧化氢等离子体灭菌指示方法 | 2020-05-12 | 11 |
| 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 | 2020-05-11 | 390 |
| 一种排级式等离子体裂解氧化反应器 | 2020-05-13 | 503 |
| 等离子体喷涂的氧化铝层 | 2020-05-13 | 645 |
| 电离过氧化氢综合等离子体灭菌设备 | 2020-05-12 | 157 |
| 使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻 | 2020-05-12 | 701 |
| 一种射频等离子体氧化氮化设备 | 2020-05-12 | 357 |
| 一种微等离子体氧化处理装置 | 2020-05-11 | 703 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
