在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法
专利汇可以提供在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种在栅 氧 生长工艺流程中减小 浅沟槽隔离 边缘漏电的方法，它不但可以减小STI边缘漏电，并且可以节省 热预算 。所述的栅氧生长工艺流程至少包括以下步骤：牺牲氧化层生长；阱注入； 热处理 ；栅氧生长；其中，它将利用 等离子体 化学气相沉积 方法生长的 二氧化 硅 作为所述的牺牲氧化层。利用等离子体化学气相沉积的 二氧化硅 更容易被HF 刻蚀 的原理，从而大大减短了在栅氧生长之前的HF处理时间，减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小 角 的影响，达到获得较小STI边缘漏 电流 的效果；同时，也利用等离子体化学气相沉积的二氧化硅的 温度 更低的原理，节省了热预算，并有助于减小 硅片 的静态 漏电流 。，下面是在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法专利的具体信息内容。
技术领域
本发明涉及一种在半导体工艺流程中减小浅沟槽隔离(STI)边缘 漏电，尤其涉及一种在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏 电的方法。
背景技术
在现有的半导体工艺流程中，尤其像如图1现有栅氧生长工艺流 程示意图所示。在栅氧生长之前，都会有N阱和P阱注入等，为了 防止在注入过程中对硅片的过度损伤并有效控制注入过程中杂质的 注入深度，在阱注入之前都会用先生长一层牺牲氧化层。生长完牺牲 氧化层并完成N阱和P阱注入之后，在栅氧生长之前，为了获得高 质量的栅氧，都必须进行较长时间的HF(氢氟酸)处理，彻底去除 硅片表面可能残余的二氧化硅。但是过长时间的HF处理，STI顶部 边缘的二氧化硅经过其后的多次HF湿法刻蚀后，就会产生较深的小 角1，如图2用圆圈所标示。
发明内容
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种在栅氧生长工艺流程 中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法，所述的栅氧生长工艺流程至少包 括以下步骤：牺牲氧化层生长；阱注入；热处理；栅氧生长；其中， 它将利用等离子体化学气相沉积方法生长的二氧化硅作为所述的牺 牲氧化层。
因为本发明用等离子体化学气相沉积(CVD)的二氧化硅作为N 阱、P阱注入之前的牺牲氧化层，取代传统的用炉子生长的热二氧化 硅作为牺牲氧化层，利用等离子体化学气相沉积的二氧化硅更容易被 HF刻蚀的原理，从而大大减短了在栅氧生长之前的HF处理时间， 减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小角的影响，达到获得较小 STI边缘漏电流的效果。同时，也利用等离子体化学气相沉积的二氧 化硅的温度更低的原理，节省了热预算，并有助于减小硅片的静态漏 电流。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步阐述。
图1是现有栅氧生长工艺流程示意图；
图2是现有工艺流程中的STI顶部边缘的小角的状况效果图；
图3是本发明栅氧生长工艺流程示意图；
图4是本发明工艺流程中的STI顶部边缘的小角的状况效果图。
具体实施方式
本发明中，等离子体化学气相沉积二氧化硅的温度在300～450 ℃之间，这个温度要比传统的用炉子生长热二氧化硅的温度要低很 多，传统的用炉子生长热二氧化硅的温度一般在800～1200℃之间； 此外，等离子体化学气相沉积二氧化硅的时间在3分钟以内，要远远 少于传统的用炉子生长热二氧化硅的时间，传统的用炉子生长热二氧 化硅的时间其温度高于800℃的时间一般在0.5～1.5小时之间。
可见，用新工艺流程比原工艺流程的热预算要少许多，有助于减 小由于长时间高温的热处理可能造成的由于应力等诸多因素而造成 的硅片静态漏电流。
用1∶100的氢氟酸对等离子体化学气相沉积的二氧化硅和传统 的用炉子生长的热二氧化硅的刻蚀速率的研究表面，等离子体化学气 相沉积的二氧化硅的刻蚀速率要比用炉子生长的热二氧化硅的刻蚀 速率快3～6倍。可见，假定对新工艺和原工艺在栅氧生长之前的HF 刻蚀以相同的过刻程度，新工艺HF刻蚀的时间是原工艺的1/6～1/3。 大大减小了该步HF刻蚀对STI顶部边缘小角的影响，从而达到获得 较小STI边缘漏电流的目的。
结合附图2、4来看，图2是现有工艺流程中的STI顶部边缘的 小角1的状况效果图，图4则是本发明工艺流程中的STI顶部边缘的 小角2的状况效果图，对比附图用圆圈所标示出的小角1、2可知， 本发明工艺流程中的顶部边缘的小角2较浅，由此可以更加有助于获 得更小的STI边缘漏电流的效果。
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