含氯的氧化镁粉末
专利汇可以提供含氯的氧化镁粉末专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 氧 化镁粉末，其当被由Xe气体的气体放电而产生的紫外 光激发 时，高效率地放出 波长 为250nm附近的紫外光。含氯的氧化镁粉末的氯含量范围为0.005～10 质量 ％，除氯以外的总量中氧化镁的纯度为99.8质量％以上、且BET 比表面积 在0.1～30m2/g范围。，下面是含氯的氧化镁粉末专利的具体信息内容。
1. 一种含氯的氧化镁粉末，其中，在0.005～10质量％范围含有氯，除氯之外的总量中氧化镁纯度为99.8质量％以上，且BET比表面积在0.1～30m2/g范围。
2、 如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末，其中，氯含量在0.01〜10质量％的范围。
3、 如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末，其中，氧化镁的纯度为99.9 质量％以上。
4、 如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末，其中，BETt:该面积在0.2〜 12m"g的范围。
5、 如权利要求1〜4中任一项所述的含氯的氧化镁粉末，其中，其用于形 成于交流型等离子体显示器面板的电介质保护层的放电空间侧的表面的紫外光 放出层的制造。
6、 如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末的制造方法，其特征在于， 将氧化镁乡艘为99.95质*%以上且BET比表面积在5〜150 m2/g范围的氧化镁原料粉末，或#^过烧成生成该氧化镁原料粉末的、氯化镁粉末以外的镁 化合物粉末，在氯源«下#含氯的气体氛围下，在85(TC以上的温度下«。
7、 如权利要求6所述的制造方法，其中，氧化镁原料粉末或者謝七^tl粉 末在纯度为99.0质《%以上的氯化^^末存在下烧成。
8、 如权利要求6所述的制造方法，其中，氧化镁原料粉棘者謝七，粉 末的'«^^在1000〜150(TC范围。
9、 如权利要求6所述的制造方法，其中，氧化镁原料粉棘者镁化合物粉 末的烧成时间在10射中以上。
含氯的氧化镁粉末技术领域本发明涉及一种含氯的氧化镁粉末。 背景技术交M等离子体显示面板（以下简称AC型PDP) —般包括作为图像显示 板的前面板和夹有充满放电气体的放电空间并对置的背面板。前面板包括前面 玻璃基板、前面玻璃«上形成的一对放电电极、为覆盖放电电极形成的电介 质层、以及在电介质层表面形成的电介质保护膜。背面板包括背面玻璃基板、 背面玻璃基板上形成的地址电极、覆盖背面玻璃基板和地址电极形成的用于区 分放电空间的隔板、以及在隔板表面形成的赤、绿、青的荧光体层。放电气体一般应用Xe (氙）和Ne (氖）的混^H体。此混^H中Xe是放 电气体，Ne是缓冲气体。在电介质{尉户层的形成材料中，为了降低AC型PDP的工作电压，保护电 介质层不受在放电空间生成的等离子的影响，广泛使用二次放电系数高、« 射性优良的氧化镁。在AC型PDP中，为了达到提高发光效率的目的一直以^it行着如下探沐 在电介质保护层的放电空间侧的表面设置紫外光放出层，该紫外光放出层利用 由放电气体生成的紫外光被激发而放出在波长230〜250 nm之间具有峰值波长 的紫外光，从而利用放电气体放出的紫外光和紫外光放出层放出的紫外光，激 发荧光体层的荧光体，由此提高荧光体层的发光效率。例如专利文献l中公开有AC型PDP，该AC型PDP禾,働B热产生的蒸 t^51气相氧化法而生成的、经BET法测定的平均粒子直径为500埃以上、优 选2000埃以上的气相法氧化,美单晶体而形成紫外光放出层，将所形成的紫外光 放出层形鹏电介质保护层的放电空间侦啲表面上。专利文献1:日本特开2006~59786号公报 发明内容本发明的目的在于提供一种氧化镁粉末，，AC型PDP等的气体放电发光装置的电介质f尉户层上形成，当利用由氤气的气体放电生成的紫外光激发时，高效率地放出波长在250證附近的紫夕卜光。本发明人发现，将纯度99.95质*%以上且BET比表面积在5〜150 m2/g 范围的高纯度氧化镁粉末，或者经«生成该氧化镁粉末的镁化合物粉末（其 中，氯化^^末除外)，通过在氯源存在下或含氯的气体氛围下，在85(TC以上 的》驢下烧成，可以制造含氯为0.005〜10质1%范围、除氯之外总量中氧化镁 纯度为99.8质«%，且BET t據面积为0.1〜30 m2/g范围的含氯的氧化^^末; 而且该含氯的氧化镁粉末被由氤气的放电气体生成的紫外光麟时，高效率放 出波长为250腦Pf銜的紫外光，从而完成本发明。因此，本发明涉及一种含氯的氧化镁粉末，其中，在0.005〜10质塾/。的范 围含有氯、除氯之外总量中氧化镁纯度为99.8质量％以上且BET比表面积为 0.1〜30m2/g的范围。本发明的含氯氧化镁粉末雌的方式如下。(1) 氯含量为0.01〜10质量％的范围。(2) 氧化镁纯度为99.9质*%以上。(3) 8£1^该面积为0.2〜121!12/8的范围。(4) 用于制造在交流型等离子体显示面板的电介质保护层的放电空间侧的表面 上形成的紫外光放出层。本发明还涉及一种，本发明的含氯的氧化镁粉末的制造方法，其特征在 于，将氧化镁纯度为99.95质1%以上、且BET比表面积为5〜150m2/g范围的 氧化md料粉末，或者经烧成生成该氧化镁原料粉末的、除氯化镁粉末外的镁 化合物粉末，在氯源存在下或含氯气体氛围中在85(TC以上的纟鹏下烧成而成。本发明的含氯的氧化镁粉末的制造方^m的方式如下。(1) 将氧化镁原料粉末或镁化合物粉末在纯度为99.0质》%以上的氯化镁粉末 存在下烧成。(2) 氧化镁原料粉末或徵七合物粉末的«温度为1000〜1500。C范围。(3) 氧化镁原料粉末或镁化合物粉末的«时间为IO併中以上。 本发明的含氯的氧化镁粉末当利用由氤气的放电气体生成的紫外光激发时，高效率地放出波长250nmPf跑的紫外光。因而，ilil将由本发明的含氯的 氧化镁粉末制造的氧化鄉配置在AC型PDP或者荧光灯等气体放电发光装置的放电空间内，增加放出至倣电空间内的紫外光的光量，由此增加从气体放电 发光装置放出的可见光的光量。由本发明的含氯的氧化镁粉末制造的氧化f纖作为在AC型PDP电介质保护层的放电空间侧表面形成的紫外光放出层是特别 有用的。另外，通别顿本发明的律隨方法可以在工业上有效地制造紫外光放 出效率高的氧化镁粉末。 具体实施方式本发明的含氯的氧化镁粉末在o.oo5〜io质fiy。的范围含有氯。氯含量im 0.0l质fir。以上，更«0.1质1%以上。除去含氯的氧化镁粉末中含有的氯的氧化镁的纯度为99.8质*%以上、雌99.9质*%以上。另外，氧化镁纯度可 以根齢氯的氧化镁粉末的全部量作为濯时除掉氯、镁和氧的杂质元素（相 对含氯的氧化镁粉末的，量含有0.001质量％以上）的总含ftS氯含量，由下 述公式计算出来。氧化镁纯度（质量％) =[1—杂质元素的总含量（质量％) / UOO-氯含量（质*%)} ]x100本发明的含氯的氧化镁粉末的BET t该面积在0.1〜30 m2/g的范風« 在0.2〜121112/§的范围。本发明的含氯的氧化镁粉末可以舰如下进，彌腊:将氧化傲屯度为99.95 质1%以上、BET比表面积在5〜150 m2/g的范围，雌在7〜50 m2/g的范围的 氧化镁原料粉末、或者经烧成生成该氧化镁粉末的镁化合物粉末（其中除了氯 化镁粉末)，在氯源存在下或含氯的气体氛围下在85(TC以上的温度下烧成。本发明的含氯的氧化镁粉末im禾,将氧化镁原料粉末或者镁化^ti粉末在氯源存在下烧成的方法进行制造。当将氧化镁原料粉末在氯源存在下或者含氯的气体氛围下，在85(TC以上 的^^下«时，得到的含氯的氧化镁粉末与氧化镁原料粉斜目比BET比表面 积附氏。因此含氯的氧化镁粉末的BET t:该面积相对于氧化m^料粉末的BET t该面积通常在1〜50%范围，雌2〜30%范围，在本发明中如前戶腿，BET t:该面积在0.1〜30 m2/g的范围，特别雌在0.2〜12 m2/g的范围。用于制造含氯的氧化镁粉末的制造的氧化镁原料粉末雌由气相合成氧化法制造的氧化镁粉末。所谓的气相合成氧化法就是使金属镁蒸汽和含氧的气体 在气相中接触，條属镁蒸汽氧化而制錄化镁粉末的方法。本发明使用的樹七合物粉末,在低于850。C的温度下烧成，生成具有如 前所述的氧化镁纯度和t:该面积的氧化镁原料粉末。作为镁化合物粉末的例子， 例如有：氢氧化镁粉末、碱性碳酸镁粉末、硝勝美粉末以及醋勝美粉末。镁化 合物的制法没有特别限制。作为氯源例如有氯化镁粉末以及氯化铵粉末。氯源的纯度iM99.0质5% 以上。氯源雌在进行烧成前预先与氧化镁原料粉末粉末或镁化合物粉末进行 均匀地混合。作为含氯的气体例如有：氯化氢气体、或将氯化铵粉末、氯化镁粉棘者 含氯的有机化合物（CHC13、 CCL(等）加热使其气化生成的气体。本发明中，氧化镁原料粉末或者f美化合物粉末在氯源存在下或在含氯的气 体氛围中«时的«^^为85(TC以上。通常升温fffi为100〜500。C/小时的 ^f牛下，从室温加热到850。C以上、,900〜1500。C，特别优选1000〜1500°C 的》鹏，然后，tt^在该纟驢下加热烧成10併中以上、特别« 20射中〜1 小时。烧成后，通常在降^3I度为100〜50(TC/小时的^f牛下y賴卩至室温。本发明的含氯的氧化镁粉末中，为了提高放电特性，可以添加镁以外的金 属。在本发明的含氯的氧化镁粉末中添加的金属有：锌、铝、硅、钙、锶、钡、 钛、锆、铪、钒、铌、组、铬、钼、钩、锰、铁、钴、钪、紀、镧、铈、钕、 钐、铕、镉、以及镝。镁以外的金属例如可以以氧化物、碳鹏、硝離在本 发明的含氯的氧化镁粉末的帝隨时添加，金属添加量雌相对含氯的氧化镁粉末总量在o.ooi〜10质ay。范围、特别雌o.01〜1质*%范围。本发明的含氯的氧化^^末可以采用喷雾法或静电^^布法等公知的方法制成氧化鄉。 实施例 实施例1(烧成物1号〜7号的制造）由气相合成氧化法制造的氧化f美（MgO)粉末（2000A、宇部^云y (株）出品、纯度:99.98质fir。、BET比表面积:8.7 m2/g)和氯化镁(MgCl2 «6H20) 粉末（纯度：99.0质*%)按下表1所示的量进行混合，得至'J粉末混合物。将得到的粉末混合物SA到容量25 mL氧化铝柑埚内，氧化铝坩埚加盖后放至盹 炉中，以24(rC/小时的升^it度将炉内^^升至1200'C，然后在该》鹏下加热 烧成30併中。然后，炉内温度以24(TC/小时降ia^度冷却至室温。从电炉内取 出氧化铝柑埚，得至微末混合物的烧« 1号〜7号.表l
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