等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁
专利汇可以提供等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及 等离子体 处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁。具体地， 半导体 等离子体处理装置包括在其中处理半导体衬底的 真空 室、与该真空室 流体 连通以将工艺气体供给到所述真空室中的工艺气体源、以及适于在真空室中将工艺气体激励成等离子体状态的RF 能量 源。该装置还可包括室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中等离子体兼容液体流经暴露于等离子体的表面从而在暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。液体供给器将等离子体兼容液体输送到室壁。，下面是等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁专利的具体信息内容。
1.一种半导体等离子体处理装置，其包括：
真空室，在其中处理半导体衬底；
工艺气体源，其与所述真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中；
RF能量源，其适于在所述真空室中将所述工艺气体激励成等离子体状态；
室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中所述液体被供给到所述暴露于等离子体的表面的一部分并流经所述暴露于等离子体的表面，其中流动的所述等离子体兼容液体在所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层；以及
液体供给器，其将所述等离子体兼容液体输送到所述室壁。
2.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中
(a)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的液体进给通路，其中所述液体进给通路构造来将所述液体分送到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的上部使得所述液体流动到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的下部从而在所述暴露于等离子体的表面上形成所述流动的保护性液体层；
(b)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的分送通道，其中所述分送通道与所述室壁中的液体进给通路流体连通使得所述分送通道能够使所述液体穿过所述液体进给通路供给到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；
(c)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的分送通道，其中所述液体被配置为从所述分送通道溢流出使得所述分送通道能够将所述液体供给到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；
(d)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的液体流入通道和液体流出通道，其中所述液体流入通道和所述液体流出通道与所述室壁中的分送通道流体连通使得供给到所述室壁的所述液体能够往来于所述室壁循环；和/或
(e)用于供给所述液体的所述机构包括所述室壁中的液体进给通路，其中所述液体进给通路构造来将所述液体分送到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的一部分，其中所述室壁被转动使得所述液体流经所述室壁的所述暴露于等离子体的表面从而在所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。
3.如权利要求2所述的半导体等离子体处理装置，其中
(a)所述室壁是多孔陶瓷而所述液体进给通路是所述多孔陶瓷的孔，且所述孔被构造来将所述液体输送穿过所述多孔陶瓷的所述孔到达所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；或者
(b)所述室壁是金属材料而所述液体进给通路是成图案的毛细管大小的洞，所述毛细管大小的洞被构造来将所述液体输送到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面。
4.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中
(a)所述室壁的所述暴露于等离子体的表面是倾斜表面；
(b)所述室壁的所述暴露于等离子体的表面是竖直表面；
(c)所述室壁是室衬；
(d)所述室壁包括液体收集盘；
(e)所述室壁由铝、铝合金、氧化铝、矾土、不锈钢、氧化硅、石英、硅、碳化硅、YAG、氧化钇、氟化钇、氧化铈、氮化铝、石墨或者它们的组合物制成；
(f)所述室壁包括其暴露于等离子体的表面上的微槽，其中所述微槽均匀地分送供给到所述暴露于等离子体的表面的所述液体使得所述液体形成连续的流动的保护性液体层；
和/或
(g)所述室壁包括其暴露于等离子体的表面上的肋状物，其中所述肋状物分送供给到所述暴露于等离子体的表面的所述液体使得所述液体形成连续的流动的保护性液体层。
5.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中
(a)所述装置是电感耦合等离子体处理装置；
(b)所述装置是电容耦合等离子体处理装置；
(c)所述装置是电子回旋共振等离子体处理装置；
(d)所述装置是螺旋波等离子体处理装置；或者
(e)所述装置是微波等离子体处理装置。
6.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中
(a)所述等离子体兼容液体以预定压强储存在所述液体供给器中，使得所述液体供给器和所述真空室中的真空压强之间的压差促使所述液体流入朝着所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的所述液体进给通路，其中所述预定压强能够被控制使得所述室壁的所述暴露于等离子体的表面上的所述液体层的厚度能够被维持在预定厚度；和/或(b)所述液体供给器包括泵，其中所述泵配置来将所述等离子体兼容液体向所述室壁的所述暴露于等离子体的表面泵送使得所述室壁的所述暴露于等离子体的表面上的所述液体的厚度能够被维持在预定厚度。
7.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中所述室壁是法拉第屏障，其中所述法拉第屏障包括：
(a)倾斜的暴露于等离子体的表面；
(b)竖直的暴露于等离子体的表面；
(c)上部的暴露于等离子体的表面；
(d)下部的暴露于等离子体的表面；
(b)所述法拉第屏障包括其暴露于等离子体的表面上的微槽，其中所述微槽均匀地分送供给到所述暴露于等离子体的表面的所述液体使得所述液体形成连续的流动的保护性液体层；
(c)所述法拉第屏障包括液体收集盘；和/或
(d)所述法拉第屏障包括其暴露于等离子体的表面上的肋状物，其中所述肋状物分送供给到所述暴露于等离子体的表面的所述液体使得所述液体形成连续的流动的保护性液体层。
8.如权利要求1所述的半导体等离子体处理装置，其中
(a)所述等离子体兼容液体是能够流动的氧化物前驱体；
(b)所述等离子体兼容液体是硅酮基液体；
(c)所述等离子体兼容液体是离子流体；
-6
(d)所述等离子体兼容液体在约20℃具有低于约10 托的蒸气压；
(e)所述等离子体兼容液体是全氟聚醚；
(f)所述等离子体兼容液体具有约800至5,000g/mol的分子量；
(g)所述等离子体兼容液体具有大于约1,000g/mol的分子量；
(h)所述等离子体兼容液体选自由苯甲基硅氧烷、组成的群组。
9.一种室壁，在其暴露于等离子体的表面上包括流动的保护性液体层，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到所述室壁的暴露于等离子体的表面的机构，其中所述液体被供给到所述暴露于等离子体的表面的一部分并流经所述暴露于等离子体的表面，其中流动的所述等离子体兼容液体在所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。
10.一种用于将等离子体兼容液体输送到等离子体处理装置的真空室的液体输送组件，其包括：
第一液体供给器，其中该第一液体供给器与所述真空室的出口、第一真空泵、第二液体供给器、气体供给器以及测压器流体连通，其中第一隔离阀位于所述第一液体供给器和所述室的所述出口之间，第二隔离阀位于所述第一液体供给器和所述第二液体供给器之间，且第三隔离阀位于所述第一液体供给器和所述气体供给器之间；
其中所述第二液体供给器与所述气体供给器、第二真空泵、第二测压器以及所述真空室的入口流体连通，其中第四隔离阀位于所述第二液体供给器和所述气体供给器之间且第五隔离阀位于所述第二液体供给器和所述真空室的所述入口之间；
其中所述第一液体供给器能够在所述第一隔离阀处于打开位置时从所述室接收液体，所述第一液体供给器能够在所述第二隔离阀处于打开位置时输送液体到所述第二液体供给器，且其中所述第二液体供给器和所述室之间的压差能够在所述压差大到足够克服所述第二液体供给器中的重力时促使所述液体穿过过滤器到所述室。
11.一种在真空室中处理半导体衬底的同时在等离子体处理装置中的室壁的暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层的方法，所述方法包括将等离子体兼容液体从液体供给器供给到所述室壁的一部分并使所述液体流经所述室壁的所述暴露于等离子体的表面以在所述室壁的所述暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层，同时在所述真空室中等离子体处理所述半导体衬底。
12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括
(a)控制所述液体供给器和所述真空室之间的压差使得所述液体供给器和所述真空室之间的压差促使所述室壁中的液体进给通路中的所述液体流向所述暴露于等离子体的表面，其中所述压差促使所述液体流向所述室壁的所述暴露于等离子体的表面使得预定厚度的所述流动的保护性液体层在所述半导体衬底的处理过程中被维持在所述室壁上；
(b)将所述液体供给器中的所述液体向所述室壁的所述暴露于等离子体的表面泵送且在所述半导体衬底的处理过程中维持预定厚度的所述液体层流经所述暴露于等离子体的表面；或者
(c)控制所述液体供给器和所述真空室之间的压差使得所述液体供给器和所述真空室之间的压差促使所述室壁中的分送通道中的所述液体溢流到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面上，其中所述压差使所述液体溢流到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面上使得预定厚度的所述流动的保护性液体层在所述半导体衬底的处理过程中被维持在所述室壁上。
13.如权利要求11所述的方法，其中
(a)让所述等离子体兼容液体流经所述室壁的所述暴露于等离子体的表面使得所述流动的保护性液体层具有约1到5,000微米的厚度；
(b)让所述等离子体兼容液体流经所述室壁的所述暴露于等离子体的表面使得所述流动的保护性液体层具有约100微米或更大的厚度；
(c)将所述等离子体兼容液体供给到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面中的微槽使得供给到所述室壁的所述暴露于等离子体的表面的所述液体由所述微槽引导并形成连续的流动的保护性液体层；
(d)所述等离子体兼容液体是能够流动的氧化物前驱体；
(e)所述等离子体兼容液体是离子流体；
-6
(f)所述等离子体兼容液体在约20℃具有低于约10 托的蒸气压；
(g)所述等离子体兼容液体是全氟聚醚；
(h)所述等离子体兼容液体具有约800至5,000g/mol的分子量；和/或
(i)所述等离子体兼容液体具有大于约1,000g/mol的分子量；
14.如权利要求11所述的方法，其进一步包括
(a)通过让所述液体通过热交换器循环而使所述暴露于等离子体的表面维持在受控的温度；
(b)让所述液体通过过滤器循环使得所述液体中的由处理所述半导体衬底导致的杂质和/或非挥发性蚀刻副产品被移除；和/或
(c)使所述液体通过放电管循环，其移除在所述液体中的因暴露于所述等离子体而积累的电荷。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述液体在所述半导体衬底的等离子体处理过程中以足以补偿等离子体消蚀的所述流动的保护性液体层的速率流经所述暴露于等离子体的表面。
16.如权利要求11所述的方法，其中所述液体在所述半导体衬底的等离子体处理过程中被连续地供给到所述暴露于等离子体的表面的上部且在所述暴露于等离子体的表面的下部被收集，其中所述液体通过液体收集盘收集，其中所述液体收集盘与所述液体供给器流体连通使得所述液体能够从所述真空室返回所述液体供给器。
17.如权利要求11所述的方法，其中
(a)所述室壁包括多孔陶瓷材料而所述液体通过穿过所述多孔陶瓷材料到所述暴露于等离子体的表面的毛细作用被供给到所述暴露于等离子体的表面；
(b)所述液体通过穿过所述室壁中的毛细管大小的洞的毛细作用被供给到所述暴露于等离子体的表面；或者
(c)所述室壁包括分送通道而所述液体通过从所述分送通道溢流出而被供给到所述暴露于等离子体的表面。
18.如权利要求11所述的方法，其中所述室壁的所述暴露于等离子体的表面是(a)室壁的竖直表面和/或倾斜表面；
(b)室衬的竖直表面和/或倾斜表面；
(c)法拉第屏障的竖直表面和/或倾斜表面；和/或
(d)法拉第屏障的上部的暴露于等离子体的表面和/或下部的暴露于等离子体的表面。
19.如权利要求11所述的方法，其中所述液体流经所述暴露于等离子体的表面到邻近所述室壁的部件且其中
(a)所述液体配置成在所述邻近部件的暴露于等离子体的表面上汇聚从而在所述暴露于等离子体的表面上形成静态的保护性液体层；或者
(b)所述液体配置成流经所述邻近部件的暴露于等离子体的表面。
20.一种在根据权利要求1所述的装置中等离子体处理半导体衬底的方法，其包括：
将所述等离子体兼容液体从所述液体供给器供给到所述真空室的所述室壁；
使所述液体流经所述室壁的所述暴露于等离子体的表面；
将所述工艺气体从所述工艺气体源供给到所述等离子体处理室中；
利用所述RF能量源将RF能量施加到所述工艺气体以在所述等离子体处理室中产生等离子体；以及
在所述等离子体处理室中等离子体处理半导体衬底。
等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
例如，形成保护性液体层的液体可以是苯基甲基硅氧烷、二甲基环硅氧烷、四甲基四苯基三硅氧烷、五苯基三甲基三硅氧烷、1-乙基-3-甲基咪唑鎓双{(三氟甲基)磺酰基}酰胺、
1-辛基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、1-丁基-3-甲基咪唑鎓二氰胺、氢氟乙烯(hydrofluoroethylene)、四氟乙烯、氧全氟三亚甲基(perfluorotrimethyleneoxide)、
1-乙基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二氰胺、1-丁基-3,5-二甲基吡啶溴化物、1-丁基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓碘化物、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲烷磺酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲基碳酸酯、
1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓硝酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓辛基硫酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓四氯铝酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、
1-丁基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓硫氰酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲苯磺酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓三氟乙酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(3-氰基丙基)-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰基)酰胺、1-(3-氰基丙基)-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-(3-氰基丙基)-3-甲基咪唑鎓二氰胺、1-癸基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-癸基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1,3-二乙氧基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、
1,3-二乙氧基咪唑鎓六氟磷酸盐，1,3-二羟基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1,3-二羟基-2-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1,3-二甲氧基咪唑鎓双(三氟甲基-磺酰基)酰亚胺、1,3-二甲氧基咪唑鎓六氟磷酸盐、1,3-二甲氧基-2-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1,3-二甲氧基-2-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1,3-二甲基咪唑鎓二甲基磷酸酯、1,3-二甲基咪唑鎓甲烷磺酸盐、1,3-二甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、1,2-二甲基-3-丙基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1,2-二甲基-3-丙基咪唑鎓三(三氟甲基磺酰基)甲基化物、1-十二烷基-3-甲基咪唑鎓碘化物、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓氯化物、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓乙基硫酸盐、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓甲基碳酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓乙酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓氨基乙酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓(S)-2-氨基丙酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓双(五氟乙基磺酰基)酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓溴化物、1-乙基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二丁基磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二乙基磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二甲基磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓乙基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓碳酸氢盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓碳酸氢盐溶液、1-乙基-3-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓氢氧化物溶液、1-乙基-3-甲基咪唑鎓碘化物、1-乙基-3-甲基咪唑鎓L-(+)-乳酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓甲烷磺酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓甲基碳酸盐溶液、1-乙基-3-甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓硝酸盐、
1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氯铝酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氯铝酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑1,1,2,2-四氟乙烷磺酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓硫氰酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓甲苯磺酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-己基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲磺酰基)酰亚胺、1-己基-3-甲基咪唑鎓氯化物、
1-己基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-己基-3-甲基咪唑鎓碘化物、1-己基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-己基-3-甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-(2-羟乙基)-3-甲基咪唑鎓二氰胺、1-甲基咪唑鎓氯化物、1-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、1-甲基-3-辛基咪唑鎓氯化物、1-甲基-3-辛基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-甲基-3-辛基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-甲基-3-辛基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-甲基-3-丙基咪唑鎓碘化物、1-甲基-3-丙基咪唑鎓甲基碳酸盐溶液、
1-甲基-3-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟辛基)咪唑鎓六氟磷酸盐、1-甲基-3-乙烯基咪唑鎓甲基碳酸盐溶液、1,2,3-三甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、1,2,3-三甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸酯丙烯酰胺(1,2,3-Trimethylimidazolium trifluoromethanesulfonate purum)、1-丁基-3-甲基咪唑鎓乙酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-丁基-3-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲烷磺酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、
1-丁基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓硫氰酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-乙基-2,3-二甲基咪唑鎓乙基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓乙酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二氰胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二乙基磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓乙基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、
1-乙基-3-甲基咪唑鎓氢氧化物溶液，1-乙基-3-甲基咪唑鎓甲烷磺酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氯铝酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓硫氰酸盐、
1-乙基-3-甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-甲基咪唑鎓氯化物、1-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、α,α-[(甲基-9-十八碳烯基亚氨基)二-2,1-乙烷二基]双[ω-羟基-聚(氧-1,2-乙烷二基)]甲基硫酸盐、1,2,3-三甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、1,2,4-三甲基吡唑鎓甲基硫酸盐、四丁基磷鎓甲烷硫酸盐、四丁基磷鎓四氟硼酸盐、四丁基磷鎓对甲苯磺酸盐、三丁基甲基磷鎓二丁基磷酸盐、三丁基甲基磷鎓甲基碳酸盐溶液、三丁基甲基磷鎓甲基硫酸盐、三乙基甲基磷鎓二丁基磷酸盐、三己基十四烷基磷鎓双(三氟甲基磺酰基)酰胺、三己基十四烷基磷鎓双(2,4,4-三甲基戊基)次膦酸盐、三己基十四烷基磷鎓溴化物、三己基十四烷基磷鎓氯化物、三己基十四烷基磷鎓癸酸盐、三己基十四烷基磷鎓双氰胺、3-(三苯基磷鎓基)丙烷-1-磺酸盐、3-(三苯基磷鎓基)丙烷-1-磺酸甲苯磺酸酯、1-丁基-1-甲基哌啶鎓四氟硼酸盐、1-丁基-1-甲基哌啶鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-丁基-1-甲基哌啶鎓六氟磷酸盐、4-乙基-4-甲基吗啉鎓甲基碳酸盐溶液、1,2,3-三(二乙基氨基)环丙烯基鎓双(三氟甲烷磺酰)酰亚胺、1,2,3-三(二乙基氨基)环丙烯基鎓二氰胺、环丙基二苯基锍四氟硼酸盐、三乙基锍双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓溴化物、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓氯化物、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓二氰胺、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓六氟磷酸盐、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓碘化物、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓甲基碳酸盐溶液、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓四氟硼酸盐、1-丁基-1-甲基吡咯烷鎓三氟甲烷磺酸盐、1-乙基-1-甲基吡咯烷鎓双(三氟甲磺酰)酰亚胺、
1-乙基-1-甲基吡咯烷鎓溴化物、1-乙基-1-甲基吡咯烷鎓六氟磷酸盐、1-乙基-1-甲基吡咯烷鎓四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基吡啶鎓双(三氟甲磺酰)酰亚胺、1-丁基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸盐、1-丁基-4-甲基吡啶鎓碘化物、1-丁基-4-甲基吡啶鎓四氟硼酸盐、
1-丁基吡啶鎓溴化物、1-(3-氰基丙基)吡啶鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-(3-氰基丙基)吡啶鎓氯化物、1-乙基吡啶鎓四氟硼酸盐、N-乙基吡啶鎓溴化物-d10、3-甲基-1-丙基吡啶鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1,2,4-三甲基吡唑鎓甲基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-丁基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-乙基-3-甲烷咪唑鎓甲基磺酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓乙基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二乙基磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓二氰胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓乙酸盐、三-(2-羟乙基)甲基铵甲基硫酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓硫氰酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓三氟甲烷磺酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲烷磺酰)酰亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑鎓甲基碳酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓甲基碳酸盐、苄基二甲基十四烷基铵无水氯化物、苄基三甲基铵三溴化丙烯酰胺、丁基三甲基铵双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、二乙基甲基(2-甲氧基乙基)铵双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、乙基二甲基丙基铵双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、
2-羟乙基-三甲基铵L-(+)-乳酸盐、甲基三辛基溴化物铵(Methyltrioctadecylammonium bromide)、甲基三辛基铵双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、甲基三辛基铵双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、甲基三辛基硫酸氢铵、甲基三辛基硫代水杨酸铵、四丁基苯甲酸铵、四丁基铵双-三氟甲砜亚胺盐、四丁基铵十七氟辛烷磺酸盐、四丁基铵氢氧化30-水合物、四丁基铵甲磺酸盐丙烯酰胺、四丁基铵亚硝酸盐、四丁基铵九氟丁磺酸盐、四丁基铵琥珀酰亚胺、四丁基铵苯硫酚盐、四丁基铵三溴化丙烯酰胺、四丁基铵三碘化物、四月桂基铵溴化物、四月桂基铵氯化物、四鲸蜡基铵溴化丙烯酰胺、四己基铵溴化丙烯酰胺、四己基硫酸氢铵、四己基铵碘化物、四己基铵四氟硼酸盐、四(癸基)溴化铵(Tetrakis(decyl)ammonium bromide)、四甲基五水氢氧化铵(Tetramethylammonium hydroxide pentahydrate)、四正辛基溴化铵丙烯酰胺、三丁基甲基氯化铵、三丁基甲基二丁基磷酸铵、三丁基甲基铵甲基碳酸盐、三丁基甲基铵甲基硫酸盐、三(2-羟乙基)甲基铵甲基硫酸盐，三乙基甲基铵二丁基磷酸盐、三乙基甲基铵甲基碳酸盐、乔林乙酸盐(Cholin acetate)、1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓溴化物、1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓二氰胺、1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓碘化物、1-苄基-3-甲基咪唑鎓氯化物、1-苄基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-苄基-3-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、1,3-双(氰基甲基)咪唑鎓双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1,3-双(氰基甲基)咪唑鎓氯化丙烯酰胺、1-丁基-2,3-二甲基咪唑鎓氯化物、1-丁基-2,3-二甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、1-丁基-2,3-二甲基咪唑鎓四氟硼酸盐、4-(3-丁基-1-咪唑鎓基)-1-丁烷磺酸盐、4-(3-丁基-1-咪唑鎓基)-1-丁磺酸三氟甲烷磺酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓乙酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑双(三氟甲基磺酰)酰亚胺、1-丁基-3-甲基咪唑鎓溴化物、1-丁基-3-甲基咪唑鎓氯化物、
1-丁基-3-甲基咪唑鎓二丁基磷酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓六氟锑酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓硫酸氢盐、1-丁基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐、以及它们的混合物。优选地，等离子体兼容液体具有约800至5,000g/mol的分子量，更优选地，所述一种或多种液体的分子量大于约1,000克/mol。
域中的等离子体。用于在室中维持高密度(例如，10-10 离子/cm)等离子体的能量源，如由适当的RF源19供能以提供高密度等离子体的天线18，其设置在真空室10的顶部。真空室10包括用于保持室的内部在所希望的压强(例如，低于100毫托，典型地1-20毫托)下的真空抽吸装置。
天线18可以设置有通道24，温度控制流体可以经由入口和出口导管25,26通过通道24流动。但是，天线18和/或窗20不需要冷却，或者可以通过另一合适的技术冷却，合适的技术如通过将气体吹过天线和窗、使冷却流体通过窗和/或气体分布板、或使冷却流体与窗和/或气体分布板进行传热接触等。
而产生的电磁场激励工艺气体以在衬底13上形成高密度等离子体(例如10-10 离子/
3
cm)。
302。替代地，可将液体供给到分送通道201，其中，液体从在液体流动起始点311的分送通道201溢流至壁310的暴露于等离子体的表面301。优选地，内壁310被设置成使得流经内壁310的液体可以流到室侧壁304的暴露于等离子体的表面301，其中该液体在该表面上可以形成流动的保护性液体层302。在一替代的实施方式中，如图2A所示，液体可以被独立地提供给侧壁304。
251a可以被操作来减少在第二液体供给器250a中的压强，使得第二液体供给器250a中的压强以及在第二液体供给器250a和真空室10之间的压强差可以进行微调，并且当第五隔离阀260e处于打开位置时，可促使所需量的液体通过液体流入通道225流向或离开所述真空室。另外，第二液体供给器250a和真空室之间的压强差可以促使液体通过容纳在液体流入通道225中的过滤器326，使得可除去由液体捕获的杂质和/或非挥发性的蚀刻副产物。
替代地，或除容纳在液体流入通道225中的过滤器以外，也可以在第一液体供给器250和第二液体供给器250a之间设置过滤器，或在第一液体供给器250和真空室10的出口之间的液体流出通道226中设置过滤器。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 电子回旋共振磁性模块与电子回旋共振装置 | 2020-05-11 | 179 |
| 一种微波电子回旋共振等离子体源电磁线圈 | 2020-05-13 | 919 |
| 利用电子回旋共振沉积非晶硅薄膜 | 2020-05-12 | 1007 |
| 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法 | 2020-05-15 | 28 |
| 热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置 | 2020-05-17 | 793 |
| 提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置 | 2020-05-17 | 878 |
| 无定形膜通过电子回旋共振的膜沉积 | 2020-05-13 | 315 |
| 表面等离子体共振与电子回旋共振双激励式微波推力器 | 2020-05-16 | 132 |
| 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备 | 2020-05-14 | 855 |
| 一种电子回旋共振加热毫米波发射器 | 2020-05-15 | 758 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
