本发明涉及一种在半导体器件中生成导电通道的工艺和一种实 施该工艺的装置。

US-A-4 159 215公开了一种靠温度梯度区熔化穿透一半导体器 件的半导体的工艺，该半导体器件由掺杂硅、镓之类构成，该半导 体器件有对置的两顶面，以铝合金作为载体材料，磷、砷或锑作为 掺杂剂。该半导体器件放置在一金属蒸汽室中后在该半导体器件的 两顶面之一上涂上厚度为0.5μm-25μm的一层铝-锑。用光刻固定 迁移区后把如此制备的器件放置在一热迁移装置中。在半导体的温 暖底面和冷却顶面之间用一温度梯度作用约50℃的足够长一段时 间，该合金就穿透该半导体主体。

然后蚀刻掉或磨去半导体器件底面上的合金区，存下用热迁移 生成的再结晶半导体材料和所分离金属的通道。

从一半导体器件的一顶面穿透到对置顶面的这种通道特别用于 SMD(表面安装装置)器件，使得该器件的两个电极的触点位于该 器件的(后边的)同一顶面上。这种器件可用其后边与其上有合适 接触区的电路板连接而无需使用导线或其他连接件。

一个特别应用场合为光-电子传感器件，即把电磁辐射能(光子) 转换成电信号、广泛用于测量技术中的辐射线接受器。例如，在象 (增量或绝对型)长度和角度测量系统之类的位置测量系统中，在 一直角坐标系后方放置若干辐射线接受器(特别是光电元件)。

这种辐射线接受器一般为阻挡层光电检测器。它们包含PN、 PIN、MS或MOS结，从而靠光阻挡层作用把电磁辐射能转换成电 信号。为了测量、计算该电信号，该辐射线接受器必须有电触点， 以便与一合适电开关连接。电开关常常集成在一电路板上，而该辐 射线接受器最好构作成一SMD器件。

为从半导体一顶面到对置顶面生成电连接，在半导体器件的p- 导电层与后边顶面之间比方说生成一圆柱形p-型半导电通道，该通 道的直径最好为30-100μm，除了其他连接工艺，可用热迁移生成。

热迁移的基本原理是，金属掺杂物质在硅之类半导体材料中的 溶解性与温度有关，随着温度的提高而提高。如在一足够受热半导 体器件的两对置顶面之间生成一温度梯度，同时把一合适的金属掺 杂物质加到该器件的冷却顶面上，该金属掺杂物质就会迁移到该半 导体器件的对置温暖顶面。通过相应构作掺杂物质加到其上的冷却 顶面(例如借助于氧化层)，就可按需要形成这类通道。

本发明的目的是提供一种工艺，该工艺用热迁移特别在一半导 体晶片上的半导体器件中生成导电结，该工艺可确保导电结通道穿 过半导体晶片上具有固定pn结的半导体器件，该工艺所需时间短， 对半导体晶片的加热不影响半导体器件的掺杂，半导体晶片不变形。

按照本发明，用具有权利要求1的特征的工艺实现该目的。

通过在热迁移工艺的整个过程中和在半导体晶片整个面积上进 行有目的的温度控制，本发明工艺确保以最短时间、在该工艺进行 过程中除去杂质地穿透半导体晶片上的半导体器件的半导体。此外， 确保半导体器件的掺杂不因对半导体晶片加热而受到影响，半导体 晶片不因对半导体晶片进行热辐射而发生鼓起之类变形。

热迁移工艺的工作温度最好在一定时间中保持不变，以便在达 到该工作温度后有足够时间供导电介质形成一从半导体前边到后边 的导电通道。

本发明工艺的一优选实施例的特征在于，该半导体置于一最好 充满具有良好传热性的惰性气体的封闭系统中，特别是气压为0.1- 30mbar的氦气层流区中。

由于半导体放置在一充满惰性气体的封闭系统中，半导体上不 会有杂质，此外可最佳地用热流加热半导体的一顶面和冷却另一顶 面。

按照本发明另一特征，半导体上热量分布的有效性和可控性提 高，即半导体两顶面位于互相隔开的区域中，从而通过具有良好传 热性的气体而不是主要比方说通过辐射能耦合用来加热半导体的能 量。

本发明工艺另一实施例的特征在于，特别根据在半导体上至少 一温度测量点上测得的温度调节/控制输入半导体中的热量的总效率 和输入半导体待加热顶面上的热量的效率分布。

本发明工艺一优选实施例的特征在于，半导体既可在热源与冷 却装置之间的平面中、又可在与该平面垂直的平面中移动。因此， 可控制耦合入半导体中的热量和半导体的冷却，通过把半导体从一 装载位置移动到加热位置使得半导体位于热迁移装置中或反过来从 中取出半导体。

最好用一高温测量装置经一光测量通道以非接触方式测量半导 体的温度。

按照本发明工艺的另一特征，半导体用每单位时间预定温升加 热到热迁移工艺的工作温度后以递减的热量辐射冷却到一设定温度 或设定温度场，然后在预定时段中自然冷却到取出温度。

本发明的其他优点和实施例见权利要求13-16的特征。

靠热迁移在一盘形半导体两对置顶面之间生成一温度梯度并在 冷却顶面上施加导电掺杂物质以在该半导体中生成导电结的一种装 置的特征在于，一热源与一冷却装置之间用来安置该半导体的一支 撑，该热源把热量均匀辐射到该半导体的与该热源正对的顶面上。

一热源与一冷却装置布置成可精确控制温度，从而在尽可能短 时间中最佳地完成该热迁移工艺。还确保高度纯净，对半导体掺杂 的影响尽可能小。还确保半导体晶片不因温度变化而发生变形。

本发明装置一优选实施例的特征在于，热源与冷却装置之间的 区域被包封住，其中最好充满具有良好传热性的惰性气体、特别是 氢气或氦气。

通过使用具有良好传热性的惰性气体，防止气体粒子与半导体 和加热装置发生反应，同时确保大量热流用来加热半导体的一顶面， 而半导体的另一顶面获得良好冷却，以使热迁移工艺最佳。

该支撑平面中区域的细分使得系统得到划分，以便在热迁移工 艺过程中最佳地控制半导体的加热和冷却，防止半导体晶片表面变 形。

按照本发明另一特征，控制方式在于气压和/或该区域中的气流/ 这些区域可变。

本发明装置另一实施例的特征在于，该热源包括一直接或间接 的加热炉。通过热源的这一实施例，确保半导体/半导体晶片的与该 炉正对的顶面上的热量均匀分布，防止半导体/半导体晶片因加热不 均匀发生翘曲。

该炉最好有一与该支撑表面对应的板，该板可使用电阻加热、 感应加热、电子束加热或微波加热。该板包括石墨材料，其最好与 硝酸硼高温分解地密封，或包括最纯净陶瓷。该板最好置于真空中， 以把该板发出的热量只导向半导体，从而使得该热迁移装置的效率 最高。因此，为了防止板上区域中的粒子汽化、从而半导体结构变 化，可使用化学和物理性质不活泼的密封，或为板选择合适材料。

本发明方案一实施例的特征在于，该热源包括至少伸展在半导 体晶片表面上方的一卤素灯场，该卤素灯场最好包括位于两平面中 的一十字卤素灯场。

该优选十字卤素灯场可分别控制输入半导体晶片中的热量，对 半导体晶片整个表面精确、均匀加热，从而确保对半导体晶片的与 卤素灯场正对的顶面进行均匀的热辐射。由于半导体晶片顶面上的 温度可控，因此可升高晶片顶面边缘的温度，从而可在整个晶片顶 面上设定各温度分布。光的这一可调性、即温度的有效均匀分布确 保半导体晶片整个顶面上的状态处处相同，从而用特殊温度测量过 程可设定热迁移的最佳条件。

本发明方案一优选实施例的特征是，样本活塞由一样本圆筒构 成，一样本头构成样本圆筒的覆盖面而承接半导体晶片，一样本凸 缘向外突出在样本圆筒的底面上，一提升板在该底面上气密样本圆 筒，从而样本活塞可沿轴向插入一受器中和从中抽出，该受器包括 一与卤素灯场正对的受光表面和一石英圆筒。

用圆筒承接样本可确保工作区与周围环境分开，从而通过把惰 性气体引入工作区使得热迁移工艺在最纯净条件下进行，从而确保 冷却液和工作气体的引入一出于密封原因一离半导体晶片的加热位 置足够远，从而通过这一距离，确保获得足够的冷却。

本发明方案一实施例的特征在于，样本活塞的样本圆筒的中央 有一高温测量头，它通过一温度测量和气体通道以及该温度测量和 气体通道中的一测量窗导向半导体晶片的与样本头正对的顶面，从 而高温测量头用一高温计凸缘在样本活塞上固定和调节，其工作波 长为2.2μm，有一微调聚焦锥，该微调聚焦锥朝向半导体晶片的顶 面，从而在半导体晶片中部形成一测量小点。

高温测量头的固定和调节确保微调聚焦锥只在半导体晶片上形 成一小点，从而温度测量不在半导体晶片与样本头之间造成严重干 扰。由于可用十字卤素灯场的各可控卤素灯调节半导体晶片顶面上 的效率分布，因此该测量点代表半导体晶片整个表面上的温度。

样本头最好包括三个头部平面，样本承接器与第一头部平面连 接，第一头部平面包括中央温度测量和气体通道以及若干沿对角线 穿过第一头部平面的径向分布气体通道，从而氦气或氢气之类具有 良好传热性的气体经这些通道从通道的喷嘴口喷出到半导体晶片底 下。气体用来保持工作区的纯净，气流流率最好调节成0.5- 50mbar/l，从而气流不会抬起半导体晶片，不造成不均匀。

下面结合附图所示实施例可清楚看出本发明原理，附图中：

图1为一光-电子传感器的剖面图，从该半导体器件的前边到后 边有一圆柱形半导体通道。

图2a为用热迁移在一盘形半导体中生成导电结的一装置的原理 图。

图2b为一半导体晶片的示意图。

图2c为图2a所示装置的剖面图，用销或腹板支撑半导体晶片。

图2d为用一用作热源的灯场在一半导体晶片中生成结通道的一 装置的侧视图。

图3为一承接一半导体晶片的外部冷却样本容器的纵向剖面 图。

图4为一内部冷却样本容器的一部分的纵向剖面图。

图5为一样本头的各平面的纵向剖面图。

图6为该样本头的第一平面的俯视图。

图7为本发明热迁移工艺的温度-时间曲线图。

作为使用本发明工艺的一个例子，在一半导体器件的半导体中 生成导电通道的图1所示的一光-电子传感器的剖面图示出一半导体 器件1，其半导体由硅构成，包括一宽n-导电层100(厚300- 400μm)，其前边顶面有一薄得多的p-导电层101(约0.55μm)。这 两导电层100、101之间有一用作阻挡层的过渡区102。

器件1的前边有一抗反射层穿过比方说由二氧化硅构成的绝缘 层109和109′。由p-导电层101一顶面构成的辐射侧顶面区104伸 展在两绝缘层109、109′之间。照射在顶面区104上的电磁辐射200 穿过p-导电层101进入过渡区102后大部分被过渡区吸收。从而在 过渡区102中生成电子-空穴对。这些载流子对在过渡区中分离；电 子流向n侧，空穴流向p侧。为了测量光子流即测量辐射效率，器 件1必须集成在一合适电开关中。这种电开关通常包括若干光电元 件和在一电路板上相对放置的半导体器件。

为了连接器件1与这种电开关，其穿过绝缘层110的后边顶面 105上有电极106和107，这些电极的平触点106a和107a用可钎焊 材料制成。因此后边顶面105由n-导电层100的顶面本身构成。为 尽可能减小接触电阻，n-导电层100的连接电极106位于半导电层100 的一低电阻、强掺杂区103上。

为了把p-导电层101的连接电极107也置于器件1的后边顶面 105上，该p型的一圆柱形半导体通道111从p-导电层101伸展到 器件1的后边顶面105上。p-导电通道111的直径最好为30-100μm， 由热迁移生成。

此外，结111的后边端由另一p-导电区112围住，该导电区比 方说用离子植入或离子扩散生成，使得p-导电层101经圆柱形区111 和电极107实现无故障接触。围住圆柱形区111的顶面部的另一p- 导电区112的扩展范围选择成尽可能消除圆柱形区111在生成过程 中在该顶面附近造成的电子结构的干扰。该另一p-导电区的厚度在 0.6μm范围内。

由于n-导电层100和p-导电层101的电极106/107相间距地位 于器件1的后边顶面105上，因此器件1很容易与一电路板连接、 从而集成在一电开关中。为此，电极106和107及其触点106a和107a 只须在电路板接触表面上并用钎焊或超声波焊接固定。无需在器件 1的电极与电路板之间使用其他连接件、例如钎焊桥。

用来生成图1所示一半导体器件的半导体中的导电通道的装置 如图2a和2c简示，图2d中还示出一用作热源的灯场。这些装置用 来承接一半导体晶片、即其上有多个半导体器件的一板，这些半导 体器件按照其目的和应用掺杂和构作。除了图2a、2c和2d所示装 置，也可使用其他同类装置承接半导体晶片和生成从半导体晶片上 的半导体器件的一顶面到另一顶面的导电通道。

其工作原理如图2a所示、在盘形半导体中用热迁移生成导电通 道的装置由一架25构成，该架中有一热源、特别为一炉的一板60 和一冷却装置11。在板60和冷却装置11之间区域有一用作支撑的 支架3a，该支架在本发明该实施例中可在板60与冷却装置11之间 纵向平面和与该纵向平面垂直的平面中如箭头所示调节，即其高度 可调节，从而支架3a与板60和冷却装置11之间的距离可改变。从 而通过调节热源6和冷却装置11之间的支架3a的高度，在半导体 晶片10的加热和冷却过程中输入半导体晶片10中的热量可改变/保 持不变。

支架3a的纵向移动主要用来把图2b所示一可插入支架3a中的 半导体晶片10放入用热迁移生成导电通道的该装置中，也可用来取 出该半导体晶片。

作为用热迁移生成导电通道的一装置的图2所示结构的一种替 代方案，半导体晶片10的支架3a比方说为了装载和取出该半导体 晶片只可在纵向上移动，而板60和/或冷却装置11的高度可调节， 从而改变与支架3a的相对距离。

板60为一未详细示出的炉的一部件，为加热该板60，可用电 阻加热、感应加热装置、电子束加热、微波加热等加热该炉。通过 用喷射电子、辐射耦合等把相应热量输入板60的与支撑3/支架3a 相反的顶面，能量即可输入板60中，该板转而确保热量在该装置整 个表面上均匀分布。也可不使用板60，而使用任何其他合适装置实 现热量均匀分布。

通过对板60均匀加热，确保与半导体晶片10正对的该顶面上 的热量均匀分布。由于热源的热辐射的任何不均匀都会传给半导体 晶片10中，因此热量的这一均匀分布特别有利于在半导体晶片的整 个表面上生成导电通道，防止半导体晶片/半导体晶片上的各半导体 器件发生翘曲。

为了确保板60发出的热辐射导向支撑3a中的半导体晶片10， 该炉/板60用真空绝热，最好用氢气或氦气、特别是氦气之类具有 良好传热性的惰性气体把热流最佳地导向支撑3a中的半导体晶片 10。在这种装置中，氢气或氦气气体粒子在高热板60上加热后输入 半导体晶片10中。

为了绝热和把热辐射导向半导体晶片，受热板60放置在真空 中。由于粒子汽化会使杂质进入半导体晶片中，因此必须为板60选 择不活泼材料。为此，优选使用具有一硝酸硼层的石墨以及最纯净 陶瓷板，从而抑制相应反应，使热迁移工艺不受杂质影响。

为冷却插入在支撑3a中的半导体晶片10，使用同样的惰性气 体、特别是氦气来设定半导体晶片10底面上热迁移过程的最佳温 度。为分开控制半导体晶片10顶面和底面上的温度，支架3高度上 的区域最好细分，以便支架3a上方区域和下方区域的气体压力和流 速可分开调节。温度的分开控制为热迁移工艺的最佳进行创造了先 决条件，从而以最短时间在盘形半导体中生成导电通道，而半导体 晶片不发生由热应力造成的翘曲。

图2a所示装置中一典型热分布为板温T1＝1800℃、半导体晶 片10与板60正对的顶面的温度T2＝1050℃、冷却装置11顶面上 的温度T3＝20℃。

改变板60与支架3a之间的距离a1/支架3a与冷却装置11之间 的距离a2以及相应控制支架3a上方和/或下方区域中气体的压力和 流速即可控制对支架3a上的半导体晶片10的加热。半导体晶片10 顶面与板的底面之间的优选距离为：

                      a1＝0.3mm

半导体晶片10底面与冷却装置11之间的优选距离为：

                      a2＝0.2-0.5mm

而半导体晶片上方区域的气体压力设定为约0.1-30mbar。

由于半导体晶片10的热阻比周围气体层的热阻小得多，因此半 导体晶片顶面上的温度T2大致可由下式确定 $T_2=\frac{a_2}{a_1+a_2}*(T_1-T_3)$ ，T1为板温，T3为冷却装置的温度。

图2c为另一替代装置的剖面图，该装置不使用热源60与冷却 装置11之间一支架3a承接半导体器件10、例如一硅晶片，而是该 支撑由支撑在冷却装置11上/插入冷却装置11中的销或腹板构成， 从而可改变销或腹板上的半导体晶片10与冷却装置11、从而与热 源6之间的距离。因此，使用这种结构，可根据可预先决定的基准 曲线改变半导体晶片10加热和冷却过程中输入半导体晶片10中的 热量。热辐射W影响半导体晶片10的与热源正对的顶面；它穿过 该半导体晶片10后传到冷却装置11上。

图2a和2c所示在盘形半导体中用热迁移生成导电通道的装置 的热效率特别高，使得热迁移工艺最优化。

图2d详细示出的用热迁移在盘形半导体中生成导电通道的装置 由在一机架20中的样本容器2构成，该样本容器2包括一活动样本 活塞3、一固定受器4和一同样固定的外壳5。样本活塞3可在一引 导路径201上沿双箭头X方向从一装载位置移动到一处理位置下方 的一位置。用一引导装置202，样本活塞3可沿双箭头Z方向从处 理位置下方的该位置移入一提升高度H上方的处理位置。供气管、 冷却管、测量电缆等的承接装置203与承接样本活塞3的滑车204 连接。

受器4的顶端位于一出光孔14处，一热源6下方的样本容器2 与该出光孔同心，该热源由两十字卤素灯场61、62构成。十字卤素 灯场61、62包括多个可分别控制的卤素灯，从而确保在半导体晶片 10的与热源6正对的顶面上的热辐射均匀。由于半导体晶片顶面上 的温度型式可调节，因此可提高晶片顶面边缘的温度，以便在晶片 顶面上设定某一温度分布。光的这一可调节性、即温度的有效均匀 分布确保半导体晶片整个顶面上的状态处处相同，从而通过一特殊 温度测量过程可设定热迁移的最佳状态。

热源6上方有一反射镜13，该反射镜与热源6和出光孔14一 起用一安装支架15与机架20连接。

一包括一三点提升板37和一引导提升板38的提升板在底端上 密封样本活塞3，从而该三点提升板37在正常位置上气密密封样本 活塞3。

图3为样本容器2的纵向剖面图，样本容器中有一高温测量头 7。

样本容器2包括用冷却管11冷却的外壳5和用一密封17与该 外壳连接的受器或样本承接圆筒4以及活动样本活塞3。受器4和 外壳5用另一密封18与一固定环19连接、用外壳5的一顶端凸缘 50固定在图2d所示出光孔14上。

在图3所示为样本活塞3全部插入在受器4中的工作位置，该 样本活塞3以一底部样本凸缘36经一气体密封16气密地位于该固 定环上。

受器4的顶面上有一透明表面40，热源6的卤素灯场61、62 发出的光经该透明表面照射到样本活塞3顶面上的一样本头30上。 该样本头30上有一用来放置待处理半导体晶片10的样本承接器(不 详细说明该样本承接器)。通过一三点针式悬挂，确保以200-300μm 的精度把半导体晶片10等距放置在样本头30的顶面上。

受器4的透明表面40具有很高光学均质性和对于给定波长具有 很高传光性，它最好用石英或蓝宝石制成。

样本活塞3的一样本圆筒35的中央有高温测量头7，该测量头 经一温度测量和气体通道9和该温度测量和气体通道9中的一测量 窗12导向半导体晶片10的与样本头30/样本承接器正对的顶面。使 用2.2μm优选波长的测量头7有一可微调聚焦锥在半导体晶片10上 聚焦成一点，从而进行温度测量时半导体晶片10与样本头30之间 不发生很大干扰。如上文结合图2d所述，由于可用热源6的十字卤 素灯场61、62的可各个控制的卤素灯调节半导体晶片10顶面上的 效率分布，因此该测量点代表半导体晶片10整个表面上的温度。

测量窗12最好由优于石英窗的蓝宝石(三氧化二铝)制成，因 为它通向宽红外波区。

从图5可见，样本头30有三个样本头平面31、32、33，样本 承接器与第一样本头平面31连接。样本头30的第一样本头平面31 的中央有温度测量和气体通道9，第一样本头平面31的对角线上有 若干径向分布气体通道90，从而氦气或氢气之类具有良好传热性的 气体经这些气体通道90从通道9/90的喷嘴口喷出到半导体晶片10 底下。气体用来保持工作区的纯净性，该气体的流率最好调节成 0.5/50mbar/l，使得半导体晶片10不被气流抬起，不发生不均匀。工 作气体从样本圆筒35底部的一出口95排出。

样本头30的第二样本头平面32包括对角线上的气体通道91、 中央温度测量和气体通道9和通向冷却件8的冷却水通道81，冷却 件包括扩大吸热表面的凹座80。第一样本头平面31与第二样本头 平面32之间用液密密封环以及样本头30的第一和第二样本头平面 31、32的正对表面上对应孔口上的外部气密密封环连接。

样本头30的第三样本头平面33有一冷却液进口82和一冷却液 出口83/第三样本头平面33转动90°时，它有工作气体的一对应进气 口92和出气口93。测量窗12装在样本头30的第三样本头平面33 的中央，该测量窗12位于光温度测量通道9中。

可从图6所示第一样本头平面31的俯视图中清楚看出气体和冷 却液通道以及记录晶片温度的测量孔9的布置。这三个样本头平面 31-33最好用最纯净的铝制成。

图3所示围绕在外壳5上的螺旋形冷却管11a从正对热源6的 顶端到底端密封区冷却样本容器2，以确保外壳5、受器4和样本活 塞3之间的密封正常工作。

图4示出冷却的另一实施例，在该实施例中，样本活塞3中有 一冷却圆筒11a，从而样本活塞中伸展有一空心圆筒形的空心区用来 承接冷却液。按照另一实施例，图3所示外部冷却管冷却系统可与 图4所示内部冷却圆筒冷却系统组合使用。

高温测量头7用一高温计凸缘70固定在样本活塞3上，因此它 可调节。高温测量头7的聚焦锥71朝向半导体晶片10的顶面，从 而在半导体晶片10上没有半导体器件的中部有一测量小点。

上述热迁移装置确保热量非常精确可控地从半导体晶片10的与 热源6的十字卤素灯场61、62正对的后边经半导体晶片10传到半 导体晶片10的与受冷却样本头30正对的顶面。半导体晶片10整个 表面上的温度差可调节在2℃-10℃内，半导体晶片10的厚度约为 300μm，导电(铝)滴的厚度约为2-3μm，此时半导体晶片10/半 导体晶片上的半导体器件的较冷顶面上的该液滴流到半导体晶片10 的较暖对置顶面上，从而在半导体晶片/触点上的半导体器件的对置 顶面上生成所需导电通道。

图7清楚示出用热迁移在一半导体晶片的对置顶面之间生成导 电通道的本发明工艺一实施例，图7所示工艺可以各种方式修正。

在该工艺开始即时间为t0时，其上有样本头30的样本活塞3以 图2d所示箭头Z方向从受器4/外壳5中抽出后移动到装载点。在把 一半导体晶片10放置在样本头30的样本承接器上后，如图2d所示 先在X方向上后在Z方向上把样本活塞3移入处理位置、即移入受 器4中，然后封闭该系统。然后，排空样本活塞3后把氦气注入样 本活塞3在漂洗阶段进行漂洗。在时刻t1冷水注入样本活塞3而结 束该制备阶段。

然后，接通热源6的电源，以30℃/秒的温升直到时刻t2把样本 加热到300℃-400℃。在此温度上，(用氦气漂洗)进一步净化样 本大气约1分钟后到达时刻t3。然后把样本进一步加热到约600℃- 700℃(时刻t4)，从而半导体晶片10顶面上的铝滴通过生成小滴与 半导体反应(时刻t5)。然后把样本进一步加热到约800℃-1100℃ 的工作温度，从而发生热迁移过程，即铝滴穿过半导体晶片上的半 导体器件的半导体。

因此迁移速度与温度梯度和工作温度成正比而决定着迁移时间 (t6-t7)。迁移过程结束后，样本温度以30℃/秒沿斜线下降。在温 度约为650℃时(时刻t8)，听由样本自由冷却，样本如此冷却约2 -3分钟(时刻t9)。然后从受器4中抽出样本活塞3、把样本活塞3 移动到装载点、取出半导体晶片后比方说储藏在一充氮室中。

标号列表

1半导体器件

  100  半导体(n-导电层)

  101  半导体(p-导电层)

  102  过渡区

  103  低阻、强掺杂区

  104  顶面区

  105  后边顶面

  106  电极

  106a 触点

  107  电极

  107a 触点

  108  防反射层

  109  绝缘层

  110  绝缘层

  111  (半)导电通道

2 样本容器

3 支撑

  3a  支架

  3b  样本活塞

  3c  腹板，销

  30  样本头

  31  第一样本头平面

  32  第二样本头平面

  33  第三样本头平面

  35  样本圆筒

  36  样本凸缘

  37  三点提升板 

  38  引导提升板

4 受器

  40  透明表面

  41  石英圆筒

5 外壳

  50  外壳凸缘

6 热源

  60  板

  61  第一卤素灯平面

  62  第二卤素灯平面

7 高温测量头

  70  高温计凸缘

  71  聚焦锥

8 液体冷却系统

  80  冷却室

  81  冷却通道

  82  冷却液进口

  83  冷却液出口

9 温度测量和气体通道

  90  气体出口喷嘴

  91  气体通道

  92  气体进口

  93  气体出口

  95  排气口

10半导体(晶片)

11冷却装置

  11a  冷却管

  11b  冷却圆筒

12测量窗

13反射镜

14出光孔

15安装支架

16气体密封

17密封

18密封

19固定环

20机架

  201  水平引导路径

  202  垂直引导路径

  203  管承接器

21密封环

22架