专利汇可以提供使用加热源组合的脉冲式处理半导体加热方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且用于加热诸如 半导体 基片的对象的脉冲式处理方法和系统的特色在于用于以下的过程控制:对单个基片的多脉冲处理或对具有不同物理特性的不同基片的单脉冲或多脉冲处理。在背景加热模式期间,热以可控制的方式被施加给对象(36),由此选择性地加热对象(36)以在背景加热期间至少通常地产生整个对象上的温升。对象(36)的第一表面是在脉冲式加热模式下通过使其经历 能量 的至少第一脉冲来加热的。背景加热被以与第一脉冲的定时关系来控制。对第一能量脉冲的对象的第一 温度 响应可被感测并且被用于建立用于至少第二能量脉冲的第二组脉冲参数以至少部分地产生目标条件。,下面是使用加热源组合的脉冲式处理半导体加热方法专利的具体信息内容。
1. 一种用于处理对象的方法,所述对象具有包括第一和第二表面的相反主表面,所述方法包括以下步骤:使用加热装置在背景加热模式期间以可控制的方式将热施加给对象,由此选择性地加热对象以至少通常地在整个对象上产生第一温度;通过使第一表面经历能量的至少第一脉冲以将对象的第一表面加热至比第一温度大的第二温度在脉冲式加热模式下使用加热装置来加热对象的第一表面;在施加所述第一脉冲之后的冷却间隔期间允许所述第一表面冷却,由此允许对象的第一表面降至第二温度以下并且至少在有限的程度上热均衡;以及在所述冷却间隔之后,将能量的第二脉冲施加给对象的第一表面以再热第一表面。
2. 权利要求l的方法,进一步包括以下步骤:在包括至少第一脉冲、 冷却间隔和第二脉冲的所述脉冲加热模式期间,将对象的第二表面维 持在近似第一温度处。
3. 权利要求1的方法,其中所述对象是半导体基片。
4. 权利要求1的方法,包括以下步骤:将第二脉冲配置成将第一表面再热至近似第二温度。
5. 权利要求1的方法,其中将对象的第二表面维持在第一温度处包括 以下步骤:以与施加所述第一脉冲和所述第二脉冲的至少一个的定时关系来控制背景加热模式。
6. 权利要求1的方法,其中能量的第一和第二脉冲的特征在于一组脉冲参数,并且第一和第二脉冲是用相同组的脉冲参数来施加的。
7. 权利要求6的方法,其中所述脉冲参数至少部分地基于对至少一个 光学特征的原地确定来确定。
8. 权利要求7的方法,其中所述光学特征被选择为反射率和吸收率的 至少一个。
9. 权利要求6的方法,包括以下步骤:参照涉及对象的至少一个光学特征的一组所存经验数据来确定用于第一和第二脉冲的至少一个的脉冲参数。
10. 权利要求l的方法,其中能量的第一和第二脉冲的特征在于一组脉冲参数,并且能量的第一和第二脉冲的每个都是用所述一组脉冲参数 中的至少一个不同值来施加的。
11. 权利要求10的方法,包括步骤:响应于第一和第二脉冲的每一个而改变能量的第一和第二脉冲的脉冲参数以使第一表面到达第二温 度。
12. 权利要求11的方法,其中脉冲参数至少部分地基于对至少一个光学特征的原地确定来确定。
13. 权利要求11的方法,包括以下步骤:参照涉及对象的至少一个物理特征的一组所存经验数据来确定脉冲参数。
14. 权利要求1的方法,包括以下步骤:使用激光器来产生所述第一脉冲,并且所述第一脉冲包括从1 ns到10 ms的持续时间。
15. 权利要求1的方法,包括以下步骤:使用激光器来产生所述第二脉冲,并且所述第二脉冲包括从1 ns到10 ms的持续时间。
16. 权利要求l的方法,包括以下步骤:使用钨卤灯和弧光灯的至少一 个以作为所述背景加热模式的一部分来加热对象。
17. 权利要求1的方法,包括以下步骤:使用弧光灯、闪光灯和激光器的至少一个以作为所述脉冲式加热模式的一部分来加热对象。
18. 权利要求1的方法,包括以下步骤:使用至少一个闪光灯来产生所述第一脉冲,并且所述第一脉冲包括从10网到50 ms的持续时间。
19. 权利要求1的方法,包括以下步骤:使用至少一个闪光灯来产生所述第二脉冲,并且所述第二脉冲包括从10 (is到50 ms的持续时间。
20. 权利要求l的方法,包括以下步骤:以从l ps到100秒之间的时隙来串行施加第一和第二脉冲。
21. 权利要求1的方法,其中第一和第二脉冲以1 nJ/cn^到100 J/cm2的范围内的能量密度入射于第一表面上。
22. —种用于处理对象的系统,所述对象具有包括第一和第二表面的相 反主表面,所述系统包括:加热装置,用于在背景加热模式期间以可控制的方式将热施加给 对象,由此选择性地加热对象以至少通常地产生整个对象上的温升并且用于在脉冲式加热模式下加热对象的第一表面; 控制装置,其与所述加热装置合作,用于:(i) 将对象最初加热至第一温度,(ii) 使第一表面经历能量的至少第一脉冲以将对象的第一表面加 热至比第一温度大的第二温度,(iii) 在施加所述第一脉冲之后的冷却间隔期间允许所述第一表 面冷却,由此允许对象的第一表面降至第二温度以下并且至少在有限 的程度上热均衡,并且(iv) 在所述冷却间隔之后,将能量的第二脉冲施加给对象的第一表面以再热第一表面。
23. 权利要求22的系统,其中所述控制装置被进一步配置成在包括至 少第一脉冲、冷却间隔和第二脉冲的所述脉冲加热模式期间与加热装 置合作以将对象的第二表面维持在近似第一温度处。
24. 权利要求22的系统,其中所述对象是半导体基片。
25. 权利要求22的系统,其中控制装置被进一步配置成施加第二脉冲 以将第一表面再热至近似第二温度。
26. 权利要求22的系统,其中控制装置通过以下将对象的第二表面维 持在第一温度处:以与施加所述第一脉冲和所述第二脉冲的至少一个 的定时关系来控制背景加热模式。
27. 权利要求22的系统,其中能量的第一和第二脉冲的特征在于一组 脉冲参数,并且所述控制装置使加热装置用相同组的脉冲参数来施加 第一和第二脉冲。
28. 权利要求27的系统,包括感测装置,用于产生对至少一个光学特征 的原地测量以便于在确定第一和第二脉冲的脉冲参数的过程中由控制 装置来使用。
29. 权利要求28的系统,其中所述感测装置被配置成测量反射率和吸收 率的至少一个。
30. 权利要求27的系统,其中所述控制装置参照涉及对象的至少一个光 学特征的一组所存经验数据来确定用于第一和第二脉冲的至少一个的 脉冲参数。
31. 权利要求22的系统,其中能量的第一和第二脉冲的特征在于一组脉 冲参数,并且所述控制装置导致能量的第一和第二脉冲是用所述一组 脉冲参数中的至少一个不同值来施加的。
32. 权利要求31的系统,其中所述控制装置响应于第一和第二脉冲的每 一个而改变能量的第一和第二脉冲的脉冲参数以使第一表面到达第二温度。
33. 权利要求32的系统,包括感测装置,用于产生对至少一个光学特征 的原地测量以便于在确定第一和第二脉冲的脉冲参数的过程中由控制 装置来使用,并且所述控制装置使用所述测量来确定用于第一和第二 脉冲的至少一个的脉冲参数。
34. 权利要求32的系统,其中所述控制装置参照涉及对象的至少一个物 理特征的一组所存经验数据来确定用于第一和第二脉冲的至少一个的 脉冲参数。
35. 权利要求22的系统,包括激光器,用于产生所述第一脉冲和所述第 二脉冲以使第一和第二脉冲的每个都包括从1 ns到10 ms的持续时间。
36. 权利要求22的系统,其中所述加热装置包括钨卤灯和弧光灯的至少 一个,用于作为所述背景加热模式的一部分来加热对象。
37. 权利要求22的系统,其中所述加热装置包括弧光灯、闪光灯和激光 器的至少一个,用于作为所述脉冲式加热模式的一部分来加热对象。
38. 权利要求22的系统,其中所述加热装置包括至少一个闪光灯,用于 在产生所述第一脉冲的过程中使用,并且所述第一脉冲包括从10 ^ 到50 ms的持续时间。
39. 权利要求22的系统,包括以下步骤:使用至少一个闪光灯来产生所 述第二脉冲,并且所述第二脉冲包括从10 ^到50 ms的持续时间。
40. 权利要求22的系统,其中所述控制装置和所述加热装置合作从而以 从1 ps到100秒之间的时隙来串行施加第一和第二脉冲。
41. 权利要求22的系统,其中所述加热装置被配置成使第一和第二脉冲 以1 nJ/cm2到100 J/cm2的范围内的能量密度入射于第一表面上。
42. —种用于借助系列脉冲中的脉冲式能量来处理对象的方法,每个所 述脉冲的特征在于一组脉冲参数,所述对象包括第一和第二相反主表 面,所述方法包括以下歩骤:将所述第一表面暴露于具有第一组脉冲参数的第一能量脉冲以产 生对象的第一温度响应;感测对象的第一温度响应;与第一组脉冲参数组合使用所述第一温度响应,从而建立至少第 二组脉冲参数以便于施加至少第二能量脉冲;以及将所述第一表面至少暴露于所述第二能量脉冲以至少部分地产生 所述对象的目标条件。
43. 权利要求42的方法,其中所述对象包括至少一个物理特征,其影响第一温度响应以使第二组脉冲参数响应于物理特征的变化而变化。
44. 权利要求42的方法,其中所述对象的温度响应是对象的温度的增 加。
45. 权利要求42的方法,进一步包括以下步骤:以与将对象暴露于所述 第一能量脉冲和所述第二能量脉冲的步骤的定时关系将对象加热至第
46. 权利要求45的方法,其中所述对象以连续速率被加热至所述第一温 度。
47. 权利要求45的方法,包括以下步骤:在对象到达所述第一温度之后 将对象暴露于第一和第二脉冲。
48. 权利要求45的方法,包括以下步骤:在启动将对象加热至所述第一 温度的步骤之后但在对象到达第一温度之前施加第一能量脉冲。
49. 权利要求45的方法,包括以下步骤:响应于对象到达所述第一温度 而将对象暴露于所述第二能量脉冲。
50. 权利要求49的方法,包括以下步骤:在对象到达所述第一温度的所 选时间间隔内将第二能量脉冲施加给对象。
51. 权利要求42的方法,其中所述第二能量脉冲被施加以通过以下来处 理对象:加热对象的至少第一表面以至少部分地产生所述目标条件。
52. 权利要求42的方法,其中所述对象包括影响第一温度响应的至少一 个物理特征,并且其中第二脉冲的第二组脉冲参数被配置成使第二脉 冲不能完全产生对象的所述目标条件,并且所述方法进一步包括以下步骤:施加系列的一个或多个附加脉冲,其每个的特征在于附加组的 脉冲参数。
53. 权利要求52的方法,其中附加组的脉冲参数响应于物理特征的变化 在所述系列附加脉冲期间变化。
54. 权利要求42的方法,其中第二脉冲的第二组脉冲参数被配置成使第 二脉冲不能完全产生对象的所述目标条件,并且所述方法进一步包括 以下步骤:施加系列的一个或多个附加脉冲,其具有整个组的脉冲参 数,其被确定以合作地并且至少近似地产生所述目标条件。
55. 权利要求54的方法,包括以下步骤:在所述系列附加脉冲期间至少 间歇地对对象的物理特征做出响应,至少基于所述系列附加脉冲产生 的至少一个或多个附加温度响应,所述物理特征在施加所述系列附加 脉冲期间变化。
56. 权利要求55的方法,其中所述系列附加脉冲的第二组被散布于附加 脉冲的第一组中以使至少一个第二组脉冲在每个第一组脉冲之后,并 且第二组脉冲的每一个都至少部分地产生所述对象的所述目标条件。
57. 权利要求56的方法,其中第一组脉冲的每个脉冲都以以下方式被配 置:产生相对于所述目标条件的所述对象中的可忽略的变化以使第一 组脉冲中的每个脉冲被施加用于测量的目的。
58. 权利要求54的方法,其中所述系列附加脉冲的每个脉冲被施加以将 所述对象至少部分地变换到所述目标条件。
59. 权利要求58的方法,包括以下步骤:确定由所述系列附加脉冲的所 选脉冲产生的一个或多个附加温度响应以便于在建立附加脉冲的随后 脉冲的脉冲参数的过程中使用。
60.权利要求58的方法,包括以下步骤:确定每个附加脉冲之后的附加 温度响应以便于在确定用于附加脉冲的接下来脉冲的脉冲参数组的过 程中使用。
61 .权利要求42的方法,其中所述第二能量脉冲被施加以通过以下来处理对象:加热对象的至少第一表面以至少部分地产生所述目标条件, 并且第二脉冲的第二组脉冲参数被配置成使第二脉冲不能完全产生对 象的所述目标条件,并且所述方法进一步包括以下步骤:(i)施加系列 的一个或多个附加脉冲以便于合作改变对象以至少近似地产生所述目 标条件,(ii)在附加脉冲的至少所选脉冲之前,产生对对象的光学测 量,以及(iii)至少部分地基于所述光学测量来确定用于所选附加脉 冲的脉冲参数组。
62. 权利要求61的方法,其中所述对象被暴露于所述附加脉冲的至少两个,并且所述光学测量被周期性地重复以便于跟踪所述系列附加脉冲 期间的光学特性。
63. 权利要求42的方法,其中第一脉冲的第一组脉冲参数被配置成在有 限的程度上产生所述目标条件。
64. 权利要求42的方法,其中第一脉冲的第一组脉冲参数以以下方式被 配置:产生相对于所述目标条件的所述对象中的可忽略的变化以使第 一组脉冲中的每个脉冲被施加用于测量的目的。
65. 权利要求42的方法,包括以下歩骤:使用特定的几何安排将第一表 面暴露于所述第一脉冲,并且其中将第一表面暴露于第二能量脉冲的 步骤使用所述特定几何安排。
66. 权利要求65的方法,包括以下步骤:从一个辐射源发射所述第一和 第二脉冲以使第一和第二能量脉冲以相同的方式至少有角度地入射于
67. 权利要求42的方法,其中第一和第二脉冲以处于1 nJ/cn^到100 J/cm2的范围内的能量密度入射于第一表面上。
68. 权利要求42的方法,其中第一脉冲具有比第二脉冲小的能量。
69. 权利要求42的方法,其中第二脉冲具有与第一脉冲基本上相同组的 脉冲参数。
70. 权利要求42的方法,其中第一脉冲来自激光器,并且所述第一脉冲 包括从1 ns到10 ms的持续时间。
71. 权利要求42的方法,其中第二脉冲来自激光器,并且所述第二脉冲 包括从1 ns到10 ms的持续时间。
72. 权利要求42的方法,其中第一脉冲来自闪光灯,并且所述第一脉冲 包括从10 ps到50 ms的持续时间。
73. 权利要求42的方法,其中第二脉冲来自闪光灯,并且所述第二脉冲 包括从10 ps到50 ms的持续时间。
74. 权利要求42的方法,其中第一和第二脉冲是以从1 ps到100秒之 间的时隙来串行施加的。
75. 权利要求42的方法,进一步包括以下步骤:在第一和第二脉冲的至 少一个被施加的同时将对象的第二表面维持在第一温度处或其附近的温度o
76. 权利要求75的方法,包括以下步骤:使用第一热源来施加第一和第 二脉冲并且使用第二热源来维持对象的第二表面的所选温度。
77. 权利要求76的方法,其中第二热源包括钨卤灯和弧光灯的至少一 个。
78. 权利要求76的方法,其中对象的第二表面的温度是通过控制给第二加热源的功率来维持的。
79. —种用于借助系列脉冲中的脉冲式能量来处理对象的系统,每个所 述脉冲的特征在于一组脉冲参数,所述对象包括第一和第二相反主表 面,所述系统包括:加热装置,用于将所述第一表面暴露于具有第一组脉冲参数的第 一能量脉冲以产生对象的第一温度响应;感测装置,用于感测对象的第一温度响应;以及控制装置,用于与第一组脉冲参数组合使用所述第一温度响应, 从而建立至少第二组脉冲参数以便于施加至少第二能量脉冲,并且用 于使所述第一表面至少暴露于所述第二能量脉冲以至少部分地产生所 述对象的目标条件。
80. 权利要求79的系统,在一个配置中用于将半导体基片作为对象处 理。
81. 权利要求79的系统,其中所述对象包括影响第一温度响应的至少一 个物理特征,并且所述控制装置响应于物理特征的变化而确定第二组 脉冲参数。
82. 权利要求79的系统,其中所述对象的温度响应是由所述加热装置产 生的对象的温度的增加。
83. 权利要求79的系统,其中所述加热装置和所述控制装置被合作地配 置成以与将对象暴露于所述第一能量脉冲和所述第二能量脉冲的定时 关系将对象加热至第一温度。
84. 权利要求83的系统,其中加热装置以连续速率将所述对象加热至所 述第一温度。
85. 权利要求83的系统,其中加热装置在对象到达所述第一温度之后将 对象暴露于第一和第二脉冲。
86. 权利要求83的系统,其中加热装置在启动将对象加热至所述第一温 度的步骤之后但在对象到达第一温度之前施加第一能量脉冲。
87. 权利要求83的系统,其中所述加热装置响应于对象到达所述第一温 度而将对象暴露于所述第二能量脉冲。
88. 权利要求87的系统,其中加热装置在对象到达所述第一温度的所选 时间间隔内将第二能量脉冲施加给对象。
89. 权利要求79的系统,其中所述对象包括影响第一温度响应的至少一 个物理特征,并且其中第二脉冲的第二组脉冲参数由控制装置配置成 使第二脉冲不能完全产生对象的所述目标条件,并且所述控制装置施 加系列的一个或多个附加脉冲,其每个的特征在于附加组的脉冲参数。
90. 权利要求79的系统,其中所述控制装置与所述加热装置合作以通过 以下来处理对象:响应于物理特征的变化在所述系列附加脉冲期间改 变附加组的脉冲参数。
91. 权利要求90的系统,其中控制装置配置第二脉冲的第二组脉冲参数 以使第二脉冲不能完全产生对象的所述目标条件,并且所述控制装置 施加系列的一个或多个附加脉冲,其具有整个组的脉冲参数,其被确 定以合作地将对象至少近似地带到所述目标条件。
92. 权利要求91的系统,其中所述控制装置至少间歇地对对象的物理特 征做出响应,至少基于所述系列附加脉冲产生的至少一个或多个附加 温度响应,所述物理特征在施加所述系列附加脉冲期间变化。
93. 权利要求92的系统,其中所述控制装置将所述系列附加脉冲的第二 组散布于附加脉冲的第一组中以使至少一个第二组脉冲在每个第一组 脉冲之后,并且第二组脉冲的每一个都至少部分地产生所述对象的所 述目标条件。
94. 权利要求93的系统,其中所述控制装置以以下方式来配置第一组脉 冲的每个脉冲:产生相对于所述目标条件的所述对象中的可忽略的变 化以使第一组脉冲中的每个脉冲被施加用于测量的目的。
95. 权利要求91的系统,其中所述系列附加脉冲的每个脉冲被施加以将 所述对象至少部分地变换到所述目标条件。
96. 权利要求95的系统,其中所述控制装置使用感测装置来确定由所述系列附加脉冲的所选脉冲产生的一个或多个附加温度响应以便于在建 立附加脉冲的随后脉冲的脉冲参数的过程中使用。
97. 权利要求95的系统,其中所述控制装置使用感测装置来确定每个附 加脉冲之后的附加温度响应以便于在确定用于附加脉冲的接下来脉冲 的脉冲参数组的过程中使用。
98. 权利要求79的系统,其中感测装置包括用于产生表征所述对象的光 学测量的装置,并且其中所述控制装置和所述加热装置合作以施加第 二能量脉冲从而通过以下来处理对象:加热对象的至少第一表面以至 少部分地产生所述目标条件,并且第二脉冲的第二组脉冲参数被配置 成使第二脉冲不能完全产生对象的所述目标条件,并且所述加热装置和所述控制装置被进一步配置成合作地:(i)施加系列的一个或多个附加脉冲以便于合作改变对象以至少近似地产生所述目标条件,(ii)在 附加脉冲的至少所选脉冲之前,使用感测装置来产生对对象的光学测 量,以及(iii)至少部分地基于所述光学测量来确定用于所选附加脉 冲的脉冲参数组。
99. 权利要求98的系统,其中所述加热装置将所述对象暴露于所述附加 脉冲的至少两个,并且所述光学测量被周期性地重复以便于跟踪所述 系列附加脉冲期间的光学特性。
100. 权利要求79的系统,其中第一脉冲的第一组脉冲参数被配置成在 有限的程度上产生所述目标条件。
101. 权利要求79的系统,其中所述加热装置被配置成使用特定的几何 安排将第一表面暴露于所述第一脉冲,并且其中加热装置使用所述特 定几何安排将第一表面暴露于第二能量脉冲。
102. 权利要求101的系统,其中所述加热装置从一个辐射源发射所述第一和第二脉冲以使第一和第二能量脉冲以相同的方式至少有角度地入 射于对象上。
103. 权利要求79的系统,其中第一和第二脉冲以处于1 nJ/cn^到100 J/cm2的范围内的能量密度入射于第一表面上。
104. 权利要求79的系统,其中加热装置以比第二脉冲小的能量来发射 第一脉冲。
105. 权利要求79的系统,其中与第一脉冲相比,第二脉冲的特征在于 基本上相同组的脉冲参数。
106. 权利要求79的系统,包括用于产生第一脉冲的激光器,并且所述 第一脉冲包括从1 ns到10 ms的持续时间。
107. 权利要求79的系统,包括用于产生第一和第二脉冲的激光器,并 且所述第二脉冲包括从1 ns到10 ms的持续时间。
108. 权利要求79的系统,包括用于产生所述第一脉冲的闪光灯,并且 所述第一脉冲包括从10 ns到50 ms的持续时间。
109. 权利要求79的系统,包括用于产生第二脉冲的闪光灯,并且所述 第二脉冲包括从10 ps到50 ms的持续时间。
110. 权利要求79的系统,其中所述加热装置以从1 ps到100秒之间的 时隙来串行施加第一和第二脉冲。
111. 权利要求79的系统,其中控制装置被进一步配置成通过以下而与 加热装置合作:在第一和第二脉冲的至少一个被施加的同时将对象的 第二表面维持在第一温度处或其附近的温度。
112. 权利要求111的系统,其中所述加热装置包括用于施加第一和第二 脉冲的第一热源和用于维持对象第二表面的所选温度的第二热源。
113. 权利要求112的系统,其中第二热源包括钩囟灯和弧光灯的至少一 个。
114. 权利要求112的系统,其中所述第二加热源需要输入功率水平,并 且对象的第二表面的温度是通过控制给第二加热源的输入功率水平来 维持的。
115. —种用于处理半导体基片的方法,所述基片包括第一和第二相反表面,所述方法包括以下步骤:通过将基片暴露于特征在于一组脉冲参数的能量脉冲在所述半导体基片上感生温度;感测半导体基片的温升;以及基于与所述组的脉冲参数组合的所述温升,确定半导体基片的吸 收率。
116. 权利要求115的方法,进一步包括以下步骤:使用如所确定的吸收 率作为建立用于连续处理所述半导体基片的一组处理参数的过程中的 值。
117. 权利要求115的方法,进一步包括以下步骤:使用所述吸收率来建立用于至少一个附加能量脉冲的一组处理参数;以及基于所述组的处理参数将所述半导体基片暴露于所述附加能量脉冲。
118. 权利要求117的方法,包括以下步骤:使用特定几何安排将第一表 面暴露于所述能量脉冲,并且其中将第一表面暴露于所述附加能量脉 冲的步骤使用所述特定几何安排。
119.权利要求117的方法,其中所述能量脉冲包括比附加能量脉冲的处 理功率水平低的功率水平。
120. 权利要求119的方法,其中所述能量脉冲以以下方式被配置:产生 相对于目标条件的所述半导体基片中的可忽略的变化以使能量脉冲被 施加用于测量的目的。
121. 权利要求119的方法,其中所述能量脉冲被施加以将所述半导体基片至少部分地变换到所述目标条件。
122. 权利要求118的方法,包括以下步骤:从一个辐射源发射所述第一和第二脉冲以使第一和第二能量脉冲以角度上相同的方式入射于半导 体基片上。
123. 权利要求115的方法,其中所述第一表面和所述第二表面的所选的 一个被暴露于所述能量脉冲,并且所述温升被感测于所述第一表面和 所述第二表面的所选的一个处。
124. 权利要求115的方法,其中所述第一表面和所述第二表面的所选的 一个被暴露于所述能量脉冲,并且所述温升被感测于与所选表面相反 的所述第一表面和所述第二表面的一个处。
125. —种用于处理半导体基片的系统,所述基片包括第一和第二相反表 面,所述系统包括:加热装置,用于通过将基片暴露于特征在于一组脉冲参数的能量 脉冲在所述半导体基片上感生温度;感测装置,用于感测半导体基片的温升;以及处理装置,用于基于与所述组的脉冲参数组合的所述温升来确定 半导体基片的吸收率。
126. 权利要求125的系统,其中所述处理装置被配置成将所述吸收率用 作建立一组处理参数的过程中的参数以便于在完成对所述半导体基片的处理的过程中使用。
127. 权利要求125的系统,其中所述处理装置被配置成使用所述吸收率来建立用于至少一个附加能量脉冲的一组处理参数,并且应用于基于 所述组的处理参数将所述半导体基片暴露于所述附加能量脉冲。
128. 权利要求127的系统,其中所述加热装置被配置成使用特定几何安 排将第一表面暴露于所述能量脉冲,并且使用所述特定几何安排将第 一表面暴露于所述附加能量脉冲。
129. 权利要求127的系统,其中所述能量脉冲包括比附加能量脉冲的处 理功率水平低的功率水平。
130. 权利要求129的系统,其中所述加热装置和所述处理装置合作从而 以以下方式来发射所述能量脉冲:产生相对于目标条件的所述半导体 基片中的可忽略的变化以使能量脉冲被施加用于测量的目的。
131. 权利要求129的系统,其中所述能量脉冲被施加以将所述半导体基 片至少部分地变换到所述目标条件。
132. 权利要求128的系统,其中所述加热装置包括辐射源,用于发射所述第一和第二脉冲以使第一和第二能量脉冲以角度上相同的方式入射 于半导体基片上。
133. 权利要求125的系统,其中所述加热装置被配置成将所述第一表面 和所述第二表面的所选的一个暴露于所述能量脉冲,并且所述感测装 置感测所述第一表面和所述第二表面的所选的一个处的所述温升。
134. 权利要求125的系统,其中所述加热装置被配置成将所述第一表面 和所述第二表面的所选的一个暴露于所述能量脉冲,并且所述感测装 置感测与所选表面相反的所述第一表面和所述第二表面的一个处的所 述温升。
135. —种用于使用热来处理对象的系统,所述系统包括: 脉冲式加热源,用于将能量的第一脉冲施加给对象的第一表面以 加热该表面,从而使对象产生辐射能量;传感器,用于在能量的第一脉冲被施加之后使用来自对象的辐射能量来产生测量;以及装置,用于至少部分地基于所述测量来调节用于至少一个附加脉 冲能量的一组脉冲参数以便于由脉冲式加热源来使用。
136. 权利要求135的系统,在一个配置中将半导体基片作为所述对象处 理。
137. 权利要求135的系统,包括背景加热源,其具有钩卤灯和弧光灯的 至少一个,用于等温地加热对象。
138. 权利要求135的系统,其中脉冲式加热源包括弧光灯、闪光灯和激 光器的至少一个。
139. 权利要求135的系统,进一步包括过滤器,其被关联于所述脉冲式 加热源以筛选出由脉冲式加热源发射的所选辐射波长范围。
140. 权利要求139的系统,其中过滤器是将对象隔离于脉冲式加热源的 水冷窗。
141. 权利要求139的系统,其中过滤器是高OH石英窗。
142. 权利要求135的系统,其中所述传感器是光学传感器。
143. 权利要求142的系统,进一步包括第二传感器,用于采样由脉冲式 加热源发射并且在对象的所述第一表面上入射的入射脉冲辐射。
144. 权利要求142的系统,进一步包括第二传感器,用于感测经过对象 的能量的第一脉冲的一部分。
145. 权利要求135的系统,进一步包括高温计,用于测量由对象的第一 表面发射的所述辐射能量以监视对象第一表面的温度。
146. 权利要求135的系统,进一步包括高温计,用于测量由对象的第二表面发射的第二表面辐射能量以监视对象第二表面的第二表面温度。
147. 权利要求135的系统,其中所述系统包括背景加热源,其被放置成 将热能导向对象的第二表面。
148. —种用于使用热来处理对象的系统,所述系统包括:加热源,用于在第一工作模式下将对象加热至第一温度,所述加 热源被进一步配置成在第二工作模式下将能量的至少第一脉冲施加给 对象的第一表面以将第一表面加热至比第一温度大的第二温度,所述 对象响应于加热源而产生辐射能量;传感器,用于通过采样来自对象的所述辐射能量来产生测量;以及装置,用于至少部分地基于所述测量来调节用于至少一个附加脉 冲能量的脉冲参数以便于由加热源来使用。
149. 权利要求148的系统,其中加热源包括弧光灯、闪光灯和激光器的 至少一个。
150. 权利要求148的系统,包括过滤器,其被关联于所述加热源以筛选 出由加热源发射的所选波长辐射。
151. 权利要求150的系统,其中过滤器是将对象隔离于加热源的水冷窗。
152. 权利要求150的系统,其中过滤器是高OH石英窗。
153. 权利要求150的系统,其中加热源包括至少一个灯泡,并且过滤器 包括单独包围每个灯泡的一个或多个包层。
154. 权利要求148的系统,其中传感器是光学传感器。
155. 权利要求154的系统,进一步包括第二传感器,用于釆样由加热源 最初发射并且之后在对象的所述第一表面上入射的入射脉冲辐射。
156. —种用于借助系列脉冲中的脉冲式能量来处理对象的方法,每个所 述脉冲的特征在于一组脉冲参数,所述方法包括以下步骤:将所述对象暴露于具有第一组脉冲参数的第一能量脉冲以产生对 象的第一温度响应;感测对象的第一温度响应;与第一组脉冲参数组合使用所述第一温度响应,从而确定对第二 组脉冲参数的对象的预计响应以便于至少部分地基于用于所述对象的 目标条件将对象暴露于至少第二能量脉冲;以及将所述对象暴露于所述第二能量脉冲以至少部分地产生所述对象 的所述目标条件。
157. 权利要求156的方法,其中所述对象是半导体基片。
158. 权利要求156的方法,其中所述第一能量脉冲和所述第二能量脉冲 被配置成能只是部分地产生所述目标条件,并且所述方法包括以下步 骤:施加一组附加脉冲以使将对象暴露于所述组的附加脉冲导致对象 增量地接近所述目标条件。
159. —种用于借助系列脉冲中的脉冲式能量来处理对象的系统,每个所 述脉冲的特征在于一组脉冲参数,所述系统包括:加热装置,用于将所述对象暴露于包括具有第一组脉冲参数的第 一能量脉冲的所述系列脉冲以产生对象的第一温度响应;感测装置,用于感测对象的第一温度响应;控制装置,用于组合使用第一组脉冲参数与所述第一温度响应, 从而确定对第二组脉冲参数的对象的预计响应以便于至少部分地基于 用于所述对象的目标条件将对象暴露于至少第二能量脉冲,并且使加 热装置将所述第一表面暴露于至少所述第二能量脉冲以至少部分地产 生所述对象的所述目标条件。
160. 权利要求159的系统,其中所述对象是半导体基片。
161. 权利要求159的方法,其中所述第一能量脉冲和所述第二能量脉冲 被配置成能只是部分地产生所述目标条件,并且所述控制装置被配置 成施加一组附加脉冲以使将对象暴露于所述组的附加脉冲导致对象增 量地接近所述目标条件。
162. —种用于处理具有第一表面的对象的方法,该方法包括以下步骤: 通常在背景加热模式下加热对象;通过使该表面经历能量的至少第一脉冲在脉冲式模式下加热第一 表面;以及相对于脉冲而控制背景加热模式。
由于器件生产领域的现有技术水平已移向具有逐渐减小的结深度的 器件,己有以下伴随的感觉:可使用用于处理半导体晶片的脉冲式加热 方法和系统来增强热处理。20世纪80年代后期的至少一个途径包含低 温背景加热级,之后是脉冲式退火级。低温背景加热级典型地包含用钨
卤灯将晶片加热到中间范围的温度,如例如600°C,之后通过诸如400 ps 的很短持续时间的来自闪光灯的脉冲将温度快速增加到1100°C。晶片被 允许通过辐射来冷却。没有用于控制使用脉冲加热的过程(其简单地在 等温退火的结束时激发闪光灯)的可重复性的技术,也没有提供从晶片 到晶片的可重复性。而且,对于针对可重复性的过程控制,采用了对背 景加热的简单、恒温控制。见例如J.R. Logan等,"Recrystallisation of amorphous silicon film by rapid isothermal and transient annealing", Semiconductor Sci. Tehc. 3, 437 (1988);以及J丄.Altrip等,"High temperature millisecond annealing of arsenic implanted silicon", Solid-State Electronics 33, 659 (1990)。亦值得注意的是,尽管这两个参考都利用了 在脉冲暴露期间对背景加热的简单、恒温控制,Logan的参考仍被进一 步局限于说明对这种控制的实施,其中经历处理的基片的温度仅被间接 地监视。就是说,正被处理的基片由支持基片来支持。支持基片的温度 被监视,而不是实际上正经历处理的基片。不幸的是,这种安排潜在地 通过引入对实际上正被处理的对象的温度的不确定性而进一步加重了有 关恒温控制的问题。
在可替换的实施例中,U.S.专利4, 649,261和4,698,486公开了用于 通过组合等温加热和热通量加热来加热半导体晶片的方法(例如图11)。 整个晶片用诸如连续波灯通过等温加热而加热到第一中间温度。然后, 晶片的前侧通过热通量(脉冲式装置,如高功率脉冲式灯阵列)来加热。 加热方法在晶片和加热源被保持在积分光管或万花筒内的同时被实施, 所述积分光管或万花筒具有将辐射能量反射和再次反射向晶片的反射性 内表面。所述专利未描述多脉冲加热模式,并且没有提供技术来控制通 过多重脉冲来加热或从晶片到晶片的可重复性。应提出的是,不管其被感觉到的优点,如由现有技术所实施的脉冲 模式加热仅已遇到有限的成功,这是因为伴随其使用的某些困难尚未被 适当地解决,如将在以下被进一步描述的。U.S.专利4,504,323讨论了一种退火方法,其中半导体晶片在炉内被 预热至400。C,然后在800 (isec的脉冲期间被暴露于来自闪光放电灯阵 列的辐射。预热温度在所需退火温度以下,并且不发生掺杂剂扩散。该 专利未公开多脉冲加热模式,并且没有提供技术来控制通过多重脉冲来 加热或从晶片到晶片的可重复性。U.S.专利4,615,765公开了使用激光或粒子束源的热处理。该专利聚 焦于用于将功率从激光选择性地递送到半导体晶片的特定区以加热所需 区而不加热其它区的方法。该方法基于定制两个区的吸收质量以导致来 自具有预定脉冲能量、脉冲持续时间和脉冲间隔的脉冲的不同温升。没 有提供技术来控制通过多重脉冲来加热或从晶片到晶片的可重复性。U.S.专利5,841,110提供了 RTP领域内的一种较近期的途径。具体而 言,系统参数在谱积分反射率的单独的基础上被调节。而且,该参考至 少由于以下原因而在某种程度上与本发明不相关:该参考不包括用于使 用脉冲式源的直接讲述。尽管该系统是有效的并且提供了当时存在的现 有技术之上的明显改进,应提出的是本发明提供了仍进一步的优点,如 将要看到的。脉冲式加热期间半导体晶片表面处的温度可受几个因素的影响,包 括:(a)背景温度分布;(b)脉冲能量类型、形状和持续时间;以及(c) 晶片的光学特性。在激光处理中,晶片表面反射率的变化可导致不同晶
片上或甚至相同晶片上的不同位置处的功率耦合的明显变化。尽管灯辐 射具有比尽管辐射宽的谱,亦知道光学特性的变化影响在用鸨卤灯进行 快速热处理期间到达晶片表面的温度。因此,涂层的变化可导致反射率 的变化,从而改变晶片表面上或想要具有相同表面特征的两个晶片的表 面上的所吸收的能量。图2是绘出被施加给每个都具有不同表面特征的两个半导体晶片的 照射的温度对时间曲线的曲线图。尽管被施加给每个的辐射脉冲都具有相同的能量,较多辐射反射的晶片到达比较多辐射吸收的晶片G300。C) 低的峰值温度(大约1000°C)。相反,由于相同的辐射脉冲被施加,用 于较多反射的晶片的温度对时间曲线12与用于较多吸收的晶片的温度 对时间曲线14是可比的。这样,在较多反射的晶片上,由来自辐射源的 相同脉冲或系列脉冲而感生的温升比在较多吸收的晶片上感生的温升 低。除了由不同晶片反射率导致的加热温度的变化以外,不需要的变化 亦可从使用辐射的多重脉冲而产生。图3是绘出用于晶片表面温度22 和背侧温度24的温度对时间曲线并绘出背景加热器功率对时间26的曲 线图。借助在该曲线图中说明的加热方法,背景加热器被激励以将整个 晶片(表面和背侧)加热至大约S00。C的第一温度。加热器然后被切换 至稳定状态,并且来自脉冲源(如弧光灯或激光器)的两个快速脉冲被 施加以将晶片表面加热至所需退火温度(即1300°C)。晶片的背侧温度 仍接近于第一温度以阻止不需要的掺杂剂扩散。在热从能量脉冲扩散经 过晶片的体时,晶片背侧的温度趋向于上升。图3示出从第一温度开始 的背侧温度的50°C到100°C的上升。在第一脉冲之后,晶片的表面温 度随着热被传导到晶片的体中而下降,并且晶片到达近乎等温的状况。 表面温度的下降不与由于脉冲而产生的温度的上升一样快,因此当第二 脉冲被激励时,晶片表面仍在第一温度以上。在此情况下,第二脉冲产
生比第一脉冲大的峰值温度(1300。C以上),从而导致过程控制的困难。 本发明解决了上述问题和困难,同时提供了仍进一步的优点。发明内容本文字涉及一种加热诸如例如半导体晶片或基片的对象的方法和系统。在第一方面中,所述方法包括:(a)用第一加热源将基片加热至第 一温度;(b)正好在从脉冲式能量源施加能量的第一脉冲以加热基片的 器件侧表面之前或正好在此时停用或停止给第一加热源的功率;以及(c)通过来自第二加热源的能量的第一脉冲将基片的第一表面或器件侧快速 加热至比第一温度大的第二温度,其中第二温度可以是例如用于掺杂剂注入的半导体晶片的退火温度。任选地,快速加热步骤(c)可先于停用 步骤(c)。另外,该加热方法可包括另外的步骤(d)在来自第二加热源 的第一脉冲已被施加之后,再次激励或再次打开用于第一加热源的功率。 而且,对于加热步骤(a)和快速加热步骤(c),亦有可能借助单个加热 源来完成。通过停用第一加热源并在从脉冲源施加脉冲之前或正好在此时将基 片的体加热至第一温度,晶片的体将在第一温度或其附近,并且主要是 仅基片的第一表面将被快速加热至第二高得多的温度。随着来自能量脉 冲的热扩散经过基片的体,基片的平均温度趋向于上升。如果给第一加 热源的功率保持被激励,则基片的背侧表面的温度可增加到第一温度以 上,就象基片的体将成为的那样。基片温度上的这种向上蠕变常常导致 不需要的渗杂剂扩散,并且可导致等效能量的随后施加的脉冲将基片的 前表面加热到比所需高温高的温度,或者导致其它不想要的效应。对第 一加热源的闭环反馈控制帮助将基片的体维持在第一温度或附近,并且 确实在第二处理或退火温度以下。
为了退火硅半导体晶片,第一温度优选地是高达1000°C,或者处于 200°C到U00。C的范围内,最优选地处于600°C到1000°C的范围内。 第二温度(或处理或退火温度)优选地处于600。C到1400。C的范围内, 最优选地是从1050°C到1400°C。加热到第一温度优选地以每秒至少 100°C的速率来实施。优选地,加热源,如钨卤灯、弧光灯或这种灯的 阵列被用于将基片加热至第一温度。在优选实施例中,这些加热源被放 置在基片背侧的附近。可替换的是,被加热的板或基座可被用于将基片 加热至第一温度。脉冲式加热优选地包括用由弧光灯、闪光灯或诸如准分子激光器的 激光器产生的辐射来照射基片的第一表面。在优选实施例中, 一个或一 个阵列的脉冲式加热源被放置在基片的前侧或器件侧的附近。在另外的实施例中,加热方法包括:(a)用第一加热源将诸如半导 体晶片的基片加热至第一温度;(b)正好在基片表面到达第一温度时用 第二加热源施加能量脉冲以将基片表面快速加热至所需处理温度;以及 (c)停用第一和第二热源。该方法任选地可包括由脉冲式加热源发射的 系列能量脉冲,其中第一能量脉冲正好在基片表面到达第一温度时被激 励。在又一个实施例中,单个热源被用于将基片加热至第一温度并且也 用于脉冲加热。在此情况下,加热方法包括(a)用热源将诸如半导体晶 片的基片加热至第一温度,(b)正好在基片表面到达第一温度时用相同 的热源来施加能量的附加脉冲以将所述表面快速加热至所需处理温度, 以及(c)停用热源。在另一个实施例中,脉冲式加热是借助由脉冲式加热源发射的系列 脉冲来实施的。在施加来自第二加热源的能量脉冲之前,控制被施加以 停用第一加热源。基片的背侧表面的温度是通过光学传感器或高温计或 者一系列光学传感器和/或高温计来测量的。通过使用对第一加热源的控 制,背侧的温度被维持在处理或退火温度以下的第一温度处或其附近。当系列脉冲被使用时,用于闪光灯或弧光灯的第一脉冲具有从10 微秒到50毫秒的持续时间,并且第二脉冲具有10微秒到50毫秒的持续 时间,其中第一和第二脉冲被串行施加,而每个脉冲之间有从1毫秒到100秒的时隙。当来自激光器的系列脉冲被使用时,第一脉冲具有从1 纳秒到IO毫秒的持续时间,其中第一和第二脉冲被串行施加,而每个脉 冲之间有从1微秒到100秒的时隙。任何数量的脉冲可被施加,这取决 于所需的处理结果。脉冲式加热源优选地以晶片表面处的1 nJ/ci^到100 J/cm2的范围内的能量密度来发射脉冲。在另一个实施例中,脉冲式加热是借助由脉冲式加热源发射的系列 脉冲来实施的。闭环反馈控制被施加以便于为被施加以加热基片的前侧 或器件侧的每个脉冲调节脉冲参数,从而不施加这样的能量脉冲,其将 把基片的前侧加热至所需处理或退火温度以上的温度或者换句话说正好 到达所需温度。因此,过程控制是通过为基片的背侧而调节脉冲参数(能 量、持续时间、脉冲之间的时间)而不是停用和再次激励给加热源的功 率来进行的。基片前侧的温度由光学传感器或高温计或者系列光学传感 器和/或高温计来测量。在又一个实施例中,半导体基片是用脉冲式能量来加热的,并且用 于脉冲的参数首先通过在第一测试脉冲(或预脉冲)被施加之后估算基 片的吸收率来确定。在该方法中,基片被加热至所需处理或退火温度以 下的第一温度。然后,能量的第一脉冲(测试脉冲或预脉冲)被施加以 将基片加热至对于第一温度的第二温度。优选地,该第二温度亦处于所 需处理温度以下,尽管有可能执行从在能量的第一处理脉冲之后获得的 数据而不是从激光测试脉冲进行的校准。在测试脉冲期间,脉冲能量数 据由一个或多个光学传感器来收集;可替换地或者组合地,基片辐射亦 可由一个或多个高温计来感测。基片吸收率是以几种方式之一从所感测
的数据来估算的。在一个方法中, 一个光学传感器检测从基片反射的脉 冲能量,并且第二传感器检测被透射经过基片的脉冲能量。基片吸收率 是从这两个测量来估算的。在第二方法中,通过提供跟踪前表面温度的 装置,高温计感测来自基片前侧的所发射的辐射。在此情况下,测试脉 冲期间前表面的温升被用于确定基片吸收率。在第三方法中,高温计感 测来自基片前侧或背侧的所发射的辐射。在施加测试脉冲之后,基片温 度在整个厚度上平衡。从施加测试脉冲而产生的该体温升由察看前或背 表面的高温计来测量,并且该测量被用于确定基片吸收率。根据通过这 些方法之一而确定的所估算的吸收率,用于随后能量脉冲的脉冲参数(能 量、持续时间、脉冲之间的时间)被确定,并且接下来的脉冲被施加以 将前侧或第一表面加热至所需处理或退火温度。优选地,如果测试脉冲被使用,则测试脉冲是以处于1 nJ/cn^到10 J/cn^的范围内的能量密度 (这些是基片处的能量密度)来发射的,并且被发射从1纳秒到50毫秒 的持续时间。通过基于原地的吸收率估算来调节脉冲参数,该途径使得 有可能以相同的温度时间轮廓来处理半导体基片,而不管基片的光学(实 际上是物理)特性。借助这个另外的实施例,基片可被首先加热至所需处理温度以下的 中间温度或第一温度。与其它实施例一样,将基片加热至第一温度的热 源优选地包括钨卤灯、弧光灯或这种灯的阵列。可替换的热源包括被加 热的板或基座。而且,在第一加热源的能量脉冲被施加以加热前侧或第 一表面的同时,基片的背侧表面可被维持在第一温度处或附近。背侧温 度可由对加热源的闭环反馈控制诸如在脉冲式加热源被激励时通过控制 给加热源的功率(停用加热源)来维持。依照本发明用于加热半导体基片的系统包括(a)第一加热源,其将 基片加热至第一温度,可以是钨卤灯、弧光灯或这种灯的阵列;(b)脉 冲式加热源,其将能量的第一脉冲施加给基片的第一表面以将第一表面
加热至比第一温度大的第二温度;(C)任选地,过滤器,其与脉冲式加热源关联以筛选出由脉冲式加热源发射的所选波长辐射;(d)传感器, 用于在能量的第一脉冲被施加之后采样由基片反射的辐射;以及(e)装 置,用于调节用于由脉冲式加热源施加的附加能量脉冲的脉冲参数。优选地,脉冲式加热源是弧光灯或闪光灯或者这种灯的阵列,或者 是激光器。优选地,过滤器是水冷窗或高OH石英窗,其将基片隔离于 脉冲式加热源。最优选地,在脉冲式加热源是弧光灯或闪光灯或者这种 灯的阵列的情况下,过滤器包括单独包围每个灯泡的一个或多个包层。 优选地,传感器是光学传感器。最优选地,用于采样由脉冲式加热源发 射的入射脉冲辐射和由基片透射或被透射经过基片的脉冲辐射的附加光 学传感器被提供。优选地,高温计被提供以测量(a)由基片的第一表面 发射的辐射能量以监视基片第一表面的温度,以及(b)由基片的背侧表 面发射的辐射能量以监视背侧表面的温度。在本发明的继续的方面中,对象被处理以具有包括第一和第二表面 的相反主表面。系统使用加热装置在背景加热模式下以可控制的方式将 热施加给对象,由此选择性地加热对象以至少通常地产生贯穿对象的温 升。然后通过使对象的第一表面经历具有脉冲持续时间的能量的至少第 一脉冲,与背景加热模式合作,在脉冲式加热模式下使用所述加热装置 来加热对象的第一表面。背景加热模式有利地以对第一脉冲的定时关系 而被控制。在本发明的再一个实施例中,具有包括第一和第二相反表面的相反 主表面的对象是通过使用处理系统通过以下来处理的:使用加热装置在 背景加热模式期间以可控制的方式将热施加给对象由此选择性地加热对 象以至少通常地产生贯穿对象的第一温度。然后对象的第一表面是通过 以下在脉冲式加热模式下使用所述加热装置来加热的:使第一表面经历 能量的至少第一脉冲以将对象的第一表面加热至比第一温度大的第二温
度。在施加第一脉冲之后,第一表面被允许在冷却间隔期间冷却,从而 允许对象的第一表面下降到第二温度以下,并且被允许至少在有限的程 度上热均衡。在冷却间隔之后,能量的第二脉冲被施加给对象的第一表 面以再次加热第一表面。在包括至少第一脉冲、冷却间隔和第二脉冲的 脉冲加热模式期间,对象的第二表面被维持于近似第一温度。在一个特 点中,对象的第二表面通过以下而维持于第一温度:以对施加第一脉冲 和第二脉冲的至少一个的定时关系来控制背景加热模式。在本发明的另外的方面中,对象是在使用系列脉冲中的脉冲式能量 的系统中被处理的,所述脉冲的每个的特征在于一组脉冲参数。对象包 括第一和第二相反的主表面。第一表面被暴露于具有第一组脉冲参数的 第一能量脉冲以产生对对象的第一温度响应。对象的第一温度响应被感 测。通过组合第一组脉冲参数而使用第一温度响应,至少第二组脉冲参 数被建立以便于施加至少第二能量脉冲。第一表面然后被暴露于至少第 二能量脉冲以至少部分地产生基片的目标条件。在本发明的另一个方面中,具有第一和第二相反主表面的半导体基 片是通过借助以下而感生半导体基片中的温升在系统中被处理的:将基 片暴露于特征在于一组脉冲参数的能量脉冲。半导体基片的温升通过使 用感测装置来感测。基于该温升,与所述一组脉冲参数组合,半导体基 片的吸收率被确定。在一个特点中,如所确定的吸收率被用作在建立用 于继续对于半导体基片的处理的一组处理参数的过程中的值。例如,吸 收率可被用于建立用于至少一个附加能量脉冲的一组处理参数。在另一 个特点中,能量脉冲被以相对于目标条件而产生半导体基片中的可忽略 闭环的方式来配置以使能量脉冲为了测量的目的而被施加。在又一个特 点中,脉冲能量被施加成将半导体基片至少部分地变换到目标条件。在本发明的另外的方面中,对象是在系统中使用热来处理的。因此, 加热源在第一工作模式下将对象加热至第一温度,由此进行背景加热。
加热源被进一步配置以便于在第二、脉冲式热工作模式下将能量的至少 第一脉冲施加给对象的第一表面以将第一表面加热至比第一温度大的第 二温度。对象响应于加热源而产生辐射能量。传感器被用于通过采样来 自对象的辐射能量而产生测量。用于至少一个附加能量脉冲的脉冲参数 至少部分地基于所述测量而被调节。在一个配置中,加热源包括分离的 背景和脉冲式加热部分。在另一个配置中,加热源是如例如弧光灯的多 模式源,其被配置成在作为第一工作模式的背景加热模式下工作并且在 作为第二工作模式的脉冲式加热模式下工作。附图说明图1是依照本发明的一个方面用于加热半导体晶片的脉冲式处理系统的示意图;图2是绘出用于对两个晶片的多脉冲加热的现有技术加热曲线的以 。C表示的温度对以秒表示的时间的曲线图,其中脉冲具有相同的能量, 但每个晶片具有不同的反射率;图3是(i)绘出用于用背景加热器加热且其表面通过来自脉冲加热 源的多重脉冲的辐射来加热的晶片的表面和背侧的现有技术加热曲线的 以。C表示的温度对以秒表示的时间的;以及(ii)绘出用于背景加热器 的以kW表示的背景加热器功率对以秒表示的时间的曲线图;图4是说明依照本发明第一实施例的加热方法的曲线图——(i)绘出了用于用背景加热器加热且其表面通过来自脉冲加热源的多重脉冲的辐射来加热的晶片的表面和背侧的加热曲线的以。c表示的温度对以秒表示的时间;并且(ii)绘出了用于背景加热器的以kW表示的背景加热 器功率对以秒表示的时间;图5是说明依照本发明第二实施例的加热方法的曲线图——(i)绘 出了用于用背景加热器加热且其表面通过来自脉冲加热源的多重脉冲的 辐射来加热的晶片的表面和背侧的加热曲线的以。C表示的温度对以秒 表示的时间;并且GO绘出了用于背景加热器的以kW表示的背景加热器功率对以秒表示的时间;图6是说明依照本发明第三实施例的加热方法的曲线图——(i)绘 出了用于用背景加热器加热且其表面通过来自脉冲加热源的多重脉冲的 辐射来加热的晶片的表面和背侧的加热曲线的以。C表示的温度对以秒 表示的时间;并且(ii)绘出了用于背景加热器的以kW表示的背景加热 器功率对以秒表示的时间;图7是说明依照本发明第四实施例的加热方法的曲线图——(i)绘 出了用于用背景加热器加热且其表面通过来自脉冲加热源的多重脉冲的 辐射来加热的晶片的表面和背侧的加热曲线的以。C表示的温度对以秒 表示的时间;并且(ii)绘出了用于背景加热器的以kW表示的背景加热 器功率对以秒表示的时间;图8是说明依照本发明第五实施例的加热方法的曲线图,其绘出了 用于在其中能量脉冲被施加以将基片表面从第一温度快速加热至所需较 高温度而不将基片保持于第一温度的加热曲线的以。C表示的基片表面 温度对以秒表示的时间,所述基片经历连续变化的温度。图9是说明用于对前侧或第一表面基片温度的闭环反馈控制的序列 的流程图;图10是说明用于对加热基片的能量脉冲的闭环反馈控制的序列的 流程图;并且图11是说明用于根据脉冲式加热期间的基片反射率和透射率对基 片温度的闭环反馈控制的序列的流程图。图12是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实施 并在此被示出以说明结合预脉冲的低热预算途径。图13是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实施
并且类似于图12的加热曲线,除了预脉冲在被插入到上升间隔中的稳定 状态间隔期间被施加。图14是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线是使用多模式热源依 照本发明而被实施的,被在此被示出以说明将处理对象暴露于预脉冲和 处理脉冲,而预脉冲在稳定状态间隔期间被施加。图15是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实 施,其共享了图12的加热曲线的优点,但其进一步说明了多速率上升加 热间隔。图16是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实 施,其象图12和15的加热曲线一样包括预脉冲,之后是处理脉冲,并 且其进一步说明了在将基片随后暴露于处理脉冲时背景加热的减少。图17是说明说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被 实施,其包括对预脉冲之后的系列附加脉冲的高度有利的使用。图18是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实 施,其说明了使用系列处理脉冲的另一个实施,其中预脉冲在上升间隔 期间被施加。图19是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实 施,其说明了使用多个预脉冲的另一个实施例,其中预脉冲在整个系列 的脉冲内先于处理脉冲。图20是说明一个加热曲线的绘图,该加热曲线依照本发明而被实 施,其说明了使用多个预脉冲的另一个实施例,其中系列处理脉冲被利 用于预脉冲的相继预脉冲之间。具体实施方式设备首先参考图l,脉冲式处理系统30包括外壳32,其限定处理室34,在处理室内放置了基片36,如半导体晶片,其被保持在支持38上。石 英窗40、42将基片36和支持38隔离于被放置在外壳32内的加热源44、 46,并且位于基片36以上和以下。热源44和46由计算机/控制装置47 来控制,其被配置成将电功率电平选择性地施加给背景加热源44和脉冲 式加热源46的每个以实现对两个源的精确控制。应指出,控制装置47 容易适合于根据该总体公开内容而控制多模式源,从而递送来自单个源 的加热曲线,其组合了背景加热行为以及脉冲递送。石英窗40、 42亦可 通过提供用于水沿窗的至少一个表面而流动的一个或多个通道(未示出) 来水冷。处理室34的外壳壁32优选地具有反射性内表面。在半导体晶片的情况下,部分接触支持38的基片36的表面常常被 称为背侧表面,并且基片的相反表面常常被称为前侧或器件侧。在本公 开内容的情况下并且在权利要求中,前侧表面可被称为第一表面,而背 侧表面可被称为第二表面。而且,重要的是理解本发明考虑的是对正在 经历处理的诸如基片的对象的两个或任何一个主表面的脉冲加热。钨卤灯44以平行阵列被放置在基片背侧以下。如所示,所述灯通过 计算机控制来供电并且可由它来控制。灯44能以每秒至少大约20°C的 速率,优选地以每秒200°C到300°C的速率来上升基片36的温度。该 速率可被认为是最大瞬时倾斜速率。换句话说,相对于时间而绘出的加 热曲线的斜率或导数在时间上响应于背景加热而展示出用于至少一个点 的每秒至少20°C的值。所述灯可被气冷(未示出)。例如,来自Ushio America, Inc.的灯型号J208V-2000WB1是2 kW鸽卣灯,其可被用于背 景加热,并且被面向基片的背侧而放置。应理解,任何适当形式的灯或 加热器件可被用作钨卤灯44的功能等效物,并且没有对可被采用的加热 器件的物理安排或数量的限制。举例来说,可使用热板和/或基座来进行 背景加热。弧光灯46以平行阵列被提供于基片36的前侧或器件侧以上。灯46
能产生能量脉冲从而诸如以每秒大于1000。C的速率很快地加热基片36 的前侧。灯46可被单独或分组激励以生成基片前表面上的所需脉冲加热 曲线。所述灯可被气冷或水冷(未示出)。弧光/闪光灯以不同的尺寸被 制作并且可用于范围从几瓦到几千瓦的辐射功率发射。例如,来自 PerkinElmer的灯型号10F10可处理高达13 kJ的能量并且可被供电至高 达16kW的平均功率。灯46被过滤器48封闭以选择性地过滤来自灯46所发射的能量的高 温计波长辐射(还要被描述)。可替换的是,水套(未示出)可被放置在 灯的石英包层上以选择性地过滤高温计波长。应理解,本发明考虑的是使用可以以脉冲式模式被施加的任何适当形式的能量。举例来说,使用脉冲式电子束被考虑。第一传感器50被关联于灯46以上的外壳32以监视从弧光灯46入 射的辐射(由箭头52来表示)。第二传感器54被关联于灯46以上的外 壳32以监视从基片36反射的辐射(由箭头56来表示)。第三传感器58 被关联于灯44以下的外壳32以监视由基片36透射的辐射(由箭头60 来表示)。与灯46以上和灯44以下的外壳32关联的高温计62、 64分别被用 于测量基片的前侧和背侧温度。例如,晶片背侧可由来自Luxtron的 Ripple高温计来监视,而晶片前侧(其用闪光灯来照明)可由具有快速 响应传感器的高温计来监视,所述传感器是诸如来自EG&GJudson的砷 化铟传感器,型号J12TE4-3CN-R02M。灯亮度可为了闭环的目的而用 传感器来监视,该传感器是诸如来自Thor Labs的砷化铟镓传感器型号 PDA400。 脉冲式加热方法对于借助多重加热源进行的可重复半导体晶片热处理过程,组合的 背景和前侧加热应在所处理的所有晶片上的所有点处以类似的热循环被
施加,而不管晶片类型的变化。晶片表面的反射率的变化可导致不同晶 片上或甚至相同晶片上的不同位置上的功率耦合的明显变化。光学特性 的变化可影响在快速热处理期间到达晶片上的温度。在整个加热循环中 对背景加热的控制对于多脉冲加热方法来说是理想的,从而防止了对晶 片的前侧或器件侧或者晶片的背侧的过度加热。结合图1来参考图4,用于依照本发明的一个示例多脉冲加热方法 的办法被图示并且使用脉冲式处理系统30来实施。应指出,所说明的各 种示意性加热和功率绘图并不旨在如在任何意义上被限制,未被按照度 任何轴的比例而画出,并且已经以被认为是增加读者对本发明的理解的方式被呈现。晶片前侧的温度由曲线66示出。晶片背侧的温度由曲线 68示出。除了在来自脉冲加热源的所施加的脉冲期间,曲线68跟随曲 线66,其中曲线68保持在所需处理或退火温度以下的第一温度处或其 附近。在以下采取了在依照该示例方法的加热的实际实施中的特定设计 考虑。在实施图4的加热办法的过程中,首先,图1的背景加热源44以每 秒大约200°C的速率来加热基片。给灯装置的功率由曲线70示出。在上 升功率并上升温度之后,功率然后被减小到稳定状态以将基片维持于 800。C的温度,其处于所需最大处理温度以下。来自脉冲式加热源46的第一脉冲被施加以将基片的前表面加热至 如图4中所示的近似1300°C的最大或所需处理或退火温度。背景灯44 以对脉冲施加的定时关系而被控制。该脉冲可在例如从脉冲的时间tp处 的启动而测量的时间间隔71内被施加。在本实例中,正好在脉冲式加热 源被激励之前或在此时,给第一加热源的功率被停用或停止。背侧温度 在脉冲期间保持在SOO。C或其附近,即使在来自脉冲的辐射能量扩散经 过基片时。尽管在脉冲之后的基片前侧的冷却过程中有滞后,这种恒定 或近乎恒定的温度仍被获得。给第一或背景加热源的功率正好在脉冲之
后被切换回到开以帮助将背侧温度维持在所需的恒定800°C处。同样,以对脉冲的定时关系,功率以受控方式被再次施加给背景加热源44。在 一个修改中,背景加热可通过被指示为"NS"的负行进步骤(negative going step)来终止以使以对稳定状态背景加热间隔的间隔结束的定时关 系来实施脉冲加热。如果第二脉冲或系列附加脉冲被施加以处理基片的前侧,则用于第 一加热源的反馈控制的过程被重复。如图4中所示,之后在第二脉冲的 开始之前或正好在此时,给第一加热源的功率再次被减小或停用。同样, 背景加热可被控制于例如从第二脉冲的启动而测量的间隔71 (为第一脉 冲而被示出)内,如对作为脉冲式加热模式的一部分而被施加的任何附 加脉冲来说真实的那样。第二脉冲将基片的前侧加热至所需的1300°C 处理温度,但背侧温度保持在较低的初始温度(在该实例中是800°C) 处或其附近。应理解,使用本发明的定时关系概念对背景加热的控制高度优于如 在现有技术中看到的纯粹恒温控制,特别是在脉冲式模式加热的情况下。 通过限定,脉冲模式热以在时间上的很短增量期间发生的很高速率而被 递送。本发明认识到,恒温温度控制在这样的情况下通常是无效的。就 是说,在脉冲加热被使用的情况下,恒温加热展示出"事后"做出响应 的明显趋势。例如,在基片的一个主表面处脉冲模式能量的输入可产生 相反主表面的温度上的快速且明显的增加。在相反表面的温度被监视并 且被用于控制背景加热的情况下,这样的温度增加不能被防止,这是因 为相反表面处的响应使脉冲滞后。温度可继续上升而不管给背景加热的 减小的功率。在这一点上,所强调的是相反表面处的温度响应或增加发 生在产生温度增加的脉冲之后。在过程参数,特别是最大温度限制不能 被超过的情况下,例如在不导致器件降级或破坏的情况下,现在应当显 而易见的是使用脉冲式模式加热的恒温控制是特别有问题的。
相反,如在此所讲述的,对背景加热的定时控制足以解决这个困难,这是因为在预期(in anticipation of)脉冲的情况下是控制可用的。当然, 应认识到,这种高度有利的系统和方法的实施是既不微不足道也不显而 易见的。在一些情况下,可能需要施加较早的脉冲以预热基片从而使随后的 脉冲将基片的前表面加热至比中间温度高的温度。例如仅当处理办法需 要将基片的背侧维持于恒定温度处或其附近时,反馈控制然后可被选择 性地用于控制给第一加热源的功率。在其它情况下,来自所施加的能量的脉冲的尖峰加热可能是过大的, 并且不能在实际脉冲间隔期间通过控制给第一加热源的功率来单独补 偿。在此情况下,脉冲参数(能量、脉冲的持续时间、脉冲之间的时间) 可针对与背景加热一致的随后脉冲而被调节。可替换的是,可在脉冲所 产生的预期热效应的情况下以与施加脉冲式能量的定时关系来调节背景 加热功率。独立地或在相同的时间,脉冲参数可被调节以实现目标处理 温度。在一个实施中,第二脉冲和随后脉冲的脉冲参数可被调节成使第 一表面到达其目标温度T2,而不明显超过或未能到达目标值。有关峰值 温度的信息可包括用于在建立随后脉冲参数的过程中使用的至少一个反 馈参数。在图5到7中图示的某些实施例中,低能量预脉冲由脉冲能量源发 射以加热基片的前表面。反射能量传感器采样来自基片的反射光,并且 脉冲能量传感器采样来自脉冲源的光,该采样测量被用于估算基片表面 反射率。随后的脉冲然后被激励以加热基片的前表面,同时考虑基片表 面反射率。参考图5,预脉冲导致预脉冲响应P以将基片表面加热得比第一稳 定状态温度高大约50°C。示出脉冲能量72和反射能量74的相对大小的 曲线亦被提供在图5中。预脉冲能量密度可处于1 nJ/cn^到10 J/ci^的 范围内。为了退火,半导体晶片的体(其是第一温度)将优选地被维持在400。C到950。C的范围内。对于其它应用,第一温度可处于室温(大 约25。C)到1400。C的范围内。如将被进一步描述的,本发明的预脉冲技术至少由于以下原因是高度有利的:预脉冲(或先于另一个脉冲的任何脉冲)可被用于确定对随后脉冲的正被处理的对象的预计响应。预计 响应可基于使用单个附加脉冲或使用多个附加脉冲来产生对象中的目标 条件,其中目标条件是使用附加脉冲的相继脉冲而被递增接近的。在后 者的实施中,用于每个附加脉冲的参数是以旨在至少部分地产生处理对 象中的目标条件的方式以这种预测方法来建立的。在图6中所示的加热办法中,预脉冲P被施加而无效用于第一加热 源的反馈环路过程控制。因此,当预脉冲P被施加时,给第一加热源的 功率不被停用,并且基片背侧的温度上升到第一温度(800。C)的略微以 上到正好第一温度以上的新的、在某种程度上为稳定状态的温度。相反,在图7中所示的加热办法中,反馈控制环路被激励以控制给 第一加热源的功率以使在预脉冲P被施加以加热基片前侧或器件侧之前 或在此时停止功率。因此,基片的背侧温度在脉冲式加热的预脉冲和其 它脉冲的整个施加过程中保持在第一温度(即800。C)处或其附近。可替换的是,不是预脉冲P,基片表面的反射率可从传感器数据被 估算,该数据是基于多脉冲处理方案中用于加热基片的前侧或器件侧表 面的第一脉冲而获得的。图8描述了可能较适合于较为紧张的热预算的加热曲线,其中稳定 状态加热间隔是不需要的。第一加热源将诸如半导体晶片的基片加热至 第一温度1\ (例如S00。C)。图8中的斜坡76表示借助第一加热源的一 个示例加热曲线。如图8中所示的单个上升步骤或几个步骤后者其它加 热曲线可被用在该实施例中。可变的上升速率可被使用。就在基片到达 第一温度L或在以上时,并且在不将基片在那个温度处保持显著时
间的情况下,脉冲式加热源被激励以施加一个脉冲的能量Ep,从而将基片表面的前侧加热至比第一温度高的第二温度(例如Tfl300。C)。尖峰 78表示借助脉冲式加热源的脉冲式加热。尖峰78开始于晶片的表面温 度到达800°C的点。在图8中,第一加热源和脉冲式加热源在单个脉冲 之后被停用以允许基片冷却,尽管应理解的是根据这里的讲述,其它方 案亦可被使用。第一加热源和脉冲式加热源可包括分离的源,但亦可使 用单个加热源来实现这样的加热曲线。举例来说,图1的灯46可被替换 成多模式加热源,如例如多模式弧光灯。在这样的修改中,应理解加热 是通过以下来实现的:在其背景和脉冲式加热模式两者下将热施加给紧 接着面对多模式源的对象的前表面或第一表面。作为另一个修改,多模 式源可被配置成例如使用可移动镜面装置(未示出)将背景加热施加给 对象的第二或背表面。本申请将关于热源的术语"多模式"考虑为包含 任何这样的热源,其能选择性地以表示较低、背景加热速率的速率将热 递送相对长时间的持续时间,并且以高、脉冲式加热速率将热递送相对 短的递送周期,由此模拟现有技术的背景和脉冲式加热设备两者。仍参考图8,应理解,脉冲78的施加可以以对到达温度l的定时 时间来实施。与此同时,可以以对到达温度T^或例如间隔71内时间tp 处脉冲78的启动的定时关系来控制背景加热。应理解,可以以包括在预 测意义上的大量的灵活性来实施这种控制。例如,在到达Ti之前,背景 加热可被减小或完全终止以使由于例如来自背景热源的残余输出而导致 温度继续上升到Tp所述残余输入是作为其时间常数的结果而产生的。 脉冲78的施加然后可响应于到达1 (包括在一个延迟之后)或者在预 测的意义上例如在被限定于减小背景加热和到达1\之间的间隔内被实 施。在又一个替换中, 一旦到达Tp背景加热可被减小并且脉冲激发可 响应于冷却到预定温度而发生。值得注意的是,通过没有稳定状态间隔 而实施图8的加热曲线,正被处理的对象经历连续的温度变化。
优选地,由第一热源递送的功率在脉冲一秒之前到1秒之后之间的 间隔内的时间处在大小上被减小到0到90%。优选地,给第一加热源的 功率在大小上被减小到大约50%或以下,并且最优选地减小到大约10% 或以下。如果单个加热源被使用,由该单个热源递送的背景加热功率在 脉冲1秒之前到1秒之后之间的间隔内的时间处优选地在大小上被减小到0到90%,更优选地到小于50%,并且最优选地到小于10%。在一个实施例中,T户800。C并且最大瞬时上升速率是2lO。C/秒,优 选地2 20。C/秒。在第二实施例中,T户900。C并且最大瞬时上升速率是 兰20。C/秒,优选地^ 50。C/秒。在第三实施例中,T户950。C并且最大瞬 时上升速率是^ 50。C/秒,优选地^ 100。C/秒。在第四实施例中,T户1000。C 并且最大瞬时上升速率是2 75。C/秒,优选地2 150。C/秒。一般而言,对于图8中所说明的实施例以及在此看到的然后脉冲式 加热途径,第二温度T2可处于800。C-1450。C的范围内。脉冲能量Ep优 选地被选择成使T2处于基片的熔点以下。可替换的是,Ep可被选择成产 生在基片的前侧上熔化的表面。能量脉冲的脉冲宽度可处于1纳秒到50 毫秒的范围内。简要地考虑脉冲模式加热情况下的温度约束和范围,对于高温过程, 如离子注入物退火,过程温度通常大于950°C。在该温度时,掺杂剂的 扩散是快速的,并且在该温度处的时间必须被最小化。由于对扩散的强 (指数)温度相关性,时间约束在1000°C比在950°C有效得多,因此 强加了容许时间对温度的"滑动标尺(sliding scale)"(也就是热预算一 一并且其限制随着器件技术的进步而减小)。此时,倾斜加热速率和冷却 速率变得很有关。相当高的温度,例如近似1050。C,对于目前技术水平 的器件是可容许的,只要例如在1050。C处有基本上零的停留时间,并且 倾斜和冷却速率大于近似75°C/s (其在T〉1000。C时花费了合计达小于 近似1.4秒的总时间)。这给予读者对除了图8中所说明的倾斜+脉冲类
型的途径以外的状况种类和类似实施的理解。当然,对于下一代器件, 所允许的限制将减小,因此这些限制要被相应地调节。注意,在实践中,可能需要以100°C/s倾斜到950°C (而不是1000°C),激发脉冲然后允许 冷却(例如以对于50°C/s的速率)。额外的50°C给扩散问题造成了很大 差异,并且是相对小的温度变化(就对于脉冲需要多少额外能量来产生 对所需过程温度的温升而言)。这些论证对于离子注入物退火应用是相对直截了当的,但对于在此 提及的其它过程,"规则"可以是相当不同的。为了借助脉冲模式加热来处理晶片,由于两个原因,预热至某个背 景温度通常是需要的。第一个原因是它减小了脉冲中所需要的能量。第 二个原因是如果晶片温度小于近似500°C,则借助强热冲击来处理硅晶 片很有可能导致破裂。因此当峰值过程温度大于900°C时,背景温度有 可能是至少500°C。如以上所述,背景温度受容许热预算的强烈影响。 对于高级离子注入物退火过程,如例如图5中所示,如果"浸泡+脉冲" 途径被考虑,则背景温度有可能低于950°C。当把低能量注入物用于产 生高级器件结构时,为了对扩散效应的"完全"免疫力,通常需要它处 于近似800。C或以下。在该总体讨论的情况下,另一个有意义的温度是1410°C,因为这是 硅的熔点。通常,硅的熔化是不需要的,由此强加了用于大多数硅应用 的上限。然而,放眼未来,有需要以很高温度来处理的一些材料——例 如SiC、 GaN和钻石可用作用于一些专门器件的半导体。通过使用这里 的讲述,这些材料中的一些可被退火于高达1700。C或比它高的温度处。为了反馈控制的目的,图8的实施例之前可以是预脉冲(或测试脉 冲),如将被进一步描述的。而且,脉冲78可包括处理脉冲,其被用于 公式化一个或多个附加脉冲的参数。其亦可被用在依照在此与在以下被 讨论的图9到11中所示的过程一起被包括的任何一个图的任何多脉冲模
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
燃气轮机用的光学高温计 | 2020-05-17 | 111 |
一种用于多通道高温计的标定系统 | 2020-05-15 | 878 |
熔炉气体高温计 | 2020-05-12 | 161 |
一种高温计安装结构及方法 | 2020-05-18 | 525 |
光学高温计 | 2020-05-12 | 734 |
光学高温计 | 2020-05-11 | 55 |
高温计的背景消除 | 2020-05-14 | 718 |
RS485型光电高温计 | 2020-05-15 | 95 |
一种红外辐射高温计 | 2020-05-19 | 242 |
一种光学高温计 | 2020-05-15 | 665 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。