专利汇可以提供高温计专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 位置 敏感 高温计 包括 传感器 。,下面是高温计专利的具体信息内容。
1.一种监测基底的方法,包括:
将来自基底的热辐射引导到像素阵列传感器,其中,基底具有表面;
通过像素阵列传感器从热辐射测量基底的温度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述表面包括沉积在基底上的薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,将来自基底的热辐射引导到像素阵列传感器的步骤包括:将来自基底的不同位置的热辐射分别引导到像素阵列传感器的不同的区段。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括步骤:在不同的位置测量温度并将该温度与基底相关联。
5.根据权利要求2所述的方法,还包括步骤:将来自源的热辐射引导到沉积在基底上的薄膜。
6.根据权利要求2所述的方法,还包括以下步骤:
获取来自薄膜的发射光谱和反射能量;
基于所述发射光谱和所述反射能量提取沉积薄膜厚度信息。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,像素阵列传感器包括红外检测器。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约500纳米到大约1000纳米的红外检测器。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约1000纳米到大约100微米的红外检测器。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,像素阵列传感器包括光电导检测器。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,像素阵列传感器包括光生伏打检测器。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,像素阵列传感器包括光电二极管检测器。
13.根据权利要求1所述的方法,还包括:存储用于分析的测量数据。
14.根据权利要求1所述的方法,还包括:实时处理测量数据。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,通过光纤传输热辐射。
16.根据权利要求4所述的方法,其中,所述方法还包括:
引导来自基底的不同位置的热辐射穿过缝隙掩模,以照射像素阵列传感器的一行区段,其中,可以使位置与温度信息相关联。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述方法还包括:
通过波长色散元件使不同波长的光沿垂直于缝隙的长度的方向分散,其中,像素阵列传感器的一个维度可包含位置信息,而像素阵列传感器的另一个维度可包含波长信息,以获取对位置敏感的光谱信息。
18.一种位置敏感高温计,包括:
像素阵列传感器;
透镜,光学地连接到像素阵列传感器且与基底路径接近,其中,当具有表面的基底处于基底路径中时,热辐射从基底辐射穿过透镜到达像素阵列传感器。
19.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,所述表面包括沉积在基底上的薄膜。
20.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,还包括光学地连接到像素阵列传感器且接近基底路径的多个透镜,其中,所述多个透镜朝向基底路径上的多个位置。
21.根据权利要求19所述的位置敏感高温计,其中,当基底处于基底路径中时,热辐射可从基底上的多个位置辐射穿过所述多个透镜到达像素阵列传感器。
22.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,利用光缆将透镜光学地连接到像素阵列传感器。
23.根据权利要求19所述的位置敏感高温计,还包括:
有源光谱高温测量装置,被配置为基于来自薄膜的反射能量和发射光谱来提取沉积薄膜厚度信息。
24.根据权利要求23所述的位置敏感高温计,其中,有源光谱高温测量装置包括产生光束并将光束引导到薄膜上的光源。
25.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,像素阵列传感器包括红外检测器。
26.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约500纳米到大约1000纳米的红外检测器。
27.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约1000纳米到大约100微米的红外检测器。
28.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,像素阵列传感器包括光电导检测器。
29.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,像素阵列传感器包括光生伏打检测器。
30.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,其中,像素阵列传感器包括光电二极管检测器。
31.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,还包括用于分析的测量数据存储模块。
32.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,还包括用于实时分析的测量数据处理模块。
33.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,还包括缝隙掩模,其中,引导来自基底的不同位置的热辐射穿过缝隙掩模,以照射像素阵列传感器的一行区段,其中,可以使位置与温度信息相关联。
34.根据权利要求33所述的位置敏感高温计,还包括用于使不同波长的光沿垂直于缝隙的长度的方向分散的波长色散元件,其中,像素阵列传感器的一个维度可包含位置信息,而像素阵列传感器的另一个维度可包含波长信息,以获取对位置敏感的光谱信息。
35.根据权利要求18所述的位置敏感高温计,还包括利用光谱高温测量的光谱成像模块。
36.一种具有针对在线沉积工艺的现场配置的位置敏感实时沉积监测器,包括:
像素阵列传感器,包括红外检测器;
透镜,光学地连接到像素阵列传感器且与基底路径接近,其中,当具有表面的基底处于基底路径时,热辐射从沉积在表面上的薄膜辐射穿过透镜到达像素阵列传感器;
有源光谱高温测量装置,用于通过测量和分析基底上的沉积薄膜的表面的自发辐射来提取沉积薄膜厚度信息;
测量数据处理模块,用于实时分析。
37.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,还包括光学地连接到像素阵列传感器且接近基底路径的多个透镜,其中,所述多个透镜朝向基底路径上的多个位置。
38.根据权利要求37所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,当基底处于基底路径中时,热辐射可从薄膜上的多个位置辐射穿过所述多个透镜到达像素阵列传感器。
39.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,可利用光缆将透镜光学地连接到像素阵列传感器。
40.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约500纳米到大约1000纳米的红外检测器。
41.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约1000纳米到大约100微米的红外检测器。
42.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,像素阵列传感器包括光电导检测器。
43.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,像素阵列传感器包括光生伏打检测器。
44.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,像素阵列传感器包括光电二极管检测器。
45.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,还包括用于随后的分析的测量数据存储模块。
46.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,还包括缝隙掩模,其中,引导来自基底的不同位置的热辐射穿过缝隙掩模,以照射像素阵列传感器的一行区段,其中,可以使位置与温度信息相关联。
47.根据权利要求36所述的位置敏感实时沉积监测器,还包括用于使不同波长的光沿垂直于缝隙的长度的方向分散的波长色散元件,其中,像素阵列传感器的一个维度可包含位置信息,而像素阵列传感器的另一个维度可包含波长信息,以获取对位置敏感的光谱信息。
48.根据权利要求34所述的位置敏感实时沉积监测器,还包括利用光谱高温测量的光谱成像模块。
49.根据权利要求34所述的位置敏感实时沉积监测器,还包括基底计数模块,其中,所述计数模块可使用由于运动基底而引起的信号变化来计数。
50.根据权利要求49所述的位置敏感实时沉积监测器,其中,利用预设的基底尺寸,所述计数模块可使用由于运动基底而引起的信号变化来测量基底之间的间隙以及基底运动速度。
51.一种监测基底的方法,包括:
将来自光源的光引导到基底,其中,光源包括近红外光源,
将来自基底的反射引导到像素阵列传感器,其中,基底具有表面;
通过像素阵列传感器从所述反射测量基底的温度。
52.根据权利要求51所述的方法,其中,所述表面包括沉积在基底上的薄膜。
53.根据权利要求51所述的方法,其中,将来自基底的反射引导到像素阵列传感器的步骤包括:将来自基底的不同位置的反射分别引导到像素阵列传感器的不同的区段。
54.根据权利要求53所述的方法,还包括步骤:在不同的位置测量温度并将该温度与基底相关联。
55.根据权利要求52所述的方法,还包括以下步骤:
获取来自薄膜的发射光谱和反射能量;
基于所述发射光谱和所述反射能量提取沉积薄膜厚度信息。
56.根据权利要求51所述的方法,其中,像素阵列传感器包括红外检测器。
57.根据权利要求51所述的方法,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约500纳米到大约1000纳米的红外检测器。
58.根据权利要求51所述的方法,其中,像素阵列传感器包括波长测量范围为大约
1000纳米到大约100微米的红外检测器。
59.根据权利要求51所述的方法,其中,像素阵列传感器包括光电导检测器。
60.根据权利要求51所述的方法,其中,像素阵列传感器包括光生伏打检测器。
61.根据权利要求51所述的方法,其中,像素阵列传感器包括光电二极管检测器。
62.根据权利要求51所述的方法,还包括:存储用于分析的测量数据。
63.根据权利要求51所述的方法,还包括:实时处理测量数据。
64.根据权利要求51所述的方法,其中,通过光纤传输来自光源的光和来自基底的反射。
65.根据权利要求54所述的方法,其中,所述方法还包括:
引导来自基底的不同位置的反射穿过缝隙掩模,以照射像素阵列传感器的一行区段,其中,可以使位置与温度信息相关联。
66.根据权利要求65所述的方法,其中,所述方法还包括:
通过波长色散元件使不同波长的光沿垂直于缝隙的长度的方向分散,其中,像素阵列传感器的一个维度可包含位置信息,而像素阵列传感器的另一个维度可包含波长信息,以获取对位置敏感的光谱信息。
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