提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂
专利汇可以提供提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种提高选择性分散 半导体 性 碳 纳米管 产率的方法及 试剂 。所述方法包括：将单壁 碳纳米管 样品、第一 聚合物 和第二聚合物于 溶剂 中均匀混合形成液相混合体系，并使 单壁碳纳米管 样品在液相混合体系中充分分散，之后对液相混合体系离心处理，分离上清液，实现半导体性单壁碳纳米管的选择性分离；第一聚合物和第二聚合物均能与半导体性单壁碳纳米管特异性结合，且第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度，而结合强度小于第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度。本发明可实现高产量、高纯度、高分散性的半导体性单壁碳纳米管的选择性分离，降低了成本，提高了分离的重复性和 稳定性 。，下面是提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂专利的具体信息内容。
1.一种提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于包括：
将单壁碳纳米管样品、第一聚合物和第二聚合物于溶剂中均匀混合形成液相混合体系，并使单壁碳纳米管样品在所述液相混合体系中充分分散，之后对所述液相混合体系进行离心处理，分离出上清液，实现半导体性单壁碳纳米管的选择性分离；
其中，所述第一聚合物和第二聚合物均能溶于所述溶剂，并均能与半导体性单壁碳纳米管特异性结合，且所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度，而所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度小于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度。
2.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：
所述第一聚合物包括聚咔唑、聚芴中的任意一种；和/或，所述第二聚合物包括聚噻吩、芴与噻吩共聚物中的任意一种；和/或，所述第一聚合物和第二聚合物的质量比为0.5～2.0：1。
3.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：
所述单壁碳纳米管样品包含金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管。
4.根据权利要求3所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：
所述第一聚合物、第二聚合物与单壁碳纳米管样品三者的质量比为4:2:1～2:4:1。
5.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：
所述溶剂包括非极性溶剂，所述非极性溶剂包括甲苯、环己烷中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：
所述第一聚合物和第二聚合物在所述液相混合体系中的浓度为0.2～1.0mg/ml。
7.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于包括：对所述液相混合体系进行超声处理，使单壁碳纳米管样品在所述液相混合体系中充分分散；所述超声处理的温度为5～20℃，功率为3～10W/ml，时间为0.5～2h。
8.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于，所述离心处理的条件包括：离心速度为20000～100000g，时间为0.5～2h。
9.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：
所述上清液中所含半导体性单壁碳纳米管的纯度为99％～99.9％。
10.一种半导体性碳纳米管的选择性分离试剂，其特征在于包含能够在选定液相环境中与半导体性单壁碳纳米管特异性结合的第一聚合物和第二聚合物，且所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度，而所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度小于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度；所述选定液相环境包括第一聚合物和第二聚合物的混合溶液。
11.根据权利要求10所述的半导体性碳纳米管的选择性分离试剂，其特征在于：所述第一聚合物包括聚咔唑、聚芴中的任一种；和/或，所述第二聚合物包括聚噻吩、芴与噻吩的共聚物中的任一种；和/或，所述第一聚合物和第二聚合物的质量比为0.5～2.0：1。
提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂
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