专利汇可以提供用于芯片实验室诊断的集成波导激光器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种用于对样品中的目标物质进行检测的检测设备。该设备包括衬底(1),在所述衬底(1)内或在所述衬底(1)上具有至少一个平面 波导 激光器 (2),所述波导激光器(2)具有用于上转换或下转换的增益介质(5)。所述波导激光器(2)的顶层(3)形成所述衬底(1)表面的至少一部分并允许在 接触 所述表面的样品中形成迅衰波。在所述顶层(3)上施加一种结构以在所述顶层(3)上限定探测器区域(4)阵列,所述探测器区域(4)包括用于检测待检测目标物质的探测器材料涂层。本检测设备允许以高度集成设计对目标物质进行并行检测。,下面是用于芯片实验室诊断的集成波导激光器专利的具体信息内容。
1.用于对样品中的目标物质进行检测的检测设备,所述设备包括:衬底(1), 在所述衬底(1)内或在所述衬底(1)上具有至少一个平面波导激光器(2), 所述波导激光器(2)具有用于上转换或下转换的增益介质(5),其中所述波导 激光器(2)的顶层(3)形成所述衬底(1)表面的至少一部分并允许在接触所 述表面的样品中形成迅衰波,其中在所述顶层(3)上施加一种结构以在所述顶 层(3)上限定探测器区域(4)阵列,所述探测器区域(4)包括用于检测待检 测目标物质的探测器材料涂层。
2.如权利要求1所述的检测设备,其特征在于:所述增益介质(5)被嵌 入在折射率低于增益介质(5)的材料中,其中所述顶层(3)由所述材料形成 且在探测器区域(4)中的厚度小于或等于波导激光器(2)的激光波长。
3.如权利要求1或2所述的检测设备,其特征在于:所述增益介质(5) 为稀土掺杂材料。
4.如权利要求1或2所述的检测设备,其特征在于:所述波导激光器(2) 包括两个端镜(6),它们对于所述波导激光器的波长都具有高反射率,并因此 形成共振器,其中所述端镜(6)之一至少部分透过泵浦激光器(7)的辐射。
5.如权利要求4所述的检测设备,其特征在于:端镜(6)形成在所述衬 底(1)的侧面上。
6.如权利要求4或5所述的检测设备,其特征在:端镜(6)由电介质 涂层形成。
7.如权利要求6所述的检测设备,其特征在于:至少两个波导激光器(2) 包括不同电介质涂层的端镜(6)和/或包括导致该至少两个波导激光器(2)的 不同激光波长的不同增益介质。
8.如权利要求1或2所述的检测设备,其特征在于:设计至少两个波导激 光器(2),使得该至少两个波导激光器(2)中的一个产生的激光波长不同于该 至少两个波导激光器(2)中的另一个的激光波长。
9.如权利要求1至8中任一项所述的检测设备,其特征在于:几个波导激 光器(2)平行地设置在所述衬底(1)上或在所述衬底(1)内。
10.如权利要求1至9中任一项所述的检测设备,其特征在于:一个或几 个泵浦激光器(7)被设置在承载元件(9)上,其中固定和/或定位装置(10) 被设置在所述承载元件(9)上,用于以正确的位置和对准关系在所述承载元件 (9)上装配所述衬底(1)。
11.如权利要求10所述的检测设备,其特征在于:通过与所述固定和/或 定位装置(10)连接的反馈电路(11,12),所述固定和/或定位装置(10)允许 将所述衬底(1)主动地对准在所述承载元件(9)上。
12.如权利要求11所述的检测设备,其特征在于:所述反馈电路(11,12) 包括用于对所述波导激光器(2)的激光或施加在所述衬底(1)上的样品的荧 光进行检测的光电检测器(12),以及驱动所述固定和/或定位装置(10)直至所 述光电检测器(12)检测到所述激光或荧光的最大强度的控制电路(11)。
13.如权利要求10至12中任一项所述的检测设备,其特征在于:所述一 个或几个泵浦激光器(7)为半导体激光器或半导体激光棒。
14.如权利要求1至13中任一项所述的检测设备,其特征在于:所述顶层 (3)被构造成提高耦合到所述样品中的所述波导激光器(2)的激光量。
15.如权利要求1至14中任一项所述的检测设备,其特征在于:不同的探 测器区域(4)或所述不同探测器区域(4)的至少一些涂覆有不同的探测器材 料。
16.使用根据权利要求1至15中任一项所述的检测设备的诊断仪器。
本发明涉及一种用于借助于在所述样品中形成的迅衰波对所述样品中的目 标物质进行检测的检测设备。
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