专利汇可以提供基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种基于多壁 碳 纳米管 的微偏振片阵列,涉及偏振态测量领域技术领域,其包括:基底; 缓冲层 ,沉积在所述基底上;图形化催化剂层,沉积在所述缓冲层上;一个或多个偏振片单元,生长在所述图形催化剂层上,且各偏振片单元包括4个不同方向的偏振片;其中,所述偏振片材料为多壁 碳纳米管 。本实用新型中,微偏振片阵列使用的材料为碳纳米管,生长在催化剂上,碳纳米管作为一维 纳米材料 ,重量轻,机械强度高,六边形结构连接完美,可有效提升微偏振片阵列的延展性、柔韧性、透明性和耐 腐蚀 性。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列专利的具体信息内容。
1.一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列,其特征在于,包括:
基底(1);
缓冲层(2),沉积在所述基底上;
图形化催化剂层,沉积在所述缓冲层上;
一个或多个偏振片单元(3),生长在所述图形化催化剂层上,且各偏振片单元包括4个不同方向的偏振片;
其中,所述偏振片材料为多壁碳纳米管。
2.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列,其特征在于,所述基底(1)为玻璃基底或二氧化硅基底。
3.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列,其特征在于,所述缓冲层(2)为氧化铝层,厚度为10-20nm之间。
4.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列,其特征在于,所述催化剂层为铁层,厚度为1-2nm之间。
5.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列,其特征在于,所述偏振片单元(3)为0°、45°、90°、135°四个方向偏振片,且沿顺时针依次排列形成2*2阵列。
6.根据权利要求1-5任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列,其特征在于,所述多壁碳纳米管为致密化顺序排布的多壁碳纳米管。
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