鉴于通常方法和工艺的上述和其它的问题,本发明的一个目的是提供 一种廉价的制备稳定单分散单质的、金属间化合物的、合金的和包覆的纳 米级晶体的化学工艺方法。
本发明涉及一种形成纳米级颗粒的方法,包括如下步骤:由过渡金 属形成金属前体溶液;
将该金属前体溶液引入
表面活性剂溶液中,其中表面活性剂溶液包 括有机稳定剂和三烷基膦的组合物,以保护所说的纳米级颗粒,并且所 说有机稳定剂是R-X型的长链有机化合物,其中R选自1)直链或支链
烃,所说烃链包括6-22个
碳原子,2)直链或支链烃的氟代烃,氟代烃 链包括6-22个碳原子,其中X选自
羧酸、膦酸、次膦酸、磺酸、亚 磺酸和硫醇;
添加絮凝剂使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来,而无永久的团聚;和
添加烃
溶剂以再分散或再胶溶该纳米颗粒。
本发明所涉及的另一种形成纳米级颗粒的方法,包括步骤如下:在 第一
温度下形成金属前体溶液作为过渡金属的配合物;
在高于第一温度的第二温度下形成表面活性剂溶液;
将金属前体溶液引入表面活性剂溶液中,以形成混合物,其中表面 活性剂溶液包括有机稳定剂和三烷基膦的组合物,以保护所说的纳米级 颗粒,并且所说有机稳定剂是R-X型的长链有机化合物,其中R选自 1)直链或支链烃,所说烃链包括6-22个碳原子,2)直链或支链烃的氟 代烃,氟代烃链包括6-22个碳原子,其中X选自羧酸、膦酸、次膦 酸、磺酸、亚磺酸和硫醇;
向混合物中添加絮凝剂,使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来,而无永 久团聚;和
添加烃溶剂,以再分散或再胶溶纳米级颗粒。
另一方面,本发明涉及一种形成纳米级颗粒的方法,包括如下步 骤:形成金属前体溶液作为过渡金属盐;
快速将该金属前体溶液喷入表面活性剂溶液中,其中表面活性剂溶 液包括有机稳定剂和三烷基膦的组合物,以保护所说的纳米级颗粒,并 且所说有机稳定剂是R-X型的长链有机化合物,其中R选自1)直链或 支链烃,所说烃链包括6-22个碳原子,2)直链或支链烃的氟代烃,氟 代烃链包括6-22个碳原子,其中X选自羧酸、膦酸、次膦酸、磺酸 、亚磺酸和硫醇;
添加絮凝剂,使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来,而无永久团聚;和
添加烃溶剂,以再分散和再胶溶该纳米级颗粒。
再一方面,本发明涉及一种形成纳米级颗粒的方法,包括步骤如 下:在非
反应性溶剂中形成含有表面活性剂的金属盐前体溶液,其中表 面活性剂溶液包括有机稳定剂和三烷基膦的组合物,以保护所说的纳米 级颗粒,并且所说有机稳定剂是R-X型的长链有机化合物,其中R选 自1)直链或支链烃,所说烃链包括6-22个碳原子,2)直链或支链烃的 氟代烃,氟代烃链包括6-22个碳原子,其中X选自羧酸、膦酸、次 膦酸、磺酸、亚磺酸和硫醇;
将还原
试剂喷入金属盐溶液中,以就地还原金属盐,产生胶体状金 属颗粒,
添加絮凝剂,使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来,而无永久团聚,并 分离出溶液中存留的合成副产品;和向沉淀出的纳米级颗粒中添加烃溶 剂,以再分散或再胶溶纳米级颗粒。
本发明的另一个目的是提供一种纳米级晶体材料,该材料对于磁记录 应用如磁存贮应用(记录介质,及读写磁头),具有精密控制的粒度和单 分散性。
本发明的再一个目的是制造一种铁磁流体。
在本发明的第一个方面,本发明人研究开发了一种新型廉价并非常方 便的工艺方法:以制备单分散磁性单质的和合金的纳米级颗粒,使已成功 获得了高
质量的磁性纳米级晶体。
更具体说,一种形成纳米级颗粒的方法,包括如下步骤:由过渡金属 形成金属前体溶液;将金属前体溶液导入表面活性剂溶液中;添加絮凝剂 使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来,而无永久的团聚;添加烃溶剂以再分散 或再胶溶纳米级颗粒。
本发明的第二个方面,是一种形成纳米级颗粒的方法,包括如下步 骤:在非反应溶剂中形成含有表面活性剂(最好是非离子表面活性剂(如 叔有机膦)和阴离子表面活性剂(如羰化物))的金属盐前体溶液;向溶 液中喷入一种试剂以还原金属盐并就地产生胶体状金属颗粒;添加絮凝剂 使纳米级颗粒从溶液中沉淀出,而无永久的团聚;分离溶液中存留的合成 副产物;向沉淀物中添加烃溶剂,以再分散或再胶溶
净化的纳米级颗粒。
本发明的第三个方面,是一种形成纳米级颗粒的方法,包括如下步 骤:在第一个温度形成过渡金属配合物的金属前体溶液;形成表面活性剂 溶液,并将其加热到高于第一温度的温度;向热的表面活性剂溶液中喷入 金属前体溶液,产生胶体状金属颗粒;向混合物中添加絮凝剂使纳米级颗 粒从溶液中沉淀出,而无永久的团聚;添加烃溶剂,以再分散或再胶溶纳 米级颗粒。
在上述方法中,所述表面活性剂包括烷基膦和有机稳定剂中的至少 之一,有机稳定剂包括R-X型的长链有机化合物,其中R选自1)直链 或支链烃,该烃链包括6-22个碳原子,2)直链或支链氟代烃,该氟代 烃包括6-22个碳原子,其中X选自羧酸、膦酸、次膦酸、磺酸、亚 磺酸和硫醇。
本发明优先地使用长链(如C8-C22)的二羟醇(如,二醇)合成六 晶系密堆积钴颗粒,以二元醇还原钴盐(如,像
醋酸盐一类的羰化物)或 β-双
酮盐(如乙酰丙酮盐)。通过零价钴配合物(如,羰基钴和钴的有 机膦配合物)的热分解获得面心钴的纳米级晶粒,例如,通过钴盐的超氢 化物还原制备新型立方相钴的纳米级颗粒。
进而本发明优先使用长链羧酸(如C8-C22)和优选油酸和三烷基 膦的混合物稳定所有类型的钴颗粒。这种稳定是很有效的,以使颗粒易 于在空气下的溶液相中或以固体形式处理。这种颗粒在很多普通的质 子惰性溶剂中(例如,醚类、烷烃类、芳烃类和氯代烃类)易于再分散。 此外,选择性粒度沉淀(例如,最好将非溶剂(如
乙醇)添加到颗粒的 非惰性溶剂烷烃溶液中)可以从原来的分布中分离出单分散纳米级的晶 粒部分。除了钴质的颗粒外,本发明也可以用于生产Ni、Cu、Pd、 Pt和Ag的纳米级颗粒。本发明可生产二元金属间化合物(Co3Pt、 CoPt、CoPt3、Fe3Pt、FePt、和FePt3)
二元合金(如Co/Ni、Ni/Fe 和Co/Fe)和
三元合金(如,Co/Fe/Ni)。本发明也可生产包覆的(如, Co-Ag和Co-Pt)纳米结构的颗粒。
因此,本发明以具有独特和非显而易见的特征提供一种廉价的化学 工艺方法以制备稳定的单分散的单质的、金属间化合的、合金的、和包 覆的磁性纳米级晶体。此外,为磁性记录材料应用能有效地生产具有可 控制粒度和单分散性的纳米级单结晶材料,如能够廉价地生产磁记录介 质、读写磁头和铁磁流体。
因此,本发明提供了一种改进的方法,来制备单分散磁性胶体(如, 铁磁流体),它主要包括纳米级(基本上为1-20nm)的单质钴、镍、 或铁、金属间的(如Copt和FePt)或合金的(如二元合金,像Co/Ni, Co/Fe和Ni/Fe,和三元合金,像Co/Fe/Ni或类似的)的单晶体(如纳米 晶体);胶体稳定剂;和有机载体流体。
根据本发明制备磁性胶体的方法中,几个重要的革新基本改进了纳 米晶粒的均匀性、形状、和结晶结构、以及改进的纳米级晶体的抗化学 降解(如,氧化)性能。
例如,几项革新包括:1)迅速将至少含有一种基本反应试剂的溶液 喷入(例如,为了本应用的目的,“迅速”表示试剂的总供入在5秒以 内,最好0.5-2秒进行)到在惰性气氛中(如Ar,He或N2)强烈搅 拌的含有其它所需试剂的热溶液的烧瓶内;2)添加叔烷基膦或芳基膦 以调节金属颗粒的生长;3)改变反应介质的组成,允许在高于标准程序 的温度下控制生长,以改进各个纳米级晶体的结晶质量;和4)在合成的 初始阶段之后,利用对尺寸有选择性粒度,沉淀和离心,以将粒度分布 窄到按直径其标准偏差在10%以下(最好5%以下)。
上面提到的革新可以单独使用,或者组合使用,以改进控制铁磁流 体的成分和性能,此外还提供了一种能够分离优质磁性纳米级晶体的介 质。
附图说明
参照附图详细描述本发明最佳实施方案能更好地理解本发明的上述 和其它目的、观点和优点,以及合成和测量结果,附图如下:
图1是利用通过在
硅基片(如(100)Si)上蒸发颗粒的己烷溶液制备 的样品,经二醇还原得到具有不同粒度范围颗粒的
X射线粉末分析图。
图2是由超氢化物还原颗粒的X射线粉末照
相图,表明该图类似于 锰(Mn)的立方相控锰的β-相X射线衍射图(例如,由较低的两个衍 射图所示,β-Mn相加
热能使它转变成已知的主体相;在低于400℃下加 热,主要产生hcp,而在400℃以上加热,主要产生fcc);
图3是由二醇还原制备的6nm hcp钴纳米级晶体的发射电子显微( TEM)图像,其制备是通过颗粒的辛烷溶液蒸发并在室温下
真空干燥;
图4是由超氢化物还原制备单分散β-Mn型钴颗粒的TEM图像;
图5是由八羰酸二钴分解制备的8nm单分散fcc纳米级晶体的图像, 由于颗粒间的引力呈现出台阶结构(例如,这些引力是双极磁性相互作用 力和范德瓦尔力的总合),该样品的制备是在室温下由十二烷溶液制得;
图6是表示超晶格的TEM图像,其形成是由于fcc钴颗粒的磁性和 范德瓦尔相互作用的结果,表明颗粒趋于形成六方晶系密堆积排列,利用 在60℃下由十二烷溶液沉积的样品;
图7是表示在60℃下十二烷蒸发时,施加与基片平行的小
磁场下颗 粒对其响应的TEM图像,其中形成类条纹型超晶格磁场图案;
图8是在室温下利用丁醇溶液蒸发制备的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)保 护的fcc钴颗粒的TEM图像;
图9是hcp钴颗粒的粒度相关的零场冷却(ZFC)-场冷却(FC) 磁化强度与温度关系的说明图;
图10是在5°K下的hcp钴纳米级晶体的粒度和温度相关的
磁滞环说 明图;
图11A说明单分散纳米级晶体的一般化学合成,图11B说明前体浓 度与反应时间之间关系图;
图12是根据本发明进行合成的装置原理图,用图解法描绘了纳米级 颗粒构成的放大情况(纳米级颗粒原理图表明密的无机和表面上有机
钝化 剂层的临界结构);
图13是根据本发明进行合成的另一装置的原理图,更具体的是颗粒 的选择性粒度沉淀(如,慢滴加方式),向胶体分散体中添加絮凝剂使分 散体开始絮凝沉淀,利用离心分离沉淀物;
图14是由图13装置产生的颗粒的TEM图像;
图15是本发明方法的步骤
流程图;
图16是本发明的另一方法的步骤流程图。
现在参照附图,尤其是参照图1-16,说明本发明的实施方案。
总体讲,本发明是制备单分散磁性单质的和合金的纳米级颗粒的一种 廉价有效的方法,它可以形成优质的磁性纳米级晶体。正如下面描述的, 例如利用长链二羟醇(如二醇)还原醋酸钴合成六方晶系密堆积(hcp) 钴颗粒,例如通过八羰基二钴的热分解,获得面心钴(fcc)的纳米晶体 。通过钴盐的超氢化物还原制备新型的立方钴纳米级颗粒。
根据本发明,利用油酸和三烷基膦的混合物稳定所有类型的钴颗粒, 它很有效,以致可在有空气的溶液相中或以固体形式处理。在质子惰性溶 剂中颗粒很容易再分散。此外,选择性粒度沉淀(如,最好将非溶剂醇添 加到颗粒的烷烃溶液中)能产生单分散的纳米级晶体。但并不限于此,本 发明也可应用于生产Ni、Cu、Pd、Pt和Ag的纳米级颗粒,正如下面描 述的。本发明可生产金属间的(如CoPt、FePt),二元合金的(如,Co/Ni 、Co/Fe、和Fe/Ni)和三元合金的(如Co/Fe/Ni),和包覆的(如,Co- Ag、Co-Pt,和FeNi-Ag)颗粒。
因此,为制备稳定的单分散单质的、金属间的、包覆的和合金的磁性 纳米级晶体提供了非常廉价的化学方法。进而为磁记录材料应用如磁盘和 磁头介质,有效生产了可控粒度和单分散性的纳米级结晶材料,而且能廉 价地生产铁磁流体。
再回到第一个实施方案,选择三烷基膦作为稳定配位体,因为它是众 所周知的稳定零价金属的配位体,这是由于它具有σ-给予和π-反结合的 特征。
在本发明中,有很多的不同膦可以使用,像对称的叔膦(如三丁基、 三辛基、三苯基等)或不对称的膦(如,二甲基辛基膦)。这些膦可以 单独使用或若条件允许的话,它们可以组合使用。然而,本发明人发现 三烷基膦能降低颗粒的生长速度,但不能防止颗粒生长到不可散的团聚 体(如,温度在100~350℃间,大于20nm)。
一般讲,根据本发明表面活性剂包括一种“有机稳定剂”它是一种 长链的有机化合物,以R-X形式表示,其中:
(1)R-“尾基”,可以是直链或分支的烃链或氟代烃链,典型 的R含有8-22个碳原子。
(2)X-“首基”,它是向纳米级颗粒表面提供特殊的化学附 着的部分(X)。活性基可以是亚磺酸盐(-SO2OH)、磺酸盐(-SOOH)、
亚磷酸盐(-POOH)、
磷酸盐(-OPO(OH)2)、羧酸盐、和硫醇。
因此,稳定剂是磺酸 R-SO2OH
亚磺酸 R-SOOH
亚磷酸 R2POOH
磷酸 R-OPO(OH)2
羧酸 R-COOH
硫醇 R-SH
有机稳定剂材料的一个最佳选择是油酸。
油酸在稳定胶体中是众所周知的表面活性剂,已被用来保护铁纳米 级颗粒。油酸的较长的链(如,油酸有18个碳链,约~20A°长;油 酸不是
脂肪酸,它有一个双键)呈现出一个明显的硬脂屏障,以阻碍颗 粒间的强磁性作用。除了油酸外,相类似长链羧酸,像芥酸和亚油酸也 可以使用,(如,可以使用8-22个碳原子的任何长链的
有机酸也可 单独和组合使用)。油酸是优选的,因为它有廉价的自然来源,极易获 得(如
橄榄油)。然而,对于最佳生长,单独的羧酸不能保护Co颗粒 生长。
上述膦和有机稳定剂(如三有机膦/酸)的混合物对于颗粒生长和 稳定提供了很好的控制。最好用苯醚或正-辛醚作溶剂,因为它们价格 低、沸点高,虽然可以使用二-癸基醚和二-十二烷基醚。根据所要求 的纳米级颗粒和溶剂的沸点,反应可在100℃~360℃的温度下进行, 最好在~240℃下反应。如果温度低于这个温度范围,颗粒不会生长。 如果温度高于这个范围,颗粒生长无法控制,而且所不需要的副产物增 加。
一种多元醇的方法,即本技术领域所公知的方法,包括用二醇还原 金属盐。普通工艺程序包括金属前体溶解在纯二醇中,并加热使金属盐 开始还原并产生颗粒。没有暂时不连续的成核步骤和几乎没有粒度控 制。因此使用多元醇方法来还原包括醋酸钴的金属盐成金属颗粒。经常 使用乙二醇作还原剂。还原需要时间(如:数小时)才发生,颗粒稳定 是很难的,除了后过渡金属如Ag、Pt和Pd颗粒,因为它们是较化学 不活泼的。在通常的多元醇还原钴中,最终产品含有钴的hcp和fcc两 相。
与乙二醇比较,长链二醇如1,2-辛二醇、1,2-十二烷二醇和1, 2-十六烷二醇均有较高的沸点(如,200-300℃,与乙二醇的沸点 200℃比较),如果在回流下使用,长链二醇能很容易地快速还原金属 盐。因此,在200-240℃下利用这些二醇还原醋酸钴在20分钟即可 完成。利用长链二醇提供的最明显改进是这些分子当溶解在高沸点溶剂 中时,能使颗粒在合成时保持分散态。在通常的方法中,使用纯二醇如 乙二醇或丙二醇,绝大部分都会导致失败,因为当颗粒产生时不溶于二 醇内,并会立即团聚。根据本发明的方法,利用惰性溶剂和长链二醇即 可避免这种问题。八羰基二钴的热分解是众所周知的另一种用于生产 fcc钴的还原程序。
通常控制颗粒生长可使用很多类型的
聚合物和表面活性剂。然而, 颗粒很容易发生氧化,通常获得的是氧化钴颗粒。在室温下,在四氢呋 喃中在有烷基溴化铵(R4NBr)存在下,使用超氢化物(LiBHEt3)还 原金属卤化物,得到小的颗粒(<4nm)。
根据本发明,在约100~240℃下在高沸点醚(如,辛醚或苯醚) 中进行还原,并得到很明确的X射线粉末图形,显示出是钴的一个新 结晶相。根据本发明,组合利用油酸和三烷基膦可以获得所有三种类型 钴纳米级颗粒的稳定。同一原理也适用于其它金属系统,如Ni、Cu、 Pd和Ag。Co基和Ni基合金的纳米级颗粒是较化学惰性的。本技术领 域内一个普通的技术人员借助于本
说明书同样可以很容易地制备最终 产品。
现在再回到本发明的一个典型的方法中,合成在有长链羧酸(如 C8-C22)和三烷基膦的存在下以喷入还原剂或辛羰基二钴的醚溶液 开始。靠喷入导入试剂最好单次喷入,持续不到5秒以将全部组分送 入。
短时间内(如约10分钟)发生还原或分解,导致暂时的不连续的 均匀成核。在不到30分钟内即可完成颗粒的生长,这样可使钴或其它 金属和它们的合金颗粒就可在无惰性气氛保护下进行处理。当与以上描 述的普通方法比较时,只用几个小时,本发明方法在纳米级颗粒生长方 面是非常有效的(如,数值上远小普通方法)。
根据本发明,选择性粒度沉淀是通过用非溶剂乙醇滴定颗粒的己烷 溶液,并得到基本上单分散钴的纳米级晶体来进行的,该晶体能很容易 地在烷烃溶剂中再分散。
利用X射线粉末衍射测定最终产品的结晶相,并选择电子衍射。 在环境压力下,对于单质钴,知道只存在两种稳定相。在温度低于425 ℃时,hcp形式是稳定的,而在较高温下,fcc形式是稳定的结构。
图1是根据本发明的上述方法生产的hcp钴纳米级晶体的X射线 图。在2θ=49、52、55和91度呈现的峰,分别相当于d100=2.17、 d002=2.02、d101=1.91,和d110=1.25,并与六方晶系密堆积 (hcp)钴结晶相相符。当样品粒度减小时,反射线宽度的扩展称之为 “有限粒度扩展”。通常用线宽度的详细分析来确定纳米级晶体的粒 度,图1表示fcc钴纳米级晶体样的X射线衍射图,并证实主体fcc的 晶格间距。由超氢化物还原制备的颗粒的X射线图与hcp或fcc钴相不 相符,如图2所示,但是呈现出与Mn金属的罕见的β相一样的对称性。 按Mn和Co原子大小之差别比例,该图完全与β-Mn结构的对称性 相吻合。然而这种结构在300℃以上并不稳定。这种热不稳定性可以利 用来提供了一种简单的途径,以将纳米级结体的内部结构转变成fcc或 hcp形式,因此改变了磁异向。在300℃下加热这种新型立方相能改变 成hcp钴相,在500℃下变成fcc钴。从X射线分析查不到相应于CoO 和CoP相的特征峰,并且元素分析表明磷掺合低于3%。
根据稳定配位体的比率,用稳定剂/表面活性剂对金属前体溶液的 高比率有利制备较小颗粒的不同的颗粒粒度。例如,2当量(如,克分 子比)的钴源在1当量的三烷基膦和1当量的油酸(如三烷基膦∶油酸 =1∶1)的存在下还原产生大约13nm的颗粒,而在更多等量的油酸和 三烷基膦的存在下(如金属源与三烷基膦和油酸的比率大于2∶1∶1), 可获得更小的颗粒。粒度没有特定的较低限,但是,含最小钴的物质有 太少的原子,以至于不能具有一个形成很好的内晶格和更接近于类似 的分子物质。
图1中插入图100说明这样制备的hcp钴颗粒的一系列X射线衍射 图。在真空300℃下
退火该颗粒会使稳定配位体损失掉,产生较大纳米 级晶体的不溶解体,它们的衍射图以插入图100中的
波形显现。在这种 退火条件下的颗粒的扩散和生长,正如在X射线衍射图中表明的那样 (如,图1中的插入图100),变得对空气非常敏感。如果样品暴露于 空气,立刻获得氧化钴颗粒。
为了测定粒度和粒度分布,将含~500ppm产品的1滴辛烷或十二 烷的溶液滴加到碳包覆的
铜栅网上。具体是将一滴胶体放在碳包覆的铜 TEM栅网上。在
环境温度和压力下让溶液慢慢蒸发。最后该栅网在室 温真空下于真空室内干燥。
图3中示出了约6nm的hcp钴纳米级晶体的TEM(发射电子显微 图)图像。图4中表明约8.5nm的β-Mn-型钴颗粒的TEM图像。
在每一种情况下,纳米级晶体的粒度都非常均匀,颗粒相互间被表 面上配置的油酸层所隔离。羰基钴的分解产生高质量的fcc钴纳米级晶 体。
正如图5所示,室温下在
无定形碳膜上的8nm单分散fcc钴纳米 级晶体呈现出类台阶状的多层膜。只有非常均匀粒度和形状的单分散颗 粒体系才有可能是这种三维建序。在颗粒之间,由于吸引的磁相互作用 和范德瓦尔相互作用,颗粒具有一种自组合成多层台阶状的超晶格结构 的趋势。
如果在60℃下制备栅网,蒸发时,所增加的热能能使颗粒扩散到 最低
能量晶格点上,产生一种很确定的小平面的超晶格。图6中示出这 种超晶格的六方晶系图,表现出各个纳米级晶体在结构上是一种固有的 六方晶系堆积。如果为TEM研究的样品是由溶液沉积的话,这时应在 栅网平面上施加磁场,钴颗粒将沿着磁场方向趋于排列,产生钴颗粒的 类条纹状超晶格,如图7所示。
纳米结构的金属颗粒在固体表面上以有序结构的自组合将形成一 个棘手的制备性的难题,这个难题已被本发明解决。通过制造在结构上 均匀的材料的想法可以解决这一难题,这种均匀材料具有单一的电子和 /或磁特性,并适于各种不同应用,它包括记录和再现介质,以及读写 传感器(如磁盘、磁头等介质)。
按照本发明制备的钴颗粒显示出高度的有序性。纳米级晶体趋于自 组合成六方晶系密堆积(hcp)结构。颗粒的TEM图像显示钴核心中 心间的距离约为3.5nm。油酸的链长约为2.5nm。因此,约3.5nm的 隔离表明在颗粒表面上的保护膜是彼此牵连的。围绕在颗粒周围的油酸 可以用很多其它酸代替,例如,1,2-己二烯酸和聚丁二烯二羧酸。
对于本技术领域中的普通人员是显而易见的,给出的这种揭示和在 它的范围内,在固体表面上磁性
量子点的纳米设计隔离应能简单地靠改 变羧酸烷基的长度来实现。
在其它的应用中,如将颗粒用在生物体系,可以选择聚乙烯吡咯烷 酮(PVP)作为其它类型的稳定配位体,因为它含有乙酰胺基,这种 基是DNA聚肽或其它生物分子的基本单元。结果表明PVP能容易地代 替油酸形成PVP保护的颗粒。由油酸作为配位体形成超晶格现在消失 了。颗粒是很好地分散在典型的聚合物键合图形中,如图8中所示,表 明按照本发明制备的颗粒在生物标记和成象中具有很大的潜力。此外, 颗粒的易溶解性正是生物制品磁分离所要求的。
利用MPMS2 Quantum Design超导量子干扰装置(SQUID)磁力 计进行磁性研究。首先,将样品用戊烷或己烷(例如用油酸作稳定配位 体)进行溶解,或者用二氯甲烷(例如用PVP作稳定配位体)溶解, 并装入优质
石英管内。
将溶剂蒸发,产品在室温真空下干燥。按照零场冷却(ZFC)/场 冷却(FC)方法,在10奥斯特磁场强度下于5-300°K测量磁化的 温度函数。由于钴的临界粒度约为10个nm,所以这里制备的颗粒是 一组单磁畴。在这超细状态下,热
波动将克服磁晶体的异向性,当超顺 磁性发生时,可使颗粒沿着
易磁化轴磁化波动。这典型地表明颗粒的温 度相关磁化,正如图9所示,尤其是,图9示出了不同粒度钴颗粒磁化 与温度的关系。
正如图9所示,粒度为约3-10nm的颗粒在室温下是超
顺磁性 的。然而,
超顺磁性的特性在低温下受到了扼制。对粒度约为9nm的 颗粒,扼制温度发生在TB=约255°K,而对于粒度约为6nm和3nm 的颗粒,它们的TB分别约为47°K和15°K(如图9),表明粒度相关 的扼制行为。
通过它们的磁滞行为可以检测颗粒的铁磁特性。在场强达1.0T的 5°K下记录了M-H(如,磁化对磁场强度)磁滞环,粒度和温度相关 的磁滞曲线示于图10中。
对于约11nm的颗粒,矫顽磁力达到2000奥斯特,而当粒度从约9 nm降到约6nm,再降到约3nm时,矫顽磁力从897奥斯特分别降到 291奥斯特和219奥斯特。在室温下,粒度小于9nm的颗粒的磁滞现 象消失了,而粒度约为11nm的颗粒仍表现出铁磁行为,具有大约135 奥斯特的Hc(如图9)。这些值与早期实验结果完全一致,表明在超 顺磁性极限(如对于钴,约为11nm)以上,颗粒的矫磁力随颗粒容积的 降低而明显下降。
可以预言,对将来的超高密度记录介质,将要求具有8-10nm或 更小的平均直径和高达2500奥斯特的Hc的均匀颗粒。虽然单质钴颗粒 在室温下难以用作这种介质,这是因为超顺磁性极限所致,本发明的合 成方法给出可以应用于高密度记录(磁头、磁盘等介质)中的铁磁材料。
尤其是,本发明人成功地将本发明的合成方法扩展到其它金属体 系。
例如,通过相关金属醋酸盐或金属乙酰丙酮盐的还原,制造出了单 分散fcc的Ni纳米级晶体,更重要的是单分散的Co-Pt金属间颗粒和合 金的纳米级颗粒如Co-Ni和Ni-Fe颗粒(如,粒度约为20nm)。Ni- Fe颗粒材料用于大型的磁阻性磁头。Co-Pt合金颗粒称为“超高密度记 录介质”颗粒。制造更均匀的和很好分离的Co-Pt合金颗粒是本发明的 一个重要目的,本发明的方法有助于制造单分散Co-Pt纳米级晶体。
因此,正如以上所述,本发明完成了溶液相、金属盐的高温还原和 中性有机金属前体的分解,它导致制备出金属纳米级颗粒。例如利用油 酸和三烷基膦的混合物获得了颗粒的稳定化。利用选择性粒度沉淀可使 单分散纳米级晶体被分离。通过有机层使各颗粒彼此很好地分离。因 此,大大减少了这些颗粒之间的粒间交换。
图11A强调了本发明相合成技术,它使用试剂喷入法控制纳米级颗 粒的成核。
图11B是生产单分散胶体所需条件的标准表示,以描述单分散微米 大小的硫胶体的生长。它的临界特征是暂时不连续成核过程,随后在晶 核上慢慢生长。通过设计与一般反应途径相一致的一系列特殊化学程 序,本发明人最佳化单分散磁性纳米级晶体的生长条件。
图12描绘了选择性粒度沉淀的基本步骤,如以下实例中描述的。
图13是以示意图表示通过在固体基片上的胶体分散体的蒸发形成 纳米级颗粒的有序排列。
图14表示利用本发明的革新获得的fcc的钴颗粒的极好均匀性。 图14TEM图像中的高倍率插入图表明是六方晶系密堆积的纳米级晶 体,并显示出了超晶格中的空位,它与通过显示放在下面的颗粒的
位置 证实了组合的三维结构。
图15是本发明方法150的流程图,它表示方法之一,图16是第二 个方法的流程图160。
图15中,本发明形成纳米级颗粒的方法包括:第一步1501是与表 面活性剂溶液一起形成金属前体溶液。由过渡金属形成金属前体溶液。 如以上和以下实例所描述的,由过渡金属的配合物或盐可形成金属前体 溶液。在同时形成金属前体溶液和表面活性剂溶液时,可以将金属前体 溶液喷入表面活性剂溶液中,或者反过也可以,如以上和以下
实施例所 描述的,可在预定的温度下(如,最好高于室温)形成表面活性剂溶液。 可以在室温或在100℃-300℃,最好240℃的高温下形成金属前体溶 液和表面活性剂溶液。
步骤1502是将混合物(如金属前体溶液和表面活性剂溶液)加热 到100℃-300℃的温度,最好是240℃。
步骤1503是向金属前体溶液和表面活性剂溶液中导入还原剂 (如,快速喷入)。
步骤1504是冷却混合物,并向胶体分散体中添加絮凝剂,如以上 和以下实施例描述的,以使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来,而无永久性 团聚。
步骤1505是分离沉淀物(如,颗粒)。
步骤1506是向沉淀中加入溶剂(如质子惰性烃溶剂),使沉淀再 溶解(如再分散或再胶溶纳米级颗粒)。
步骤1507是确定粒度分布是否理想。如果理想,工艺过程结束。 如果粒度分布不理想,可重复步骤1504-1507,直到所需的窄粒度分 布。
图16是本发明形成纳米级颗粒的另一个方法流程图,包括:第一 步1601是由过渡金属形成金属前体溶液。正如以上和以下实例中描述 的,可由过渡金属的配合物或盐形成金属前体溶液。这一步可以在室温 或在100-300℃。最好240℃的高温下完成。
步骤1602,形成表面活性剂溶液并加热,正如以上和以下实施例 所描述的。在预定温度下(如,最好高于室温)形成表面活性剂溶液。
步骤1603,将金属前体溶液引入(如,快速喷入)到热表面活性 剂溶液中,已提到过可不将金属前体溶液导入(如快速喷入)到表面活 性剂溶液中,而是将表面活性剂溶液导入(如快速喷入)到金属前体溶 液中。
步骤1604是冷却混合物(如胶体分散),向混合物中加入絮凝剂, 正如以上和以下实例描述的,以分离沉淀(颗粒)。
步骤1605是分离沉淀。具体是使颗粒(纳米级颗粒)由溶液中沉 淀出来,而无永久团聚。
步骤1606是向沉淀中加入溶剂(如,最好是质子惰性烃溶剂), 使沉淀再溶解(再分散或再胶溶纳米级颗粒)。
步骤1607是确定粒度分布是否理想。如果理想,工艺过程结束。 如果粒度分布不理想,可重复步骤1604-1607,直到所需的窄粒度分 布。
因此,本发明的方法提供了一种生产单分散过渡金属纳米颗粒的新 颖和非显而易见的方法,如下列实施例所描述的。
实施例1
按如下合成单分散的6nm的hcp钴纳米级颗粒:首先,在氮气气 氛下,在密封容器内(如图11A所示),按1毫摩尔/2毫摩尔/2毫 摩尔/10毫升的比率混合醋酸钴四水合物/油酸/PR3/苯基醚,并在~30 分钟内加热到240℃。应指出,以透明的深兰色溶液的形成表明金属前 体已完全溶解。
在强烈搅拌下(如,或用磁搅拌棒或用机械装置),通过中隔迅速 (1-2秒钟)将80℃的1,2-十二烷二醇(2.5个当量的钴)的苯 基醚溶液喷入金属前体溶液中,以开始金属盐还原。溶液的
颜色在5分 钟内从深兰色变成黑色,因为兰色钴盐化合物被消耗掉,并形成黑色的 钴金属颗粒。在240℃下强烈搅拌黑色溶液达总计约15分钟以完成颗 粒的生长,然后将反应混合物冷却到室温。在反应混合物冷却到60℃ 以下后,以滴加方式(如,图12所示)加入甲醇,直到空气稳定的黑 色磁性沉淀开始从溶液中分离出来为止。然后,离心或过滤分离沉淀(如 图12所示),之后,弃去上清液,并在大约100-500微升油酸存在 下,使黑色的蜡状磁性沉淀在己烷中再分散。通过用短链醇(如,甲醇、 乙醇、丙醇、和/或异丙醇,最好乙醇)滴定己烷溶液进行选择性粒度 沉淀。
以相类似的程序也可合成磁性过渡金属间的(如CoPt,Co3Pt等) 颗粒和合金颗粒,例如Co/Ni,Ni/Fe等,在该过程中利用金属盐的混合 物来制备金属前体溶液。金属间的颗粒的相和合金的组合物可以通过改 变起始金属盐的克分子比率很容易调整。醋酸镍四水合物,醋酸铁和乙 酰丙酮铂可分别用作Ni、Fe和Pt源。
实施例2
按如下制备8nm的单分散的fcc钴纳米级晶体。首先,在氮气气 氛下,按比例为1毫摩尔/1毫摩尔/20毫升混合油酸/PR3/苯基醚,并在 ~30分钟内加热到200℃。在强烈搅拌(如,或磁搅拌棒或机械装置) 下向热混合物中喷入1毫摩尔辛羰基二钴的苯醚溶液。立刻形成黑色溶 液,表明羰基分解,并形成钴颗粒。
在200℃下将该溶液强烈搅拌15分钟,然后冷却到室温。滴加甲 醇(如,图12所示)产生空气稳定的磁性黑色沉淀。利用离心或过滤 分离产生的空气稳定的磁性黑色沉淀,并弃去上清液。在大约100- 500微升油酸的存在下用己烷再分散蜡状黑色磁性产物。通过用乙醇滴 定己烷溶液完成选择性粒度沉淀。
与实例1的程序相反,实例2的程序提供了达到不同结晶相的颗 粒。此外,实例2的方法与实例1相比,提供了制造不同
晶体结构的更 好途径,并获得更好的起始颗粒粒度分布,它能用选择性粒度、沉淀的 少量循环步骤就能达到单分散颗粒的分离。
因为羰基分解方法更接近于图11B描绘的单分散胶体的理想生长 曲线,所以可获得改进的起始粒度分布。羰基分解的动力学要比多元醇 还原快得多,以产生更暂时的不连续的成核过程,和较好的反应的成核 和生长阶段的分离。图14的TEM图证明利用羰基分解程序生产的物料 非常均匀。
图14中,可以看到8nm直径的fcc的钴颗粒的群体组成了有规律 的三维排列(如,也称作胶体结晶或纳米晶体超晶格)。图中颗粒的统 计分析表明粒度的直径测量的极限标准偏差小于5%。组合体的显著规 律性就是构成颗粒均匀性的明显证明。
实施例3
按如下生产10nm的单分散立方相钴纳米级颗粒。首先是在氮气气 氛下,按1毫摩尔/1毫摩尔/3毫摩尔/20毫升的比率混合CoCl2(无水 的)/油酸/三丁基膦/正-辛基醚,并加热到200℃。在强烈搅拌下,向 热的兰色溶液中喷入2毫摩尔的LiBHEt3(超氢化物)。立刻形成黑/ 棕色溶液,表明CoCl2已还原,并形成钴颗粒。在200℃下将溶液搅拌 15分钟,冷却到60℃以下。加入乙醇产生空气稳定的黑色磁性沉淀, 如图12所示。利用离心或过滤分离沉淀,随后弃去上清液。在约100 -500微升的油酸存在下,用己烷将蜡状磁性产物再分散。通过用乙醇 滴定己烷溶液进行选择性粒度沉淀。
实例3的产物还得到钴颗粒的其它结晶相,这就为各种应用提供了 更多的物料选择。这种物料呈现出锰的β-相结晶的对称性。通过控制 退火,这种钴的新相能立刻转变成hcp或fcc晶体结构。在低于400℃ 下加热(β-锰)纳米级颗粒使物料转变成主要为hcp的颗粒(如,低 于425℃ hcp是优选的主要相)。如果在400℃以上温度进行退火, 实施例3的方法生产的纳米级颗粒转变成fcc的颗粒(如,在425℃以 上温度为稳定的主要相)。图2B的衍射图记录了结构的转变。
烷基
硼氢化物还原的动力学和速度类似于羰基分解(实施例2的方 法),但是,比多元醇还原(如实施例1的方法)更快,因此能获得暂 时不连续成核过程。和较好的反应的成核和生长阶段的分离。图4的 TEM图像证明了使用超氢化物还原程序所产生的物料是非常均匀的。
图4中可以看到8nm直径钴颗粒的群体组成了有规律的三维排列 (如,也称作胶体结晶或纳米级晶体超晶格)。图中颗粒的统计分析表 明粒度的直径测量的极限标准偏差小于5%。再一次说明,组合体的显 著规律性是组成颗粒均匀性的明显证明。
实施例4
按如下制备包覆Ag的钴颗粒。首先是将以上合成的钴颗粒(如, 实施例1,2或3方法中的任一方法)在氮气气氛下用苯基醚再分散。向 分散体中添加AgNO3 1,2-十八烷二醇(1当量的AgNO3)。室温下 机构或磁力搅拌该混合物约10分钟以确保试剂完全溶解。然后,在20 分钟内伴随着搅拌将温度慢慢升至100℃,并在100℃下保持10分钟。
在冷却到室温后,用甲醇处理混合物,以产生空气-稳定的黑-棕 色沉淀,并将混合物进行离心。离心后弃去上清液。在100-500微升 油酸的存在下用己烷再分散该产物,通过用乙醇滴定己烷溶液进行选择 性粒度沉淀。
可以利用相类似的程序制备Pd-包覆和pt-包覆的Co颗粒和其 它的基于铁磁金属(如Ni基)的包覆纳米级晶体。只是分别用Pd(醋 酸盐)、Pt(醋酸盐)和Ni(醋酸盐)代替AgNO3。所得到的每一 种颗粒都具有一层较低化学活性金属的表面壳,这就大大改进了颗粒的 抗腐蚀能力,并能将新的化学基团结合在表面上。
这种改变颗粒表面化学的能力便于通硫化物键合去附着新的生物 活性基团。Au和Ag纳米级颗粒以硫化物键合生物分子的应用是成熟 的,并且用以上制定的程序,能够对该领域中的所有
现有技术进行开 发,为生物标记和分离应用衍生出磁性核心-壳结构的表面。
因此,正如从以上的描述和实施例明确表明,本发明提供了一种化 学合成磁性过渡金属纳米级晶体(胶体)和将它们组合成2-和3-维 有序晶格的方法,以及分散胶体和有序晶格的应用方法。
尤其是,正如以上描述的,本发明提供了一种化学合成磁性过渡金 属胶体的方法(例如像Co、Fe、Ni及其合金如CoxFe(1-x)、CoxNi(1-x) 和FexNi(1-x),其中x为0-1摩尔分数和CoxFeyNz其中x+y+z=1(摩 尔分数)),直径尺寸约1-20nm,粒度直径的标准偏差为5%或更 小。正如以上描述的,本发明使用这些不寻常的均匀分散磁性纳米级晶 体,会给一系列应用领域带来显著的效益,目前这些领域中使用较小均 匀的胶体或粒状磁性材料。
本发明以几个优选实施方案作了描述,该领域内的技术人员都会承 认本发明可在
权利要求的精神和范围内进行改进。
例如,分散磁性纳米级晶体和纳米级晶体形成的薄膜有许多有用的 用途,因此,以上描述的应用不能构成对本发明的限定。
尤其是,均匀磁胶体能以分散态用作磁性墨水或者在包括磁流变流 体的(如铁磁流体)工程的应用;用作组合材料的触发响应
信号的电磁 标签;当有靠近各颗粒的铁磁共振
频率的电磁
辐射,各个影响下用作作 远距离热源;和在磁光显示(magnetopheretic display)中作为有源光
调制器。
分散的磁性纳米晶体在生命科学中也会有一些重要应用,如作为磁 共振成像(MRI)中的反差增强剂;在外界
电磁场影响下组织的超热 破坏的远距离热源;外触发药剂给予载体;在净化/
离析生物分子和细 胞产品的高梯度磁分离中的选择性磁标记;通过选择性的生物产品离析 用于医学诊断,可考虑作为
疾病存在或身体机能障碍的指示。
磁性纳米级晶体的有序组合体作为高密度磁记录介质(如,磁带、
软盘、
硬盘、磁卡等)有很大潜力。这些磁性纳米级晶体的密堆积组合 体,在两元成分的永久磁性存储技术中作为有源磁阻介质,如在磁传感 器(如读写磁头)中作为磁组介质,在调制的外磁场的存在下或在接近 磁性编码图型中,开发相邻纳米晶粒之间的调制自旋相关的电子跳动和 隧道效应。
均匀磁性纳米级晶体的组合体也有望在固定磁性随机存取
存储器 的晶体管通道中作为有源元件,其中同时开发纳米级晶体的自旋相关 (磁阻)和磁滞特性。例如,通过片内
电流产生强磁场(如由书写脉冲 等产生),该电流足以定向通道内纳米级晶体的磁极化。