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一种三元合金封接材料的制备方法

阅读:801发布:2020-05-12

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1.一种三元合金封接材料的制备方法,其特征在于其组分及各组分的质量百分比为:
Ag:60~67%;Cu:25~30%;In:8~12%;其具体制备方式如下:
(1)按配比取纯度为99.99%的Ag、纯度为99.9%的Cu管,将纯度为99.99%的In放入纯度为99.9%的管中;
(2)将配好的原料放入真空中频熔炼炉中,先抽真空到0.02~0.04MPa,加热1000~
1100℃后,充入惰性气体;
(3)保温20-30分钟,通过中频炉充分搅拌,浇注;
(4)将浇注好的铸锭放入真空退火炉中进行退火,温度600~700℃,保温时间2~5h,在
60℃后从退火炉中拿出;
(5)将铸锭经过压延1~2mm后进行退火,温度500~600℃,保温时间2~3h,充入惰性气体,降温后将带材轧制到0.1~0.12mm。

说明书全文

一种三元合金封接材料的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及真空电子行业中真空电子管的封接材料,尤其是涉及一种Ag、Cu、In三元合金封接材料的制备。

背景技术

[0002] 在真空电子管封接行业中,由于真空电子管使用频率高,且一直要保持真空状态,因此对真空电子管的封接材料,特别是对陶瓷与金属、金属与金属的封接材料要求都比较高。目前应用最广泛主要是B-Ag72Cu及AgCuNi焊料,而AgCu27-In12焊料相比B-Ag72Cu及AgCuNi来说,焊接温度要低80-100℃左右,可以作为真空电子管封接用真空钎焊和分级钎焊。且由于In的加入,焊料对、镍、及可伐合金也有良好的润湿性,具有较好的焊接性能和较低的蒸汽压。但由于Ag-Cu-In合金的铸态组织粗大且较脆,较难实现大量生产。

发明内容

[0003] 针对现有技术存在的上述问题,本申请人提供了一种三元合金封接材料的制备方法。本发明制备得到的封接材料清洁度高,焊接性能好。
[0004] 一种三元合金封接材料的制备方法,其组分及各组分的质量百分比为:Ag:60~67%;Cu:25~30%;In:8~12%;其具体制备方式如下:
[0005] (1)按配比取纯度为99.99%的Ag、纯度为99.9%的Cu管,将纯度为99.99%的In放入纯度为99.9%的铜管中;
[0006] (2)将配好的原料放入真空中频熔炼炉中,先抽真空到0.02~0.04MPa,加热1000~1100℃后,充入惰性气体;
[0007] (3)保温20-30分钟,通过中频炉充分搅拌,浇注;
[0008] (4)将浇注好的铸锭放入真空退火炉中进行退火,温度600~700℃,保温时间2~5h,在60℃后从退火炉中拿出;
[0009] (5)将铸锭经过压延1~2mm后进行退火,温度500~600℃,保温时间2~3h,充入惰性气体,降温后将带材轧制到0.1~0.12mm。
[0010] 本发明有益的技术效果在于:
[0011] 本发明制备方法真空熔炼后退火,减少了热压工序,减少了对环境的污染,避免了轧制断裂,然后通过二次退火,可以减小晶粒细度,优化晶格排列,控制偏析产生,消除应和位错,得到所需焊料带材。

具体实施方式

[0012] 下面结合实施例,对本发明进行具体描述。
[0013] 实施例1
[0014] 本发明所述三元合金封接材料,其组分及各组分的质量百分比为:Ag:60%;Cu:30%;In:10%;其具体制备方式如下:
[0015] (1)按配比取纯度为99.99%的Ag、纯度为99.9%的Cu管,将纯度为99.99%的In放入纯度为99.9%的铜管中;
[0016] (2)将配好的原料放入真空中频熔炼炉中,先抽真空到0.02MPa,加热1100℃后,充入惰性气体;
[0017] (3)保温20分钟,通过中频炉充分搅拌,浇注;
[0018] (4)将浇注好的铸锭放入真空退火炉中进行退火,温度600℃,保温时间2h,在60℃后从退火炉中拿出;
[0019] (5)将铸锭经过压延2mm后进行退火,温度600℃,保温时间3h,充入惰性气体,降温后将带材轧制到0.12mm。
[0020] 实施例2
[0021] 本发明所述三元合金封接材料,其组分及各组分的质量百分比为:Ag:67%;Cu:25%;In:8%;其具体制备方式如下:
[0022] (1)按配比取纯度为99.99%的Ag、纯度为99.9%的Cu管,将纯度为99.99%的In放入纯度为99.9%的铜管中;
[0023] (2)将配好的原料放入真空中频熔炼炉中,先抽真空到0.04MPa,加热1100℃后,充入惰性气体;
[0024] (3)保温30分钟,通过中频炉充分搅拌,浇注;
[0025] (4)将浇注好的铸锭放入真空退火炉中进行退火,温度700℃,保温时间5h,在60℃后从退火炉中拿出;
[0026] (5)将铸锭经过压延1mm后进行退火,温度500℃,保温时间2h,充入惰性气体,降温后将带材轧制到0.1mm。
[0027] 实施例3
[0028] 本发明所述三元合金封接材料,其组分及各组分的质量百分比为:Ag:63%;Cu:28%;In:9%;其具体制备方式如下:
[0029] (1)按配比取纯度为99.99%的Ag、纯度为99.9%的Cu管,将纯度为99.99%的In放入纯度为99.9%的铜管中;
[0030] (2)将配好的原料放入真空中频熔炼炉中,先抽真空到0.04MPa,加热1100℃后,充入惰性气体;
[0031] (3)保温20分钟,通过中频炉充分搅拌,浇注;
[0032] (4)将浇注好的铸锭放入真空退火炉中进行退火,温度650℃,保温时间3h,在60℃后从退火炉中拿出;
[0033] (5)将铸锭经过压延2mm后进行退火,温度500℃,保温时间3h,充入惰性气体,降温后将带材轧制到0.12mm。
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