一种IC封装用载板及其封装工艺
专利汇可以提供一种IC封装用载板及其封装工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提出了一种IC封装用载板及其封装工艺，工艺过程包括：（a）在 合金 铝 基片上 真空 镀 铜 ,（b）在铜上涂覆感光材料,（c）在感光材料上进行图形转移,（d）在所需图形的非 覆盖 感光材料区 电镀 底 电极 ，（e）在底电极上继续电镀铜，（f）在电镀铜上电镀顶电极，（g）去除感光材料，（h）在电镀铜层修饰有机金属转化膜，（i）成型得到所需外形的载板，后固晶封装，再去除合金铝层及 种子 铜层完成封装。本发明可解决线宽设计，布线设计以及 孤岛 电极设计自由性差的缺点，可显著增加集成 电路 封装I/0数，另外，通过 对电极 铜表面进行黑 氧 化或棕氧化，增强了与封装 树脂 材料的结合 力 ，提升了封装 散热 能力与封装电路可靠性。，下面是一种IC封装用载板及其封装工艺专利的具体信息内容。
1.一种IC封装用载板，其特征在于：包括有一合金铝基片，所述合金铝基片上依次设置有种子铜层、底电极、电镀铜层、顶电极。
2.所述电镀铜层可设置有有机金属转化膜。
3.根据权利要求1所述一种IC封装用载板，其特征在于：所述合金铝基片优选2系铝片、
3系铝片、5系铝片或其它硬度较好的铝片。
4.根据权利要求1所述一种IC封装用载板，其特征在于：所述种子铜层是通过真空磁控溅射铜形成或真空磁控溅射铜后再电镀加厚铜形成。
5.根据权利要求1所述一种IC封装用载板，其特征在于：所述底电极为标准电极电势高于铜的金属材料，优选金、银、镍、钯或其合金，或在上述金属材料上再电镀镍。
6.根据权利要求1所述一种IC封装用载板，其特征在于：顶电极为标准电极电势高于铜且易于焊接的金属，优选金、银、钯或其合金。
7.根据权利要求2所述一种IC封装用载板，其特征在于：所述有机金属转化膜优选棕氧化膜和黑氧化膜。
8.一种IC封装用载板的封装工艺，其特征在于：工艺过程包括：（a）在合金铝基片上真空溅镀铜，得到有种子铜层覆铜基片；（b）在覆铜基片上涂覆感光材料；（c）在感光材料上进行图形转移，形成所需图形；（d）在所需图形的非覆盖感光材料区的电镀底电极；（e）在底电极上继续电镀铜，形成电镀铜层；（f）在电铜层上电镀顶电极；（g）去除感光材料；（h）在电镀铜层修饰有机金属转化膜；（i）成型得到所需外形的载板；（j）将芯片邦定在载板顶电极上并灌注封装树脂材料；（k）树脂固化成型后去除掉合金铝基片及种子铜层，露出底电极，完成封装。
9.根据权利要求8所述一种IC封装用载板的封装工艺，其特征在于：所述感光材料优选聚丙烯酸酯类的干膜、湿膜。
10.根据权利要求8所述一种IC封装载板的封装工艺，其特征在于：所述在电镀铜层修饰有机金属转化膜，优选采用棕氧化或黑氧化工艺在铜的表面反应来获取。
11.根据权利要求8所述一种IC封装用载板的封装工艺，其特征在于：所述封装树脂材料优选环氧树脂。
12.根据权利要求8所述一种IC封装用载板的封装工艺，其特征在于：所述树脂固化成型后去除合金铝基片及种子铜层，优选氢氧化钠溶液和硫酸溶液。
一种IC封装用载板及其封装工艺
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
在电镀铜层上4 再镀3μm银作为顶电极5 ，金属层侧面结构如图1所示。去除聚丙烯酸酯干膜，将全部材料浸入硫酸-过氧化氢棕氧化溶液中使得种子铜层2 表面生成有机金属转化膜，按设计要求成型得到所需载板的外形。在芯片邦定在载板顶电极5 上后灌注环氧封装树脂材料，最后，将合金铝基片1 及种子铜层2 以氢氧化钠溶液+硫酸溶液完全腐蚀掉露出银底电极3 完成封装。工艺流程如图2所示。
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