有机发光系统或器件(OLED)包括有机电致发光材料或这类材料的堆 叠物，其通过以导电层形式侧翼包围它的电极对其供电。
传统上，上层电极为例如由铝制成的金属反射层，下层电极为基于 氧化铟的透明层，通常为以缩写ITO更为人所知的掺杂锡的氧化铟，其 厚度为约100～150nm。然而，此ITO层有多种缺点。首先，该材料及用 于改善其导电性的高温(350℃)沉积法会导致额外成本。表面电阻率保持 相对较高(大约10Ω/carré)，除非层厚度增加至大于150nm，由此导致透 明度降低及表面粗糙度增加，从而产生使用寿命和OLED可靠性急剧降 低的尖峰效应(spike effects)。
此外，为了电隔离电极，下层电极为不连续的，其典型地会形成平 行的电极带，每个照明带串联连接。目前，本申请人发现在大面积的照 明条带上不能得到均匀的照明。此外，为了得到令人满意的相应于照明 面积与器件总面积之比的装填因子，需要使用昂贵的光刻方法来大幅降 低电极带之间的距离。
文献EP1 521 305这样以多个串联连接的电极区的形式提供了基于 ITO的下层电极，所述串联电极通过肉眼不可见的蚀刻线隔开，并且被 填充以绝缘材料，其是通过光刻方法沉积的。
在其它已知的器件中，上层电极为连续的反射电极，而下层电极为 上面有金属线的连续ITO层，金属线一般由铝制成，并且任选组织成网 格，这些金属线的目的是改善ITO层的导电性能，以用于大面积的均匀 照明。为了得到令人满意的装填因子，这些线必须很细，其宽度大约 100μm，是用光敏树脂或光致抗蚀剂制成的掩模通过光刻法获得的，其 典型厚度为约400nm。为了钝化(passivation)的目的，光致抗蚀剂保留在 线上，这样可防止下层电极与上层电极之间短路。
下层电极昂贵并且缺少可靠性，因为个别的短路点会损害整个区 域，造成发光器件缺陷。

本发明的目标是获得一种下层电极，该下层电极在仍保证大面积照 明的均匀性并具有令人满意的装填因子的同时，还可靠、较为便宜、并 且更易于制作，尤其是以工业规模来说。
为此目的，本发明的一个主题是用于有机发光器件的基板，其在主 面上载有有不连续电极，从所述基板开始，该基板连续地包括：
-基于单一的或混合掺杂或未掺杂的金属氧化物的接触层；
-基于银的具有固有导电性能的金属功能层，所述功能层的厚度小于 100nm；以及
-逸出功匹配覆盖层，尤其是基于单一的或混合、掺杂或未掺杂的金 属氧化物，对于厚度小于100nm、优选等于或小于50nm的功能层，该电 极的表面电阻等于或者小于5Ω/carré，甚至等于或小于4Ω/carré。
此外本发明的不连续电极是至少一排电极区的形式，电极区(优选全 部电极区)在所述排方向的第一尺度为至少3cm，并且优选至少5cm，该 排的电极区以所谓的排内距隔开，该排内距等于或小于0.5mm。
进而，绝缘材料填充于所述排的电极区之间的空隙(并且优选地，如 果合适，填充任何相邻排的空隙)，并且扩展至电极区以外。
根据本发明的电极的导电特性可以通过包括以下的方法得到：选择 具有银基功能层的多层叠层，这也比ITO功能层较为便宜，并且借助于电 极材料和生产的特性，制造可以在环境温度下进行，例如通过喷雾或蒸 发。
该导电特性能够使所选电极区限定的每个照明区的照明均匀，所述 电极区是相对往外扩展(至少3cm)的，但不会危及透明度或产生粗糙度， 功能层的厚度有限制。
典型地，对于与电极区相关的照明区或对于几个或每个这类照明区 而言，该照明区中心的亮度(以Cd/m2测得)与其任何边缘的亮度之比因此 可以等于或大于0.7，或更优选等于或大于0.8。
通过绝缘材料钝化可防止OLED的电极之间发生短路。此外，树脂 覆盖了电极区可能不规则的边缘。因此这些被覆盖区域并不被照明，从 而增加了均匀照明的可能性。然而，为了得到令人满意的装填因子，每 个被覆盖边界的宽度可以优选小于100μm，或甚至小于或等于50μm， 例如10～30μm。
排内距的上限及每个电极区的范围可保证得到高的装填因子，而勿 须依赖于光刻方法来产生电极区。
由于电极组织成一排或多排，因此有缺陷的电极区不会妨碍其它电 极区的运转。
所述电极中的ITO，或主要基于铟的氧化物的总厚度可以是等于或 小于40nm，或者甚至30nm。
电极的总厚度可以等于或小于250μm，还更优选150nm，以便于光 提取。
根据本发明的电极可以覆盖大的面积，例如等于或大于0.02mm2， 或甚至0.5m2或1m2。
排内距可以是至少20μm，这样可限制边缘之间短路，优选50μm～ 250μm，尤其是100～250μm。
有利地，该不连续电极可以不用光刻方法获得，例如：
-通过激光蚀刻，典型地成形卷(forming roll)；
-和/或通过下掩模法(undermasking)；
-和/或通过使用蚀刻膏，尤其是酸基膏体的化学丝网印刷，典型地 形成由于丝网印刷滤网的网格所产生的波状不规则边缘，
这些方法已针对工业条件得到完全开发，并且成本不高。
下掩模法包括沉积不连续的掩模，典型地为任选网格形式的平行 线。掩模由可通过溶剂(水、洒精、丙酮等)溶解的材料制成，所述溶剂 对于电极不活泼。掩模可以通过丝网印刷或通过喷墨沉积。接下来，沉 积电极材料的连续层并且溶解掩模，因此产生电极区之间的空隙(优选以 平行线的形式)。
在本发明的一个优选方案中，绝缘材料还覆盖大多数外围电极区的 边缘。
至于绝缘材料，可以选择例如丙烯酸或聚酰胺树脂，如通常所说的 SD2154E和SD2954的Wepelan树脂。
优选地，为了进一步降低制造成本，最优选为有机的、尤其是高分 子的绝缘材料可选自丝网印刷的绝缘材料，尤其是丙烯酸或聚酰胺树 脂，所述绝缘材料可通过喷墨，例如见述于US 6 986 982专利的墨水来 沉积，或者另外通过滚涂沉积。
丝网印刷绝缘材料典型地形成由于丝网印刷滤网的网格所产生的波 状不规则边缘。通过喷墨沉积的材料典型地具有咖啡杯形状的轮廊，其 边缘加宽。
优选地，为了能够自由选择电接线方式，所述电极包括多个互相平 行的排，成排的电极区以等于或小于0.5mm的排内距隔开，优选100μm ～250μm。
这些排可以通过绝缘树脂优选彼此电隔离，尤其是如已经描述过的 那种树脂，特别是通过丝网印刷或喷墨沉积。
类似于排内的空隙，排之间的空隙也可以优选通过激光或下掩模 法、通过用蚀刻膏来化学丝网印刷制得。
每个电极区可以是完整的几何图案(正方形、矩形、圆形等)。在排 与排之间，图案可以偏移，例如，形成交错排列。
在一个和相同的排之内，电极区可以具有基本上相同的形状和/或尺 寸。
在排与排之间，电极区可以具有基本上不同的形状和/或尺寸。
在垂直于排的方向，电极区可以有任何的尺寸，例如至少3cm、 5cm，或甚至10cm左右(10cm及以上)。
有利地，根据本发明的电极可以具有：
-对每个厚度等于或小于20nm的功能层，表面电阻等于或小于 5Ω/carré，透光率TL等于或大于60％，更优选70％，吸收因子A(以1- RL-TL给出)小于10％，使电极能用作用于底部发光的发光器件的特别合 乎要求的透明电极；
-对每个厚度20nm以上的功能层，表面电阻等于或小于 3Ω/carré，优选等于或小于1.8Ω/carré，TL/RL比为0.1～0.7，吸收率A小 于10％，使电极能用作用于底部发光和顶部发光的发光器件的特别合乎 要求的半透明电极；以及
-对每个厚度50nm以上的功能层，表面电阻等于或小于 1Ω/carré，优选等于或小于0.6Ω/carré，优选还有光反射率RL等于或大 于70％、甚至更优选大于80％，从而使电极能用作用于顶部发光的发光 器件的特别合乎要求的反射电极。
TL可以优选在薄的基板上测量，例如厚度为大约1mm的，对于约 90％的TL，例如钠钙硅玻璃。
电极表面的RMS粗糙度(也称为Rq)可以优选等于或小于2nm，甚 至更优选等于或小于1.5nm，或甚至等于或小于1nm，这样可避免尖峰 效应。
RMS粗糙度是指粗糙度的均方根。这是一种对粗糙度RMS偏差的 测量。因此该RMS粗糙度相对平均高度特别地平均量化粗糙度的峰和 槽的高度。因此，RMS粗糙度为2nm是指两倍的峰值幅度。
可以用各种方式对RMS粗糙度进行测定：例如，通过原子力显微 法，通过机械针尖系统(使用例如名为DEKTAK的VEECO测量器具)以 及通过光干涉测量方法。测量一般通过原子力显微方法在1平方微米的 面积上进行，在约50微米×2毫米的更大面积上，则通过机械针尖系统 进行测量。
当基板在基底层和接触层之间包括由混合氧化物制成的非结晶光滑 层时，尤其可实现该低粗糙度，所述光滑层直接布置在所述接触层下， 并且由除了接触层以外的材料制成。
优选地，光滑层为基于以下金属的一种或多种氧化物的混合氧化物 层：Sn、Si、Ti、Zr、Hf、Zn、Ga和In，尤其是基于锌和锡的任选掺杂 的混合氧化物层，或混合氧化铟锡(ITO)层或混合氧化铟锌(IZO)层。
优选地，光滑层的几何厚度为0.1～30nm并且更优选0.2～10nm。
功能层基于纯银，或银与Au、Al、Pt、Cu、Zn、In、Si、Zr、 Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn或Pd合金或掺杂的银。例如，可以提 及Pd掺杂的银或铜/金合金或银/金合金。
可以通过真空沉积方法，尤其是通过蒸发或优选通过磁控溅射法， 尤其在环境温度下沉积功能层。
如果特别追求高导电率，则可以优先选择纯的材料。如果特别寻求 杰出的机械性能，可以优选掺杂的或合金的材料。
由于其导电性和透明度，可以选择银基合金。银基功能层的厚度可 以是3～20nm，优选5～15nm。在此厚度范围内，电极保持透明。银基功 能层的厚度也可以是20～50nm，以便从主要透射的操作转换成主要反射 的操作。
逸出功匹配覆盖层的逸出功Wf可以从4.5eV开始，并且优选大于 或等于5eV。
逸出功匹配覆盖层可以优选基于以下金属氧化物的至少一种：氧化 铟、氧化锌、氧化钼和氧化镍，这些优选亚化学计量的，以便匹配逸出 功，氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化钽、氧化锡和氧化硅。
金属氧化物可以典型地掺杂0.5～5％。尤其是，其可以是S掺杂的氧 化锡，或掺杂以下的氧化锌：Al(AZO)、Ga(GZO)、B、Sc、或Sb，以提 高沉积方法的稳定性并且/或者增加导电率。
覆盖层可以基于混合氧化物，尤其是基于具有无定形的非化学计量 的混合氧化锡锌SnxZnyOz，或混合氧化铟锡(ITO)或混合氧化铟锌(IZO)。
覆盖层可以是单层或多层。该层的总厚度优选3～50nm，更优选 5～20nm。
优选选择导电率大于10-6S/cm，甚至10-4S/cm的覆盖层，所述层的 生产方便并且/或者快捷，且透明，尤其是基于ITO、IZO、SnxZnyOz、 ZnO、NiOx、MoOx或In2O3的掺杂或未掺杂的覆盖层。
由于可优选该覆盖层为最终层，因此可特别优选使用ITO覆盖层，所 述ITO覆盖层稳定，并且还能够保留现有制造和优化OLED有机结构的方 法，同时仍能控制成本。
基板优选可以是扁平的。
基板可以是透明的(尤其是为了通过所述基板发光)。扁平的基板可 以是硬质的、柔质的或半软质的。
其主面可以是矩形、正方形或者任何其它的形状(圆形、椭圆形、 多边形等)。该基板可以是大尺寸的，例如面积大于0.02m2，或者甚至 0.5m2或1m2，并且电极基本上占了该面积(除结构区域以外)。
基板可以是塑料的，例如聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯PET、聚 萘二甲酸乙二酯PEN或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
基板优选由玻璃制成，尤其是钠钙硅玻璃。优选地，基板可以是在 OLED辐射波长下吸光系数小于2.5m-1，优选小于0.7m-1的玻璃。
例如，可以选择具有不到0.05％Fe(III)或Fe2O3的钠钙硅玻璃，尤 其是Saint-Gobain Glass的DIAMANT玻璃，Pilkington的OPTIWHITE 玻璃，或Schott的B270玻璃。可以选择见述于文献WO 04/025334的所 有高透明玻璃组合物。
在用于OLED系统通过透明基板的厚度发光(底部发光)所选择的结 构中，部分发出的辐射在基板中导引。
此外，在本发明的优选方案中，所选玻璃基板的厚度可以是至少 0.35mm，例如优选至少1mm。这可使内部反射的次数减少，因此能使 在玻璃中导引的更多辐射被提取，由此增加照明区的亮度。
板的边缘也可以是反光的并且优选具有镜面，为了导引辐射的最佳 循环，边缘与有关OLED系统的主面形成等于或大于45°的外角，优选 等于或大于80°，但小于90°，以便在更宽的提取面上重新导引辐射方 向。因此板可以是斜面的。
电极可以在功能层下优选包括能够形成对碱金属阻隔的基底层。
基底层可以是位于电极下的碱金属阻隔层。它可以保护接触层或任 何上面相邻的层，以避免任何污染(污染可导致机械缺陷，如脱层)，并 且还能保持保护金属功能层的导电性。还可防止OLED器件的有机结构 被碱金属污染，事实上碱金属污染会大大降低OLED的使用寿命。
在器件生产期间可能发生碱金属迁移，其导致缺少可靠性，并且/或 者在生产出来后，降低其使用寿命。
基底层可改善接触层的接合性能，而不会明显增加整个组件的粗糙 度，也可改善层的叠层的接合性能，甚至当一个或多个层布置在基底层 与接触层之间时。
基底层优选可靠耐用的且能使用多种方法方便、快捷地沉积。例如 可以通过热解方法沉积，尤其是通过CVD(化学蒸汽沉积)。该方法是有 利于本发明的，因为适当地调节沉积参数就可以获得非常致密的层作为 增强阻隔层。
基底层可以任选掺杂铝，以便真空沉积更稳定。基底层(任选为掺杂 的单层或多层)的厚度为10～150nm，更优选20～100nm。
基底层可以优选为：
-基于(通式SiO的)氧化硅的层，
-基于(通式SiOC的)碳氧化硅的层，
-基于(通式SiN的)氮化硅的层，尤其是基于Si3N4的层，
-基于(通式SiON的)氮氧化硅的层，
-基于(通式SiNOC的)碳氧氮化硅的层。
基底层的氮化可以轻微亚化学计量。
可以基于碳氧化硅并且含锡，以增强化学丝网印刷情况下酸的耐蚀 刻性能。
可以特别优选基本上由掺杂或未掺杂的氮化硅Si3N4制成的基底 层。可以非常快速地沉积氮化硅，并形成对碱金属的出色阻隔。此外， 由于其相对于载板的高光学指数，通过优选改变基底层的厚度，就可使 电极的光学性能能够得到调节。因此，例如当电极为透明时可以调节透 射的颜色，或者当载板的对面为镜面时可以调节反射的颜色。
尤其是对于化学蚀刻，电极可以在接触层之下(或者甚至在任选且独 立的基底层之上)优选包括蚀刻终止层(stop layer)，尤其是基于氧化锡的 层，特别地该蚀刻终止层的厚度为10～100nm，甚至更优选20～60nm。
该蚀刻终止层可以保护基板和/或基底层，特别是在通过化学丝网印 刷进行刻蚀的情况下。
借助于该蚀刻终止层，甚至在图案(即蚀刻)区域仍保留了基底层。 此外，通过边缘效应，可以阻止碱金属在图案区的基板与相邻的电极部 分之间迁移。
最特别地为了简明，蚀刻终止层可以形成为基底层的一部分或为基 底层。优选地，其可以基于氮化硅，或者可以是基于氧化硅或基于氮氧 化硅或基于碳氧化硅，或者另外是基于碳氧氮化硅的通式SnSiOCN的 层，并且含有锡以增强耐蚀刻性能。
最特别地，可以优选(基本上)由无论掺杂与否的氮化硅Si3N4制成的 基底层/蚀刻终止层。氮化硅非常快速地沉积，形成对碱金属的出色阻隔 层，如已经指出的。此外，由于其相对于载板的高光学指数，可优选通 过改变基底层/蚀刻终止层的厚度，使电极的光学性能得到调节。因此， 例如当电极为透明时可以调节透射的颜色，或者当载板的对面为镜面时 可以调节反射的颜色。
接触层可以优选直接在银基功能层(不包括可选的薄阻隔层)之下， 并且用作功能层的粘接层和/或润湿层。
接触层可以优选基于至少一种以下化学计量或非化学计量的金属氧 化物：氧化铬、氧化铟、氧化锌、氧化铝、氧化钛、氧化钼、氧化锆、 氧化锑、氧化钽、氧化硅或甚至氧化锡。
典型地，金属氧化物可以掺杂0.5～5％。尤其地，其可以是掺杂以下 的氧化锡：Al(AZO)、Ga(GZO)、或B、Sc、或Sb，以提高沉积方法的稳 定性，或者甚至是掺杂F或S的氧化锡。
接触层可以基于混合氧化物，尤其是通常为非化学计量的无定形的 混合氧化锡锌SnxZnyOz，或基于混合的氧化铟锡(ITO)或混合的氧化铟锌 (IZO)。
接触层可以是单层或多层。优选地，该层的总厚度为3～30nm，更优 选5～20nm。
优选选择无毒且生产方便和/或快捷的层，必要时为任选透明的，特 别是基于ITO、IZO、SnxZnyOz或ZnOx的掺杂或未掺杂的层。
更优选地，可以选择沿优先生长方向为结晶性质的层，以促进银基 金属功能层的异质外延。
因此，优选氧化锌ZnOx层，优选x小于1，甚至更优选0.88～0.98，特 别是0.90～0.95。该层可以是纯的或者是掺杂Al或Ga的，如已经指出的。
在本发明的一个优选方案中，为了进一步防止功能层腐蚀，电极可 以包括在功能层与覆盖层之间的基于金属氧化物的层，以防止氧和/或 水，最特别当覆盖层较薄(20nm或更小)的时候。
保护层可以优选基于至少一种以下的金属氧化物：氧化铟、氧化 锌、氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化钽、氧化硅、氧化锡。
金属氧化物可以典型地掺杂2～5％。其尤其可以是S掺杂的氧化锡或 掺杂的氧化锌ZnO(x)，例如掺杂Al(AZO)的，以提供更好的稳定性，掺杂 Ga(GZO)的，以增加导电率，或者掺杂B、Sc、或Sb。
保护层可以基于混合氧化物，尤其是通常为非化学计量且无定形的 混合的氧化锡锌SnxZnyOz，或基于混合的氧化铟锡(ITO)或混合的氧化铟 锌(IZO)。
保护层可以是单层或多层。该层的总厚度优选3～90nm，更优选 5～30nm。
当然，加入该层是专用于保护，以使覆盖层的选择有更大的自由 度，其选择可以完全是为了得到最佳的表面性能，特别是为了匹配 OLED的工作面。
最优选选择生产方便并且/或者快捷、并且透明的保护层，特别是基 于ITO、IZO、SnxZnyOz或ZnOx的掺杂或未掺杂的层。
尤其优选基于氧化锌ZnOx的层，其中x优选小于1，优选0.88～0.98， 特别是0.9～0.95。该层可以是纯的或掺杂的，如已经所指出。该层尤其适 合直接置于功能层上，不会降低其透明度或其导电性。
在本发明的一个优选实施方案中，接触层和保护层具有相同的特 性，尤其是由纯的、掺杂或合金的氧化锌制成，优选覆盖层由ITO制 成。
总厚度(与基底层的)可以是30nm～250nm，乃至150nm。
形成为电极涂层的薄层叠层优选为单层的功能涂层，即，具有单个 的功能层；然而，它也可以有多层功能层，尤其是双层功能层。
在银基功能层与覆盖层之间，电极可以连续地包括：任选包括保护 层的基于金属氧化物的隔离层、所述光滑层、第二接触层(尤其是类似于 所述接触层的或者至少由已经提到过的材料制成的)、基于银的第二功能 层(尤其是类似于所述功能层的)和任选的阻隔涂层(尤其是类似于所述任 选的阻隔涂层的或者至少由上述材料制成的)。
电极可以通过真空方法如溅射、任选磁控溅射，以进行一系列沉积 操作来获得。还可以提供直接沉积在每个金属功能层下面或其每一侧上 的一个或甚至两个称为“阻隔涂层”的非常薄的涂层，尤其是基于银的， 所述涂层沿着基板的方向向下邻接功能层，以作为接合、成核和/或保护 涂层，而所述涂层上面邻接功能层，以作为保护或“牺牲”涂层，这样可 防止金属功能层损伤，所述损伤源于其顶上层的氧攻击和/或迁移，或者 如果其顶上层在存在氧进行溅射沉积时的氧的迁移。
因此，该金属功能层可以直接位于至少一个下面相邻的阻隔涂层之 上，和/或直接位于至少一个上面相邻的阻隔涂层之下，每个涂层的厚度 优选0.5～5nm。
在本发明的说明书中，当具体说明层或涂层(包括一个或多个层)的 沉积物直接形成在另一沉积层之下或之上时，则这两个沉积层之间可以 没有嵌入任何层。
至少一个阻隔涂层优选包括基于至少以下金属之一的金属、金属氮 化物和/或金属氧化物层：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Hf、 Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta、W，或者基于所述材料至少一种的合金。
例如，阻隔涂层可以由一个层构成，所述层基于铌、钽、钛、铬或 镍，或者基于至少两种所述金属形成的合金，如镍铬合金。
薄的阻隔层形成保护层甚至“牺牲”层，这可防止金属功能层金属的 损伤，尤其是在一种或多种的以下构造中：
-如果位于功能层顶上的层使用反应性(氧、氮等)等离子进行沉 积，例如如果位于其顶上的氧化物层通过溅射来沉积；
-如果位于功能层顶上的层的组成在工业制造期间有所变化(沉积 条件的变化、靶损耗类型的变化等)，尤其是如果氧化物和/或氮化物类 型的化学计量变化，因此改变了功能层的质量，并因此而改变了电极的 性能(表面电阻、透光率等)；以及
-如果电极涂层在沉积之后经过热处理。
该保护层或牺牲层可明显改善电极的电性能和光学性能的可重复 性。这对于工业方法非常重要，在工业方法中，只能接受电极性能的微 小偏差。
尤其优选基于选自铌Nb、钽Ta、钛Ti、铬Cr或镍Ni的金属，或 基于至少两种这些金属所形成的合金的薄阻挡层，特别是铌/钽(Nb/Ta) 合金、铌/铬(Nb/Cr)合金或钽/铬(Ta/Cr)合金或镍/铬(Ni/Cr)合金。这类基 于至少一种金属的层具有尤其强的吸除效应(gettering effect)。
薄金属阻挡层可以容易地制造，而不会损伤功能层。该金属层可以 优选在惰性气氛(即没有故意向其引入氧或氮)中沉积，包括在稀有气体 (He、Ne、Xe、Ar、Kr)中。在基于金属氧化物的层的随后沉积过程中， 既不排除也不难解决该金属层在表面上的氧化。
这类薄金属阻隔层还可提供出色的机械性能(尤其是耐磨损和耐划性 能)。对于经过热处理的叠层尤其如此，因此在该处理过程中有很大的氧 或氮扩散。
然而，对于金属阻隔层的应用，有必要限制金属层的厚度，从而可 限制光吸收，为透明电极保持足够的透光率。
该薄阻隔层可以部分氧化。该层以非金属的形式沉积，因此不以 MOx类型的化学计量形式沉积，而是以亚化学计量的形式沉积，其中M 代表材料，x为低于材料氧化物化学计量的数，或者是两种材料M和 N(或多于两种)的氧化物的MNOx类型的。例如，可以提及TiOx和 NiCrOx。
优选地，x为氧化物化学计量正常数的0.75倍～0.99倍。对于一氧 化物，x可以尤其选择0.5～0.98，对于二氧化物，x可以是1.5～1.98。
在一个特别的变例中，薄阻隔层基于TiOx，其中x尤其可以满足： 1.5≤x≤1.98或1.5＜x＜1.7，或甚至1.7≤x≤1.95。
该薄阻隔层可以部分氮化。因此，它不以化学计量的形式而以亚化 学计量的形式的MNy类型沉积，其中M表示材料，y为低于材料氮化物 的化学计量的数，y优选为氮化物正常化学计量的0.75倍～0.99倍。
类似地，该薄阻隔层也可以部分氮氧化。
该薄的氧化和/或氮化的阻隔层可以容易地制造，而不会损伤功能 层。优选使用陶瓷靶在优选由稀有气体(He、Ne、Xe、Ar、Kr)构成的非 氧化气氛中沉积。
薄阻隔层可以优选用亚化学计量的氮化物和/或氧化物制备，以进一 步提高电极的电性能和光学性能的可重复性。
所选择的亚化学计量的氧化物和/或氮化物薄阻隔层可以优选基于选 自以下金属的至少一种金属：Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、 Hf、Al、Nb、Ni、Cr、Mo、Ta、W，或基于至少一种这些材料的亚化 学计量的合金的氧化物。
尤其优选这样的层，所述层基于选自铌Nb、钽Ta、钛Ti、铬Cr或 镍Ni的金属的氧化物或氮氧化合物，或基于至少两种这些金属所形成 的合金，尤其是铌/钽(Nb/Ta)合金、铌/铬(Nb/Cr)合金、钽/铬(Ta/Cr)合金 或镍/铬(Ni/Cr)合金。
作为亚化学计量的金属氮化物，还可以选择由以下制成的层：氮化 硅SiNx或氮化铝AlNx或氮化铬CrNx或氮化钛TiNx，或几种金属的氮化 物，如NiCrNx。
薄阻隔层可以具有氧化梯度，例如M(N)Oxi，xi是可变的，通过使 用特别的沉积气氛，其中与功能层接触的阻隔层部分比该层离功能层最 远的部分较少氧化。
阻隔涂层也可以是多层，尤其包括：
-一方面，与所述功能层直接接触的“界面”层，该界面层由基于非 化学计量的金属氧化物、氮化物或氮氧化合物的材料制成，如上述的那 些；
-另一方面，至少一个由如上述的那些金属材料制成的层，该层与 所述“界面”层直接接触。
界面层可以是一种金属或多种金属的氧化物、氮化物或氮氧化合 物，其存在于任选相邻的金属层中。
本发明还涉及一种有机发光器件，所述发光器件包括至少一个尤其 是由玻璃制成的载层，其配备有：
-如上所述的不连续的下层电极，因此形成至少一排下层电极区；
-至少一个由一种或多种有机电致发光材料制成的不连续层，其是 以布置在电极区上的电致发光层区的形式；以及
-具有导电层的不连续的上层电极，其是以布置在电致发光层区上 的电极区的形式。
并且，对于所述排的串联连接，电致发光层区与下层电极区沿排的 方向偏置，并且下层电极区与电致发光层区沿排的方向偏置。
可以看出，在串联连接中，电流从上层电极区流向相邻的下层电极 区。
下层电极可以沿与所述排垂直的方向形成单一排的下层电极区，并 且上层电极和电致发光层可以是不连续的，以形成多个平行的排。
因此，所述器件可以有利地组织成多个基本上平行的以至少0.5mm 隔开的电致发光的排，每个排都能够串联连接。
隔开的排的电致发光区域之间的距离可以大于给定排区域之间的距 离，优选100μm以上，特别是100μm～250μm。
因此每排可以是独立的。如果每排中的一个区域有缺陷，整个行仍 能工作。相邻的排不受影响。
或者，下层电极可以包括多个下层电极区的排和电致发光层，而上 层电极则复制这些排(沿排的方向偏置)。
可以有各种类型的连接：
-  所有电致发光区域单一的串联连接；
-  串联和并联连接的组合；
-  专对每个排进行串联连接。
在优选的实施方案中，导电层形式的电连接垫与下层电极区域的外 围边缘相连，其由与上层电极材料相同的材料制成，并任选覆盖下面相 邻的绝缘树脂。
根据本发明的有机发光器件可以提供或不提供电流引线。
形成集流器或电流分配器一部分的两个连续或不连续的电流引线带 可以分别地与下层电极区的外围边缘优选经连接垫电接触，以及和上层 电极区的外围边缘电接触。
电流引线带的厚度可以优选0.5～10μm，宽度0.5mm，并且可以是 以下的各种形式：
-  由以下金属之一制成的金属单层：Mo、Al、Cr、Nd或这些金 属的合金，如MoCr、AlNd；
-  由以下金属形成的金属多层：Mo、Al、Cr、Nd，如 MoCr/Al/MoCr；
-  优选由导电釉(enamel)制成，例如含银的并且经丝网印刷；
-  优选由导电材料制成，或由填充了导电粒子并通过喷墨沉积的 材料制成，例如银墨水，如InkTec Nano Silver Paste Inks的TEC PA 030TM墨水；以及
-  由无论是否掺杂了金属如银的导电聚合物制成。
还可以使用称为TCC(透明导电涂层)的薄金属层，例如由Ag、Al、 Pd、Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au制成的并且典型地厚度为5～50nm的薄 金属层，具体依所要求的透光率/反射率而定。
上层电极可以是有利地选自金属氧化物的导电层，特别是以下材 料：掺杂的氧化锌，特别是铝掺杂的氧化锌ZnO:Al，或镓掺杂的氧化锌 ZnO:Ga，或者掺杂的氧化铟，特别是锡掺杂的氧化铟(ITO)或锌掺杂的 氧化铟(IZO)。
更一般来说，可以使用任何类型的透明导电层，例如TCO(透明导 电的氧化物)层，例如厚度为20～1000nm。
OLED器件可以产生单色光，尤其是蓝光和/或绿光和/或红光，或 者可以调整成产生白光。
有一些方法可用来产生白光：单一层中的化合物混合(发射红光、绿 光、蓝光)；三种有机结构(发射红光、绿光、蓝光)或两种有机结构(黄光 和蓝光)在电极面上的堆叠；电极面上的三种相邻的有机结构(红光、绿 光、蓝光)序列，一种颜色一个有机结构，而另一个面上则为合适的磷光 体层。
OLED器件可以包括每个发射白光的多个相邻的有机发光系统，或 者通过三个发射红光、绿光和蓝光的系统的序列，所述系统例如是串联 连接的。
每个排可以例如发射给定的颜色。
所述器件可以形成多个玻璃件的一部分，尤其是真空玻璃件或具有 空气层或者另一气体层的玻璃件。该器件还可以是单片的，并且包括单 片的玻璃件，以便能更紧凑并且/或者更轻。
通过使用层压中间层，尤其是高透明的中间层，OLED系统可以连 接到或优选层压到另一个称为盖板的扁平基板上，优选透明的，例如玻 璃。
层压的玻璃件通常包括两个刚性的基板，其间放置热塑性聚合物片 或叠置这类片。本发明还包括所谓的“非对称”的层压玻璃件，尤其是使 用玻璃类型的刚性载板，和作为覆盖基板的一个或多个聚合物保护片。
本发明还包括具有至少一个中间层片材的层压玻璃件，所述中间层 片材基于单面或双面的弹性体类型的粘结形聚合物(即根据此术语的传统 含义，不要求进行层压操作的那种，即通常在压力下需要加热的层压， 这样可软化热塑性中间层片并使其粘着)。
在此结构中，将盖板固定到载板的手段可以是层压中间层，尤其是 热塑性片材，例如聚氨酯(PU)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或乙烯/乙酸乙烯 酯(EVA)，或可热固化的单组份或多组份树脂(环氧、PU)，或可紫外线 固化的单组份或多组份树脂(环氧、丙烯酸树脂)。优选地，片材的尺寸 基本上盖板和基板的相同。
层压中间层可以防止盖板挠曲，尤其是对于大型器件，例如面积大 于0.5m2的器件。
特别地，EVA提供了许多优点：
-其以体积计几乎或根本不含水；
-对加工不要求高的压力。
热塑性层压中间层优选用于由浇注树脂制成的盖板，因为它既比较 容易实施，也不太贵，并且并且可能更密封。
中间层任选包括一组固定在其内表面中的面向上层电极的导电布 线，和/或在盖板内表面上的导电层或导电带。
OLED系统可以优选布置在双层玻璃件的内部，尤其是含惰性气体 (例如氩)层的双层玻璃件的内部。
此外，可有利地在载有根据本发明的电极的基板反面或在另外的基 板上增加具有给定功能的涂层。这可以是防雾层(使用亲水层)、防垢层 (包括TiO2的光催化涂层，至少部分锐钛矿形式结晶)、或如Si3N4/SiO2/ Si3N4/SiO2类型的防反射涂层，或如氧化钛(TiO2)层的紫外线过滤片。它 还可以是一个或多个磷光体层、镜面层或至少一个散射光提取层。
本发明还涉及可以布置这些OLED器件的各种应用，所述器件形成 一个或多个发光表面，所述发光表面为透明的和/或反射的(镜面作用)， 安装于室外和室内应用均可。
所述器件可以形成，作为替代或组合地形成照明、装饰、建筑等系 统，或指示显示板-例如图画、标识或字母数字的指示类型，尤其是应 急出口显示板。
OLED器件可以布置成产生均匀的光，尤其是用于均匀的照明，或 产生不同的发光区，发光区可以有相同的强度或不同的强度。
相反，也可以寻求差异化的照明。由有机发光系统(OLED)产生直射 光区，另一个发光区则可以通过提取基板厚度中的全反射导引的OLED 辐射获得，而所述基板可选用玻璃制成。
为了形成该其它的发光区，提取区可以与OLED系统相邻或在基板 的另一侧。提取区或多个提取区可以例如用于增加直射光区域所提供的 照明，尤其是对于建筑照明，或者用于指示发光板。提取区或多个提取 区优选为一个或多个光带形式，尤其是均匀的光带形式，并且这些光带 优选布置在所述面之一的周边。这些光带例如可以形成高亮度的框架。
可以通过布置在提取区的至少一种以下手段来实现提取：光漫射 层，优选基于矿粒并且优选含矿物粘接剂的光漫射层；制造成能漫射光 的基板，尤其是有纹理化的或粗糙的基板。
两个主面可以每个都有直射光区。
当电极和OLED系统的有机结构选择为透明时，可以特别产生照明 窗口。此时改善房间的照明不会有损于光透射。通过限制光反射，尤其 是在照明窗口的外侧上的，还可以控制反射的水平，例如这样可以满足 针对建筑物墙面实施的防眩目标准。
更宽泛地，尤其是部分或全部透明的器件的所述器件可以是：
-用于建筑目的，如室外发光的嵌装玻璃，室内发光隔断或发光的 嵌装玻璃门(或门的一部分)，尤其是推拉门；
-用于运载工具目的，如发光的顶棚，发光的侧窗(或窗子的一部 分)，陆上、水上或空中运载工具(轿车、货车、火车、飞机、舟船等)的 内部发光隔断；
-用于城市或专业器具目的，如公共汽车候车篷板、显示计数器 墙、珠宝展示或店面橱窗、温室墙、或照明砖瓦；
-用于室内装饰目的，架或柜的部件、柜子立面、照明的砖瓦、天 花板、照明冰箱架、水族箱墙壁；
-用于电子设备背光目的，尤其是任选双层屏幕的显示屏幕，如电 视屏幕或计算机屏幕，触摸屏。
例如，可以设想用于具有不同大小的双面屏幕的背光照明，小的屏 幕优选涉及菲涅尔透镜来聚光。
为了形成照明镜面，电极之一可以反光，或者可以在OLED系统的 对面安置镜面，如果要求只优选在直射光区域的一面照明。
也可以是镜面。发光板可以用于浴室墙面或厨房作业面的照明，或 者可以是天花板的照明。
OLED通常根据所使用的有机材料分成两个宽泛的类别。
如果电致发光层由小分子形成，则器件被称为SM-OLED(小分子有 机发光二极管)。薄层的有机电致发光材料由挥发性分子组成，例如络合 物AlQ3(三(8-羟基喹啉)铝)、DPVBi(4，4′-(二苯基亚乙烯基)联苯)、 DMQA(二甲基喹吖啶酮)或DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基 氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)。发射层还可以是例如掺杂有(Ir(ppy)3(fac-三(2- 苯基吡啶)铱的4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺。
通常，SM-OLED的结构包括叠层的HIL(空穴注入层)和空穴迁移层 (HTL)、发射层和ETL(电子迁移层)。
空穴注入层的实例是铜酞菁(CuPC)，空穴迁移层可以是例如N，N′- 双(萘-1-基)-N，N′-双(苯基)联苯胺(α-NPB)。
电子迁移层可以由AlQ3[三(8-羟基喹啉)铝]或由红菲咯啉(BPhen)构 成。
上层可以是Mg/Al或LiF/Al层。
有机发光叠层的实例为例如见述于文献US 6 645 645。
如果有机电致发光层为聚合物，则所述器件被称为PLED(聚合物发 光二极管)。
薄层的有机电致发光材料包括CES聚合物(PLED)，例如表示为 PPV的聚(对-亚苯基亚乙烯基)、PPP(聚(对-亚苯基))、DO-PPP(聚(2-癸氧 基-1，4-亚苯基))、MEH-PPV(聚[2-(2′-乙基己氧基)-5-甲氧基-1，4-亚苯基亚 乙烯基])、CN-PPV(聚[2，5-双(己氧基)-1，4-亚苯基-(1-氰基亚乙烯基)])或 PDAF(聚二烷基芴)，聚合物层还涉及促进空穴注入的层(HIL)，该层例 如包括PEDT/PSS(聚(3，4-亚乙基-二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))。
PLED的一个实例包括以下叠层：
-  厚度为50nm的掺杂聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT:PSS)的聚(2，4-亚 乙基二氧噻吩)；和
-  厚度为50nm的苯基聚(对-亚苯基亚乙烯基)的Ph-PPV层。
上层电极可以是Ca的层。
本发明还涉及制造以上定义的不连续下层电极的方法，包括：
-  不含光刻方法的蚀刻步骤，用于形成一个或多个平行排的下层 电极区；和
-  通过丝网印刷和/或用喷墨绝缘树脂(优选高分子有机材料)填充 电极区之间，并且延伸到电极区边缘之外的步骤。
所述方法快捷、成本不高并且可靠。
不含光刻方法的蚀刻步骤可以包括(或包含)：
- 激光蚀刻或下掩模法；
- 和/或用酸蚀刻膏的化学丝网印刷，例如使用Merck所售的 HiperEtchTM 04S isishapeTM墨。
最小距离等于或大于150μm时，可以优选使用激光消融(ablation)蚀 刻。如果蚀刻区域大于100μm，则优选通过丝网印刷的下掩模法。如果 蚀刻区域窄于100μm，也优选使用喷墨的下掩模法。
所述方法也可以包括制作一个或多个电流引线带的步骤，例如通过 丝网印刷或通过墨喷印刷，如上所描述的。
本发明还涉及制备有机发光器件的方法，包括：
-  形成以上定义的一个或多个平行排的不连续下层电极的步骤； 和
-  以沿第一和第二交叉方向组织成的线的阵列形式在掩模上沉积 电致发光的一种或多种材料，以形成电致发光区的步骤，所述材料例如 金属如铝或铁电材料(铬、镍等等)，其中沿第二方向的线更厚些。
掩模可以例如由金属板片成，所述金属片例如通过电刻印刷生产。
厚的线提高了目的用于产生排内空隙的细线的刚度。这便于排列并 可限制短路的风险。
有利地，在形成上层电极区的步骤中，本方法可以包括通过沉积上 层电极的一种或多种材料，在分开的排的下层电极区周围形成电连接 垫。
附图说明
现通过非限定性的实施例和附图更详细地对本发明进行描述：
-  图1为有机发光器件的示意性截面图，所述有机发光器件包括 根据本发明的下层电极；以及
-  图2图示说明了图1器件的示意性俯视图。
应当提及，为了清楚，所示物体的各部件(包括角度)不是按比例画 出的。

图1是故意高度示意性的，其以截面图显示了有机发光器件10(包 括通过基板或“底部发光”器件发光)。图2图示说明了器件10的示意性 俯视图。
有机发光器件10包括扁平透明或超透明的钠钙硅玻璃基板1，所述 基板1的厚度为0.7mm，在其主面之一上，连续地布置有：
- 多层的下层电极2a～2″c，其总厚度为50～100nm，沿X方向的 三个平行的排形式的不连续电极，每排有三个电极区2a～2c、2′a～2′c及 2″a～2″c，电极区为几何图形式的，例如正方形，尺寸为3cm×3cm，给 定排的相邻下层电极区之间的距离d1(沿X方向)为约150μm，相邻的分 开的排的下层电极区之间的距离d′1(沿Y方向)为例如相当于d1，约 150μm，这些空隙优选通过激光蚀刻均匀电极而得到；
- 有机发光系统4a～4″c，其厚度为100nm，沿X方向的三个平 行的排的形式的不连续系统，每排有三个电致发光层区4a～4c、4′a～4′c 及4″a～4″c，为正方形形式，尺寸大约为3cm×3cm(或沿Y方向更大 些，以限制边缘效应，例如高出10～20mm)，对于合乎要求的装填因 子，给定排的相邻电致发光层区之间的距离d2(沿X方向)为小于50 μm，例如约25μm；以及
- 不连续的反射上层电极5a～5c，其厚度为200nm，以沿X方向 的三个平行的排的形式不连续，每排有三个上层电极区5a～5c、5′a～5′c 及5″a～5″c，为正方形形式，尺寸大约为3cm×3cm，对于合乎要求的 装填因子，给定排的相邻上层电极区之间的距离d3(沿X方向)为小于50 μm，例如约25μm。
下层电极区2a～2″c之间的空隙和下层电极区2a～2″c的边缘用绝缘 树脂3钝化，如用丙烯酸聚酰胺树脂，厚度为几微米，其中沿X方向的 宽度L1(在给定的排内)和沿Y方向的L′1(两个分开的排之间)分别等于 或大于d1和d′1，例如约250μm，树脂通过丝网印刷沉积。
不同排的相邻电致发光层区之间的距离d′2(沿Y方向)等于或小于 L′1，例如100μm～250μm。
分开的排的相邻上层电极区之间的距离d′3(沿Y方向)等于或小于 L′1，例如100μm～250μm。
每个排串联连接。此外，电致发光正方形4a～4c、4′a～4′c及4″a～4″c 沿X方向相对下层电极正方形2a～2c、2′a～2′c及2″a～2″c以25～60μm偏 置，上层电极正方形5a～5c、5′a～5′c及5″a～5″c沿X方向相对电致发光 正方形4a～4c、4′a～4′c及4″a～4″c以25～60μm偏置。因此，电流从上层 电极区流向相邻的下层电极区5a～2b，5b～2c。
制造电致发光正方形的简单而可靠的方法包括在下层电极上，特别 是借助于玻璃1的四个角上的参考标记，以第一和第二垂直线的形式放 置金属掩模。第一条线较薄，宽度为小于50μm(给出了d2)，例如约 25μm，并且布置成与钝化边缘附近的Y平行。
第二条线较粗，宽度(给出了d′2)为100μm～250μm，并且布置成与 X平行。这些的粗线增强了第一条线，使其变直，因此给定排的电致发 光区域之间的空隙为清晰界定的直线。
生产上层电极正方形的一种简单而可靠的方法包括在电致发光正方 形上放置已经使用过的掩模，但沿X方向偏置25μm。
在该实施例中，装填因子为约0.98。每个照明正方形的中心亮度(以 Cd/m2测得)与该照明正方形的边缘亮度之比为约0.8。器件10的亮度可 以是至少1000Cd/m2。
为器件供给低电压，例如24V或12V(机动车应用等)，且电流为约 50mA，在给定范围内几乎没有波动。
在玻璃1的一侧，周围的下层电极边缘2a、2′a和2″a没有被电致发 光正方形覆盖，并且与电连接带5a～5d电连接，例如宽度为沿X方向约 1cm、沿Y方向约3cm。这些连接带5a～5d可以与上层电极同时制得， 特别是由相同的材料制成。
对于串联和并联连接：
-第一电流引线带61在这些连接带5a～5d上形成，优选其厚度为 0.5～10μm，例如5μm，沿X方向的厚度为5cm，并且例如以由以下金 属的一种所制成的金属层的形式：Mo、Al、Cr、Nd或如MoCr、AlNd 的合金，或者如MoCr/Al/MoCr的多层；并且
-在玻璃的另一侧，类似的第二电流引线带62在上层电极区5c、 5′c、5″c的外围边缘上形成。
对于这些串联和并联连接，d′1可以是0。
对于所有排的串联连接，第一电流引线带61在2a～2′a之间为不连 续的，第二电流引线带62在5c～5′c之间为不连续的。
对于每排具体的串联连接，第一电流引线带61在2a～2′a、2′a～2″a 之间为不连续的，第二电流引线带62在5c～5′c、5c′～5″c之间为不连续 的。
选择为透明的不连续下层电极2a～2″c包括所述类型的多层叠层：
-  选自掺杂或未掺杂的ZnOx、SnxZnyOz、ITO或IZO的粘结性 接触层；
-  功能层，优选由纯银制成；
-  选自ZnOx、SnxZnyOz、ITO或IZO的保护层，所述接触层和 用于保护水和/或氧的层为性质相同的层；并且
-  逸出功匹配覆盖层，
即优选为ZnO:Al/Ag/ZnO:Al/ITO的叠层，相应的厚度为：ZnO:Al 5～20nm，银5～15nm，ZnO:Al 5～20nm，ITO 5～20nm。
下层电极2a～2″c具有以下特征：
-  表面电阻等于或小于5Ω/carré，
-  透光率TL等于或大于70％(在完成的层上、在形成结构前测量)， 光反射率RL等于或小于20％；
-  RMS粗糙度(或Rq)等于或小于3nm，其通过光干涉测量方法用原 子力显微方法在1平方微米上测得。
厚度为10nm～80nm的氮化硅基底层可以在下层电极2a～2″c和基板 1之间。
对于Si3N4 20nm/ZnO:Al 20nm/Ag 12nm/ZnO:Al 40nm/ITO 20nm的叠层，得到的 TL为75％，RL为15％，表面电阻为4.5欧姆/？，RMS粗糙度为1.2nm。
对于Si3N4 20nm/SnZnSb:Ox 5nm/ZnO:Al 5nm/Ag 12nm/Ti 1nm/ZnO:Al 20nm/ ITO 20nm的叠层，得到的TL为85％，RL为8％，表面电阻为3.3欧姆/？， RMS粗糙度为0.7nm。
对于Si3N4 20nm/SnZnSb:Ox 5nm/ZnO:Al 5nm/Ag 12nm/Ti 0.5nm/ITO 20nm的叠 层，得到的TL为65％，RL为29％，表面电阻为3.3欧姆/？，RMS粗糙度为 0.7nm。
基于SnZn:SbOx的层使用锑掺杂的锡和锌目标通过反应溅射沉积， 其包括按重量计65％的Sn、34％的Zn和1％的Sb，在0.2Pa的压力下和氩/ 氧气氛中。
Ti层在0.8Pa的压力下在纯氩气氛中使用钛靶沉积。
作为变例，下层电极2a～2″c也可以是半透明的电极。对于Si3N4 20nm/ ZnO:Al 20nm/Ag 30nm/ZnO:Al 40nm/ITO 20nm，得到了16％的TL，81％的RL和0.9 欧姆/？的表面电阻。
不连续有机发光系统4a～4″c为例如具有以下结构的SM-OLED：
-α-NPD层；
-TCTA+Ir(ppy)3层；
-BPhen层；及
-LiF层。
不连续的反射性上层电极5a～5c可以尤其为金属的，特别是基于银 或铝的。
所有的层2、4和5都是在环境温度下通过磁控溅射方法沉积。
可以使用EVA片将玻璃1层压到另一玻璃，该另一玻璃优选与玻 璃1具有相同特性。任选地，朝向EVA片的玻璃的面配备有给定功能 的叠层。
不言而喻，使用除见述于本实施例以外的那些有机发光系统时，本 发明可以同样的方式实施。