感测式封装件及其制法
专利汇可以提供感测式封装件及其制法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种感测式封装件及其制法，主要是在 基板 上接置感测式晶片，并使该感测式晶片通过焊线电性连接至该基板，接着于该感测式晶片上接着一表面设有 覆盖 层 另一表面设有粘着层的透光体，接着再进行封装模压制造方法，以直接形成一包覆该透光体的封装胶体，之后通过该覆盖层与封装胶体的接合性大于该覆盖层与透光体的接合性，从而可同 时移 除该覆盖层及遮覆其上的封装胶体，进而外露出该透光体，以供光线能通过该透光体而为该感测式晶片所撷取，从而省去使用现有的阻拦结构，以提供具轻薄短小特性的感测式封装件，同时增加制造方法可靠性及降低成本。，下面是感测式封装件及其制法专利的具体信息内容。
1.一种感测式封装件的制法，包括：
将具有相对的主动面及非主动面的感测式晶片接置于基板上，其 中该感测式晶片是以其非主动面接置于该基板上，并通过焊线电性连 接该感测式晶片的主动面与该基板；
将具相对的第一表面及第二表面的透光体接着于该感测式晶片 上，其中该第一表面设有一覆盖层，该第二表面设有一环状粘着层， 以将该透光体通过该环状粘着层接置于该感测式晶片主动面上；
进行封装模压制造方法，以于该基板上形成包覆该感测式晶片、 焊线及透光体的封装胶体；
依预定形成的封装件外围尺寸进行切割；以及
移除位于该覆盖层上的封装胶体部分及该覆盖层，以外露出该透 光体，进而制得感测式封装件。
2.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该覆盖层与 封装胶体的接合性大于该覆盖层与透光体的接合性，从而可同时移除 该覆盖层及遮覆其上的封装胶体。
3.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该感测式晶 片的主动面上设有感测区及焊垫，以供焊线连接该感测式晶片焊垫与 该基板。
4.根据权利要求3所述的感测式封装件的制法，其中，该粘着层接 着于该感测式晶片主动面上的感测区与焊垫间，从而围束该感测区周 围。
5.根据权利要求3所述的感测式封装件的制法，其中，该粘着层接 着于该感测式晶片的焊垫上并包覆至该焊线连接至感测式晶片的端 部。
6.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该透光体为 玻璃，该覆盖层为贴片、环氧树脂、及蜡的其中之一，以使该覆盖层 与透光体的接合性小于该覆盖层与封装胶体的接合性。
7.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该粘着层的 厚度大于该焊线的线弧高。
8.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该透光体的 平面尺寸大于该感测式封装件预定平面尺寸。
9.根据权利要求8所述的感测式封装件的制法，其中，于进行切割 时，先利用倒角切法于封装件预定平面尺寸的切割路径上切割封装胶 体、透光体及覆盖层，进而于该透光体侧表面形成倒角斜边，复再按 封装件预定平面尺寸完成切割。
10.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该透光体 的平面尺寸小于该感测式封装件预定平面尺寸，且大于该感测式晶片 平面尺寸。
11.根据权利要求10所述的感测式封装件的制法，其中，于进行切 割时，先利用倒角切法以于封装件预定平面尺寸的切割路径上切割封 装胶体，进而于该封装胶体顶面形成倒角斜边，复再按封装件预定平 面尺寸完成切割。
12.根据权利要求10所述的感测式封装件的制法，其中，该透光体 平面尺寸是小于预定形成的封装件平面尺寸0.1至2.0mm，又以1mm 为佳。
13.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该封装胶 体的顶面形成有凸部。
14.根据权利要求1所述的感测式封装件的制法，其中，该透光体 第二表面上对应设有粘着层及供接触封装胶体部分形成有粗糙结构。
15.一种感测式封装件，包括：
基板；
接置于该基板上的感测式晶片，其中该感测式晶片具有主动面及 相对的非主动面，且该感测式晶片是以其非主动面对应接置于该基板 上；
焊线，是用以将该感测式晶片主动面电性连接至该基板；
具相对的第一表面及第二表面的透光体，是接着于该感测式晶片 上，其中该第二表面设有一环状粘着层，以将该透光体通过该环状粘 着层接置于该感测式晶片上；以及
封装模压制所形成的封装胶体，是夹置于该基板及透光体间，以 包覆该焊线及感测式晶片周围。
16.根据权利要求15所述的感测式封装件，其中，该感测式晶片的 主动面上设有感测区及焊垫，以供焊线连接该感测式晶片焊垫与该基 板。
17.根据权利要求16所述的感测式封装件，其中，该粘着层接着于 该感测式晶片主动面上的感测区与焊垫间，从而围束该感测区周围。
18.根据权利要求16所述的感测式封装件，其中，该粘着层接着于 该感测式晶片的焊垫上并包覆至该焊线连接至感测式晶片的端部。
19.根据权利要求15所述的感测式封装件，其中，该粘着层的厚度 大于该焊线的线弧高。
20.根据权利要求15所述的感测式封装件，其中，该透光体的平面 尺寸等于该感测式封装件预定平面尺寸。
21.根据权利要求15所述的感测式封装件，其中，该透光体的平面 尺寸小于该感测式封装件预定平面尺寸，且大于感测式晶片平面尺寸。
22.根据权利要求21所述的感测式封装件，其中，该透光体的平面 尺寸小于该感测式封装件预定平面尺寸0.1至2.0mm，又以1mm为佳。
23.根据权利要求15所述的感测式封装件，其中，该透光体侧表面 形成有倒角斜边。
24.根据权利要求15所述的感测式封装件，其中，该透光体第二表 面上对应设有粘着层及供接触封装胶体部分形成有粗糙结构。
技术领域
本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种感测式封装件 及其制法。
背景技术
请参阅图1，美国专利第6,060,340号案即公开一种感测式封装件， 其是将一预先制备的阻拦结构13通过胶粘剂16(adhesive)接置于一基 板11上，该阻拦结构13呈一墙状结构围绕一空间14以收纳感测式晶 片10及焊线12于其中，该焊线12用以电性连接感测式晶片10至基 板11。一玻璃15是粘置于阻拦结构13上以封盖住该空间14，从而使 感测式晶片10及焊线12得与外界大气气密隔离，且可使光线穿透其 中而到达感测式晶片10以供感测式晶片10进行运作。然而，由于上 述胶粘剂16具有较高的吸湿性，当吸收有水气的胶粘剂历经后续制造 方法中的高温环境时，其会导致气爆(popcorn)现象以及基板与阻拦结 构间的脱层(delamination)，因而损及封装件的可靠性。
还请参阅图2A及2B，美国专利第6,262,479及6,590,269号案公 开另一种用以封装感测式晶片但无需使用上述胶粘剂固定阻拦结构的 感测式封装件。首先，如图2A所示，进行一模压(molding)制造方法以 于基板21上形成阻拦结构23，于模压中，是使用一具有上模27及下 模28的封装模具，该上模27开设有一上凹模穴270，且有一凸出部 271形成于该上凹模穴270中；以将基板21夹置于上模27与下模28 之间，使该凸出部271与基板21触接而覆盖住基板21上预定用以置 晶及焊线的区域。接着，将一树脂化合物(如环氧树脂等)注入上凹模穴 270中，以于基板21上形成阻拦结构23。由于该凸出部271的设置， 该基板21上用以置晶及焊线的区域不会为阻拦结构23包覆而能于自 基板21上移除上下模27、28后露出。如图2B所示，将感测式晶片 20及焊线22接置于基板21上露出的区域；最后，将玻璃25粘置于阻 拦结构23上即完成该封装件。
然而，上述封装件仍会造成诸多缺点。例如该上模的凸出部是用 以覆盖基板上预定区域以使该区域不为模压制造方法中的树脂化合物 所包覆；然而该凸出部与基板间的夹持力(clamping force)实不易控制， 若凸出部无法稳固地夹置于基板上，树脂化合物则极易于凸出部与基 板间产生溢胶，而污染基板上预定用以置晶及焊线的区域；若凸出部 过度地压置于基板上，则会造成基板结构受损。再者，上述凸出式模 具的制造成本颇高，且需形成对应基板或其上预定区域尺寸的凸出部， 换言之，若基板或其上预定区域的尺寸改变，则需制备新的模具，使 其具有对应尺寸的凸出部，故会大幅增加生产成本且使封装件制造方 法更为复杂。
请参阅图3，为此，美国专利第5,950,074号案公开一种感测式封 装件，其是于基板31上涂布一具流动性的胶体以形成阻拦结构33，以 透玻璃35接置于该阻拦结构33上，进而覆盖住设于该阻拦结构33内 的感测式晶片30及焊线32。
但是前述各现有技术中皆存在一共同问题，即该封装件的整体平 面尺寸包含有晶片尺寸、打线空间以及阻拦结构宽度，尤为该阻拦结 构的设置所占用的面积，造成整体封装件尺寸需预留空间以供设置该 阻拦结构，是以无法满足封装件轻薄短小的需求。
鉴此，还请参阅图4A，台湾专利公告第521440公开一种感测式 封装件，是于基板41上接置一主动面形成有感测区的感测式晶片40， 并利用焊线42电性连接该感测式晶片40与基板41，接着于该感测式 晶片40周围的焊线42上敷设胶体43而作为阻拦结构，该胶体43高 度是大于感测式晶片40厚度，之后通过该胶体43本身的粘性以直接 于该胶体43上固着一透光层45。
但是前述现有技术中，该敷设于焊线的胶体所构成的阻拦结构需 同时担负挡墙及粘胶作用，以供后续于其上直接固着透光层，是以该 胶体一方面须具备一定的刚性以形成所需的阻拦结构，也即通常需在 该胶体中加入填充料，从而强化结构强度，但是如此将降低该胶体与 透光层的粘着性，另一方面，如要增加该胶体与透光层的粘着性，即 需减少胶体中填充料的数量，但如此即有可能无法形成具一定刚性的 阻拦结构，而造成透光层渗漏问题，不仅提高制造方法复杂度且影响 产品可靠性。
再者，于该包覆焊线的胶体上固着透光层时，需在该胶体尚未完 全固化前将该透光层压着于该胶体上，如此，在进行压着时，因该胶 体尚未完全固化即有可能造成焊线的压损甚或断裂。
另请参阅图4B，美国专利第6,995,463也公开类似的技术，其不 同处主要在于其透光层450是于设置焊线前，预先粘置在感测式晶片 400上，以避免外在环境的污染粒子(particle)污染该感测式晶片400， 之后再设置焊线420，接着以如高分子的液态胶430将焊线420包覆； 如此虽可解决前述透光层渗漏或焊线为透光层压损的问题，但是仍存 在一最大缺点，即为该些液态胶成本极高，且该液态胶主要是利用点 胶(dispense)方式设置，不仅速度慢且成本高。
因此，如何提供一种感测式封装件及其制法，可避免现有阻拦结 构与透光层间发生渗漏及可靠性不佳乃至于焊线压损问题，同时也可 避免因利用点胶方式形成液态胶时所导致制造方法复杂性及制造方法 成本上升等问题，确已成为相关领域上所需迫切面对的问题。
发明内容
本发明的又一目的是提供一种感测式封装件及其制法，可提升制 造方法可靠性，避免现有于流动性胶体所形成的阻拦结构与透光层产 生渗漏、脱层问题。
本发明的再一目的是提供一种感测式封装件及其制法，避免现有 于流动性胶体所形成的阻拦结构上接着透光层时，发生焊线损伤及断 裂等问题。
本发明的另一目的是提供一种感测式封装件及其制法，可节省阻 拦结构的设置，以增加制造方法可靠性及降低成本。
本发明的又一目的是提供一种感测式封装件及其制法，避免现有 使用液态胶所导致的制造方法成本极高，以及点胶(dispense)方式制造 方法所造成速度慢且成本高等问题。
本发明的又一目的是提供一种感测式封装件及其制法，是可利用 传统的封装模压制造方法进行制作，从而节省制造方法成本。
本发明的又一目的是提供一种感测式封装件及其制法，是可利用 封装模压制造方法而大量以批次方式(batch-type)生产，从而降低制造 方法成本。
为达前述及其他目的，本发明的感测式封装件制法主要包括：将 具有相对的主动面及非主动面的感测式晶片接置于基板上，其中该感 测式晶片是以其非主动面接置于该基板上，并通过焊线电性连接该感 测式晶片的主动面与该基板；将具相对的第一表面及第二表面的透光 体接着于该感测式晶片上，其中该第一表面设有一覆盖层，以及该第 二表面设有一环状粘着层，以将该透光体通过该环状粘着层接置于该 感测式晶片上；进行封装模压制造方法，以于该基板上形成包覆该感 测式晶片、焊线及透光体的封装胶体；依预定形成的封装件外围尺寸 进行切割；以及移除形成于该覆盖层上的该封装胶体及该覆盖层，以 外露出该透光体。该覆盖层与封装胶体的接合性是大于该覆盖层与透 光体的接合性，从而可同时移除该覆盖层及遮覆其上的封装胶体。
本发明也公开一种感测式封装件，包括：基板；接置于该基板上 的感测式晶片，其中该感测式晶片具有主动面及相对的非主动面，且 该感测式晶片以其非主动面对应接置于该基板上；焊线，用以将该感 测式晶片主动面电性连接至该基板；具相对的第一表面及第二表面的 透光体，接着于该感测式晶片上，其中该第二表面设有一环状粘着层， 以将该透光体通过该环状粘着层接置于该感测式晶片上；以及封装模 压形成的封装胶体，夹置于该基板及透光体间，以包覆该焊线及感测 式晶片周围。
该感测式晶片的主动面上设有感测区，以供光线能通过该透光体 而为该感测式晶片的感测区所撷取；该透光体第二表面所设的粘着层 厚度是大于该焊线的线弧高度以避免该透光体压触至该焊线，且该粘 着层是呈环状以环设于该感测区周围，另该粘着层接着至该感测式晶 片时可位于该感测区及该焊线连接至该感测式晶片的端部之间，也或 直接包覆至该焊线端部；该透光体的平面尺寸大于该封装件预定完成 尺寸，以于切割时切割至该透光体而外露出该透光体侧表面，从而便 于移除设于该透光体第一表面的覆盖层及该覆盖层上的封装胶体部 分，以外露出该透光体，从而供光线能通过该透光体而为该感测式晶 片所撷取；于进行切割时，由于切割路径会通过该透光体，为避免如 玻璃的透光体于切割过程中发生裂损，也可先于对应该透光体的切割 路径上先利用倒角切法(bevel cut)以形成倒角斜边，复再按封装件预定 平面尺寸完成切割。
另该透光体的平面尺寸也可略小于该封装件预定完成尺寸，但是 仍大于该感测式晶片的尺寸(chip size)，以提供该感测式晶片的保护， 于制造方法中也可利用倒角切法(bevel cut)以于封装胶体顶缘形成倒 角，再沿该倒角依封装件外观尺寸进行切割，之后再移除该透光体第 一表面上的覆盖层及位于该覆盖层上的封装胶体部分；同时为便于自 该透光体第一表面上移除该覆盖层及位于该覆盖层上的封装胶体部 分，也可于形成该封装胶体时，对应该封装胶体的顶面形成凸部，以 便利用夹具夹持该凸部而移除该覆盖层及位于该覆盖层上的封装胶体 部分；再者为增加透光体与封装胶体以及透光体与粘着层的接合性， 也可在该透光体第二表面形成粗糙面；此外本发明的感测式封装件制 法是采用批次方式于一具多基板的基板模块片上大量制造生产，从而 降低制造方法复杂性，同时也可大量降低制造方法成本。
因此，本发明的感测式封装件及其制法主要是在基板上接置感测 式晶片，并使该感测式晶片通过焊线而电性连接至基板，然后于该感 测式晶片上接着一表面设有覆盖层另一表面设有粘着层的透光体，接 着再进行封装模压制造方法，以直接形成一包覆该透光体的封装胶体， 之后通过该覆盖层与封装胶体的接合性是大于该覆盖层与透光体的接 合性，从而可同时移除该覆盖层及遮覆其上的封装胶体，进而外露出 该透光体，以供光线能通过该透光体而为该感测式晶片所撷取。是以， 本发明中省去使用现有的阻拦结构，故可提供具轻薄短小特性的感测 式封装件，且可增加制造方法可靠性及降低成本，也避免现有使用流 动性胶体所形成的阻拦结构与透光层产生渗漏、脱层问题，以提升制 造方法可靠性，同时避免于流动性胶体所形成的阻拦结构上接着透光 层时，发生焊线损伤及断裂等问题，此外，由于本发明中是利用传统 的封装模压制造方法以直接形成封装感测式晶片及支撑透光体的封装 胶体，从而节省制造方法成本，同时通过封装模压制造方法的使用将 可配合批次方式(batch-type)而于一具多基板的基板模块片上大量制造 生产，从而降低制造方法成本及复杂性。
附图说明
图1是美国专利第6,060,340号案所公开的感测式封装件剖面示意 图；
图2A及2B是美国专利第6,262,479及6,590,269号案所公开的感 测式封装件剖面示意图；
图3是美国专利第5,950,074号案所公开的感测式封装件剖面示意 图；
图4A是台湾专利公告第521440号案所公开的感测式封装件剖面 示意图；
图4B是美国专利第6,995,462号案所公开的感测式封装件剖面示 意图；
图5A至5F是本发明的感测式封装件及其制法第一实施例的示意 图；
图6A至6C是本发明的感测式封装件及其制法第二实施例的示意 图；
图7A至7D是本发明的感测式封装件及其制法第三实施例的示意 图；
图8A至8D是本发明的感测式封装件及其制法第四实施例的示意 图；
图9是本发明的感测式封装件第五实施例的示意图；
图10A及10B是本发明的感测式封装件制法第六实施例的示意 图；以及
图11是本发明的感测式封装件第七实施例的示意图。
主要元件符号说明
10 感测式晶片
11 基板
12 焊线
13 阻拦结构
14 空间
15 玻璃
20 感测式晶片
21 基板
22 焊线
23 阻拦结构
25 玻璃
27 上模
270 上凹模穴
271 凸出部
28 下模
30 感测式晶片
31 基板
32 焊线
33 阻拦结构
35 玻璃
40 感测式晶片
41 基板
42 焊线
43 胶体
45 透光层
400 感测式晶片
420 焊线
430 液态胶
450 透光层
50 感测式晶片
501 主动面
502 非主动面
503 感测区
504 焊垫
51 基板
51A 基板模块片
52 焊线
53 覆盖层
54 粘着层
55 透光体
550 粗糙结构
551 第一表面
552 第二表面
56 封装胶体
560 凸部
57 焊球
58 夹具
L1 透光体平面尺寸
L2 封装件平面尺寸
具体实施方式
第一实施例
请参阅图5A至5F，为本发明的感测式封装件及其制法示意图。 且以下将以采用批次方式大量制造方法本发明的感测式封装件作为说 明。
如图5A所示，提供一具多基板51的基板模块片51A，以将感测 式晶片50接置于该基板51上，该感测式晶片50的平面尺寸是小于基 板51平面尺寸(封装件预定尺寸)。该基板模块片51A的型态是可采用 矩阵式排列及条状排列的其中一者；该感测式晶片50具有一主动面 501及一相对的非主动面502，且该感测式晶片50的主动面501上设 有感测区503及焊垫504，该感测式晶片50是以其非主动面502对应 接置于该基板51上，并通过焊线52连结该感测式晶片50的焊垫504 及基板51，以供该感测式晶片50与基板51相互电性耦合。另该感测 式晶片50是可先对其非主动面502进行薄化，并选择出良品晶片(good die)，以供接置于基板51上。
如图5B所示，提供具有相对的第一表面551及第二表面552的透 光体55，且该透光体第一表面551设有一覆盖层53，以及该第二表面 设有一环状粘着层54，其中该透光体55是例如玻璃，该覆盖层53是 例如为贴片(tape)、环氧树脂、或蜡(wax)等，以使该覆盖层53与透光 体55的接合性小于后续覆盖其上的封装胶体。
如图5C所示，将该透光体55通过该粘着层54接置于该感测式晶 片50上，其中该粘着层54的厚度是大于该焊线52的线弧高，以避免 透光体55压迫该焊线52，同时该粘着层54是呈环状且接着于该感测 区503及该焊线52连接至该感测式晶片50的端部之间，也即该粘着 层54粘着于该感测式晶片50上的感测区503与焊垫504间，从而围 束该感测区503周围。
如图5D所示，进行封装模压制造方法，以于该基板51上形成包 覆该感测式晶片50、焊线52、透光体55及设于该透光体55上的覆盖 层53的封装胶体56。
如图5E所示，依预定形成的封装件外围尺寸(即该基板51尺寸) 进行切割，其中由于该透光体55的平面尺寸是大于该封装件预定完成 尺寸，因此于切割时将切割至该透光体55而外露出该透光体55及覆 盖层53侧表面，以便于后续同时移除覆盖于该透光体55上的覆盖层 53及该覆盖层53上的封装胶体56部分。另于切割后，该透光体55 的平面尺寸即与该基板51平面尺寸相同。
如图5F所示，利用该覆盖层53与封装胶体56的接合性是大于该 覆盖层53与透光体55的接合性，从而可同时移除该覆盖层53及遮覆 其上的封装胶体56，进而外露出该透光体55，以供外在光线得以穿过 该透光盖体55到达该感测式晶片50的感测区503而使晶片作动。
通过前述制造方法，本发明也公开一种感测式封装件，包括：基 板51；接置于该基板51上的感测式晶片50，其中该感测式晶片50具 有主动面501及相对的非主动面502，且该感测式晶片50是以其非主 动面502对应接置于该基板51上；焊线52，是用以将该感测式晶片主 动面501电性连接至该基板51；具相对的第一表面551及第二表面552 的透光体55，是接着于该感测式晶片50上，其中该第二表面552设有 一环状粘着层54，以将该透光体55通过该环状粘着层54接置于该感 测式晶片50上；以及封装模压制造方法所形成的封装胶体56，是夹置 于该基板51及透光体55间，以包覆该焊线52及感测式晶片50周围。
因此，本发明的感测式封装件及其制法主要是在基板上接置感测 式晶片，并使该感测式晶片通过焊线而电性连接至基板，然后于该感 测式晶片上接着一表面设有覆盖层另一表面设有粘着层的透光体，接 着再进行封装模压制造方法，以直接形成一包覆该透光体的封装胶体， 之后通过该覆盖层与封装胶体的接合性是大于该覆盖层与透光体的接 合性，从而可同时移除该覆盖层及遮覆其上的封装胶体，进而外露出 该透光体，以供光线能通过该透光体而为该感测式晶片所撷取。是以， 本发明中省去使用现有的阻拦结构，故可提供具轻薄短小特性的感测 式封装件，且可增加制造方法可靠性及降低成本，也避免现有使用流 动性胶体所形成的阻拦结构与透光层产生渗漏、脱层问题，以提升制 造方法可靠性，同时避免于流动性胶体所形成的阻拦结构上接着透光 层时，发生焊线损伤及断裂等问题，此外，由于本发明中是利用传统 的封装模压制造方法以直接形成封装感测式晶片及支撑透光体的封装 胶体，从而节省制造方法成本，同时通过封装模压制造方法的使用将 可配合批次方式(batch-type)而于一具多基板的基板模块片上大量制造 生产，从而降低制造方法成本及复杂性。
第二实施例
另请参阅第图6A至6C，为本发明的感测式封装件及其制法第二 实施例的剖面示意图。本实施例与前述实施例大致相同，对应于相似 的元件是采用相同的符号作为说明，于本实施中主要差异在于当感测 式晶片的感测区与焊垫过于接近时(通常是小于300μm)，设于透光体第 二表面的粘着层将无法粘着于该感测区与焊垫间，此时可将该粘着层 接着于感测式晶片的焊垫上并包覆至该焊线连接至感测式晶片的端 部。
如图6A所示，将感测式晶片50接置于该基板51上，该感测式晶 片50主动面上设有感测区503及焊垫504，该感测式晶片50是以其非 主动面对应接置于该基板51上，并通过焊线52而使该感测式晶片50 的焊垫504电性连接至该基板51。接着将一表面设有覆盖层53及另一 表面设有粘着层54的透光体55接着于该感测式晶片50上。
在将该透光体55接着于该感测式晶片50时，是利用加热该透光 体55及于该完成置晶及打线的基板51下方提供热源加热，以于该透 光体55进行接着时，该粘着层54开始熔融，待粘着层54与焊线52 接触并使该粘着层54包覆该焊线52的端部后，即移开该热源，使该 粘着层54凝固，进而支撑该透光体55。
该粘着层54是可为如B-stage的环氧树脂(Epoxy)的胶粘层，使其 于该透光体55被加热时，具半熔融状且具粘性，以将该透光体55间 隔该粘着层54置于感测式晶片50对应焊垫504位置，同时包覆至接 着于该焊垫504上的焊线52端部。
如图6B所示，接着即可进行封装模压制造方法，以于该基板51 上形成包覆该感测式晶片50、焊线52、透光体55及设于该透光体55 上的覆盖层53的封装胶体56。
如图6C所示，依预定形成的封装件外围尺寸(即该基板51尺寸) 进行切割，并移除覆盖于该透光体55上的覆盖层53及该覆盖层53上 的封装胶体56部分，以外露出该透光体55。
第三实施例
另请参阅第7A至7D图，为本发明的感测式封装件及其制法第三 实施例的剖面示意图。本实施例与前述实施例大致相同，主要差异在 于因透光体的尺寸是大于预定形成的封装件尺寸时，是以切割路径将 会通过该透光体，其中为避免如玻璃的透光体于切割过程中发生裂损， 也可对应该透光体的切割路径上先利用倒角切法(bevel cut)以形成倒角 斜边，复再按封装件预定平面尺寸完成切割。
如图7A及7B所示，于完成置晶、打线及接着透光体55的基板 51进行封装模压后，先利用倒角切法(bevel cut)以于形成封装件外观尺 寸的切割路径上切割封装胶体56、透光体55及覆盖层54，进而于该 透光体55侧表面形成倒角斜边。
如图7C及7D所示，接着沿透光体55所形成的倒角斜边处进行 第二次切割作业，也即于预定完成的封装件外观尺寸(即该基板51尺寸) 的切割路径上切割分离各该基板51，避免如玻璃的透光体于切割过程 中发生裂损；其后即可移除该覆盖于该透光体55上的覆盖层53及该 覆盖层53上的封装胶体56。
第四实施例
另请参阅图8A至8D，为本发明的感测式封装件及其制法第四实 施例的剖面示意图。本实施例与前述实施例大致相同，主要差异在于 本实施例的透光体尺寸是略小于预定形成的封装件尺寸，但是为提供 该感测式晶片的保护，该透光体尺寸是仍大于该感测式晶片尺寸。
如图8A及8B所示，于完成置晶、打线及接着透光体的基板51 进行封装模压后，先利用倒角切法(bevel cut)以于形成封装件外观尺寸 的切割路径上切割封装胶体56，进而于该封装胶体56顶面形成倒角斜 边；其中该接置于感测式晶片50上的透光体55平面尺寸L1是略小于 预定形成的封装件平面尺寸(即该基板51尺寸)L2约0.1至2.0mm，又 以1mm(也即透光体平面各边尺寸小于封装件0.5mm)为佳，以于切割 后外露出覆盖层54侧表面。另该透光体55尺寸是大于该感测式晶片 50尺寸，并使其超过焊线打设区，从而保护感测式晶片及焊线。
如图8C及8D所示，接着再进行第二次切割作业，以沿封装胶体 56顶面形成倒角斜边处切割分离各该基板51，并移除该透光体55上 的覆盖层54及该覆盖层54上的封装胶体56。
第五实施例
另请参阅图9，为本发明的感测式封装件第五实施例的剖面示意 图。本实施例与前述实施例大致相同，主要差异在于本实施例的基板 51供接置感测式晶片50的另一表面是植设有多焊球57，从而可供感 测式封装件与外界作电性连接。
第六实施例
另请参阅图10A及10B，为本发明的感测式封装件的制法第六实 施例的剖面示意图。本实施例与前述实施例大致相同，主要差异在于 本实施例中为便于自透光体55上移除覆盖层54及位于该覆盖层54上 的封装胶体56部分，是可于形成该封装胶体56时，对应该封装胶体 56的顶面形成凸部560，以便利用夹具58夹持该凸部560而移除该覆 盖层54及位于该覆盖层54上的封装胶体56部分。
第七实施例
另请参阅图11，为本发明的感测式封装件的制法第七实施例的剖 面示意图。本实施例与前述实施例大致相同，主要差异在于本实施例 中为增加透光体55与封装胶体56以及透光体55与粘着层54的接合 性，是可在该透光体55表面上对应设有粘着层54及供接触封装胶体 56部分形成粗糙结构550，同时应注意该透光体上对应于感测式晶片 用以攫取光线的感测区位置是未设有粗糙结构550。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制 本发明，任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下， 对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如 后述的权利要求所列。
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