1.纳米通道递送装置，包括：
入口微通道；
纳米通道；
出口微通道，其中所述入口微通道和所述出口微通道与所述纳米通道直接流体连通；
第一电极；和
第二电极，其中所述第一电极与所述纳米通道递送装置的第一表面直接结合。
2.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道递送装置的第二表面直接结合。
3.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极包括在所述第一表面上沉积的导电材料，所述第二电极包括在所述第二表面上沉积的导电材料。
4.如权利要求2所述的纳米通道递送装置，其中所述第二表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
5.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
6.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中纳米通道递送装置经配置以通过在所述第一和第二电极之间施加电压来控制通过所述纳米通道的分子的扩散速率。
7.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道与所述纳米通道递送装置的主平面平行取向。
8.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中由所述入口微通道经所述纳米通道至所述出口微通道的流动路径需要在方向上有最多两个变化。
9.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中所述入口微通道具有长度、宽度和深度；
其中所述出口微通道具有长度、宽度和深度；
其中所述纳米通道具有长度、宽度和深度；
其中所述纳米通道长度与所述入口微通道长度的比率为0.01-50.0；和其中所述纳米通道长度与所述出口微通道长度的比率为0.01-10.0。
10.如权利要求9所述的纳米通道递送装置，其中所述入口微通道与所述出口微通道经由单一纳米通道直接流体连通。
11.纳米通道递送装置，包括：
入口微通道；
纳米通道；
出口微通道；
第一电极；
第二电极；和
从所述入口微通道到所述出口微通道的流体流动路径，其中：
所述流体流动路径需要在方向上有最多两个变化；和
所述第一电极与所述纳米通道递送装置的第一表面直接结合。
12.如权利要求11所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道递送装置的第二表面直接结合。
13.如权利要求11所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极包括在所述第一表面上沉积的导电材料，所述第二电极包括在所述第二表面上沉积的导电材料。
14.如权利要求12所述的纳米通道递送装置，其中所述第二表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
15.如权利要求11所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
16.如权利要求11所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道递送装置经配置以通过施加电压至所述第一和第二电极来控制通过所述纳米通道的分子的扩散速率。
17.如权利要求11所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道与所述纳米通道递送装置的主平面平行取向。
18.如权利要求11所述的纳米通道递送装置，所述入口微通道和所述出口微通道与所述纳米通道直接流体连通。
19.一种纳米通道递送，包括：
基本平坦的本体，其包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
位于所述基本平坦的本体内的纳米通道；
第一电极；
第二电极；
与所述纳米通道流体连通的入口微通道；
与所述纳米通道流体连通的出口微通道，其中所述入口微通道从所述纳米通道延伸至所述第一表面，和其中所述出口微通道从所述纳米通道延伸至第二表面；和从所述入口微通道到所述出口微通道的流体流动路径，其中：
所述流体流动路径需要在方向上有最多两个变化，和
其中所述第一电极与所述纳米通道递送装置的第一表面直接结合。
20.如权利要求19所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道递送装置的第二表面直接结合。
21.如权利要求19所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极包括在所述第一表面上沉积的导电材料，所述第二电极包括在所述第二表面上沉积的导电材料。
22.如权利要求20所述的纳米通道递送装置，其中所述第二表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
23.如权利要求19所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
24.如权利要求19所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道递送装置经配置以通过施加电压至所述第一和第二电极来控制通过所述纳米通道的分子的扩散速率。
25.如权利要求19所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极与和所述流体流动路径的第一端邻近的第一表面直接结合，和其中所述第二电极与和所述流体流动路径的第二端邻近的第二表面直接结合。
26.一种纳米通道递送装置，包括：
多个入口微通道；
第一电极；
第二电极；
多个纳米通道；和
多个出口微通道，其中：
各入口微通道通过单一纳米通道与出口微通道直接流体连通，和
所述第一电极与所述纳米通道递送装置的第一表面直接结合。
27.如权利要求27所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道递送装置的第二表面直接结合。
28.如权利要求27所述的纳米通道递送装置，其中所述第二表面是所述多个入口微通道的第一入口微通道、所述多个出口微通道的第一出口微通道或所述多个纳米通道的第一纳米通道的表面。
29.如权利要求28所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面是所述第一入口微通道、所述第一出口微通道或所述第一纳米通道的表面。
30.如权利要求28所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道递送装置经配置以通过施加电压至所述第一和第二电极来控制通过所述第一纳米通道的分子的扩散速率。
31.如权利要求30所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道递送装置包括所述多个纳米通道的第二纳米通道，和其中施加至所述第一和第二电极的电压不会控制通过所述第二纳米通道的分子的扩散速率。
32.如权利要求28所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极包括在所述第一表面上沉积的导电材料，所述第二电极包括在所述第二表面上沉积的导电材料。
33.如权利要求26所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道与所述纳米通道递送装置的主平面平行取向。
34.如权利要求26所述的纳米通道递送装置，其中所述多个入口微通道的入口微通道和所述多个出口微通道的出口微通道与所述多个纳米通道的共同纳米通道直接流体连通。
35.如权利要求26所述的纳米通道递送装置，其中：
各个入口和出口微通道被布置为垂直于所述纳米通道递送装置的主平面；
所述多个入口微通道形成第一阵列；
所述多个出口微通道形成第二阵列；和
所述第一阵列和所述第二阵列重叠，使得在沿垂直于所述主平面所取得的截面观察时各个入口微通道分布于各个出口微通道之间。
36.一种纳米通道递送装置，包括：
基本平坦的本体，所述本体包括：
长度、宽度和厚度，其中所述长度和所述宽度都大于所述厚度；
在所述基本平坦的本体的第一侧上的入口表面，其中所述入口表面受到所述基本平坦的本体的长度和宽度的限制；
和在所述基本平坦的本体的第二侧上的出口表面，其中所述出口表面受到所述基本平坦的本体的长度和宽度的限制，并且其中所述入口表面基本上平行于所述出口表面；
第一电极；
第二电极；
置于所述基本平坦的本体中的纳米通道，其中所述纳米通道包括入口端和出口端；
与所述纳米通道流体连通的入口微通道；和
与所述纳米通道流体连通的出口微通道，其中：
所述入口微通道和纳米通道经配置使得第一线性轴能够在所述纳米通道的入口表面和入口端之间延伸，
所述第一电极与所述纳米通道递送装置的第一表面直接结合。
37.如权利要求36所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道递送装置的第二表面直接结合。
38.如权利要求37所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极包括在所述第一表面上沉积的导电材料，所述第二电极包括在所述第二表面上沉积的导电材料。
39.如权利要求37所述的纳米通道递送装置，其中所述第二表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
40.如权利要求37所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
41.如权利要求36所述的纳米通道递送装置，其中纳米通道递送装置经配置以通过施加电压至所述第一电极和第二电极来控制通过所述纳米通道的分子的扩散速率。
42.如权利要求36所述的纳米通道递送装置，其中所述出口微通道和纳米通道经配置使得第二线性轴能够在所述纳米通道的出口表面和出口端之间延伸。
43.如权利要求36所述的纳米通道递送装置，其中所述入口微通道的主轴垂直于与所述基本平坦的本体平行的平面。
44.如权利要求36所述的纳米通道递送装置，还包括所述入口表面和所述入口微通道之间的入口大通道，其中所述入口大通道包括整体上垂直于所述入口表面的边界壁。
45.如权利要求44所述的纳米通道递送装置，其中所述入口大通道是由深度反应性离子蚀刻而形成的。
46.如权利要求36所述的纳米通道递送装置，其中所述出口微通道的主轴垂直于与所述基本平坦的本体平行的平面。
47.一种设备，包括插入到封壳中的前述权利要求任一项所述的第一纳米通道递送装置。
48.如权利要求47所述的设备，其中垂直于所述封壳的主轴安装所述第一纳米通道递送装置。
49.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳形状是盘形或卵形，具有小于所述封壳的任何直径测量的厚度。
50.如权利要求49所述的设备，其中在所述封壳的主平面中安装所述第一纳米通道递送装置。
51.如权利要求48所述的设备，其中所述封壳包含隔件。
52.如权利要求51所述的设备，其中所述隔件包含自密封物质。
53.如权利要求51所述的设备，其中所述隔件包含硅橡胶。
54.如权利要求51所述的设备，其中所述隔件经配置以接收治疗剂的注射。
55.如权利要求51所述的设备，还包括覆盖所述隔件的盖体。
56.如权利要求55所述的设备，其中所述盖体包括经配置以引导针朝向所述隔件的孔口。
57.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包括在所述第一纳米通道装置上方延伸的覆盖物。
58.如权利要求57所述的设备，其中所述覆盖物包括一个或多个孔口。
59.如权利要求58所述的设备，其中所述一个或多个孔口的尺寸使得在使用期间它们不限制治疗剂从所述封壳中扩散。
60.如权利要求57所述的设备，其中所述覆盖物经配置以保护所述第一纳米通道递送装置免受机械损害。
61.如权利要求57所述的设备，其中所述覆盖物经配置以保护所述第一纳米通道递送装置免于在将所述封壳植入活体内后生物组织结构的侵入。
62.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含第一内贮器。
63.如权利要求62所述的设备，其中所述第一纳米通道递送装置与所述第一内贮器流体连通。
64.如权利要求63所述的设备，其中所述封壳包含与第二纳米通道递送装置流体连通的第二内贮器。
65.如权利要求64所述的设备，其中所述第一和第二内贮器互相不流体连通。
66.如权利要求64所述的设备，所述第一和第二内贮器通过壁隔离。
67.如权利要求64所述的设备，所述第一内贮器包含第一治疗剂，所述第二内贮器包含第二治疗剂。
68.如权利要求64所述的设备，其中所述第一纳米通道递送经配置以使第一治疗剂以第一扩散速率扩散，并且其中所述第二纳米通道递送装置经配置以使第二治疗剂以第二扩散速率扩散。
69.如权利要求62所述的设备，其中可以通过将所述封壳的第一可移去组件替换为更大的可移去组件来改变所述第一内贮器的容积。
70.如权利要求62所述的设备，其中所述第一内贮器包括与治疗物质相容的涂层。
71.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含外涂层，其经配置以预防有害的组织包裹。
72.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含柱形形状。
73.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含盘形形状。
74.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含矩形表面和弓形表面。
75.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含均匀的横截面。
76.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含一种或多种下列材料：不锈钢、钛、聚醚醚酮、聚砜、环氧树脂、硅橡胶、聚醚酮酮和热塑性聚氨酯。
77.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含锚定零件。
78.如权利要求77所述的设备，其中所述锚定零件经配置以接收缝合。
79.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含色码，以指示所述封壳或纳米通道递送装置的特性。
80.如权利要求79所述的设备，其中所述色码指示包含在所述封壳内的治疗剂的特性。
81.如权利要求47所述的设备，其中所述封壳包含在所述第一纳米通道递送装置上方延伸的半透明或透明的覆盖物。
82.一种制造纳米通道递送装置的方法，所述方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底中形成多个纳米通道；
在所述第一衬底的纳米通道中形成多个入口微通道；
提供与入口微通道直接结合的第一电极；
提供第二衬底；
在所述第二衬底中形成多个出口微通道；
提供与出口微通道直接结合的第二电极；和
将所述第二衬底结合至所述第一衬底，其中各入口微通道与纳米通道直接流体连通。
83.如权利要求82所述的方法，其中所述第一衬底包含绝缘体上硅晶片。
84.如权利要求82所述的方法，其中各纳米通道的高度在约2纳米和100纳米之间。
85.如权利要求82所述的方法，其中各纳米通道的高度在约100纳米和500纳米之间。
86.如权利要求82所述的方法，其中所述第二衬底包含在硅上的氧化铟锡膜的牺牲释放层。
87.如权利要求86所述的方法，还包括在所述第二衬底中形成所述多个入口微通道之前，在所述第二衬底上沉积玻璃膜。
88.如权利要求82所述的方法，其中：
所述第二衬底包含玻璃晶片；和
将所述玻璃晶片与第一衬底接合，且在形成多个出口微通道之前将所述玻璃晶片研磨以减小厚度。
89.一种制造纳米通道递送装置的方法，所述方法包括：
提供第一衬底；
将第一电极与所述第一衬底直接结合；
在所述第一衬底上形成多个纳米通道；
将第一牺牲材料填充到所述多个纳米通道中；
在所述第一衬底中形成多个入口微通道；
将第二牺牲材料填充到所述多个入口微通道中；
形成覆盖所述多个纳米通道的盖层；
在所述盖层中形成多个出口微通道；
将第二电极与所述盖层直接结合；
从所述多个纳米通道中去除第一牺牲材料；和
从所述多个入口微通道中去除第二牺牲材料。
90.如权利要求89所述的方法，其中将入口微通道布置成垂直于所述第一衬底的主平面。
91.如权利要求89所述的方法，其中将出口微通道布置成垂直于所述第一衬底的主平面。
92.如权利要求89所述的方法，其中入口微通道与纳米通道直接流体连通。
93.如权利要求89所述的方法，其中出口微通道与纳米通道直接流体连通。
94.如权利要求89所述的方法，其中所述第一衬底包含绝缘体上硅晶片，所述晶片包含内氧化物层。
95.如权利要求89所述的方法，其中用光刻工艺来将入口和出口微通道图案化。
96.如权利要求94所述的方法，其中形成所述多个入口微通道包括从所述第一衬底蚀刻材料，其中所述蚀刻结束于所述内氧化物层处。
97.如权利要求96所述的方法，其中形成多个入口大通道包括从所述第一衬底的背侧蚀刻材料，其中所述蚀刻结束于所述内氧化物层处。
98.如权利要求97所述的方法，其中在蚀刻材料以形成入口微通道和入口大通道之后去除所述内氧化物层打开了入口微通道和入口大通道之间的路径。
99.如权利要求89所述的方法，其中每个纳米通道为约1-10纳米深。
100.如权利要求89所述的方法，其中每个纳米通道为约10-20纳米深。
101.如权利要求89所述的方法，其中每个纳米通道为约20-30纳米深。
102.如权利要求89所述的方法，其中每个纳米通道为约30-40纳米深。
103.如权利要求89所述的方法，其中每个纳米通道为约40-250纳米深。
104.如权利要求89所述的方法，其中可以随后通过选择性蚀刻来去除所述第一牺牲材料。
105.如权利要求89所述的方法，其中所述第一牺牲材料是钨。
106.如权利要求89所述的方法，其中可以随后通过选择性蚀刻来去除所述第二牺牲材料。
107.如权利要求106所述的方法，所述第二牺牲材料选自钨、铜、掺杂的玻璃和未掺杂的玻璃。
108.如权利要求89所述的方法，其中将所述第二牺牲材料填充到所述多个入口微通道中，使得所述第二牺牲材料延伸高于入口微通道的顶部，并通过化学-机械平面化(CMP)得到平面化。
109.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层选自氮化硅、氧化硅、碳氮化硅、碳化硅和硅。
110.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层包含含有拉伸应力和压缩应力的材料的多重沉积物，使得盖层净应力为拉伸性的。
111.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层为约0.5-1.0微米厚。
112.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层为约1.0-2.0微米厚。
113.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层为约2.0-4.0微米厚。
114.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层为约4.0-10.0微米厚。
115.如权利要求89所述的方法，其中所述盖层大于10.0微米厚。
116.一种制作纳米通道递送装置的方法，所述方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底的第一侧上形成多个纳米通道；
将牺牲材料填充到所述多个纳米通道中；
将初始盖层与所述第一衬底的第一侧结合；
在所述盖层中形成多个入口微通道；
制备具有接合层的第二衬底；
将第一电极与所述第一衬底直接结合；
将第二电极与所述第二衬底直接结合；
将所述第二衬底与所述第一衬底的第二侧结合；
去除所述第二衬底的第一部分；
给所述第二衬底提供附加的盖层；
在所述第二衬底中形成多个出口微通道；和
去除所述牺牲材料以打开所述多个纳米通道。
117.如权利要求116所述的方法，其中所述第二衬底包含释放层，其中可以选择性地去除所述释放层以使第二衬底从第一衬底分离。
118.如权利要求116所述的方法，其中出口微通道与纳米通道直接流体连通。
119.如权利要求116所述的方法，其中所述第一衬底包括绝缘体上硅晶片，该晶片包括内层。
120.如权利要求119所述的方法，其中形成所述多个入口微通道包括从所述盖层蚀刻材料，其中所述蚀刻结束于所述内层处。
121.如权利要求120所述的方法，其中形成多个入口大通道包括从所述第一衬底的背侧蚀刻材料，其中所述蚀刻结束于所述内层处。
122.如权利要求121所述的方法，其中在蚀刻材料以形成入口微通道和入口大通道后去除所述内层打开了入口微通道和入口大通道之间的路径。
123.如权利要求116所述的方法，其中各纳米通道为约1-10纳米深。
124.如权利要求116所述的方法，其中各纳米通道为约10-20纳米深。
125.如权利要求116所述的方法，其中各纳米通道为约20-30纳米深。
126.如权利要求116所述的方法，其中各纳米通道为约30-40纳米深。
127.如权利要求116所述的方法，其中各纳米通道为约40-200纳米深。
128.如权利要求116所述的方法，其中可以随后通过选择性蚀刻来去除所述牺牲材料。
129.如权利要求116所述的方法，其中所述牺牲材料是钨。
130.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层是通过等离子体增强的化学气相沉积法沉积的氮化硅。
131.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层为约0.01-0.5微米厚。
132.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层为约0.5-1.0微米厚。
133.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层为约1.0-2.0微米厚。
134.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层为约2.0-4.0微米厚。
135.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层为约4.0-10.0微米厚。
136.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层大于10.0微米厚。
137.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层选自氮化硅、氧化硅、碳氮化硅、碳化硅和硅。
138.如权利要求116所述的方法，其中所述初始盖层包含含有拉伸应力和压缩应力的材料的多重沉积物，使得盖层净应力为拉伸性的。
139.如权利要求137所述的方法，其中所述接合层选自：苯并环丁烯、氧化硅、铜、掺杂的玻璃、金和金合金。
140.如权利要求116所述的方法，其中将所述第二衬底与所述第一衬底结合的方法选自：阳极接合、融合接合和热压接合。
141.一种纳米通道递送装置，包括：
多个入口微通道，其中各入口微通道具有长度、宽度和深度，且其中入口微通道的长度大于入口微通道的宽度和深度；
第一电极；
第二电极；
多个出口微通道，其中各出口微通道具有长度、宽度和深度；
与所述多个入口微通道和出口微通道流体连通的多个纳米通道，其中：
所述多个入口微通道布置成使得入口微通道的宽度和深度限定出平行于所述纳米通道递送装置的主平面的第一表面；和
所述多个出口微通道布置成使得所述出口微通道的宽度和深度限定出平行于所述纳米通道递送装置的主平面的第二表面，其中所述第一电极与所述纳米通道递送装置的第一表面直接结合。
142.如权利要求141所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道递送装置的第二表面直接结合。
143.如权利要求141所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极包括在所述第一表面上沉积的导电材料，所述第二电极包括在所述第二表面上沉积的导电材料。
144.如权利要求142所述的纳米通道递送装置，其中所述第二表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
145.如权利要求141所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面是所述入口微通道、所述出口微通道或所述纳米通道的表面。
146.如权利要求141所述的纳米通道递送装置，其中纳米通道递送装置经配置以通过施加电压至所述第一电极和第二电极来控制通过纳米通道的分子的扩散速率。
147.一种纳米通道递送装置，包括：
入口通道；
出口通道；和
纳米通道，其与所述入口通道和所述出口通道流体连通，其中：
所述纳米通道包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面与所述第二表面基本上平行；和
所述第一表面和所述第二表面是导电的。
148.如权利要求1所述的纳米通道递送装置，其中纳米通道递送装置经配置以通过施加电压至所述第一电极和第二电极来控制通过所述纳米通道的分子的扩散速率。
149.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中所述第一表面与所述第二表面电结合。
150.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道的所述第一表面和第二表面由小于500nm的距离分隔。
151.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道的所述第一表面和第二表面由小于100nm的距离分隔。
152.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道的所述第一表面和第二表面由小于50nm的距离分隔。
153.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中：
所述纳米通道的所述第一表面和第二表面形成第一电极；
所述纳米通道递送装置包括第二电极；和
所述入口通道和所述出口通道中的至少一个在所述纳米通道和所述第二电极之间。
154.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道的第一表面和第二表面经由第三表面电结合，所述第三表面基本上垂直于所述纳米通道的所述第一和第二表面而延伸。
155.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中在操作过程中，可以将电压施加于所述第一和第二表面，且可以通过改变电压来控制流体经过所述纳米通道的运动。
156.如权利要求147所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道与第一微通道和第二微通道直接流体连通。
157.一种纳米通道递送，包括：
第一外表面和第二外表面；
第一电极和第二电极；
纳米通道；
与所述纳米通道流体连通的第一微通道；和
与所述纳米通道流体连通的第二微通道，其中：
所述第一微通道从所述纳米通道延伸至所述第一外表面；所述第二微通道从所述纳米通道延伸至所述第二外表面；和
所述第一和第二电极从所述纳米通道延伸至所述第一外表面。
158.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极与所述纳米通道的第一表面直接结合。
159.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与所述纳米通道的第二表面直接结合。
160.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中所述第一电极与和所述第一微通道邻近的所述纳米通道的第一端直接结合。
161.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中所述第二电极与和所述第二微通道邻近的所述纳米通道的第二端直接结合。
162.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中纳米通道递送装置经设置以通过施加电压至所述第一电极和第二电极来控制通过所述纳米通道的分子的扩散速率。
163.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道递送装置包括基本平坦的本体，其中所述第一外表面和所述第二外表面是基本上平行的。
164.如权利要求157所述的纳米通道递送装置，其中所述纳米通道与所述第一和第二微通道直接流体连通。