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加热腔室及 等离子体增强 化学气相沉积装置

阅读：698发布：2020-05-13

专利汇可以提供加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置，包括装载基片的载板，载板的下部固定有温度变形器件，载板的下方侧面对应于温度变形器件的位置设有测量光栅。温度变形器件能随载板的温度变化产生不同的变形，温度变形器件形变通过光栅的光量改变而捕捉，进而测量载板的温度。可以提高测温精度；对于温度过高的情况，可以测热电偶无法承受的区域温度。可以用于PECVD系统或其它需要在腔室内采用上下两层红外加热的系统，测量误差较小。，下面是加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种加热腔室，包括装载基片的载板，其特征在于，所述载板的下部固定有温度变形器件，所述载板的下方侧面对应于所述温度变形器件的位置设有测量光栅。
2.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述的测量光栅包括光栅发射极和光栅接收极，分别设于所述载板的两侧。
3.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述的测量光栅为收发光栅，设于所述载板的一侧。
4.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述的温度变形器件为两层不同材料的平板叠合在一起的板状或长条状器件。
5.根据权利要求1所述的加热腔室，其特征在于，所述的温度变形器件为单层板状或长条状温度敏感器件。
6.一种等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，该装置包括权利要求1至5任一项所述的加热腔室。

说明书全文

加热腔室及等离子体增强 化学气相沉积装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种等离子体增强化学气相沉积系统，尤其涉及一种加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置。

背景技术

[0002] 如图1所示，现有技术中，PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统包括：装载平台、装载腔室和预热模块、工艺腔室、卸载腔室和冷却模块、卸载平台。在PECVD系统中，基片在装载平台区域被装载到载板上，经由装载腔室进入预热模块进行预热处理，当基片达到工艺温度要求后被传送至工艺模块进行PECVD工艺，最后由卸载腔室传出整个系统。

[0003] 装载腔的功能主要是预真空和加热作用，内部有加热模块，对基片进行加热，使基片的温度在较短的时间内达到工艺所需的温度。为使基片的温度得到保持，需要对承载基片的载板一并加热并达到相同的温度。

[0004] 如图2所示，现有技术中，对承载基片的载板1采用红外灯管2加热的方式，因为红外加热的速度较快。为了提高加热的速度和载板上下温度的均匀性，通常采用上下双层红外加热的方式。

[0005] 由于载板1是从装载台运动进入的装载腔，加热完毕后再运动到工艺腔，即载板1不是固定在装载腔的，支撑载板1的装置就是传输用的滚轮，并没有一个平台装置。这就给测温的工作带来了难题，普通的埋入热电偶的方式就不可行了。

[0006] 如图3所示，现有技术中的一种测温方法，是将热电偶3探入到载板1附近，测量载板1周围的温度。

[0007] 上述现有技术至少存在以下缺点：

[0008] 由于测量的不是载板1本身的温度，周围的温度与载板1会有误差；另外热电偶3被红外灯管2直接照射到，也会对测量产生干扰，影响测量结果。

发明内容

[0009] 本发明的目的是提供一种误差较小的加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置。

[0010] 本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

[0011] 本发明的加热腔室，包括装载基片的载板，所述载板的下部固定有温度变形器件，所述载板的下方侧面对应于所述温度变形器件的位置设有测量光栅。

[0012] 本发明的等离子体增强化学气相沉积装置，该装置包括上述的加热腔室。

[0013] 由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的加热腔室及等离子体增强化学气相沉积装置，由于载板的下部固定有温度变形器件，载板的下方侧面对应于温度变形器件的位置设有测量光栅。温度变形器件能随载板的温度变化产生不同的变形，测量光栅通过测量温度变形器件的变形测量载板的温度；由于温度变形器件固定在载板上，可以直接测量载板自身的温度，误差较小。附图说明

[0014] 图1为现有技术中PECVD系统的侧面结构示意图；

[0015] 图2为现有技术中上、下双层红外加热的方式的结构示意图；

[0016] 图3为现有技术中将热电偶探入到载板附近测量载板周围温度的示意图；

[0017] 图4为本发明中装载腔室垂直于载板传输方向的横截面的结构示意图；

[0018] 图5为本发明中装载腔室的俯视结构示意图。

具体实施方式

[0019] 本发明的加热腔室，其较佳的具体实施方式如图4、图5所示，包括装载基片的载板1，载板1的下部固定有温度变形器件4，载板1的下方侧面对应于温度变形器件4的位置设有测量光栅。

[0020] 温度变形器件4可以为两层不同材料的平板叠合在一起的板状器件；也可以为单层板状温度敏感器件。可以选用现有技术中的各种对温度较敏感的材料制成温度敏感器件，如铜铝等。可以制成板状、长条状等。

[0021] 测量光栅可以包括光栅发射极5和光栅接收极6，分别设于载板1的两侧。在加热时，随着温度的上升和下降，温度变形器件4的长度会随着增加或减小。

[0022] 温度变形器件4安装在光栅的通路上，遮挡住部分光线。根据光栅接收极6接收到的光强，就可以计算温度变形器件4的长度变化。通过实验，可以得到温度变形器件4随温度变化的长度变化，从而可以得到温度变形器件4的温度。而温度变形器件4是紧贴载板1的，则此温度即载板的温度。

[0023] 测量光栅也可以为收发光栅，集光栅发射极5和光栅接收极6于一体，设于载板1的一侧。此时，温度变形器件4反射回的光线被光栅接收极接收，可以根据反射回的光强计算温度变形器件4的温度。

[0024] 本发明的等离子体增强化学气相沉积装置，其较佳的具体实施方式是，该装置包括上述的加热腔室。

[0025] 本发明中，在载板上安装温度敏感器件，器件会随着温度的改变而产生形变，器件形变通过光栅的光量改变而捕捉。

[0026] 可以提高测温精度；对于温度过高的情况，可以测热电偶无法承受的区域温度。可以用于PECVD或其它需要在腔室内采用上下两层红外加热的系统，这些系统可应用于太阳能电池生产领域，同时也可用于半导体芯片制造、TFT面板制造等领域。

[0027] 以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

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