专利汇可以提供一种气敏传感器及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种气敏 传感器 及其结构,包括 基板 、第一 电极 、介质层、敏感 薄膜 层、第二电极和第三电极,根据器件结构中各薄膜层和电极 位置 的不同,器件可以分为顶部 接触 式和底部接触式两种。本发明采用的新型结构提高了气敏传感器的集成度,机构简单、操作方便、造价低、检测迅速、灵敏度高,在临床医学、 发酵 、食品、化工、装备和环保等方面显示了广泛的应用前景。,下面是一种气敏传感器及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种气敏传感器,包括基板、第一电极、介质层、敏感材料层、第二电 极和第三电极,其特征在于,所述敏感材料层材料是以下材料中的一种或者几 种:聚硅氧烷类敏感材料、聚硅碳烷类敏感材料、有机膦毒剂敏感材料、半导 体陶瓷材料、聚(氧{甲基(4-羟基-4,4-双(三氟代甲基)丁-1-烯-1-醇)亚甲基硅氧 烷})、以六氟异丙醇为敏感基团和聚硅氧烷为骨架的材料、共聚碳硅氧烷、在寡 聚二甲基硅氧烷链中引入氟代双酚基团形成的有机/无机混合型共聚物、聚吡咯、 聚噻吩、聚苯胺和聚苯胺/纳米氧化物复合材料。
2.根据权利要求1所述的气敏传感器,其特征在于,根据器件结构分为顶 部接触式和底部接触式两种,其中顶部接触式结构为从下至上顺次是基板、第 一电极、介质层和敏感材料层,第二电极和第三电极并行设置在敏感材料层上; 底部接触式结构从下至上是基板、第一电极、介质层、第二电极、第三电极和 敏感材料层,第二电极和第三电极并行设置在介质层上。
3.根据权利要求1或2所述的气敏传感器,其特征在于,所述基板是硅基 板、玻璃或者柔性基片。
4.根据权利要求1或2所述的气敏传感器,其特征在于,所述柔性基片是 聚酯类和聚酰亚胺化合物中的一种材料或者较薄的金属或者玻璃。
5.根据权利要求1或2所述的气敏传感器,其特征在于,第一电极、第二 电极和第三电极是金属或者导电薄膜。
6.根据权利要求1或2所述的气敏传感器,其特征在于,所述介质层材料 为氮化硅、氮化铝、氮化钛、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮氧化硅、氮氧化铝 和氮氧化钛的一种或者几种,膜厚度在1nm~500nm。
7.一种气敏传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
①先对基板进行彻底的清洗,清洗后干燥;
②在基板的表面制备第一电极;
③形成第一电极的图形;
④在第一电极的基板上制备介质层膜;
⑤对形成的介质层膜进行后期处理加工;
⑥然后在介质层膜上制备第二电极和第三电极;
⑦形成第二电极,第三电极图案;
⑧在第二电极,第三电极上继续制备敏感薄膜层。
8.根据权利要求7所述的气敏传感器的制备方法,其特征在于,敏感薄膜 层以及介质层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅 射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密 度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电 镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂和LB膜中的一种或者几种方式而形成。
9.一种气敏传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
①先对基板进行彻底的清洗,清洗后干燥;
②在基板的表面制备第一电极;
③形成第一电极的图形;
④在镀有第一电极的基板的上制备介质层膜;
⑤对形成的介质层膜进行后期处理加工;
⑥在介质层膜上继续制备敏感薄膜层;
⑦然后在敏感薄膜层上制备第二电极和第三电极;
⑧形成第二电极,第三电极图案。
10.根据权利要求9所述的气敏传感器的制备方法,其特征在于,敏感薄膜 层以及介质层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅 射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密 度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、电 镀、旋涂、浸涂、喷墨打印、辊涂和LB膜中的一种或者几种方式而形成。
本发明涉及传感器技术领域,具体涉及一种气敏传感器及其制备方法。
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