专利汇可以提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且众多的 实施例 提供了一种 薄膜 晶体管、其制备方法、和包括TFT的显示装置。在衬底上形成 碳 纳米管 层,所述 碳纳米管 层包括复数个碳纳米管。在所述碳纳米管层里形成多个过孔得到第一 图案化 碳纳米管层。每个碳纳米管结构包括在过孔中形成的多个第二碳纳米管。所述碳纳米管结构和所述第一图案化碳纳米管层具有不同的载流子迁移率,由此形成有源层用作 薄膜晶体管 的有源结构。,下面是一种薄膜晶体管及其制备方法、显示装置专利的具体信息内容。
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底上形成具有多个碳纳米管的碳纳米管层;
在所述碳纳米管层里形成多个过孔得到第一图案化碳纳米管层;以及
在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构,所述碳纳米管结构和所述第一图案化碳纳米管层具有不同的载流子迁移率由此形成有源层用作薄膜晶体管的有源结构。
2.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管有序排列,以及
所述碳纳米管结构中的所述多个碳纳米管无序排列。
3.如权利要求2所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管均匀地沿基板的表面方向上平行排列。
4.如权利要求2所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管均匀地沿所述有源层的长度方向平行排列。
5.如权利要求2所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述第一图案化碳纳米管层中的所述多个碳纳米管均匀地沿垂直于基板表面方向平行排列。
6.如权利要求1-4任一项所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述在衬底上形成具有多个碳纳米管的碳纳米管层包括以下步骤:
在基板上涂覆含催化剂的溶液,
干燥所述含催化剂的溶液,以及
通过引入碳源气体到所述含催化剂的溶液中进行等离子体增强化学气相沉积(PECVD),以形成所述多个碳纳米管。
7.如权利要求6所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述含催化剂的溶液包括催化剂Ni(NO3)2,
500℃干燥所述含催化剂的溶液,以及
碳源气体包括甲烷。
8.如权利要求1-2任一项所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构包括:蒸发自组装工艺。
9.如权利要求8所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述在每个过孔中形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构包括以下步骤:
在溶液中分散碳纳米管然后离心所述溶液,
收集离心后溶液的上清液作为碳纳米管涂层液,
在所述每个过孔中涂覆所述碳纳米管涂层液,以及
干燥所述碳纳米管涂层液从而在所述每个过孔中形成碳纳米管结构。
10.如权利要求9所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述收集离心后溶液的上清液后还包括:
稀释收集的上清液,以形成所述碳纳米管涂层溶液。
11.如权利要求9所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述干燥所述碳纳米管涂层液还包括:
在常压下干燥所述碳纳米管涂层液。
12.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述在衬底上形成具有多个碳纳米管的碳纳米管层之后还包括以下步骤:
在所述碳纳米管层上形成光刻胶掩膜,其中:
将所述光刻胶掩膜用作蚀刻掩膜蚀刻所述碳纳米管层以形成所述多个过孔得到所述第一图案化碳纳米管层,以及
当在所述每个过孔中形成所述碳纳米管结构时,保留所述光刻胶掩膜。
13.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构步骤之后还包括:
对所述第一图案化碳纳米管层和所述碳纳米管结构上执行化学机械研磨(CMP)工艺,以齐平所述第一图案化碳纳米管层和碳纳米管结构表面。
14.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述形成具有多个碳纳米管的碳纳米管结构步骤之后还包括:
蚀刻所述第一图案化碳纳米管层,以形成第二图案化碳纳米管层,而所述碳纳米管结构保持不变保留在第二图案化碳纳米管层中,从而形成所述薄膜晶体管的所述有源结构,其中每个有源结构包括两个所述碳纳米管结构。
15.如权利要求14所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述第二图案化碳纳米管层上形成栅绝缘层,以及
在所述栅绝缘层上图案化导电层以形成栅电极。
16.如权利要求15所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述栅电极覆盖相邻的碳纳米管结构之间的所述第二图案化碳纳米管层表面。
17.如权利要求15所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,
所述栅电极的至少一端与相邻的所述碳纳米管结构重叠。
18.如权利要求15所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述栅电极和所述栅绝缘层上形成层间介质层,
形成通孔穿过所述层间介质层,其中,相邻的两个碳纳米管结构位于相邻的两个通孔之间,
同时在所述通孔和所述层间介质层表面形成导电材料,以及
图案化所述导电材料形成源电极和漏电极。
19.如权利要求1-5、7、9-18任一项所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构用于所述薄膜晶体管的漏源极区。
20.如权利要求1-5、7、9-18任一项所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述在衬底上形成所述纳米管结构体层之前还包括:
在衬底上形成缓冲层。
21.如权利要求6所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构用于所述薄膜晶体管的漏源极区。
22.如权利要求8所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管结构用于所述薄膜晶体管的漏源极区。
23.如权利要求6所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述在衬底上形成所述纳米管结构体层之前还包括:
在衬底上形成缓冲层。
24.如权利要求8所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述在衬底上形成所述纳米管结构体层之前还包括:
在衬底上形成缓冲层。
25.如权利要求19所述薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,完成所述在衬底上形成所述纳米管结构体层之前还包括:
在衬底上形成缓冲层。
26.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括有源层在衬底上,
所述有源层包括碳纳米管结构分散穿插于碳纳米管层;
所述碳纳米管层包括第一多个碳纳米管,以及
所述碳纳米管结构包括第二多个碳纳米管,所述碳纳米管结构和所述碳纳米管层中载流子迁移率不同;所述碳纳米管层中的碳纳米管和碳纳米管结构中的碳纳米管有不同的排序。
27.如权利要求26所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述碳纳米管层的所述第一多个碳纳米管有序排列,以及
所述碳纳米管结构的所述第二多个碳纳米管无序排列。
28.如权利要求27所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述碳纳米管层的所述第一多个碳纳米管均匀地沿基板的表面方向上平行排列。
29.如权利要求28所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述碳纳米管层的所述第一多个碳纳米管均匀地沿所述有源层的长度方向平行排列。
30.如权利要求27所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述碳纳米管层的所述第一多个碳纳米管均匀地沿垂直基板表面方向平行排列。
31.如权利要求26所述薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
位于所述有源层上的栅绝缘层,以及
位于所述栅绝缘层上的栅电极。
32.如权利要求27所述薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
位于所述有源层上的栅绝缘层,以及
位于所述栅绝缘层上的栅电极。
33.如权利要求31所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述栅电极覆盖相邻的碳纳米管结构之间的碳纳米管层表面。
34.如权利要求31所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述栅电极的至少一端与相邻的碳纳米管结构重叠。
35.如权利要求31所述薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
位于所述栅电极和所述栅绝缘层上的层间介质层,所述层间介质层中有通孔穿过,相邻的两个碳纳米管结构位于相邻的两个通孔之间,
位于所述通孔里的导电材料,以及
位于所述层间介质层上的源电极和漏电极。
36.如权利要求26-35任一项所述薄膜晶体管,其特征在于,
所述碳纳米管结构用于所述薄膜晶体管的漏源极区。
37.如权利要求26-35任一项所述薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
位于衬底上的缓冲层。
38.如权利要求36所述薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
位于衬底上的缓冲层。
39.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求26-38任一项所述薄膜晶体管。
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