太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺
阅读：533发布：2020-05-14
专利汇可以提供太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种太阳 电池 的增强 等离子体 化学气相沉积 工艺，是将 硅 片 载于反应舟中置于平板式 微波 增强等离子体化学气相沉积设备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和 氨 气，通过微波激发等离子体在 硅片 表面反应生成氮化硅减反射膜；其特点是，在硅烷和氨气通入30min～45min后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟化氮气体。本发明的太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺由于NF3气体在等离子体环境下生成的F-离子会和氮化硅反应生产粉末状SiF4，通过 泵 抽走，从而达到了清 洗出 气口的效果。同时，残余的F-离子对硅片表面有 钝化 效果。，下面是太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺专利的具体信息内容。
太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺
技术领域
[0001] 本发明涉及太阳电池，尤其涉及一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺。
背景技术
[0003] 在太阳电池的制造过程中，一般利用PECVD(增强等离子体化学气相沉积)设备在硅片表面制备氮化硅(Si3N4)减反射膜。平板式微波PECVD采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气体，微波激发等离子体反应生成氮化硅减反射膜。
[0004] 在硅烷和氨气反应过程中，除了在硅片表面生成氮化硅外，还会在反应腔室的其他部位包括出气口生成氮化硅，在长时间生产后，这些氮化硅会呈块状沉淀在腔室和出气口的内壁，堵塞硅烷和氨气的出气口，从而影响工艺效果。
[0005] 这了解决这一问题，通常采取物理的手段，使用工具敲击去除该部分氮化硅。但是，由于出气口较小，清除并不彻底。
发明内容
[0006] 本发明的目的，就是为了解决上述问题，提供一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺。
[0007] 为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案：一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和氨气，通过微波激发等离子体在硅片表面反应生成氮化硅减反射膜；其特点是，在硅烷和氨气通入30min～45min后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟化氮气体。
[0008] 本发明的太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺由于在硅烷和氨气通入30min～45min后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟-
化氮气体。NF3气体在等离子体环境下生成的F 离子会和沉积在出气口的氮化硅反应生产-
粉末状SiF4，通过泵抽走。从而达到清洗出气口的效果。同时，残余的F 离子对硅片表面有钝化效果。
化氮气体。NF3气体在等离子体环境下生成的F 离子会和沉积在出气口的氮化硅反应生产-
粉末状SiF4，通过泵抽走。从而达到清洗出气口的效果。同时，残余的F 离子对硅片表面有钝化效果。
[0010] 采用本发明的工艺，可延长PECVD设备5％的维护时间，并且保持了工艺的稳定性。
具体实施方式
[0011] 本发明太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于
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