基板件的表面处理装置
阅读：1033发布：2020-07-23
专利汇可以提供基板件的表面处理装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 基板 件的 表面处理 装置，第一，提高一致性等，提高处理 精度 ，并防止 电路 宽度的不均产生，并且第二，还能够在成本方面优秀地实现这些提高。该表面处理装置(1)对喷雾嘴(5)的配设 位置 设定等进行各种组合而成。喷雾嘴(5)基于以位于前后的相互间不前后成列而是以左右偏离间隔(K)依次向左右偏离的位置关系的设定、喷雾嘴(5)与基板件(A)间的上下间隔的设定、喷雾嘴(5)间的左右距离间隔(N)的设定的组合，由从喷雾嘴(5)喷射的处理液对基板件(A)进行均匀处理。而且喷雾嘴(5)的左右偏离间隔(K)设定为5～25mm，上下间隔设定为30～150mm，左右距离间隔(N)设定为30～120mm。，下面是基板件的表面处理装置专利的具体信息内容。
1.一种基板件的表面处理装置，其在电子电路基板的制造工序中使用，对由传送带搬运的基板件，从喷雾嘴喷射处理液而进行表面处理，上述基板件的表面处理装置的特征在于，
该喷雾嘴在前后、左右配置多个，以此与被搬运的该基板对置，并且，该喷雾嘴基于下述设定的组合由从该喷雾嘴喷射的该处理液对该基板件进行均匀处理，该设定为：使位于前后的该喷雾嘴相互间由不在前后成列而是依次向左右偏离的位置关系形成的设定；该喷雾嘴与该基板件之间的上下间隔的设定；以及以该上下间隔的设定为基础的、该喷雾嘴间的左右距离间隔的设定。
2.根据权利要求1所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
该表面处理装置在电子电路基板的制造工序中的显像工序、蚀刻工序、半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序或剥离工序中使用，
以此，该表面处理装置用作显像装置、蚀刻装置或剥离装置，该喷雾嘴喷射显像液、蚀刻液或剥离液作为该处理液。
3.根据权利要求2所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
对于该喷雾嘴而言，上述的位于前后的该喷雾嘴相互间的左右偏离间隔设定为5mm以上～25mm以下。
4.根据权利要求3所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
该喷雾嘴与该基板件之间的上述上下间隔设定为30mm以上～150mm以下。
5.根据权利要求4所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
该喷雾嘴间的上述左右距离间隔设定为30mm以上～120mm以下。
6.根据权利要求5所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
该喷雾嘴由扁形喷嘴形成，并且在上述显像工序或蚀刻工序中，在水平面中朝向左右的宽度方向而设置。
7.根据权利要求5所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
该喷雾嘴由扁形喷嘴形成，并且在上述半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序或剥离工序中，以在水平面上相对于左右的宽度方向朝向前后的搬运方向倾斜4°以上～10°以下的喷嘴角度而设置。
8.根据权利要求6或7所述的基板件的表面处理装置，其特征在于，
供给该处理液的喷淋管沿前后的搬运方向以规定的左右距离间隔成列设置有多根，或是沿左右的宽度方向以规定的前后距离间隔成列设置有多根，
该喷雾嘴在每根该喷淋管上以规定距离间隔设置多个。
基板件的表面处理装置
技术领域
背景技术
[0002] (技术背景)
[0004] 而且，在这样的电子电路基板的制造工序中，使用表面处理装置。而且在表面处理装置中，电子电路基板用的基板件通过处理液的喷射而进行表面处理，以此来制造形成有电子电路的电路基板。
[0005] (现有技术)
[0006] 这种印刷配线基板的其他的电子电路基板的代表的制造工序如下所述。
[0007] 首先，在由覆铜层叠板形成的基板件的外表面涂敷或粘贴液状、干膜状的感光性抗蚀剂。
[0008] 然后，将电路的底片充分曝光后，将电路形成部分以外的抗蚀剂通过显像而溶解除去，以此将露出的电路形状部分以外的铜箔通过蚀刻而溶解除去，之后再将电路形成部分的抗蚀剂通过剥离而溶解除去。
[0009] 通过按照这种顺序，由基板件的外表面上剩余的铜箔形成电子电路，并以此制造电子电路基板。
[0010] 而且，在上述的显像工序、蚀刻工序(电路形成工序)、剥离工序以及准备工序的半蚀刻工序(铜箔表面形状加工工序)、准备工序的软蚀刻(表面粗化工序)中，如下所述地实施表面处理。
[0011] 即、在显像装置、蚀刻装置、剥离装置等表面处理装置中，分别对由传送带水平搬运的基板件从喷雾嘴喷射显像液、蚀刻液、剥离液等处理液。以此依次对基板件实施显像、蚀刻、剥离等表面处理。
[0012] 喷射处理液的喷雾嘴相对于水平搬运的基板件正上或正下地对置，并且前后左右以规定距离间隔而设置有多个。
[0013] 现有技术文献
[0015] 专利文献1：日本特开2002-68435号公报(日本国专利公开公报)
[0016] 专利文献2：日本特开2006-222117号公报(日本国专利公开公报)
发明内容
[0017] 可是，对于这种现有技术的基板件的表面处理装置存在如下的课题。
[0018] (第一问题点)
[0019] 第一，基板件的处理精度上存在问题。即、对于利用现有技术的表面处理装置而形成的电路，在电路宽度上容易产生不均。特别是就蚀刻而言，在一致性即蚀刻深度(电路深度)的均匀性上存在问题，一致性较差而在电路宽度上产生不均。
[0020] 例如，如图6的(2)图、(3)图所示，对于形成于基板件A的电路B而言，存在蚀刻处理延迟、不足，从而产生电路深度C变浅、电路宽度(底部宽度)L过大的部位的问题。相反地，存在蚀刻处理过度，从而产生电路深度C变深、电路宽度又窄又细过小的部位的问题。
[0022] (关于第一问题点的原因)
[0023] 作为这种第一问题点的原因，考虑如下的(A)、(B)。
[0024] 作为(A)，在基板处理装置中，作为处理对象的基板件A的工件尺寸以长宽600mm×500mm或500mm×400mm为代表。即、考虑制造成本，使用大小为实际基板数倍的基板件A，并从较大的基板A得到多块较小的基板。
[0025] 这样，基板件A的工件尺寸较大也成为例如其中央部与周边部间一致性变差、电路宽度L不均的原因。
[0026] 作为(B)，作为更大的不均的原因，考虑如下的点。即、表面处理装置中喷雾嘴在前后左右设置有多处，但在现有技术中，位于搬运方向前后的喷雾嘴分别沿前后的搬运方向成列地配设。即喷雾嘴在左右的宽度方向上存在间隔并且朝向前后的搬运方向成多列地配设。
[0027] 因此形成的电路B的、位于这种喷雾嘴列的正下或正上的部位(在与前后的搬运方向上由平行线状、条纹状的轨迹形成)，一直受到较强的喷压、喷射冲击，从而使得蚀刻处理过度，电路宽度L过小。
[0028] 对此，对于从喷雾嘴列的正下或正上离开地位于的部位(在与前后的搬运方向上由平行线状、条纹状的轨迹形成)，喷压、喷射冲击较弱，并且还产生液体滞留等，因此蚀刻处理不足，电路宽度L过大。
[0029] 这样的喷雾嘴的配置成为基板件A的一致性变差、电路宽度L不均的很大原因。
[0030] (第二问题点)
[0031] 第二，在成本方面上，还存在以下的(A)、(B)的问题。
[0032] 作为(A)，如上所述，基板的电路B的精细化、高密度化显著。但是在现有技术中，考虑上述的不均问题的产生，精细电路(的蚀刻)难以制造。特别是在相对简单且制造成本方面优秀的掩膜法中难以制造。
[0033] 因此，以往精细电路的基板由复杂高级的SAP法(Semi-Additive-process)、MSAP法(Modified-Semi-Additive-process)制造。因此，存在制造成本增大的问题。
[0034] 例如，在铜箔厚度18μm的基板件A中，掩膜法适用的电路宽度L或电路间空间S的界限为40μm～50μm。此外，图6的(2)图、(3)图中D表示电路B的顶面宽度(顶部宽度)。
[0035] 作为(B)，就一致性变差、产生电路宽度L的不均、产生蚀刻等处理不足而言，对于成为其一部分原因的液体滞留或积存的解决方案，以往进行有各种技术开发(例如，参照日本国专利第4015667号公报、日本国专利第4117135号公报)。
[0036] 但是，这些现有技术针对喷雾嘴的喷淋管采用例如摆头摇摆机构、水平摆动机构、倾斜配置机构、液体滞留真空机构等等的专用机构，因此存在初期成本增大的问题。另外，虽然作为液体滞留或积存的解决方案有效，但是存在对上述的不均等的解决方案不充分的问题，还存在在超薄基板件的情况下贴在真空机构上等情况。
[0037] (对于本发明)
[0038] 本发明的基板件的表面处理装置鉴于这样的情况而完成，可用于解决上述现有技术的课题。
[0039] 而且本发明的目的在于提供一种基板件的表面处理装置，第一，提高一致性等，提高处理精度，防止电路宽度的不均的产生，第二，除此之外还能实现成本方面的优秀。
[0040] (对于各方案)
[0041] 解决这种课题的本发明的技术方案如要求保护的范围所述，如下。
[0042] 方案1如下所述。
[0043] 方案1的基板件的表面处理装置，在电子电路基板的制造工序中使用。而且，对由传送带搬运的基板件，从喷雾嘴喷射处理液而进行表面处理。
[0044] 该上述基板件的表面处理装置的特征在于，该喷雾嘴前后、左右地配置多个，以此与被搬运的基板对置。并且该喷雾嘴基于，由位于前后的该喷雾嘴相互间不前后成列而是依次向左右偏离的位置关系形成的设定、该喷雾嘴与该基板件之间的上下间隔的设定、基于该上下间隔的设定的该喷雾嘴间的左右距离间隔的设定、的组合，由从该喷雾嘴喷射的该处理液对该基板件进行均匀处理。
[0045] 方案2如下所述。
[0046] 方案2的基板件的表面处理装置在方案1的基础上，其特征在于，该表面处理装置在电子电路基板的制造工序中的显像工序、蚀刻工序、半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序或剥离工序中使用。
[0047] 以此该表面处理装置用作显像装置、蚀刻装置或剥离装置，该喷雾嘴喷射显像液、蚀刻液或剥离液作为该处理液。
[0048] 方案3如下所述。
[0049] 方案3的基板件的表面处理装置在方案2的基础上，其特征在于，对于该喷雾嘴而言，上述的位于前后的该喷雾嘴相互间的左右偏离间隔设定为5mm以上～25mm以下。
[0050] 方案4如下所述。
[0051] 方案4的基板件的表面处理装置在方案3的基础上，其特征在于，该喷雾嘴与该基板件之间的上述上下间隔设定为30mm以上～150mm以下。
[0052] 方案5如下所述。
[0053] 方案5的基板件的表面处理装置在方案4的基础上，其特征在于，该喷雾嘴间的上述左右距离间隔设定为30mm以上～120mm以下。
[0054] 方案6如下所述。
[0055] 方案6的基板件的表面处理装置在方案5的基础上，
[0057] 方案7如下所述。
[0058] 方案7的基板件的表面处理装置在方案5的基础上，其特征在于，该喷雾嘴由扁形喷嘴形成，并且在上述半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序或剥离工序中，以在水平面上相对于左右的宽度方向朝向前后的搬运方向倾斜4°以上～10°以下的喷嘴角度设置。
[0059] 方案8如下所述。
[0060] 方案8的基板件的表面处理装置在方案6或7的基础上，其特征在于，供给该处理液的喷淋管沿前后的搬运方向以规定的左右距离间隔成列设置有多根，或是沿左右的宽度方向以规定的前后距离间隔成列设置有多根。而且该喷雾嘴在每个该喷淋管上以规定距离间隔设置多个。
[0061] (对于作用等)
[0062] 本发明通过这样的方法完成，所以具有如下效果。
[0063] (1)该表面处理装置在电子电路基板的制造工序例如蚀刻工序中使用。
[0064] (2)因此，该表面处理装置从喷雾嘴喷射处理液，对基板件进行表面处理。
[0065] (3)而且表面处理装置的特征在于，针对喷雾嘴，组合多种其配设位置设定等的构成并采用。
[0066] (4)即、喷雾嘴首先并不以位于前后的相互间前后成列的方式设定，而是以左右横向依次错开的位置关系设定。该左右偏离间隔设定为5mm～25mm。
[0067] (5)除此之外，设定喷雾嘴，使与基板件之间的高度即上下间隔为30mm～150mm优选50mm～100mm。
[0068] (6)再有，设定喷雾嘴，使相互间的左右距离间隔为30mm～120mm。
[0069] (7)此外，喷雾嘴代表性地由扁形喷嘴形成，并且以朝向左右的宽度方向(以0°或0°左右倾斜的喷嘴角度)设置，或者以4°～10°倾斜的喷嘴角度设置。
[0070] (8)该表面处理装置通过针对喷雾嘴组合并采用这样的配设位置设定等的构成，提高基板件的处理精度，实现均匀处理。
[0071] (9)即在基板件中上，避免产生处理液的喷射冲击强弱部位，进行整体的、平均的、均匀的表面处理。因此，消除形成的电路宽度的大小不均。特别在蚀刻工序中，提高蚀刻深度的均匀性即一致性。
[0072] (10)而且这些情况通过组合喷雾嘴的配设位置设定等，通过简单的构成而能够容易地实现。
[0073] (11)另外，消除形成的电路宽度的不均，并随着一致性的改善，而能够由掩膜法制造精细电路。
[0074] (12)此外，当然还能够在实现消除电路宽度的不均、改善一致性的过程中，抑制液体滞留或积存的产生。因此，不需要采用用于解决液体滞留的专用机构。
[0075] (13)那么因此，本发明的基板件的表面处理装置能够发挥如下效果。
[0076] (第一效果)
[0077] 第一，提高一致性等，提高处理精度，防止产生电路宽度的不均。
[0078] 在本发明的基板件的表面处理装置中，通过喷雾嘴的配设位置设定等的组合，能够对基板件进行均匀处理。
[0079] 抑制基板件像上述那种现有技术一样产生电路宽度过大的部位，并且抑制产生电路宽度又窄又细过小的部位，因此能够减少电路宽度的不均。特别是对于蚀刻来说，提高一致性，减少电路宽度的不均。
[0080] 而且，发挥本发明的这种效果对于追求电路的精细化、高密度化的基板来说具有重大意义。例如还能够避免像上述现有技术一样电路的电流承载能力、电阻值等相对于标准值变动，能够期待基板不良的减少。
[0081] (第二效果)
[0082] 第二，在第一效果的基础上实现成本方面的优秀。
[0083] 本发明的基板件的表面处理装置通过喷雾嘴的配设位置设定等的组合来实现上述第一效果。即、通过简单的构成容易地实现成本方面的优秀。
[0084] 另外，根据该表面处理装置，随着改善一致性、防止电路宽度不均，将能够以制造成本方面优秀的掩膜法制造精细电路(的蚀刻)。降低复杂高级且制造成本增大的SAP法、MSAP法的必要性。因此从这方面来说，成本方面优秀。
[0085] 再有，随着一致性改善、防止电路宽度不均，在该表面处理装置中，不需要像上述那种现有技术一样采用初期成本增大的用于解决液体滞留的专用机构，另外不需要采用用于解决积存的专用机构。因此从这方面来说，成本方面优秀。
[0087] 图1对本发明的基板件的表面处理装置提供用于实施发明的方式的说明，是该表面处理装置的要部的俯视图。
[0088] 图2提供用于实施本发明的方式的说明，表示该表面处理装置的一个例子。其中，(1)图为侧视图，(2)图为俯视图。
[0089] 图3提供用于实施本发明的方式的说明，表示该表面处理装置的其他例子。其中，(1)图为侧视图，(2)图为俯视图。
[0090] 图4提供用于实施本发明的方式的说明，(1)图是图3的例子的要部的侧视图，(2)图是该要部的俯视图。
[0091] 图5提供用于实施本发明的方式的说明。其中(1)图是放大图3的例子的要部的俯视图。(2)图是俯视说明图，表示实施例的测定点。
[0092] 图6提供基板件(电子电路基板)的说明。其中(1)图是其一个例子的俯视说明图。(2)图是正截面说明图，表示形成的电路的一个例子，(3)图是正截面说明图，表示形成的电路的其他例子。
[0093] 图中：A—基板件，B—电子电路(电路)，C—电路深度(电路高度)，D顶面宽度(顶部宽度)，E—电子电路基板(基板)，F—搬运方向，G—处理液，H—宽度方向，J—上下方向，K—左右偏离间隔，L—电路宽度(底部宽度)，M—上下间隔，N—左右距离间隔，S—电路间空间，θ—喷嘴角度，1—表面处理装置，2—处理室，3—传送带，4—轮子，5—喷雾嘴，6—液槽，7—泵，8—配管，9—喷淋管，10—传送带轴。
具体实施方式
[0094] 以下，对用于实施本发明的方式进行详细说明。
[0095] (对于电子电路基板E等)
[0096] 本发明的基板件A的表面处理装置在电子电路基板E的制造工序中使用。
[0097] 因此首先对于作为前提的电子电路基板E等，参照图6进行一般说明。
[0098] 电子电路基板E在AV设备、个人电脑、移动终端、手机、数码相机、其他各种电子设备、IT相关设备中，用于作为其基础的电连接。而且电子电路基板E将连接半导体部件间的电路图案形成在绝缘层的外表面或内部。
[0099] 而且电子电路基板E除了分为单面基板和双面基板之外，还有多层基板(包括累积法制造的基板)等其他各种基板。另外，电子电路基板E还分为硬质的刚性基板和薄膜状的挠性基板。
[0100] 另外，作为这种电子电路基板E的一种，也出现有IC、LSI元件、从动部件、驱动部件、电容等的半导体部件与电路B一体地组装的模块基板(半导体一体式包装基板)。
[0101] 再有，还出现有在玻璃底板上与电路B一同埋设半导体部件的玻璃基板，即液晶LCD用玻璃基板，另外还出现有CSP、PBGA、触摸面板等。就本说明书中电子电路基板(本说明书中也存在简称为基板的情况)E而言，除以往的印刷配线基板外，还广泛地包括上述的基板。
[0102] 而且电子电路基板E的小型轻量化、超薄化、挠性化等的发展迅速，形成的电子电路(本说明书中也存在简称为电路的情况)B也显著地精细化、高密度化。
[0103] 电子电路基板E的制造工序中使用的代表性的基板件A的长宽尺寸为600mm×500mm或者500mm×400mm又或者500mm×330mm，并且厚度为0.06mm～1.6mm左右。
[0104] 作为这样的电子电路基板E的制造方法，代表性的为消减法(湿法)(参照上述的背景技术的现有技术一项)，还已知有半加法(SAP法)等其他各种制造方法。当然，本发明适用于上述各种制造方法的工序。
[0105] 对电子电路基板E等而言，如上所述。
[0106] (对于表面处理装置1)
[0107] 接下来，参照图2、图3对表面处理装置1进行一般说明。
[0108] 表面处理装置1在上述电子电路基板E的制造工序中使用。而且，在其处理室2内一边由传送带3沿前后的搬运方向F水平搬运基板件A一边从喷雾嘴5喷射处理液G，对基板件A进行表面处理。
[0109] 图示例的传送带3由上下成对且前后左右多个配置的轮子4组形成。图示例中轮子4的直径为30mm，轮子4间的间距为25mm，轮子4以沿搬运方向F一部分交叠的方式配设。
[0110] 喷雾嘴5在前后的搬运方向F以及左右的宽度方向H上配置多个，因此可从上下面与被搬运的基板件A对峙地相对，并喷射处理液G。在图示例中，遍及被搬运的基板件A的上下地成列设置，对基板件A的正背两面进行表面处理。
[0111] 而且表面处理装置1在电子电路基板E的制造工序中，用于显像工序、蚀刻工序、半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序或剥离工序等。
[0112] 半蚀刻工序作为基板件A的准备工序，以使铜箔厚度变薄的方式对铜箔表面形状进行加工。软蚀刻工序作为基板件A的预处理工序，，预先对铜箔表面进行粗化处理。快速蚀刻工序作为半加法(SAP法)的后续处理而实施。
[0113] 而且表面处理装置1用作显像装置、蚀刻装置、半蚀刻装置、软蚀刻装置、快速蚀刻装置或剥离装置等。因此，上述喷雾嘴5将显像液、蚀刻液、半蚀刻液、软蚀刻液、快速蚀刻液或剥离液作为处理液G喷射。
[0114] 处理液G从喷雾嘴5喷射，在对基板件A进行表面处理后，流下至处理室2下部的液槽6，并被回收、储存。然后在结束之后，再次经由泵7、过滤器(未图示)、配管8、喷淋管9等向喷雾嘴5循环从而再使用。此外，图2的(1)图、图3的(1)图、图4中的J表示上下方向。
[0115] 而且喷雾嘴5在每个喷淋管9上以规定的距离间隔各设置有多个。向喷雾嘴5供给处理液G的该喷淋管9像图2所示的例子或图3、图4、图5的(1)图等所示的例子一样地配设。
[0116] 在图2所示的例子中，在前后的搬运方向F上平行地成列设置有多根喷淋管9，相互间存在规定的左右距离间隔。在图3等所示的例子中，沿与搬运方向F垂直的左右宽度方向H平行成列配设有多根喷淋管9，相互间存在规定的前后间隔。
[0117] 此外，在表面处理装置1的处理室2内的处理一般是像图示例一样在气体环境中进行的，但不限于此，也能够在液体中进行。
[0118] 对表面处理装置1而言，如上所述。
[0119] (本发明的概要)
[0120] 以下，参照图1～图6对本发明的基板件A的表面处理装置1进行说明。
[0121] 首先，对其概要如下所述。本发明的表面处理装置1在喷雾嘴5的配设位置设定的组合上存在特征。
[0122] 即就喷雾嘴5而言，基于位于前后的喷雾嘴5相互间没有前后成列而是向以左右偏离间隔K依次向左右偏离的位置关系的设置、喷雾嘴5与基板件A之间的上下间隔M的设定以及基于上下间隔M的设定的喷雾嘴5之间的左右距离间隔N的设定的组合，对基板件A进行均匀处理。即、由从喷雾嘴5喷射的处理液G对基板件A进行均匀处理。
[0123] 本发明的概要如上所述。以下对这样的本发明的基板件A的表面处理装置1进行更详细叙述。
[0124] (对于前后喷雾嘴5间的左右偏离间隔K)
[0125] 首先如图1所示，喷雾嘴5前后、左右地配置多个。而且，对前后的搬运方向F进行观察的情况下，位于前后的喷雾嘴5相互间并不在前后的搬运方向F上对置地成列，而是在左右的横宽方向H上稍微偏离。
[0126] 即、前后的喷雾嘴5间以沿搬运方向F在各一列上分别错开而不重合方式定位并设定。即、以存在左右偏离间隔K的方式进行定位并设定。
[0127] 此外，前后对置的喷雾嘴5间只要左右偏离即可。即、也可以在搬运方向F上每隔例如5列～10列就存在位于相同左右位置的喷雾嘴5。
[0128] 而且，这样的喷雾嘴5的左右偏离间隔K的设定通过喷淋管9的配置而实现。
[0129] 首先，对图2所示的例子如下所述。在图2的例子中，喷淋管9排列设于前后的搬运方向F上。而且如图2的(2)图所示，该喷淋管9并没有正确地朝向搬运方向F，而是朝向左右的宽度方向H稍微倾斜地配置。
[0130] 在图2的例子中，这样一来，实现前后的喷雾嘴5相互间的左右偏离间隔K的设定。
[0131] 对此，对图3、图4、图5的(1)图等所示的例子如下所述。在该例子中，喷淋管9沿左右的宽度方向H成列设置。而且，该喷淋管9如图3的(2)图、图4的(2)图所示，以规定的距离间隔设置的喷雾嘴5的位置配设为依次向左右偏离。
[0132] 即在图3等的例子中，以设置于喷淋管9的喷雾嘴5的位置从前后观察的情况下向左右偏离的方式配设各喷淋管9，使喷雾嘴5的左右位置错开。
[0133] 在图3等的例子中，这样一来，实现前后的喷雾嘴5相互间的左右偏离间隔K的设定。
[0134] 对于左右偏离间隔K设定的功能，如下所述。从喷雾嘴5喷射的处理液G对位于其正下或正上的基板件A的部位，以较强的喷雾压、喷射冲击进行表面处理。例如在蚀刻工序中，对于基板件A而言，位于喷雾嘴5的正上或正下的部位受到喷射的蚀刻液的较强的喷雾压、喷射冲击，促进蚀刻。
[0135] 对此就基板件A而言，对于位于从喷雾嘴5的正上或正下离开的部位，喷射冲击较弱。因此，在这种情况下，例如存在蚀刻不足、其他处理不足的可能性。
[0136] 因此在本发明中，位于前后的喷雾嘴5相互间以存在左右偏离间隔K的方式依次设置。
[0137] 由此对基板件A而言，受到较强的喷雾压、喷射冲击的部位在轨迹上不重合，能够得到分散。受到较强的喷射冲击而进行蚀刻等、进行表面处理的部位一点点地偏离地进行。因此其结果，基板件A整体地、平均地、均匀地进行蚀刻等表面处理。前后的喷雾嘴5间的左右偏离间隔K的设定发挥这样的功能。
[0138] 而且，位于前后的喷雾嘴5相互间的左右偏离间隔K设定在5mm以上～25mm以下。
[0139] 左右偏离间隔K不足5mm的情况下，偏离过小，难以发挥上述的错开功能。即、与上述的现有技术一样、即按照喷雾嘴5在在前后的搬运方向F上成列的情况，就基板件A而言，产生强弱冲击部位。因此，在前后的搬运方向F上形成平行线状、条纹状的蚀刻不足部位等表面处理不足部位。
[0140] 在左右偏离间隔K超过25mm的情况下，也难以发挥上述的错开功能。即对基板件A而言，设定左右偏离间隔K时不能覆盖所以间断地产生强弱冲击部位。因此，形成平行线状、条纹状的蚀刻不足部位等表面处理不足部位。
[0141] 此外，在图1、图2的(2)图、图3的(2)图、图4的(2)图中，左右偏离间隔K的图示表现较为概略。即、其尺寸线的选取方法等的图示记载是示意的、夸张的、说明的内容。
[0142] 对前后喷雾嘴5间的左右偏离间隔K而言，如上所述。
[0143] (对于喷雾嘴5与基板件A间的上下间隔M)
[0144] 在本发明中，对于喷雾嘴5而言，与上述的前后相互间的左右偏离间隔K的设定一同，喷雾嘴5与基板件A间的高度间隔即上下间隔M设定在30mm以上～150mm以下。
[0145] 即、首先通过上述的左右偏离间隔K的设定，实现均匀蚀刻等表面处理。避免在前后的搬运方向上平行线状、条纹状地形成强弱喷射冲击部位以及蚀刻等表面处理不足部位。实验中也证明这些情况。
[0146] 但是实验的结果有若干，但在左右的宽度方向H上也平行线状、条纹状地形成。在前后的搬运方向F上设置间隔，并且蚀刻不足部位等的表面处理不足部位有若干处，形成残留。
[0147] 而且，如图2的(1)图、图3的(1)图、图4的(1)图等所示，这种宽度方向H上的蚀刻不足部位能够通过将喷雾嘴5与基板件A间的上下间隔M设定在30mm以上～150mm以下而消除。因此，对于基板件A而言，能够可靠地实现整体的、平均的、均匀的蚀刻处理等表面处理。
[0148] 特别地，若将上下间隔M设定在50mm以上～100mm以下，则得到实验上最优的结果，能够得到更高的一致性。喷雾嘴5与基板件A间的上下间隔M的设定起到这样的功能。
[0149] 根据图案蚀刻时的蚀刻因素提高等的理由，就利用喷雾嘴5的向基板件A喷射处理液G而言，冲击强化的需求较强。因此，喷雾嘴5与基板件A间的上下间隔M也如上所述地设定得较短较近。
[0150] 此外，上下间隔M不到30mm的情况下，喷雾嘴5与基板件A间过于接近，因此，难以发挥上述左右偏离间隔K的错开功能。即对基板件A来说，就位于喷雾嘴5的正上或正下的部位而言，喷雾压、喷射冲击变强。对此，就从正上或正下离开地位于的部位而言，喷雾压、喷射冲击变弱，因此，将产生蚀刻不足、处理不足。
[0151] 对此，在上下间隔M超过150mm的情况下，喷雾嘴5与基板件A间过远，将整体地蚀刻不足、处理不足。即对基板件A来说，整体地喷射冲击较弱，蚀刻率等处理率下降。
[0152] 对于喷雾嘴5与基板件A间的上下间隔M而言，如上所述。
[0153] (对于喷雾嘴5间的左右距离间隔N)
[0154] 为了基板件A的整体的、平均的、均匀的蚀刻、表面处理，除上述之外，对喷雾嘴5间的左右距离间隔N的考虑也成为要点。
[0155] 即对喷雾嘴5来说，除上述前后相互间的左右偏离间隔K的设定以及喷雾嘴5与基板件A间的上下间隔M的设定之外，从对这些内容的辅助方面出发，最好将它们组合并考虑喷雾嘴5间的左右距离间隔N。
[0156] 而且，如图1、图2的(2)图、图3的(2)图、图4的(2)图、图5的(1)图等所示，喷雾嘴5间的左右距离间隔N原则上设定在30mm以上～120mm以下。特别地，在上述上下间隔M设定在50mm以上～100mm以下的情况下，设定在30mm以上～120mm以下。而且特别地，若设定在30mm以上～60mm以下，则能够得到实验上最优的结果。
[0157] 即、根据例如图案蚀刻时的蚀刻因素提高等理由，利用喷雾嘴5的处理液G喷射的冲击强化的需求较强。因此作为喷雾嘴5，选择、使用喷角较窄的喷雾嘴的趋势很明显。即、作为喷雾嘴5，选择使用朝向左右的宽度方向H倾角40°以上～90°以下的喷雾嘴的情况较多。
[0158] 因此，对基板件A的处理液G的喷射范围变窄，所以喷雾嘴5间的左右距离间隔N也如上所述地设定得比较窄。
[0159] 在左右距离间隔N不到30mm的情况下，喷雾嘴5间左右过于接近，难以发挥上述的左右偏离间隔K的错开功能。
[0160] 对此，在左右距离间隔N超过120mm的情况下，喷雾嘴5间左右距离过远，在这种情况下也难以发挥左右偏离间隔K的错开功能。因此在基板件A上，将产生喷雾压、喷射冲击的强弱部位。
[0161] 另外，在设计图3等所示的例子的表面处理装置1时，首先决定上述左右偏离间隔K的值，其次，以其整数倍的值决定左右距离间隔N的值，其结果，需要的喷淋管9的根数得到整数值。
[0162] 对于喷雾嘴5间的左右距离间隔N而言，如上所述。
[0163] (对于喷雾嘴5的喷嘴角度θ等)
[0165] 而且喷雾嘴5在水平面上朝向左右的宽度方向H地设置。即、喷嘴角度θ设置为正确朝向左右的宽度方向H的0°的喷嘴角度或朝向前后的搬运方向F倾斜10°以下，包含0°前后的喷嘴角度。
[0166] 对此进行详述。首先，在电路形成工序即显像工序或蚀刻工序中，在喷嘴角度θ为0°或0°前后以外的情况下，与左右的宽度方向H平行地(Y方向)形成的电路宽度的粗细和与前后的搬运方向F平行地(X方向)形成的电路宽度的粗细产生差异而不优选。
[0167] 因此，在显像工序或蚀刻工序中，喷嘴角度θ代表性地设定为0°，再有设定为0°前后即±1°或2°的幅度内。
[0168] 即、喷嘴角度θ以0°为代表，但也可以是朝向前后的搬运方向F从0°～0°加1°以下或从0°～0°减1°地倾斜的喷嘴角度θ。再有，也可以是从0°～正2°地倾斜的喷嘴角度θ，或者也可以是从0°～负2°地倾斜的喷嘴角度θ。
[0169] 对此，在不与电路形成直接相关的半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序、剥离工序中，喷嘴角度θ优异地设置的话处理速度变快，有效。因此，在上述各工序中，喷嘴角度θ设定在4°以上～10°以下。
[0170] 但是在此时的喷嘴角度θ不到4°的情况下，在喷雾嘴5间喷射的处理液G相互产生干涉，因此不优选。另外，在喷嘴角度θ超过10°的情况下，位于前后的传送带3的轮子4也会被喷射到处理液G，因此不优选。另外在图示例中，设置喷雾嘴5的区域在搬运方向F上例如仅20mm，因此传送带3的轮子4的配设将不足。
[0171] 另外，喷雾嘴5使用作为喷嘴性能，其喷角在40°以上～90°以下，并且喷量为0.3MPa、2L/分～5L/分左右的喷雾嘴。此外，图4的(2)图、图5的(1)图中附图标记10是轮子4的传送带轴10。
[0172] (作用等)
[0173] 本发明的基板件A的表面处理装置1如上述说明所述地构成。因此，具有如下的作用。
[0174] (1)该表面处理装置1在电子电路基板E的制造工序中使用。即以制造工序中成为核心的蚀刻工序为首，在显像工序、剥离工序以及半蚀刻工序、软蚀刻工序、快速蚀刻工序等中使用，并用做各种的蚀刻装置、显像装置、剥离装置。
[0175] (2)而且表面处理装置1对于由传送带3搬运的基板件A从前后左右配置多个的喷雾嘴5喷射处理液G，以此来对基板件A进行表面处理(参照图2、图3等)。
[0176] 即，从喷雾嘴5喷射蚀刻液、显像液、剥离液等处理液G，以此来对基板件A进行蚀刻、显像、剥离等表面处理。
[0177] (3)而且本发明的表面处理装置1的特征在于，针对喷雾嘴5，如下所述，组合多种其配设位置设定等的构成并采用。
[0178] (4)即、喷雾嘴5首先并不以位于前后的相互间前后成列的方式设定，而是以左右依次错开的位置关系设定(参照图1、图2的(2)图、图3的(2)图、图4的(2)图等)。
[0179] 即喷雾嘴5设定为左右偏离间隔K设定为5mm以上～25mm以下。因此喷雾嘴5在前后的搬运方向上错开而不对置，并在左右的宽度方向H上稍微偏离地配设。
[0180] (5)除此之外，设定喷雾嘴5，使与基板件A之间的上下间隔M为30mm以上～150mm以下，优选设定为50mm以上～100mm以下(参照图2的(1)图、图3的(1)图、图4的(1)图等)。
[0181] (6)再有，设定喷雾嘴5，使相互间的左右距离间隔N为30mm～120mm(参照图1、图2的(2)图、图3的(2)图、图4的(2)图、图5的(1)图等)。
[0182] (7)此外，喷雾嘴5代表性地使用扁形的喷嘴，并且以向前后的搬运方向F倾斜0°或0°前后的喷嘴角度θ朝向左右的宽度方向H，或者以倾斜4°以上～10°以下的喷嘴角度θ朝向左右的宽度方向H(参照图4的(2)图、图5的(1)图)。
[0183] (8)本发明的基板件A的表面处理装置如上所述地针对喷雾嘴5组合各种其配设位置设定等的构成并采用。因此，提高基板件A的处理精度，对基板件A进行均匀处理。
[0184] (9)即、在被处理的基板件A上，避免产生被较强的喷雾压、喷射冲击的处理液G处理的部位和处理液G的喷雾压、喷射冲击较弱而处理不足的部位。
[0185] 在该过程中，当然能够减少喷射的处理液G在基板件A上产生液体滞留或产生积存。
[0186] 因此基板件A能够进行整体的、平均的、均匀的表面处理。避免因处理过剩而引起的、产生形成的电路宽度(底部宽度)L较窄、较细、过小的部位，并且还避免因处理不足而引起的、产生形成的电路宽度L过大的部位。因此，能够消除电路宽度L的不均(参照图6的(2)图、(3)图)。
[0187] 特别在蚀刻工序中，蚀刻深度、电路深度C的均匀性提高。即、一致性(Uniformity)(Min蚀刻量/Max蚀刻量×100％)提高，实现无凹凸的均匀蚀刻。
[0188] (10)这些情况能够通过简单的构成而容易地实现。即、在基板件A的表面处理装置1上，通过如上所述地组合喷雾嘴5的配设位置设定等，能够实现这些情况。
[0189] 即、在该表面处理装置1中，对于喷雾嘴5而言，通过对规定的左右偏离间隔K、上下间隔M、左右距离间隔N等进行数值设定并进行组合的、简单的构成，容易在成本方面优秀并且能够实现处理精度提高，防止电路宽度不均。
[0190] (11)另外，若使用该表面处理装置1，则随着一致性的改善、消除电路宽度L的不均，能够由成本方面优秀的掩膜法制造形成的电路B的电路宽度L较窄的精细电路(的蚀刻)。
[0191] 铜箔厚度为18μm以下的基板件A中，电路宽度L或电路间空间S在40μm以下的基板件A都能够由掩膜法制造。再有，对于铜箔厚度为12μm左右的基板件A，电路宽度L或电路间空间S为20～30μm左右的基板件A而言，也成为能够由掩膜法制造的目标值(参照图6的(2)图、(3)图)。
[0192] (12)再有，根据该表面处理装置1能够实现改善一致性、防止电路宽度L的不均，在这过程中当然也能够抑制产生处理液G的液体滞留或产生积存。因此，也不需要采用用于解决液体滞留或用于解决积存的专用机构。
[0193] 即、该表面处理装置1没有必要如上述那种现有技术所述对喷淋管9安装摆头摇摆机构、水平摆动机构、倾斜配置机构或液体滞留真空机构等。
[0194] 实施例
[0195] 以下，对本发明实施例的实验数据等进行说明。
[0196] 即、关于一致性的实验的结果，对本发明实施例得到的实验数据和对现有例(比较例)得到的实验数据进行说明。
[0197] (对于实验方法)
[0198] 首先，对于作为实验前提的实验方法进行叙述。就作为表面处理装置1的代表例的蚀刻装置而言，作为蚀刻深度(电路深度C)的均匀性评价的方法、即一致性的评价方法，首先考虑一下(I)、(II)。
[0199] (I)实际使用抗蚀刻剂，实施显像、蚀刻、剥离各工序而形成电路B，对其结果得到的电路B验证电路宽度L的不均情况的方法。
[0200] (II)仅实施蚀刻。即对铜箔进行蚀刻，并验证其结果得到的残铜的铜厚(与电路深度C相当)的方法。
[0201] 比较(I)、(II)的方法，如下所述。(I)的方法因蚀刻装置自身的性能、生产技术的要素、使用抗蚀刻剂的种类、蚀刻液的种类等而对一致性评价有影响。
[0202] 对此，(II)的方法对蚀刻装置来说，仅对针对铜箔的蚀刻性能自身进行一致性评价。因此，通过(II)的方法进行实验。
[0203] (本发明实施例的测试条件)
[0204] 本发明实施例的测试条件如下表1所示、此外在表1中，液温、比重等是指作为蚀刻液使用的氯化铜CuCl2。表1中有效长度是指表面处理装置1的处理室2的搬运方向F的长度尺寸。
[0205] 表1
[0206] 测试条件
[0207]
[0208] (本发明实施例的测试结果)
[0209] 本发明的实施例的测试结果如下述表2～表5所示。
[0210] 表2、表4中，A～I以及1～7如图5的(2)图所示表示基板件A的各测定点的纵横轴，将两者的各交叉点作为测定点。
[0211] 而且，在基板件A的各测定点，实验开始时在上述表1的测试条件中，就铜厚为67.3μm的铜箔而言，测定其残铜的铜厚(相当于电路深度C)。其结果，对基板件A的上面(表面)而言，得到表2的测定结果，对下面(背面)而言，得到表4的测定结果。
[0212] 因此，基于这些算出一致性(表2中或表4中的残铜的Min铜厚/Max铜厚×100％)。这样一来，对上面(表面)而言如表3所示地成为94.12％。对下面(背面)而言如表5所示地成为94.21％(100％为最高评价)。
[0213] 这样，根据本发明的实施例能够得到极高的一致性。
[0214] 表2
[0215] 蚀刻后的上面铜厚
[0216] (μm)
[0217]1 2 3 4 5 6 7
A 44.3 45.9 45.4 44.6 45.3 44.8 44.8
B 44.3 44.9 45.2 44.3 44.4 44.3 44.0
C 45.2 44.9 44.3 43.9 43.2 43.6 43.3
D 45.3 44.6 44.6 44.0 43.9 43.8 43.6
E 45.5 44.8 44.8 44.1 43.5 43.8 43.5
F 44.4 45.0 44.6 44.0 44.2 44.0 44.0
G 44.6 45.5 44.9 44.5 44.4 44.1 43.7
H 45.O 45.7 45.2 44.8 44.6 44.2 43.6
I 45.2 45.2 45.6 45.1 44.7 44.2 43.5
A 44.3 45.9 45.4 44.6 45.3 44.8 44.8
B 44.3 44.9 45.2 44.3 44.4 44.3 44.0
C 45.2 44.9 44.3 43.9 43.2 43.6 43.3
D 45.3 44.6 44.6 44.0 43.9 43.8 43.6
E 45.5 44.8 44.8 44.1 43.5 43.8 43.5
F 44.4 45.0 44.6 44.0 44.2 44.0 44.0
G 44.6 45.5 44.9 44.5 44.4 44.1 43.7
H 45.O 45.7 45.2 44.8 44.6 44.2 43.6
I 45.2 45.2 45.6 45.1 44.7 44.2 43.5
[0218] 表3
[0219] 上面一致性(Uniformity)等
[0220]
[0221] 表4
[0222] 蚀刻后的下面铜厚
[0223] (μm)
[0224]1 2 3 4 5 6 7
A 43.5 43.2 43.9 44.9 44.7 44.1 44.4
B 43.2 42.7 43.4 44.1 43.4 43.8 43.9
C 43.5 42.6 42.9 43.4 43.5 43.3 44.1
D 43.1 42.6 43.1 43.4 43.4 43.6 43.3
E 42.7 43.4 43.1 43.6 44.4 43.6 43.8
F 42.7 42.8 43.3 43.3 43.8 43.7 43.5
G 43.2 42.7 43.1 43.2 43.4 42.8 43.9
H 43.2 42.8 43.3 44.3 42.8 43.0 43.2
I 43.0 42.3 43.0 43.4 43.5 43.6 43.4
A 43.5 43.2 43.9 44.9 44.7 44.1 44.4
B 43.2 42.7 43.4 44.1 43.4 43.8 43.9
C 43.5 42.6 42.9 43.4 43.5 43.3 44.1
D 43.1 42.6 43.1 43.4 43.4 43.6 43.3
E 42.7 43.4 43.1 43.6 44.4 43.6 43.8
F 42.7 42.8 43.3 43.3 43.8 43.7 43.5
G 43.2 42.7 43.1 43.2 43.4 42.8 43.9
H 43.2 42.8 43.3 44.3 42.8 43.0 43.2
I 43.0 42.3 43.0 43.4 43.5 43.6 43.4
[0225] 表5
[0226] 下面一致性等
[0227]
[0228] (现有例(比较例)的测试条件)
[0229] 现有例(比较例)的测试条件如下表6所示。表6表示基板件A的上面(表面)和下面(背面)的测试条件。并且，选用近似上述的本发明实施例的测试条件的条件。
[0230] 此外在表6中，液温、比重等是关于作为蚀刻液使用的氯化铜CuCl2。表6中有效长度是指使用的表面处理装置的处理室的搬运方向的长度尺寸。
[0231] 此外，作为现有例(比较例)，使用本说明书中的前述的背景技术一项所记载的表面处理装置。
[0232] 表6
[0233] 测试条件
[0234]
[0235] (现有例(比较例)的测试结果)
[0236] 现有例(比较例)的测试结果如下述表7～表10所示。
[0237] 表7、表9中，S1～S6以及1～9表示基板件A的各测定点的纵横轴，两者的各交点作为测定点。
[0238] 而且，在基板件A的各测定点，实验开始时在上述表6的测试条件中，就铜厚为64.0μm的铜箔而言，测定其残铜的铜厚(相当于电路深度C)。其结果，对基板件A的上面(表面)而言，得到表7的测定结果，对下面(背面)而言，得到表9的测定结果。
[0239] 因此，基于这些算出一致性(表7中或表9中的残铜的Min铜厚/Max铜厚×100％)。这样一来，对上面(表面)而言如表8所示地成为76.99％。对下面(背面)而言成为77.63％。
[0240] 这样，根据现有例(比较例)，相比于上述的本发明实施例，一致性较差。在本发明实施例中，能够如上所述地得到上面(表面)为94.12％、下面(背面)为94.21％的较高的一致性，从而能够消除电路B的不均。
[0241] 这样，从实验数据方面来讲，也证明本发明的一致性的优秀性。
[0242] 表7
[0243] 蚀刻后的上面铜厚
[0244] (μm)
[0245]
[0246] 表8
[0247] 上面一致性(Uniformity)等
[0248]
[0249] 表9
[0250] 蚀刻后的下面铜厚
[0251] (μm)
[0252]
[0253] 表10
[0254] 下面一致性(Uniformity)等
[0255]
[0256] 对于本发明的实施例的实验数据等而言，如上所述。
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