专利汇可以提供用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑及表面处理方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开的用于 等离子体 电解 氧 化的非对称脉冲拓扑及 表面处理 方法,通过使用本发明中的不对称脉冲,在 输出 电压 为正时,进行等离子体电解氧化的工艺过程,陶瓷层处于生长阶段;在输出电压为负时,陶瓷层生长间断,电源对 工件 表面进行清洗,熄灭在加工时产生的 电弧 ,使工件表面陶瓷层粗糙程度降低,表面致密、光滑。,下面是用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑及表面处理方法专利的具体信息内容。
1.用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑,其特征在于,包括直流源(1)、由电感L1和电感L2组成的耦合电感(2)、全控功率开关器件(3)、隔离驱动器(4)、控制器(5)和等离子体电解氧化工作槽(6),直流源(1)的正极连接电感L1的同名端,电感L1的异名端与电感L2的同名端连接,电感L2的异名端与等离子体电解氧化工作槽(6)一端连接;等离子体电解氧化工作槽(6)的另一端与全控功率开关器件(3)的发射极连接,全控功率开关器件(3)的发射极同时与直流源(1)的负极连接,全控功率开关器件(3)的集电极同时与电感L1的异名端、电感L2的同名端连接;全控功率开关器件(3)上还连接有隔离驱动器(4),隔离驱动器(4)的输入端连接在控制器(5)的一个输出端上。
2.根据权利要求1所述的用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑,其特征在于,所述的控制器(5)选用模拟电路、单片机、DSP、FPGA中的一种或几种的组合。
3.根据权利要求1所述的用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑,其特征在于,所述的全控功率开关器件(3)选用绝缘栅双极晶体管或功率MOS管。
4.根据权利要求1所述的用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑,其特征在于,所述的隔离驱动器(4)型号选用2SD315AI或EXB841。
5.采用用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑进行表面处理的方法,其特征在于,采用的用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑,其结构为:
包括直流源(1)、由电感L1和电感L2组成的耦合电感(2)、全控功率开关器件(3)、隔离驱动器(4)、控制器(5)和等离子体电解氧化工作槽(6),直流源(1)的正极连接电感L1的同名端,电感L1的异名端与电感L2的同名端连接,电感L2的异名端与等离子体电解氧化工作槽(6)一端连接;等离子体电解氧化工作槽(6)的另一端与全控功率开关器件(3)的发射极连接,全控功率开关器件(3)的发射极同时与直流源(1)的负极连接,全控功率开关器件(3)的集电极同时与电感L1的异名端、电感L2的同名端连接;全控功率开关器件(3)上还连接有隔离驱动器(4),隔离驱动器(4)的输入端连接在控制器(5)的一个输出端上;
具体按照以下步骤实施:
步骤1:将加工工件(7)与直流源(1)的输出正极连接,浸入等离子体电解氧化工作槽(6)的电解液中,等离子体电解氧化工作槽(6)中的阴极与直流源(1)的输出负极连接;
步骤2:启动直流源(1),根据加工工件(7)的工艺要求设定直流源(1)的电压为0V~
750V之间,电流在1A~10A之间,工作频率0~30kHz之间;通过控制器(5)控制全控功率开关(3)周期性导通和关断,导通时间在0~0.5T的范围内调节,当全控功率开关器件(3)关断时,正向电压施加在加工工件(7)上,此时加工工件(7)上开始生长工艺要求的氧化膜;当全控功率开关(3)导通时,加工工件(7)上施加反向电压,此时的反向电压可以用来清洗加工工件(7)上的杂质,提高镀膜质量,使氧化膜更加致密;
步骤3:经过2分钟~60分钟的加工过程,关断直流源(1)的输出,结束等离子体电解氧化的加工过程,取出加工工件(7),清洗表面溶液。
6.根据权利要求5所述的采用用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑进行表面处理的方法,其特征在于,所述的控制器(5)选用模拟电路、单片机、DSP、FPGA中的一种或几种的组合。
7.根据权利要求5所述的采用用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑进行表面处理的方法,其特征在于,所述的全控功率开关器件(3)选用绝缘栅双极晶体管或功率MOS管。
8.根据权利要求5所述的采用用于等离子体电解氧化的非对称脉冲拓扑进行表面处理的方法,其特征在于,所述的隔离驱动器(4)型号选用2SD315AI或EXB841。
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