绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法
专利汇可以提供绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种绝缘导热金属 基板 上 真空 溅 镀 形成导电线路的方法，其包括如下步骤：(1)提供一绝缘导热金属基板；(2)将该基板置入等离子反应室中并通入混有高侵蚀性气体的气体混合物，对该金属基板的表面做不规则性地侵蚀以形成 纳米级 表面粗糙度；(3)将该等离子反应室中等离子 化学气相沉积 ，产生自由基等离子，并在该金属基板的表面形成多层高导热涂层；(4)涂布一层高导热绝缘胶；(5)在多层高导热涂层的金属基板外层溅镀上金属导电层与金属防护层；(6)抗蚀刻膜屏蔽 电路 图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀刻膜；(7)印刷液态感光防焊油墨。本发明工艺制程简单，导热性佳，且工艺比较环保。，下面是绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法专利的具体信息内容。
1.一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)提供一绝缘导热金属基板；
(2)将该基板置入等离子反应室中并通入混有高侵蚀性气体的气体混合物，对该金属基板的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度；
(3)将该等离子反应室中等离子化学气相沉积，产生自由基等离子，并在该金属基板的表面形成多层高导热涂层；
(4)在形成有多层高导热涂层的金属基板表面涂布一层高导热绝缘胶；
(5)在多层高导热涂层且涂布高导热绝缘胶的金属基板外层溅镀上金属导电层与金属防护层；
(6)抗蚀刻膜屏蔽电路图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀刻膜；
(7)印刷液态感光防焊油墨。
2.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：该金属基板的表面为条状、平面、曲面或三维形状。
3.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：该金属基板为铜合金、不锈钢、Ni-Ti合金、镁合金或铝合金之一。
4.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：该等离子反应室为批次式或连续式化学气相沉积反应室。
5.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：该金属基板在进入等离子反应室前已经过前处理，前处理包括脱脂、酸洗、清洗。
6.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(2)中的气体混合物中还包括反应性气体或惰性气体。
7.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(2)中的高侵蚀性气体为CF4、CF2Cl2、Cl2中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(3)中的高导热涂层包括等离子界面转换层及等离子高导热绝缘层，且多层高导热涂层为复合堆栈而成。
9.根据权利要求8所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(3)的具体步骤包括：
(3-1)将混有硅源前驱物的气体混合物通入该等离子反应室中，通过等离子活化该气体混合物而在等离子反应室中产生第一自由基等离子，第一自由基等离子靠着低压气相扩散在该金属基板的表面产生等离子界面转换层；
(3-2)将混有金属或陶瓷的化学前驱物的气体混合物通入该等离子反应室中，通过等离子活化该气体混合物而在等离子反应室中产生第二自由基等离子，第二自由基等离子靠着低压气相扩散在该等离子界面转换层的表面产生等离子高导热绝缘层。
10.根据权利要求9所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(3-1)的气体混合物还包括反应性气体，反应性气体为气态氧或水蒸气。
11.根据权利要求9所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(3-2)的气体混合物还包括反应性气体和惰性气体。
12.根据权利要求10所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(3-2)的反应性气体为O2、N2、H2O或NH3。
13.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于：步骤(4)中高导热绝缘胶为紫外线固化型、热固型或紫外线固化型混合热固型之一。
14.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(5)中溅镀金属导电层的步骤包括，将生成有多层高导热涂层的金属基板置-5 -3
入一真空腔内，抽真空至10 torr后，通入氩气维持在1～3x10 torr，启动基板负偏压
2
在-300～-600Volt，此时启动溅镀铜靶材，控制溅镀靶材的电流密度在0.1～1W/cm，进行镀铜，铜膜厚度控制0.5～5μm。
15.根据权利要求14所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(5)中溅镀金属防护层的步骤包括，将溅镀有铜膜的金属基板置入另一真-3
空腔，通入氩气维持在1～3x10 torr，此时启动溅镀金靶材，控制溅镀靶材的电流密度在
2
0.1～1W/cm，进行镀金，金膜厚度控制0.1～1μm。
16.根据权利要求14所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(5)中溅镀金属防护层的步骤包括，将溅镀有铜膜的金属基板置入另一真空-3
腔，通入氩气维持在1～3x10 torr，此时启动溅镀镍金靶材，控制溅镀靶材的电流密度在
2
0.1～1W/cm，镀上镍金薄膜，镍金薄膜的厚度控制0.1～1μm。
17.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(6)中的蚀刻配方为：磷酸500ml/L、冰醋酸400ml/L、硝酸100ml/L，蚀刻温度为室温，蚀刻时间为60-120s。
18.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(6)中的抗蚀刻膜以印刷的方式加以屏蔽。
19.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(6)中的抗蚀刻膜以曝光显影的方式加以屏蔽。
20.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于：步骤(7)后还包括，放入烘箱中预烤，预烤温度控制在75℃，预烤时间控制在
2
30min，然后通过紫外光固化，紫外光固化的参数800mj/cm，3m/s，紫外光固化的时间为
120s。
绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法
【技术领域】
2
cm，进行镀铜，铜膜厚度控制约0.5～5μm；
2
0.1～1W/cm，镀上金膜或镍金薄膜，金膜或镍金薄膜的厚度控制约0.1～1μm。
在30min，然后通过紫外光固化，紫外光固化的参数为800mj/cm，3m/s，紫外光固化的时间为120s。
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