技术领域
[0001] 本
发明涉及一种晶圆表面平坦化工艺，属于
半导体制造技术领域。
背景技术
[0002] 在集成
电路制造过程中，在经过多步加工工艺之后，
硅片表面已经很不平整，特别是在
金属化引线孔边缘处会形成很高的台阶。通常，台阶的存在会影响沉积生长
薄膜的
覆盖效果。沉积薄膜的厚度将沿着孔壁离表面的距离增加而减薄，在底
角处，薄膜有可能沉积不到，这就可能使金属化引线发生断路，从而引起整个集成电路失效。加之随着互连层数的增加和工艺特征的缩小，对
硅片表面平整度的要求也越来越高。尤其随着数字技术已经进入亚微米阶段，平坦化互连工艺已经变得非常流行。在上世纪90年代CMP被广泛应用之前，
旋涂玻璃（SOG：spin on glass）由于其具有良好的填充性被用来进行间隙填充和金属间介质层平坦化，以减小或者消除台阶的影响，改善台阶覆盖的效果。然而
旋涂玻璃本身的高额成本与其本身具有极易吸潮的特性，又成为它的“不足”之处。
[0003] 图1为一晶圆未经平坦化前的结构示意图，其结构组成为衬底1、场
氧化层2、
多晶硅层3、SiO2层4以及金属5，在CMOS工艺中由于
场氧化层2和多晶硅层3的
位置与其两侧结构位置在金属5
刻蚀以后存在相当大的台阶。图2为另一晶圆未经平坦化前的结构示意图，其结构组成为衬底1、场氧化层2、多晶硅层3、SiO2层4、金属5以及介质层6，在金属5多层隔离介质层6材料沉积以后，金属5位置上的介质层6会形成突起，金属5间隙间的介质层6会下凹，导致晶圆表面整体均匀性变差。因此，高低台阶处层次平坦化的均匀性好坏程度将对后续金属工艺带来重要影响，即平坦化效果差会使金属存在相当大的金属残留
风险，进而会导致器件可靠性问题的出现。
[0004] 为了提高晶圆表面介质层均匀性，常规的平坦化工艺如图3所示，在有台阶的晶圆表面采用
等离子体辅助
化学气相沉积法（PECVD）沉积第一正
硅酸乙酯层，其中，TEOS是正硅酸乙酯层的简称；然后在第一正硅酸乙酯层上旋涂第一旋涂玻璃层，其中，SOG是旋涂玻璃的简称；高温
烘烤第一旋涂玻璃层，再通过
离子注入工艺对第一旋涂玻璃层进行
固化处理；接着旋涂第二旋涂玻璃层，高温烘烤第二旋涂玻璃层，再通过离子注入工艺对第二旋涂玻璃层进行固化处理，最后再在第二旋涂玻璃层上沉积第二正硅酸乙酯层。在
现有技术的工艺中，借助旋涂玻璃良好的回流性能来弥补不同台阶位置的不均匀性，同时考虑旋涂玻璃极易吸潮性，通过高能离子注入来对其实现固化。
[0005] 但是，上述常规的提高晶圆表面介质层均匀性的工艺中包括二次旋涂玻璃工艺，该旋涂玻璃工艺包括旋涂、高温烘烤以及高能离子注入的步骤，二次重复旋涂玻璃工艺的作业方式不利于成本的节约，与此同时，利用高能离子注入法对旋涂玻璃层的固化处理并不能完全穿过旋涂玻璃层的膜层厚度，未固化的旋涂玻璃仍具有吸潮性，易造成通孔形貌异常，如在CMOS工艺中，此种异常会造成钨火山现象，不利于封装打线。
发明内容
[0006] 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，该工艺采用
光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术，不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。
[0007] 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤：
[0008] 在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；
[0009] 在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；
[0010] 对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；
[0011] 在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；
[0012] 在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；
[0013] 对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；
[0014] 去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。
[0015] 进一步地，所述第一正硅酸乙酯层和所述第二正硅酸乙酯层均采用等离子体辅助化学气相沉积法形成，其中，等离子体辅助化学气相沉积法简称PECVD法。
[0016] 进一步地，所述第一正硅酸乙酯层的厚度为 所述第二正硅酸乙酯层的厚度为
[0017] 进一步地，在所述第一正硅酸乙酯层上通过旋涂的方式形成所述旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层的厚度为
[0018] 进一步地，对所述旋涂玻璃层进行高温烘烤，其烘烤的
温度为200-400℃，烘烤的时间为30-90min。高温烘烤的目的是为了解决旋涂玻璃吸潮的问题，在该温度范围内，可以使旋涂玻璃中有机物质的O-H键发生断裂，有效阻碍了O-H和H
原子结合成
水分子，从而解决了旋涂玻璃吸潮的问题。
[0019] 进一步地，所述对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行离子注入，具体为：采用氩气或砷对形成旋涂玻璃层后的晶圆进行离子注入。
[0020] 进一步地，所述离子注入的
能量为70-200KEV。
[0021] 进一步地，在第二正硅酸乙酯层上通过旋涂的方式形成所述光刻胶层，所述光刻胶层的厚度为
[0022] 进一步地，对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻，其具体为：对所述光刻胶层进行完全刻蚀，并对所述第二正硅酸乙酯层进行部分刻蚀，其刻蚀后剩余的所述第二正硅酸乙酯层厚度为
[0023] 进一步地，所述去除回刻残留的光刻胶，具体为：采用等离子体法去除回刻残留的光刻胶。
[0024] 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，该平坦化工艺采用光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术改善了晶圆表面平整度，获得了较好的晶圆表面平坦化效果，不仅如此，该工艺还简化了工艺流程，极大程度的节约成本，大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。
附图说明
[0025] 图1为一晶圆未经平坦化前的结构示意图。
[0026] 图2为另一晶圆未经平坦化前的结构示意图。
[0027] 图3为现有技术的晶圆表面平坦化工艺
流程图。
[0028] 图4为本发明的晶圆表面平坦化工艺流程图。
[0029] 图5-图9为本发明的晶圆表面平坦化形成的结构示意图。
具体实施方式
[0030] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图和
实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031] 本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，工艺流程参见图4，具体包括以下步骤：
[0032] 步骤1、在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层6；
[0033] 如图5所示，在有台阶的晶圆表面以等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD）沉积第一正硅酸乙酯层6，其中，所述第一正硅酸乙酯层6的厚度为
[0034] 在本实施例中，所指的有台阶的晶圆的结构组成为衬底1、场氧化层2、多晶硅层3、介质层4以及金属5。
[0035] 步骤2、在所述第一正硅酸乙酯层6上形成旋涂玻璃层7，所述旋涂玻璃层7在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；
[0036] 如图6所示，在所述第一正硅酸乙酯层6上旋涂所述旋涂玻璃层7，所述旋涂玻璃层7的厚度为 其中，旋涂玻璃层7的厚度视台阶的高度而定，一般应保证所述旋涂玻璃层7在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度。
[0037] 本实施例中指的“台阶”指的是金属5，相对于介质层4的凸起部分，“非台阶”指的是在金属5之间的凹陷部分。
[0038] 步骤3-步骤4、对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；
[0039] 对所述旋涂玻璃层7进行高温烘烤，其烘烤的温度为200-400℃，烘烤的时间为30-90min。高温烘烤的目的是为了解决旋涂玻璃吸潮的问题，在该温度范围内，可以使旋涂玻璃中的有机物质的O-H键发生断裂，有效阻碍了O-H和H原子结合成水分子，从而有效的解决了旋涂玻璃吸潮的问题。
[0040] 利用高能离子注入工艺对旋涂玻璃层7进行固化处理，一般采用氩气或砷对形成旋涂玻璃层7后的晶圆进行离子注入，其中，离子注入的能量为70-200KEV。
[0041] 步骤5、在离子注入后的所述旋涂玻璃层7上形成第二正硅酸乙酯层8；
[0042] 如图7所示，在在离子注入后的所述旋涂玻璃层7上以等离子体辅助化学气相沉积法（PECVD）沉积第二正硅酸乙酯层8，其中，所述第二正硅酸乙酯层8的厚度为[0043] 步骤6、在所述第二正硅酸乙酯层8上形成光刻胶层9；
[0044] 如图8所示，在第二正硅酸乙酯层8上通过旋涂的方式形成所述光刻胶层9（简称：PR层），所述光刻胶层9的厚度为
[0045] 步骤7、对所述光刻胶层9和所述第二正硅酸乙酯层8进行回刻；
[0046] 如图9所示，对所述光刻胶层9和所述第二正硅酸乙酯层8进行回刻，其具体为：对所述光刻胶层9刻蚀完全，并对所述第二正硅酸乙酯层8进行部分刻蚀，其刻蚀后剩余的所述第二正硅酸乙酯层8厚度为 通过回刻的方式减少旋涂光刻胶之后的晶圆表面的台阶差，以获取满足要求的晶圆表面平整度。
[0047] 步骤8、去除回刻残留的光刻胶，具体为：采用等离子体法去除回刻残留的光刻胶。
[0048] 步骤9、对晶圆进行清洗。所用的清洗液为常用的
有机溶剂，如
乙醇、丙
酮或者它们的
混合液，其主要清洗的是在步骤8中，采用等离子体法去除残留光刻胶过程中的等离子体物质。
[0049] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
