形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法
专利汇可以提供形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种方法，在形成 旋涂 玻璃 膜后，利用等离子进行后续处理，则降低了 旋涂玻璃 膜吸湿能 力 。，下面是形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法专利的具体信息内容。
本发明涉及形成半导体器件的旋涂玻璃(下文称为″SOG″)膜的方 法，特别涉及形成下述半导体器件的SOG膜的方法，在该膜形成后，进 行等离子后续处理，降低SOG膜的吸湿性，因此改善器件的可靠性。
通常，SOG膜由于具有高粘度而具有均匀平直性和高耐破裂性的 优点。利用旋涂方法加SOG材料，因为通过旋涂后进行退火处理使其 凝固，所以，SOG材料作为绝缘层。因此，在制造半导体器件工艺中， 利用SOG膜达到绝缘的目的和使金属布线之间以及器件整个结构平 面化。但是，由于SOG膜容易吸湿力，使金属及各膜干缩，因而SOG膜 可使形成在SOG膜上的金属布线和各保护膜破裂。因为在接触孔中氧 化底层金属布线，所以还会增加金属布线的内电阻。这使金属布线之 间连线变坏或者断开，降低器件的可靠性。当器件动作时，SOG膜放出 吸收的湿气。放出的湿气将变成为晶体管栅氧化和硅衬底之间的或 场氧化膜和硅衬底之间的悬空键。由于载流子作用，俘获湿气是晶体 管变坏或不能反型的主要原因。结果，使器件的电特性变坏。
本发明的目的是提供一种方法，它在形成SOG膜后，进行等离后续 工艺，降低了SOG膜吸湿能力。
根据本发明，一种形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法，包括步 骤：
在其上形成有金属图形的第1层间绝缘膜上形成第2层间绝缘 膜后，在最终所得到的结构上涂覆SOG材料；通过在200到400℃温 度下进行第1退火处理形成SOG膜；利用NF3气体进行等离子轰击来 后续处理所述的SOG膜；在400到450℃的温度下进行第二次退火 所述的SOG膜。
为了比较充分的理解本发明的特点和目的，将结合下列附图进行 详细叙述：
图1A到图1D是说明一种制造半导体器件的SOG膜方法的器件 的剖视图。
对于上述几个视图，相同的标记表示相同的部分。
下面参照附图，详细叙述本发明。
图1A到图1D是说明按照本发明制造一种半导体器件中SOG膜 方法的器件剖视图。
图1A是器件的剖视图，其中，通过在第1层间绝缘膜1上淀积像 铝那样的导电材料形成金属膜2，层间绝缘膜1是利用所希望的制造 半导体器件的工艺形成的。在膜2上面淀积TiN，形成抗反射涂膜3 接着利用所需的掩模，通过光刻腐蚀工艺使抗反射涂膜3和金属膜2 形成图形。
图1B是器件的剖视图，其中，在形成第2层间绝缘膜4后，为使表 面平直，涂覆SOG材料形成SOG膜5，然后进行第1次退火，温度为200 到400℃。
图1C是器件的剖视图，其中，利用NF3气体进行等离子轰击，后 续处理SOG膜5，其中，在化学汽相淀积(CVD)设备或等离子设备中产 生等离子体。输入NF3气体大约0.5到5SLM。同时加高频功率(13.56MH) 和低频(300到50KHz)功率以改善离子轰击效果。通过上述等离子处 理获得的效果如下。
利用等离子设备分离并离子化NF3气体，产生象N+，F+，NFx+那 样的原子团，轰击SOG膜5。因为象N+，F+，NFx+那样的离子，在等离 子处理过的SOG膜5中的悬空键部位吸湿能力减小，所以减少了SOG 膜的吸湿能力。由于在表面上产生Si-N键，这使SOG膜5的表面转 变为氮氧化物的形式。因为氟(F)在SOG膜5中有高的负电，用像F+， NFx+那样的离子代替Si-F键，会使Si-OH键分离而释放出OH离子。 此外，上述替代的Si-F键增强了Si-O键的力，因此，防止它受大气中 的水(H2O)的破坏，有效地减少了SOG膜的湿能力。
图1D是器件的剖视图，其中，在等离子处理后，在温度400到450℃ 第2次退火SOG膜。进行第2次退火，释放出保留在SOG膜5中的具有 弱键的氟(F)离子或分子。并且，经过第2次退火的其它化合物也能 够释放出降低器件运作因相同工艺而使其键被断开的OH，H2O，CHx， Fx离子。
如上所述，本发明通过在形成SOG后进行后续处理，降低了膜的 吸湿力，所以能明显改善器件可靠性。
如上所述，虽然以某种特例叙述了优选实施例，但那仅仅说明 了本发明的原理，应该理解到，本发明不限于本文公开和说明的优 选实施例。因此，在本发明的范围和精神实质内进行的各种合适的 变化，都包括在本发明的其它实施例中。
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