专利汇可以提供一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种两步 旋涂 法制备 单层 胶体晶体的方法,包括以下步骤:S1、取玻璃基底,采用去离子 水 作为 镀 膜 液体,通过旋涂法在玻璃基底表面制备一层水膜;S2、取微纳胶体粒子水乳液作为镀膜液体,将微纳胶体粒子水乳液滴加在水膜上,并进行第二次旋涂,使微纳胶体粒子水乳液扩散铺展在水膜表面,得到单层胶体晶体;步骤S1旋涂时,去离子水为连续滴加;步骤2旋涂时,微纳胶体粒子水乳液只在旋涂初始滴加一次;水膜表面为完全亲水与润湿的特性,使得微纳胶体粒子水乳液迅速铺展扩散,在旋涂离心 力 的作用下更加均匀地铺展,最终得到符合要求的单层胶体晶体;本方法操作简便,制备效率高,并且成本低下,极大地节省了原材料,并且最大限度地使原材料利用率达到100%,避免浪费。,下面是一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法专利的具体信息内容。
1.一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、取玻璃基底,采用去离子水作为镀膜液体,通过旋涂法在玻璃基底表面制备一层水膜;
S2、取微纳胶体粒子水乳液作为镀膜液体,将微纳胶体粒子水乳液滴加在水膜上,并进行第二次旋涂,使微纳胶体粒子水乳液扩散铺展在水膜表面,得到单层胶体晶体;
所述步骤S1旋涂时,去离子水为连续滴加;步骤2旋涂时,微纳胶体粒子水乳液只在旋涂初始滴加一次。
2.根据权利要求1所述的一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法,其特征在于,所述玻璃基底的表面经过亲水化处理, 基底面积为3~10cm2。
3.根据权利要求1或2所述的一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法,其特征在于,所述步骤S1的旋涂转速为500~3000r/min,旋涂时间为5~30s。
4.根据权利要求1或2所述的一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法,其特征在于,所述步骤S2的旋涂转速为500~2000r/min,旋涂时间为1~10s。
5.根据权利要求1或2所述的一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法,其特征在于,所述步骤S2微纳胶体粒子水乳液的滴加量为2~20µl,微纳胶体粒子水乳液的固含量为1~
10%。
6.根据权利要求5所述的一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法,其特征在于,所述微纳胶体粒子水乳液采用聚苯乙烯水乳液,制备得到的单层胶体晶体为单层聚苯乙烯膜。
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