磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃及其制备方法
专利汇可以提供磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 提供磷掺杂自洁净三 银 LOW-E玻璃，包括有第一玻璃基片和第二玻璃基片，所述第一玻璃基片的一侧设有磷二 氧 化 钛 复合膜层，所述第一玻璃基片的另一侧与第二玻璃基片之间设有中空腔，所述第一玻璃基片上在所述第一玻璃基片与所述中空腔之间由内到外依次相邻地复合有十三个膜层，其中第一层为Si3N4层，第二层为AZO层，第三层为Ag层，第四层为NiCr层，第五层为ZnSnO4层，第六层为AZO层，第七层为Ag层，第八层为NiCr层，第九层为ZnSnO4层，第十层为AZO层，第十一层为Ag层，第十二层为NiCr层，第十三层为Si3N4层。本 发明 能够实现 光谱 在380～780nm范围内响应，即本发明能够在可见光 波长 范围内也具备自洁净效果。本发明还公开了通过磁控 溅射法 制备磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃的方法。，下面是磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃及其制备方法专利的具体信息内容。
1.磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，包括有第一玻璃基片(1)和第二玻璃基片(2)，其特征在于，所述第一玻璃基片(1)的一侧设有磷二氧化钛复合膜层(3)，所述第一玻璃基片(1)的另一侧与所述第二玻璃基片(2)之间设有中空腔(4)，所述第一玻璃基片(1)上在所述第一玻璃基片(1)与所述中空腔(4)之间由内到外依次相邻地复合有十三个膜层，其中第一层为Si3N4层(51)，第二层为AZO层(52)，第三层为Ag层(53)，第四层为NiCr层(54)，第五层为ZnSnO4层(55)，第六层为AZO层(56)，第七层为Ag层(57)，第八层为NiCr层(58)，第九层为ZnSnO4层(59)，第十层为AZO层(60)，第十一层为Ag层(61)，第十二层为NiCr层(62)，第十三层为Si3N4层(63)。
2.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述磷二氧化钛复合膜层(3)的厚度为90～110nm。
3.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一层Si3N4层(51)的厚度为20～45nm，所述第十三层Si3N4层(63)的厚度为50～85nm。
4.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述第二层AZO层(52)的厚度、所述第六层AZO层(56)的厚度和所述第十层AZO层(60)的厚度均为300～
500nm。
5.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述第三层Ag层(53)的厚度、所述第七层Ag层(57)的厚度和所述第十一层Ag层(61)的厚度均为8～10nm。
6.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述第四层NiCr层(54)的厚度、所述第八层NiCr层(58)的厚度和所述第十二层NiCr层(62)的厚度均为3～
5nm。
7.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述第五层ZnSnO4层(55)的厚度和所述第九层ZnSnO4层(59)的厚度均为50～85nm。
8.根据权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一玻璃基片(1)和第二玻璃基片(2)均为浮法玻璃。
9.制备权利要求1所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A：将掺磷的TiO2溶液涂布到第一玻璃基片(1)上以在第一玻璃基片(1)的一侧形成磷二氧化钛复合膜层(3)；
B：将设有磷二氧化钛复合膜层(3)的第一玻璃基片(1)放置在钢化炉内进行钢化；
C：将钢化后的第一玻璃基片(1)送入镀膜室磁控溅射第一层Si3N4层(51)，用交流电源、Ar气和N2作为保护气体，磁控溅射硅铝靶(Si:Al＝92:8(wt％))，用Ar和N2气体流量
400SCCM:600SCCM，在第一玻璃基片(1)上溅射出厚度为20～45nm的第一层Si3N4层(51)；
D：继续磁控溅射第二层AZO层(52)，用交流电源、Ar气和O2作为保护气体，磁控溅射掺铝氧化锌靶(ZnO:Al＝92:8(wt％))，用Ar和O2气体流量1000SCCM:40SCCM，溅射出厚度为300～500nm的第二层AZO层(52)；
E：继续磁控溅射第三层Ag层(53)，用直流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射，用Ar气体流量500～550SCCM，溅射出厚度为8～10nm的第三层Ag层(53)；
F：继续磁控溅射第四层NiCr层(54)，用直流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射，用Ar气体流量500～550SCCM，溅射出厚度为3～5nm的第四层NiCr层(54)；
G：继续磁控溅射第五层ZnSnO4层(55)，用交流电源、Ar气和O2作为保护气体，磁控溅射锌锡靶(Zn:Sn＝50:50(wt％))，用Ar和O2气体流量400SCCM:600SCCM，溅射出厚度为50～
85nm的第五层ZnSnO4层(55)；
H：继续磁控溅射第六层AZO层(56)，用交流电源、Ar气和O2作为保护气体，磁控溅射掺铝氧化锌靶(ZnO:Al＝92:8(wt％))，用Ar和O2气体流量1000SCCM:40SCCM，溅射出厚度为300～500nm的第六层AZO层(56)；
I：继续磁控溅射第七层Ag层(57)，用直流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射，用Ar气体流量500～550SCCM，溅射出厚度为8～10nm的第七层Ag层(57)；
J：继续磁控溅射第八层NiCr层(58)，用直流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射，用Ar气体流量500～550SCCM，溅射出厚度为3～5nm的第八层NiCr层(58)；
K：继续磁控溅射第九层ZnSnO4层(59)，用交流电源、Ar气和O2作为保护气体，磁控溅射锌锡靶(Zn:Sn＝50:50(wt％))，用Ar和O2气体流量400SCCM:600SCCM，溅射出厚度为50～
85nm的第九层ZnSnO4层(59)；
L：继续磁控溅射第十层AZO层(60)，用交流电源、Ar气和O2作为保护气体，磁控溅射掺铝氧化锌靶(ZnO:Al＝92:8(wt％))，用Ar和O2气体流量1000SCCM:40SCCM，溅射出厚度为300～500nm的第十层AZO层(60)；
M：继续磁控溅射第十一层Ag层(61)，用直流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射，用Ar气体流量500～550SCCM，溅射出厚度为8～10nm的第十一层Ag层(61)；
N：继续磁控溅射第十二层NiCr层(62)，用直流电源、Ar气作为保护气体，磁控溅射，用Ar气体流量500～550SCCM，溅射出厚度为3～5nm的NiCr层(62)；
O：继续磁控溅射第十三层Si3N4层(63)，用交流电源、Ar气和N2作为保护气体，磁控溅射硅铝靶(Si:Al＝92:8(wt％))，用Ar和N2气体流量400SCCM:600SCCM，溅射出厚度为50～
85nm的第十三层Si3N4层(63)；
P：第二玻璃基片(2)与第一玻璃基片(1)所溅射有的第十三层Si3N4层(63)隔出中空腔(4)并与第一玻璃基片(1)进行合片，制备得自洁净三银LOW-E玻璃。
10.根据权利要求9所述的磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃的制备方法，其特征在于，在步骤A中，所述掺磷的TiO2溶液由以下步骤制成：
A1、将30～100ml钛酸四丁酯溶于150～250ml无水乙醇、20～30mlH2O2中，搅拌25～
35min，滴入30～50ml去离子水；
A2、向经过步骤A1后所得到的溶液里加入10～20ml乙酰丙酮，20～30ml HNO3，并加热至
35～45℃，搅拌25～35min；
A3、向经过步骤A2后所得到的溶液里滴入6～20ml H3PO4，并加热至70～90℃，搅拌
1h45min～2h15min；
A4、将经过步骤A3后所得到的溶胶放入带有聚四氟乙烯内衬的高压釜内，加热至130～
140℃，并加压至3～4bar，搅拌1h45min～2h15min，得到溶胶；
A5、将经过步骤A4后所得到的溶胶过滤，得掺磷的TiO2溶液。
磷掺杂自洁净三银LOW-E玻璃及其制备方法
【技术领域】
380～780nm内响应，因此本实施例通过设置磷二氧化钛复合膜层，就能够实现光谱在380～
780nm响应，即本实施例能够在可见光波长范围内也具备自洁净效果，使得本实施例应用在室外阴暗天气和室内照明环境中均具有自洁净效果，有效减少对玻璃的清洗次数，扩大了镀膜自洁净玻璃的应用空间。同时，本实施例通过设置Si3N4层、AZO层、三Ag层、NiCr层和ZnSnO4层，使得本实施例的玻璃具有优异的节能效果，本实施例的可见光透过率可达到40～70％，红外透过率<10％，传热系数<1.5，遮阳系数<0.35，辐射率<0.02。
135℃，搅拌时间优选为2h。
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