一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法
专利汇可以提供一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开的一种具有高绒度的FZO透明导电 薄膜 的制备方法，包括如下步骤：1）采用磁控 溅射法 制备氟掺 氧 化锌薄膜；2）将步骤1）的FZO薄膜浸入体积浓度为0.01~1.0%的 腐蚀 性溶液中 刻蚀 ，取出后清洗并干燥；3）将经步骤2）处理的FZO薄膜再放入 磁控溅射 设备生长室中，进行等离子刻蚀10-30min，获得具有高绒度的FZO薄膜。本发明采用磁控溅射法结合湿化学刻蚀、等离子刻蚀的方法制备FZO透明导电薄膜，所获得的薄膜具有较高的绒度，且电学性能明显提高，有利于其在 太阳能 电池 中的应用，此外，本发明的制备方法工艺简单，重复性好，适用于大面积生长。，下面是一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
1）制备氟掺氧化锌薄膜：将洁净的衬底放入磁控溅射设备生长室内，以Zn1-xFxO陶瓷靶-6
为靶材，0
2）湿化学刻蚀：将步骤1）的FZO薄膜浸入体积浓度为0.01 ~ 1.0 %的腐蚀性溶液中保持1~60s，取出后清洗并干燥；
3）等离子刻蚀：将经步骤2）处理的FZO薄膜放入磁控溅射设备生长室中，抽真空至真-6
空度至少为5×10 Torr，加热衬底至20～200℃，向生长室内按流量比为100:5-30通入Ar和H2，调节工作气压至10~50Pa，溅射功率为20-100W，进行等离子刻蚀10-30min，获得具有高绒度的FZO薄膜。
2.根据权利要求1的具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于所述的衬底为玻璃、石英玻璃、硅片、PC、PET、PI或PMMA。
3.根据权利要求1的具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于步骤2）中所述的腐蚀剂溶液为HCl溶液、HF溶液、NaOH溶液、HNO3溶液或NH4Cl溶液。
一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法
技术领域
背景技术
2μm，因此用 ZnO:F 材料制备的透明导电薄膜在2000nm 处仍有较高的透过率。
发明内容
2）湿化学刻蚀：将步骤1）的FZO薄膜浸入体积浓度为0.01 ~ 1.0 %的腐蚀性溶液中保持1~60s，取出后清洗并干燥；
3）等离子刻蚀：将经步骤2）处理的FZO薄膜放入磁控溅射设备生长室中，抽真空至真-6
空度至少为5×10 Torr，加热衬底至20～200℃，向生长室内按流量比为100:5-30通入Ar和H2，调节工作气压至10~50Pa，溅射功率为20-100W，进行等离子刻蚀10-30min，获得具有高绒度的FZO薄膜。
具体实施方式
真空至真空度至少为5×10 Torr，加热衬底至300℃，向生长室中通入Ar，并调节生长气压至8mTorr，溅射功率为100W，生长60min，获得厚度为700nm左右的FZO薄膜；
2) 将FZO薄膜放入体积浓度为0.5%的HCl溶液中静置15s，取出后清洗并干燥；获得的FZO薄膜的SEM图如图1所示；
3) 将步骤2)中得到的FZO薄膜重新放入磁控溅射设备的腔体，打开真空系统，抽真空-6
至真空度下降至5×10 Torr，加热衬底至200℃，向腔体中按流量比100:10通入Ar和H2，调节腔体内气压到20Pa，开启衬底电源，设置溅射功率为80W，进行等离子刻蚀20min，获得具有高绒度的FZO薄膜，其SEM图如图2所示；
表1为步骤2所得的FZO薄膜及步骤3所得的FZO薄膜的电学性能的对比，可知经两种刻蚀方法结合处理的FZO薄膜具有更好的电学性能。
20mTorr，溅射功率为50W，生长15min，获得FZO薄膜；
2) 将FZO薄膜放入体积浓度为1%的NH4Cl溶液中静置1s，取出后清洗并干燥；
3) 将步骤2)中得到的FZO薄膜重新放入磁控溅射设备的腔体，打开真空系统，抽真空至真空度下降至5×10-6Torr，加热衬底至200℃，向腔体中按流量比100:5通入Ar和H2，调节腔体内气压到10Pa，开启衬底电源，设置溅射功率为100W，进行等离子刻蚀30min，获得具有高绒度的FZO薄膜。
1mTorr，溅射功率为200W，生长60min，获得FZO薄膜；
2) 将FZO薄膜放入体积浓度为0.01%的HNO3溶液中静置60s，取出后清洗并干燥；
3) 将步骤2)中得到的FZO薄膜重新放入磁控溅射设备的腔体，打开真空系统，抽真空至真空度下降至5×10-6Torr，加热衬底至20℃，向腔体中按流量比100:30通入Ar和H2，调节腔体内气压到50Pa，开启衬底电源，设置溅射功率为20W，进行等离子刻蚀10min，获得具有高绒度的FZO薄膜。
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