一种颗粒膜TbFeCo的制备方法
阅读：1016发布：2020-10-18
专利汇可以提供一种颗粒膜TbFeCo的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提出一种制备TbFeCo颗粒膜的新方法。传统的TbFeCo 薄膜 常用作磁光以及光磁混合材料。薄膜的抗热扰 动能 力 差。不同于传统的薄膜生长方法，本发明采用直流 磁控溅射 与射频磁控溅射共溅的方法，TbFeCo直流溅射，非 磁性 介质SiO2等射频溅射。这种制备颗粒膜的新方法改善了材料的性能，提高了材料的热 稳定性 。，下面是一种颗粒膜TbFeCo的制备方法专利的具体信息内容。
一种颗粒膜TbFeCo的制备方法
技术领域
本发明属磁电子学和光磁混合记录材料技术领域，具体涉及一种制备光磁混合存储材 料TbFeCo的新方法。 技术背景
传统的TbFeCo材料具有垂直各向异性，可用作磁光存储材料以及光磁混合存储材料。 早期人们主要研究的是具有强烈耦合作用的多层膜，但是这些制备工艺复杂，材料的性能 很难保证。目前受到普遍重视的是多靶共溅法制备TbFeCo。但是颗粒之间的耦合作用很 难克服，导致抗热扰动能力差，颗粒之间的过渡区很大，记录点尺寸的减小受到很大朽.度 的限制。
信息技术的飞速发展得益于材料存储性能的提高。人们一直致力于提高材料的存储 密度。因此寻找新的样品制备方法，在超高密度光磁混合记录领域中具有重要的意义， 有助于推动信息存储等高科技领域的发展，并有可能产生巨大的经济效应。 发明内容
本发明的目的是对传统的制备方法进行改进，提出一种颗粒膜TbFeCo的新的制备方 法，以增大材料的矫顽力，减小颗粒之间的过渡区。
本发明提出的制备颗粒膜TbFeCo的方法，具体歩骤如下：
将(玻璃)衬底放入无水酒精中，用超声波发生器清洗两至三遍。将清洗好的衬底放进 真空溅射装置的溅射腔内，抽真空。等腔的本底真空度降到5.0xl0—spa以下时，通氩气。 氩气压通常维持在0.8 — 1.0Pa。采用射频磁控溅射非磁性介质与直流磁控溅射TbFeCo共 滩的方法。静置一段时间后开腔，取出样品并测量。其中，非磁性介质可以是Si02、 NiO 或MgO等。样品厚度为30-200nm。
本发明提出的制备颗粒膜的方法，制备的薄膜矫顽力增大，颗粒之间过渡区縮小，W 录点的尺寸明显减小，薄膜的热稳定性也有很大改善。因此，本发明对存储性能有很大的 ,改善与提高，在光磁混合存储记录技术领域具有重大的应用价值。 附围说明
图1为TbFeCo和TbFeCo/Si02薄膜矫顽力对比。其中，(a)为TbFeCo/Si02，(b)为TbFeCo。 图2为TbFeCo和TbFeCo/NiO薄膜矫顽力对比。其中，(a)为TbFeCo/NiO，(b)为TbFeCo。 图3为TbFeCo和TbFeCo/ MgO薄膜矫顽力对比。其中，（a)为TbFeCo/ MgO,(b)为 TbFeCo 。
多体实施方式
下面通过实施例进一步介绍本发明。 '奔'施例l: TbFeCo。K^颗粒膜）
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo单层膜易磁化方向垂直膜面。图 l(b)给出了室温时样品的实验曲线。
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo/Si02颗粒膜易磁化方向垂直膜而， 矫顽力明显增大。图l(a)给出了室温时样品的实验曲线。 施例2: TbFeCo (NiO颗粒膜）
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo单层膜易磁化方向垂直膜面。阁 j2(b)所示给出了室温时样品的实验曲线。
' 用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCoNiO颗粒膜易磁化方向垂直膜面， .矫顽力增大很大。图2(a)给出了室温时样品的实验曲线。 实施例3:组分三TbFeCo (MgO颗粒膜）
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo易磁化方向垂直膜面，薄膜有矫 顽力。图3(b)给出了室温时样品的实验曲线。
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCoMgO易磁化方向垂直膜面，矫顽 .力增大。图3(a)给出了室温时样品的实验曲线。
传统的TbFeCo材料具有垂直各向异性，可用作磁光存储材料以及光磁混合存储材料。 早期人们主要研究的是具有强烈耦合作用的多层膜，但是这些制备工艺复杂，材料的性能 很难保证。目前受到普遍重视的是多靶共溅法制备TbFeCo。但是颗粒之间的耦合作用很 难克服，导致抗热扰动能力差，颗粒之间的过渡区很大，记录点尺寸的减小受到很大朽.度 的限制。
信息技术的飞速发展得益于材料存储性能的提高。人们一直致力于提高材料的存储 密度。因此寻找新的样品制备方法，在超高密度光磁混合记录领域中具有重要的意义， 有助于推动信息存储等高科技领域的发展，并有可能产生巨大的经济效应。 发明内容
本发明的目的是对传统的制备方法进行改进，提出一种颗粒膜TbFeCo的新的制备方 法，以增大材料的矫顽力，减小颗粒之间的过渡区。
本发明提出的制备颗粒膜TbFeCo的方法，具体歩骤如下：
将(玻璃)衬底放入无水酒精中，用超声波发生器清洗两至三遍。将清洗好的衬底放进 真空溅射装置的溅射腔内，抽真空。等腔的本底真空度降到5.0xl0—spa以下时，通氩气。 氩气压通常维持在0.8 — 1.0Pa。采用射频磁控溅射非磁性介质与直流磁控溅射TbFeCo共 滩的方法。静置一段时间后开腔，取出样品并测量。其中，非磁性介质可以是Si02、 NiO 或MgO等。样品厚度为30-200nm。
本发明提出的制备颗粒膜的方法，制备的薄膜矫顽力增大，颗粒之间过渡区縮小，W 录点的尺寸明显减小，薄膜的热稳定性也有很大改善。因此，本发明对存储性能有很大的 ,改善与提高，在光磁混合存储记录技术领域具有重大的应用价值。 附围说明
图1为TbFeCo和TbFeCo/Si02薄膜矫顽力对比。其中，(a)为TbFeCo/Si02，(b)为TbFeCo。 图2为TbFeCo和TbFeCo/NiO薄膜矫顽力对比。其中，(a)为TbFeCo/NiO，(b)为TbFeCo。 图3为TbFeCo和TbFeCo/ MgO薄膜矫顽力对比。其中，（a)为TbFeCo/ MgO,(b)为 TbFeCo 。
多体实施方式
下面通过实施例进一步介绍本发明。 '奔'施例l: TbFeCo。K^颗粒膜）
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo单层膜易磁化方向垂直膜面。图 l(b)给出了室温时样品的实验曲线。
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo/Si02颗粒膜易磁化方向垂直膜而， 矫顽力明显增大。图l(a)给出了室温时样品的实验曲线。 施例2: TbFeCo (NiO颗粒膜）
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo单层膜易磁化方向垂直膜面。阁 j2(b)所示给出了室温时样品的实验曲线。
' 用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCoNiO颗粒膜易磁化方向垂直膜面， .矫顽力增大很大。图2(a)给出了室温时样品的实验曲线。 实施例3:组分三TbFeCo (MgO颗粒膜）
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCo易磁化方向垂直膜面，薄膜有矫 顽力。图3(b)给出了室温时样品的实验曲线。
用计算机控制多功能磁控溅射设备，制备衬底/TbFeCoMgO易磁化方向垂直膜面，矫顽 .力增大。图3(a)给出了室温时样品的实验曲线。
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