专利汇可以提供一种活性材料修饰隔膜及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种活性材料修饰隔膜及其制备方法,该隔膜包括:具有绝缘及 支撑 作用的基膜层、可同锂枝晶反应的活性物质层。所述基膜为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚偏氟乙烯膜、聚偏氟乙烯-六氟丙烯膜、聚酰亚胺膜、聚酰胺膜、聚四氟乙烯膜、聚炳烯酸酯类膜、聚氯乙烯膜、聚环 氧 乙烯膜、玻璃 纤维 膜、 纤维素 膜、 无纺布 膜中的一种或多种复合膜。所述活性物质层的制备方法是将活性物质同粘结剂制成混合浆料,然后沉积到基膜上。所述沉积方法是 刮涂 、转移涂、 喷涂 、 磁控溅射 、 粒子束 溅射、 原子 层沉积 、 电子 束蒸 镀 、 脉冲激光沉积 、气相沉积。所述活性物质层至少沉积于隔膜一侧。,下面是一种活性材料修饰隔膜及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种活性材料修饰隔膜,其特征在于,包括:具有绝缘及支撑作用的基膜层、可同锂枝晶反应的活性物质层;
所述基膜为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚偏氟乙烯膜、聚偏氟乙烯-六氟丙烯膜、聚酰亚胺膜、聚酰胺膜、聚四氟乙烯膜、聚炳烯酸酯类膜、聚氯乙烯膜、聚环氧乙烯膜、玻璃纤维膜、纤维素膜、无纺布膜中的一种或多种复合膜;
所述活性物质层由活性物质和粘结剂组成,活性物质含量为10~100%。
2.如权利要求1所述的一种活性材料修饰隔膜,其特征在于,所述活性物质为I2、S、V2O5、MoO3、MnO2、Bi2O3、Bi2Pb2O5、氟化碳、CuCl2、CuF2、CuO、CuS、FeS、FeS2、Ni2S2、AgCl、Ag2CrO4中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的一种活性材料修饰隔膜,其特征在于,所述粘结剂为La132、La133、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙烯醇、羧甲基纤维素钠、海藻酸钠。
4.如权利要求1所述的一种活性材料修饰隔膜的制备方法,其特征在于,所述活性物质层是将活性物质同粘结剂制成混合浆料,然后沉积到基膜上;
所述沉积的方法是刮涂、转移涂、喷涂、磁控溅射、粒子束溅射、原子层沉积、电子束蒸镀、脉冲激光沉积、气相沉积。
5.如权利要求4所述的一种活性材料修饰隔膜的制备方法,其特征在于,所述活性物质层至少沉积于隔膜一侧。
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